電容式壓力傳感器和制造該電容式壓力傳感器的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種電容式壓力傳感器及其制造方法。該電容式壓力傳感器包括：固定板，被配置為作為背板；活動(dòng)板，被配置為隔膜用于檢測(cè)壓力，其中空腔形成在所述固定板和所述活動(dòng)板之間；絕緣層，位于所述固定板和所述活動(dòng)板與它們的電觸點(diǎn)之間，用于最小化漏泄電流；多個(gè)阻尼孔用于當(dāng)壓力施加在所述隔膜上時(shí)使得所述固定板的輪廓與偏轉(zhuǎn)的所述隔膜一致；排放孔，延伸到所述空腔并具有有阻力的空氣路徑，用于與所述隔膜的平衡；和延伸的背室，用于增加所述電容式壓力傳感器的靈敏度。該電容式壓力傳感器還被配置為用于最小化寄生電容。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電容式壓力傳感器和制造該電容式壓力傳感器的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大體上涉及壓力傳感器。具體地，本發(fā)明涉及用于所需應(yīng)用的電容式壓力傳感器的制造。

【背景技術(shù)】
[0002]傳感器是一種檢測(cè)特定介質(zhì)并且將該介質(zhì)的特性通過(guò)電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榭勺x值的設(shè)備。這種類(lèi)型的傳感器也被已知為變換器。本發(fā)明涉及用于檢測(cè)各種壓力范圍的傳感器，特別是幾帕斯卡范圍的低壓力。通常，具有三種不同的變換機(jī)制用于測(cè)量壓力，例如壓阻式、壓電式和電容式。然而，電容式方法相比其它變換機(jī)制具有一些優(yōu)點(diǎn)，特別是在低壓測(cè)量方面。這是由于電容隨著壓力的百分比變化而導(dǎo)致的。
[0003]然而，電容式壓力傳感器具有兩種主要的缺點(diǎn)，例如電容器的板之間的寄生電容和電流漏泄。寄生電容是主電容區(qū)域外部的周邊電容。這是由于平行的板的相應(yīng)的表面全部被附接導(dǎo)致的結(jié)果。兩個(gè)板之間的漏泄電流使電容惡化，并且還降低傳感器的分辨率和操作頻率范圍。因此，要求完全消除或基本上減小這兩個(gè)不希望的參數(shù)，從而對(duì)傳感器性能具有非常小的影響。盡管理想上這兩種參數(shù)應(yīng)該為零，然而，實(shí)際上，根據(jù)設(shè)計(jì)特征和制造技術(shù)，總是存在一些最小值。
[0004]因此，鑒于以上討論，需要提供改進(jìn)的設(shè)計(jì)特征和制造技術(shù)，其能夠消除上面提到的缺點(diǎn)，并且生產(chǎn)具有最小寄生電容和漏泄電流的電容式壓力傳感器。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供獨(dú)有的設(shè)計(jì)特征和制造順序以便生產(chǎn)顯著減小寄生電容和漏泄電流的超電容式壓力傳感器。
[0006]本發(fā)明的另一目的在于提供獨(dú)有的設(shè)計(jì)特征和制造順序以便生產(chǎn)以簡(jiǎn)單的方式滿足設(shè)計(jì)要求的超電容式壓力傳感器。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種獨(dú)有的設(shè)計(jì)特征和制造順序以便生產(chǎn)有成本效益的超電容式壓力傳感器。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上面提到的目的，本發(fā)明公開(kāi)一種在傳感器沖模上制造的電容式壓力傳感器。該電容式壓力傳感器包括:固定板，其被配置作為背板被錨定在邊緣處，保持剩余區(qū)域浮動(dòng)，用以最小化寄生電容；活動(dòng)板，其被配置作為用于檢測(cè)壓力的隔膜，其中空腔形成在所述固定板和所述活動(dòng)板之間以允許所述隔膜偏轉(zhuǎn)；絕緣層，位于所述固定板和所述活動(dòng)板與電觸點(diǎn)之間，用以最小化漏泄電流；多個(gè)阻尼孔，被布置在所述固定板上，用于當(dāng)壓力施加在所述隔膜上時(shí)使所述固定板的輪廓成形如偏轉(zhuǎn)的所述隔膜；排放孔，延伸到所述空腔并具有有阻力的空氣路徑，用于當(dāng)暴露到環(huán)境壓力時(shí)提供與所述隔膜的平衡；和延伸的背室，具有延伸的容積，用于提高所述電容式壓力傳感器的靈敏度。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，所述電容式壓力傳感器包括布置在所述固定板上的多個(gè)過(guò)壓限制器支柱，用于在最大過(guò)壓施加在所述隔膜上的情況下防止所述隔膜在所述背板上塌陷。
[0010]在本發(fā)明另一方面中，公開(kāi)一種制造電容式壓力傳感器的方法。所述方法包括:形成第一晶片基板，該第一晶片基板包括被第一粘合層粘接的第一層和第二層以及在所述第二層頂部上的二氧化硅掩模層；蝕刻掉所述掩模層和所述第二層以形成凹形的空腔；通過(guò)蝕刻在所述掩模層上形成用于背板、電絕緣和排放通道的圖案；形成用于減小寄生電容的背板絕緣和通過(guò)所述第二層的阻尼孔；形成第二晶片基板，該第二晶片基板包括具有第三粘合層的第三層和由第四粘合層粘接的第四層，其中所述第四層被配置作為約束晶片；通過(guò)粘接作為第二粘合層的所述掩模層而將所述第一晶片基板與所述第二晶片基板聯(lián)接；通過(guò)研磨將所述第四層減小到十分之一微米的范圍以便形成隔膜層；在所述第一層中形成延伸的背室以提高靈敏度；以及為所述掩模層中的排放孔形成開(kāi)口，用以提供對(duì)所述隔膜的平衡。
[0011]在實(shí)施例中，所述制造電容式壓力傳感器的方法包括移除不必要的粘合層，以使所述背板和所述隔膜不受約束。
[0012]在實(shí)施例中，所述制造電容式壓力傳感器的方法，包括通過(guò)接觸墊上的孔濺鍍金屬。
[0013]在實(shí)施例中，所述第一晶片基板通過(guò)熔融粘接與所述第二晶片基板粘接。
[0014]在實(shí)施例中，在所述第一層中形成所述延伸的背室包括:形成延伸的背室的第一步和在所述第一層中形成整個(gè)背室的第二步。
[0015]在實(shí)施例中，所述制造電容式壓力傳感器的方法包括在所述邊緣的周?chē)擞糜谛纬慑^定的背板的錨定區(qū)域之外蝕刻所述掩模層。
[0016]在實(shí)施例中，所述制造電容式壓力傳感器的方法包括形成通過(guò)所述第二層的過(guò)壓限制器，以在最大壓力的情況下防止所述背板和所述隔膜之間短路。
[0017]理解的是，本發(fā)明實(shí)施例的前面的大體描述和下面的詳細(xì)描述旨在提供用于理解本發(fā)明要求的本質(zhì)和特征的綜述和框架。包括附圖來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，并且合并且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖例示出本發(fā)明各種實(shí)施例，并且與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理和操作。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]下面通過(guò)參照如在附圖中例示的本發(fā)明示例性實(shí)施例，本發(fā)明上面提到的和其它特征以及其它優(yōu)點(diǎn)將更好地理解并且將變得更明顯，附圖中:
[0019]圖1例示出典型的電容式傳感器模型；
[0020]圖2a例示出在傳統(tǒng)電容式傳感器中的板設(shè)計(jì)技術(shù)；
[0021]圖2b例示出當(dāng)壓力被傳統(tǒng)電容式傳感器檢測(cè)到時(shí)板的弧形變型，其示出電容區(qū)域的某些部分在變型階段保持未變化；
[0022]圖3a例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容式傳感器的獨(dú)有的空腔設(shè)計(jì)；
[0023]圖3b例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的過(guò)壓限制器支柱；
[0024]圖4例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容式傳感器中的寄生電容的形成；
[0025]圖5例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)板的絕緣以便減小寄生電容；
[0026]圖6例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的減小電容式傳感器中的寄生和結(jié)構(gòu)應(yīng)力的浮動(dòng)背板；
[0027]圖7例示出電容式傳感器中的兩個(gè)路徑之間的漏泄路徑；
[0028]圖8例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電絕緣以便避免由于兩個(gè)板短路導(dǎo)致的漏泄電流；
[0029]圖9例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的朝向電容式傳感器中的空腔的空氣阻力排放孔；
[0030]圖10例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的形成在電容式傳感器中的排放通道；
[0031]圖11例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在電容式傳感器中的延伸的背容積的形成；
[0032]圖12例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容式傳感器的俯視圖；
[0033]圖13a_13o例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容式壓力傳感器的獨(dú)有制造順序；
[0034]圖14例示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電容式壓力傳感器的完全設(shè)計(jì)；
[0035]圖15示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有錨定背板的電容式壓力傳感器的設(shè)計(jì)；和
[0036]圖16a_16b例示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有壓力限制器的電容式壓力傳感器的設(shè)計(jì)。

【具體實(shí)施方式】
[0037]現(xiàn)在將參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例，如附圖中例示的那樣。在可能的地方，相同的附圖標(biāo)記將指代相同或相似的部件。
[0038]這里公開(kāi)一種具有較少寄生電容和漏泄電流的電容式壓力傳感器和制造這種超電容式壓力傳感器的方法。圖1例示出這種電容式壓力傳感器的電學(xué)模型。這種壓力傳感器的性能典型地依賴(lài)于幾個(gè)關(guān)鍵特征。例如，這些特征包括較高的電容和電容變化、過(guò)壓保護(hù)、最小寄生電容、最小漏泄電流、使空腔與大氣壓力平衡同時(shí)安全防護(hù)低頻率靈敏度、延伸的背容積、容積可制造性和成本。下面描述了本發(fā)明的獨(dú)有發(fā)明特征，這些特征賦予該壓力傳感器最好的性能并且使其成為最經(jīng)濟(jì)可行的產(chǎn)品。
[0039](I)較高的電容和電容變化
[0040]通過(guò)使用單晶硅作為基礎(chǔ)材料可制造電容器的兩個(gè)板。利用微切削加工的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)可被用于制造該傳感器。為了設(shè)計(jì)電容式傳感器以檢測(cè)到施加于隔膜的壓力，空腔或空間形成在電容器板之間。因此，當(dāng)壓力被施加于隔膜上時(shí)，隔膜能夠彎曲，由此電容的任何變化反映所施加的壓力的量。在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，電容式傳感器的兩個(gè)板根據(jù)圖2a進(jìn)行制造。
[0041]當(dāng)壓力波被施加于隔膜上時(shí)，隔膜前后震蕩，由此電容式壓力傳感器中的電容值變化。隔膜的偏轉(zhuǎn)與隔膜上檢測(cè)到的壓力的量成比例。然而，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)具有一個(gè)缺點(diǎn)。為了得到最大的靈敏度，隔膜應(yīng)該偏轉(zhuǎn)到其最大水平而不會(huì)在相對(duì)的板(背板)上塌陷。當(dāng)隔膜偏轉(zhuǎn)時(shí)，其彎曲成弧形，如圖2b中所示。在目前情況下，隔膜下方的某些區(qū)域沒(méi)有明顯擴(kuò)大。因此，板之間的距離保持幾乎不變，并且沒(méi)有導(dǎo)致電容變化。
[0042]如圖3中所示的本設(shè)計(jì)在電容板之間形成距離，以便當(dāng)壓力施加于隔膜上時(shí)跟蹤偏轉(zhuǎn)的隔膜的輪廓。這通過(guò)使用如圖3a中所示的阻尼孔302實(shí)現(xiàn)。這產(chǎn)生了電容的最大變化。
[0043](2)過(guò)壓保護(hù)
[0044]在本發(fā)明中，制造技術(shù)過(guò)壓限制器304被用于形成在空腔的內(nèi)部。在隔膜經(jīng)歷最大過(guò)壓的事件中，過(guò)壓限制器支柱304將防止隔膜塌陷在背板上并且在設(shè)備中導(dǎo)致短路。過(guò)壓限制器支柱形成在介電層上，并且因此不連接到圖3b中所示的電偏壓件。
[0045](3)減小寄生電容
[0046]如上面所討論的那樣，電容式壓力傳感器包括兩個(gè)平行的板。一個(gè)板被固定(402)，另一個(gè)板是稱(chēng)為隔膜(404)的活動(dòng)板。電容器包括分別與固定板402和隔膜404連接的電觸點(diǎn)(406、408)。當(dāng)這兩個(gè)板被制造成形成電容器時(shí)，形成兩種類(lèi)型的電容，例如有源電容410和無(wú)源電容412。無(wú)源電容也稱(chēng)為寄生電容。這例示在圖4中，其中兩個(gè)板被保持在一起。這個(gè)無(wú)源電容被形成為與有源電容平行，由此降低了傳感器設(shè)備的總體性能。因此，本發(fā)明的主要目的在于避免或者最小化寄生電容。這種獨(dú)有的發(fā)明設(shè)計(jì)和制造方法使得這種設(shè)計(jì)和制造將寄生電容最小化到小于總電容的20%。
[0047]本方法通過(guò)將固定板和隔膜的重疊區(qū)域絕緣來(lái)減小寄生電容，如圖5中所示。在該設(shè)計(jì)中，有一個(gè)選項(xiàng)是使背板不受約束。因此背板被錨定到小橫梁，而區(qū)域的其它地方保持浮動(dòng)。這允許形成絕對(duì)最小的寄生電容并且減小了結(jié)構(gòu)壓力，如圖6中所示。
[0048](4)兩個(gè)板之間的漏泄電流
[0049]當(dāng)兩個(gè)板被制造為形成電容器時(shí)，還具有被形成為將兩個(gè)板保持在一起的區(qū)域。也稱(chēng)為絕緣區(qū)域。然而，微小電流傾向于當(dāng)設(shè)備通電時(shí)通過(guò)兩個(gè)板之間而漏泄，如圖7所示那樣。根據(jù)漏泄電流的量，其能夠惡化設(shè)備的性能。因此，在設(shè)計(jì)期間需要仔細(xì)考慮以便避免或者最小化漏泄電流。
[0050]本設(shè)計(jì)和制造方法能夠最小化漏泄電流，如圖8中所例示的那樣。電觸點(diǎn)周?chē)膮^(qū)域被獨(dú)有地絕緣，確保兩個(gè)板之間沒(méi)有短路。另外，背板和隔膜在整個(gè)周?chē)华?dú)有地絕緣，以確保兩個(gè)板之間沒(méi)有短路。
[0051](5)獨(dú)有的排放孔形成以使空腔通大氣壓力
[0052]一些壓力傳感器被用在計(jì)量應(yīng)用中，其中隔膜兩側(cè)被暴露到相同的環(huán)境壓力，如圖9中所示那樣。為了實(shí)現(xiàn)與隔膜的平衡，排放孔必須被形成為暴露出空腔。然而，該排放孔必須被設(shè)計(jì)和制造為使得入射壓力不同時(shí)暴露到隔膜的后側(cè)，特別是對(duì)于聲音壓力。
[0053]本設(shè)計(jì)和制造方法能夠使得這種設(shè)計(jì)和制造形成將空腔暴露到大氣壓力的排放孔，同時(shí)產(chǎn)生阻力路徑，該阻力路徑對(duì)進(jìn)入空腔的聲波產(chǎn)生相移，如圖10中所示那樣。
[0054](6)延伸的背容積
[0055]背容積是傳感器的主要部分。背容積越高，傳感器的靈敏度性能越好。為了增加傳感器的背容積，基座的一部分被蝕刻掉。本設(shè)計(jì)和制造順序使得能夠形成延伸的背容積，如圖11中所示那樣。
[0056]圖12例示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容式壓力傳感器的完整結(jié)構(gòu)的俯視圖。電容式壓力傳感器沖模1200包括固定背板1202、活動(dòng)隔膜1204和在它們之間的空腔1206。電觸點(diǎn)1208和1210被分別提供給背板和隔膜。進(jìn)一步，1212指示觸點(diǎn)開(kāi)口。電容式壓力傳感器1200還包括阻尼孔1214、過(guò)壓限制器支柱1216和隔膜1218的電/寄生絕緣。還示出帶有有阻力的空氣路徑的排放孔1220。
[0057]圖13a_o例示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的壓力傳感器的制造順序。層1典型地包括操作/約束晶片。作為背板的層2在該情況下通過(guò)粘合層I (示出在圖13a中)形成在層I上。粘合層I可為二氧化硅層。接著，掩模層(示出在圖13b)中形成在層2的頂部上。例如，粘合層可為二氧化硅(Si02)。
[0058]之后，圖案形成在二氧化硅的掩模層中，并且層2被移除或蝕刻掉以便形成凹形或下降的空腔(示出在圖13c)。隨后掩模層被進(jìn)一步刻上圖案并且被蝕刻用于背板、電絕緣和排放通道(示出在圖13d中)。因此，通過(guò)層2形成用于減小寄生的獨(dú)有的背板絕緣、背板排放通道的電絕緣和阻尼孔(示出在13e中)。
[0059]在這種情況下為隔膜的層3通過(guò)粘合層4 (示出在圖13f)形成在層4上。層4在這種情況下用作操作或約束晶片，其可為硅或絕緣體(SOI)晶片。粘合層4可為二氧化硅。通過(guò)使用作為粘合層2的掩模層，兩種設(shè)置被粘接在一起，并且在這種情況下，熔融粘接被用于將兩種設(shè)直粘接在一起(如圖13g和13h中所不)。
[0060]在兩種設(shè)置被粘接之后，層4被磨碎并且減小到十分之一微米(tenth ofmicrons)(如圖13i中所示)。隨后背室被延伸。首先，延伸的背室形成在層I中，隨后整個(gè)背室形成在層I中(如圖13j和13k中所示)。
[0061]之后，形成排放孔和粘接墊開(kāi)口(如圖131中所示)。進(jìn)一步，隔膜、電絕緣、寄生減小部和粘接墊被形成(如圖13m中所示)。
[0062]接著，所有不需要的粘合層被移除，并且板不受約束(如圖13η中所示)。之后，經(jīng)由接觸墊上的孔，金屬被濺鍍(如圖13ο中所示)。圖14示出具有本設(shè)計(jì)特征的電容式壓力傳感器的側(cè)視圖。
[0063]在本發(fā)明另一實(shí)施例中，電容式壓力傳感器可包括可選的錨定背板。在阻尼孔形成期間，掩模被設(shè)計(jì)為蝕刻板的邊緣周?chē)?，除了圖15中所示的錨定區(qū)域之外。這使得背板在絕緣和粘合層被移除之后能夠浮動(dòng)。該功能在其中形成有阻尼孔的同一掩模中被阻礙，因此它不需要任何額外的步驟。并且，不需要對(duì)上面提到的過(guò)程進(jìn)行另外的改變。
[0064]圖16a_b例示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電容式壓力傳感器的設(shè)計(jì)制造，其包括可選的過(guò)壓限制器。圖16a_b示出制造順序的不同，示出被電絕緣的過(guò)壓限制器所包含的部件。
[0065]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下可進(jìn)行各種修改和變型。因此，如果這些修改和變型在所附權(quán)利要求及其等同替代的范圍內(nèi)時(shí)，本發(fā)明旨在覆蓋這些修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種在傳感器沖模上制造的電容式壓力傳感器，包括: 固定板，其被配置作為背板被錨定在邊緣處，保持剩余區(qū)域浮動(dòng)，用以最小化寄生電容； 活動(dòng)板，其被配置作為用于檢測(cè)壓力的隔膜，其中空腔形成在所述固定板和所述活動(dòng)板之間以允許所述隔膜偏轉(zhuǎn)； 絕緣層，位于所述固定板和所述活動(dòng)板與它們的電觸點(diǎn)之間，用以最小化漏泄電流；多個(gè)阻尼孔，被布置在所述固定板上，用于當(dāng)壓力施加在所述隔膜上時(shí)使所述固定板的輪廓成形如偏轉(zhuǎn)的所述隔膜； 排放孔，延伸到所述空腔并具有有阻力的空氣路徑，用于當(dāng)暴露到環(huán)境壓力時(shí)提供與所述隔膜的平衡；和 延伸的背室，具有延伸的容積用于提高所述電容式壓力傳感器的靈敏度。
2.如權(quán)利要求1所述的電容式壓力傳感器，包括布置在所述固定板上的多個(gè)過(guò)壓限制器支柱，用于在最大過(guò)壓施加在所述隔膜上的情況下防止所述隔膜在所述背板上塌陷。
3.—種制造電容式壓力傳感器的方法，包括以下步驟: 形成第一晶片基板，該第一晶片基板包括被第一粘合層粘接的第一層和第二層以及在所述第二層頂部上的二氧化硅掩模層； 蝕刻掉所述掩模層和所述第二層以形成凹形的空腔； 通過(guò)蝕刻在所述掩模層上形成用于背板、電絕緣和排放通道的圖案； 形成用于減小寄生電容的背板絕緣和通過(guò)所述第二層的阻尼孔； 形成第二晶片基板，該第二晶片基板包括在其下方具有第三粘合層的第三層和由第四粘合層粘接的第四層，其中所述第四層被配置作為約束晶片； 通過(guò)粘接作為第二粘合層的所述掩模層而將所述第一晶片基板與所述第二晶片基板聯(lián)接； 通過(guò)研磨將所述第四層減小到十分之一微米的范圍以便形成隔膜層； 在所述第一層中形成延伸的背室以提高靈敏度；以及 為所述掩模層中的排放孔形成開(kāi)口，用以提供對(duì)所述隔膜的平衡。
4.如權(quán)利要求3所述的制造電容式壓力傳感器的方法，包括移除不必要的粘合層，以使所述背板和所述隔膜不受約束。
5.如權(quán)利要求3所述的制造電容式壓力傳感器的方法，包括通過(guò)接觸墊上的孔濺鍍金屬。
6.如權(quán)利要求3所述的制造電容式壓力傳感器的方法，其中所述第一晶片基板通過(guò)熔融粘接與所述第二晶片基板粘接。
7.如權(quán)利要求3所述的制造電容式壓力傳感器的方法，其中在所述第一層中形成延伸的背室包括: 形成延伸的背室的第一步；和 在所述第一層中形成整個(gè)背室的第二步。
8.如權(quán)利要求3所述的制造電容式壓力傳感器的方法，包括在所述邊緣的周?chē)擞糜谛纬慑^定的背板的錨定區(qū)域之外蝕刻所述掩模層。
9.如權(quán)利要求3所述的制造電容式壓力傳感器的方法，包括形成通過(guò)所述第二層的過(guò)壓限制器，以在最大壓力的情況下防止所述背板和所述隔膜之間短路。
【文檔編號(hào)】G01L7/00GK104364627SQ201280072041
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月3日
【發(fā)明者】迪特爾·內(nèi)格勒-普賴(lài)斯曼, J·V·斯里達(dá)蘭 申請(qǐng)人:迪特爾·內(nèi)格勒-普賴(lài)斯曼, J·V·斯里達(dá)蘭