專利名稱：干涉濾波器、光學模塊以及電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及干涉濾波器(interference filter)、光模塊以及電子設備。
背景技術：
已知有在基板的相對的面上相對地配置反射膜(光學膜)的干涉濾波器。這種干涉濾波器具有保持平行的一對基板和在該對基板上以具有一定間隔的間隙的方式形成的一對反射膜。對于這種干涉濾波器,使光在一對反射膜之間進行反射、使與間隙對應的特定波長的光透過、并利用干涉使其他波長的光相互抵消，由此從入射光中分離出特定波長的光。例如，在專利文獻I公開的干涉濾波器(可變干涉濾波器)中，作為反射膜，使用了 Au、Al、Cu等金屬薄膜。在先技術文獻專利文獻專利文獻1:特開平2-12218號公報為了確保干涉濾波器的分光精度，作為反射膜所需的性能有:光的高反射特性以及透過特性。并且，需要反射特性及透過特性不因經(jīng)時變化而下降。但是，以金屬薄膜作為反射膜很難滿足反射特性和透過特性這兩種相反的特性并兼?zhèn)淠途眯?。特別是，如果反射膜的透過率低，在光檢測器中檢測透過光時將會有噪聲，從而分光精度下降。因此，期望得到一種滿足反射特性及透過特性并可長時間維持分光精度的反射膜的結(jié)構。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明用于解決上述問題中的至少一部分，并且可以通過以下方式或應用例實現(xiàn)。應用例I本應用例涉及的干涉濾波器具備隔著間隙相互面對的兩個反射膜，其中，上述反射膜包括:含有銀(Ag)、釤(Sm)以及銅(Cu)的Ag-Sm-Cu合金膜，按原子數(shù)計，所述Ag-Sm-Cu合金膜含有0.1%以上0.5%以下的Sm，含有0.1%以上0.5%以下的Cu，且Sm以及Cu的合計為1.0 %以下,上述Ag-Sm-Cu合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。干涉濾波器中的反射膜具有透過光的透過特性和反射光的反射特性，例如，從外部透過一側(cè)的反射膜入射到兩個(一對)反射膜之間的光在反射膜之間進行反射，使特定波長的光從一側(cè)或另一側(cè)的反射膜透過。根據(jù)本應用例，在干涉濾波器中，隔著間隙相對的反射膜包括=Ag-Sm-Cu合金膜。而且，由于Ag-Sm-Cu合金膜具有上述組成，因此由于處理加工或經(jīng)時變化的特性的下降會變小，可以更可靠的抑制干涉濾波器的性能下降。而且，如果Sm以及Cu的含量不足0.1%，則由于處理加工或經(jīng)時變化的反射率下降會變大。如果Sm以及Cu的含量超過0.5%，則反射率會變低。進一步的，如果Sm以及Cu的含量的合計超過1.0%，則反射率會變低。進一步地，由于Ag-Sm-Cu合金膜的厚度在IOnm以上40nm以下，因此反射膜不僅具有光的反射特性而且還具有透過特性，特別是可以得到良好的透過特性，并可以確保滿足性能的標準具的良好的分光精度。應用例2優(yōu)選地，在上述應用例涉及的干涉濾波器中，上述反射膜為上述Ag-Sm-Cu合金膜
的單層膜。根據(jù)該結(jié)構，反射膜為由Ag-Sm-Cu合金膜形成的單層膜，因此反射膜在可見光波長范圍內(nèi)，在較寬的波長區(qū)域中具有高反射率。而且，在本發(fā)明中，將可見光波長范圍設定為400nm以上700nm以下的范圍。應用例3優(yōu)選地，上述應用例涉及的干涉濾波器具備支撐上述反射膜的透光性基板，上述反射膜包括:介電膜以及上述Ag-Sm-Cu合金膜，并從靠近上述基板的位置開始依次設置上述介電膜、上述Ag-Sm-Cu合金膜。根據(jù)該結(jié)構，反射膜從基板側(cè)開始以介電膜、Ag-Sm-Cu合金膜的順序設置，因此與沒有設置介電膜的情況相比，可提高可見光波長范圍內(nèi)的短波長側(cè)的反射率。應用例4優(yōu)選地，在上述應用例涉及的干涉濾波器中，上述反射膜包括保護上述Ag-Sm-Cu合金膜的保護膜。根據(jù)該結(jié)構，由于具有保護Ag-Sm-Cu合金膜的保護膜，因此由于流程加工或經(jīng)時變化的反射膜中的合金膜的反射率下降會進一步變小，可進一步抑制干涉濾波器的性能下降。應用例5本應用例涉及的干涉濾波器具備隔著間隙相互面對的兩個反射膜，其中，上述反射膜包括:含有銀(Ag)、鉍(Bi)以及釹(Nd)的Ag-B1-Nd合金膜，按原子數(shù)計，所述Ag-B1-Nd合金膜含有0.1%以上3.0%以下的Bi，且含有0.1%以上5.0 %以下的Nd，上述Ag-B1-Nd合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。根據(jù)本應用例，在干涉濾波器中，隔著間隙相對的反射膜包括=Ag-B1-Nd合金膜。而且，由于Ag-B1-Nd合金膜具有上述組成，因此由于處理加工或經(jīng)時變化的特性的下降會變小，可以更可靠地抑制干涉濾波器的性能下降。而且，如果Bi以及Nd的含量不足0.1 %，則由于處理加工或經(jīng)時變化的反射率下降會變大。如果Bi的含量超過3.0%或Nd的含量超過5.0 %，則反射率會變低。進一步地，由于Ag-B1-Nd合金膜的厚度在IOnm以上40nm以下，因此反射膜不僅具有光的反射特性而且還具有透過特性，特別是可以得到良好的透過特性，并可以確保滿足性能的標準具的良好的分光精度。應用例6優(yōu)選地，在上述應用例涉及的干涉濾波器中，優(yōu)選上述反射膜為上述Ag-B1-Nd合金膜的單層膜。
根據(jù)該結(jié)構，反射膜為由Ag-B1-Nd合金膜形成的單層膜，因此反射膜在可見光波長范圍內(nèi)，在較寬的波長區(qū)域中具有高反射率。而且，在本發(fā)明中，將可見光波長范圍設定為400nm以上700nm以下的范圍。應用例7優(yōu)選地，上述應用例涉及的干涉濾波器具備支撐上述反射膜的透光性基板，上述反射膜包括:介電膜以及上述Ag-B1-Nd合金膜，從靠近上述基板的位置開始依次設置上述介電膜、上述Ag-B1-Nd合金膜。根據(jù)該結(jié)構，反射膜從基板側(cè)開始依次設置介電膜、Ag-B1-Nd合金膜，因此與沒有設置介電膜的情況相比，可提高可見光波長范圍內(nèi)的短波長側(cè)的反射率。應用例8優(yōu)選地，在上述應用例涉及的干涉濾波器中，上述反射膜包括保護上述Ag-B1-Nd合金膜的保護膜。根據(jù)該結(jié)構，由于具有保護Ag-B1-Nd合金膜的保護膜，因此由于處理加工或經(jīng)時變化的反射膜中的合金膜的反射率下降會進一步變小，可進一步抑制干涉濾波器的性能下降。應用例9本應用例涉及的光學模塊具備:兩個反射膜，隔著間隙相互面對；檢測部，檢測透過了上述反射膜的光的光量，其中，上述反射膜包括:含有銀(Ag)、釤(Sm)以及銅(Cu)的Ag-Sm-Cu合金膜，按原子數(shù)計，所述Ag-Sm-Cu合金膜含有0.1 %以上0.5%以下的Sm，含有0.1 %以上0.5%以下的Cu，且Sm以及Cu的合計為1.0 %以下，上述Ag-Sm-Cu合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。根據(jù)該光學模塊，反射膜包括:上述組成的Ag-Sm-Cu合金膜，并且其厚度為IOnm以上40nm以下。由此，可以提供一種可以抑制反射膜的性能下降，可以獲得良好的透過特性，將透過了反射膜的所希望波長的光的光量準確地在檢測部中進行檢測的光學模塊。應用例10本應用例涉及的光學模塊具備:兩個反射膜，隔著間隙相互面對；檢測部，檢測透過了上述反射膜的光的光量，其中，上述反射膜包括:含有銀(Ag)、鉍(Bi)以及釹(Nd)的Ag-B1-Nd合金膜，按原子數(shù)計，所述Ag-B1-Nd合金膜含有0.1 %以上3.0 %以下的Bi，且含有0.1 %以上5.0%以下的Nd，上述Ag-B1-Nd合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。根據(jù)該光學模塊，反射膜包括:上述組成的Ag-B1-Nd合金膜，并且其厚度為IOnm以上40nm以下。由此，可以提供一種可以抑制反射膜的性能下降，可以獲得良好的透過特性，將透過了反射膜的所希望波長的光的光量準確地在檢測部中進行檢測的光學模塊。應用例11本應用例涉及的電子設備具有:兩個反射膜，隔著間隙相互面對；檢測部，檢測透過了上述反射膜的光的光量；以及處理部，基于在上述檢測部檢測到的光的光量實施分析處理，其中，上述反射膜包括:含有銀(Ag)、釤(Sm)以及銅(Cu)的Ag-Sm-Cu合金膜，按原子數(shù)計，所述Ag-Sm-Cu合金膜含有0.1 %以上0.5%以下的Sm，含有0.1%以上0.5%以下的Cu,且Sm以及Cu的合計為1.0%以下，上述Ag-Sm-Cu合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。根據(jù)該電子設備，反射膜包括:上述組成的Ag-Sm-Cu合金膜，并且其厚度為IOnm以上40nm以下。由此，可以抑制反射膜的性能下降，可以獲得良好的透過特性，可以將透過了反射膜的所希望波長的光的光量準確地在檢測部中進行檢測。而且，可以提供一種基于準確的光量實施準確的分析處理的電子設備。應用例12本應用例涉及的電子設備具有:兩個反射膜，隔著間隙相互面對；檢測部，檢測透過了上述反射膜的光的光量；以及處理部，基于在上述檢測部檢測到的光的光量實施分析處理，其中，上述反射膜包括:含有銀(Ag)、鉍(Bi)以及釹(Nd)的Ag-B1-Nd合金膜，按原子數(shù)計，所述Ag-B1-Nd合金膜含有0.1 %以上3.0 %以下的Bi，且含有0.1 %以上5.0 %以下的Nd,上述Ag-B1-Nd合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。根據(jù)該電子設備，反射膜包括:上述組成的Ag-B1-Nd合金膜，并且其厚度為IOnm以上40nm以下。由此，可以抑制反射膜的性能下降，可以獲得良好的透過特性，可以將透過了反射膜的所希望波長的光的光量準確地在檢測部中進行檢測。而且，可以提供一種基于準確的光量實施準確的分析處理的電子設備。


圖1是示出作為第一實施方式中的干涉濾波器的標準具的簡要結(jié)構的俯視圖。圖2是示出第一實施方式的簡要結(jié)構的剖面圖。圖3是示出Ag-Sm-Cu合金膜的膜厚對應的透過波長和透過率的關系的曲線圖。圖4是示出Ag-B1-Nd合金膜的膜厚對應的透過波長和透過率的關系的曲線圖。圖5是示出第一實施方式的變形例的簡要結(jié)構的剖面圖。圖6是示出作為第二實施方式中的干涉濾波器的標準具的簡要結(jié)構的剖面圖。圖7是示出作為第三實施方式中的電子設備的測色裝置的結(jié)構的框圖。圖8是示出作為第四實施方式中的電子設備的氣體檢測裝置的結(jié)構的剖面圖。圖9是第四實施方式中的氣體檢測裝置的電路框圖。圖10是示出作為第五實施方式中的電子設備的食物分析裝置的結(jié)構的框圖。圖11是示出作為第六實施方式中的電子設備的光譜攝影機(spectroscopiccamera)的結(jié)構的立體圖。符號說明1、2、3、5波長可變干涉濾波器(標準具);10第一基板；11第一凹部；12電極形成部；13反射膜形成部；14第一驅(qū)動電極；15第一反射膜；15a合金膜；15b介電膜；15c保護膜；17a、17b連接焊盤；18引出電極；20第二基板；21第二凹部；22隔膜；22a可動部；22b薄壁部；24第二驅(qū)動電極；25第二反射膜；25a合金膜；25b介電膜；25c保護膜；
28引出電極；30接合膜；40靜電致動器；80作為電子設備的測色裝置；82光源裝置；84作為光學模塊的測色傳感器；86控制裝置；91光源；92透鏡；93受光部；94電壓控制部；95光源控制部；96測色處理部；97測色傳感器控制部；100作為電子設備的氣體檢測裝置；200作為電子設備的食物分析裝置；300作為電子設備的光譜攝影機。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進行說明。而且，在以下用于說明的各附圖中，為了使各部件達到可識別的大小，對各部件的尺寸比例適當進行了變更。第一實施方式在本實施方式中，作為干涉濾波器，以波長可變干涉濾波器為例進行說明。波長可變干涉濾波器(以下，有時會被稱為標準具)是可以改變反射膜間的間隙的干涉濾波器。圖1是示出本實施方式的標準具的簡要結(jié)構的俯視圖。圖2是沿圖1的A-A剖切線的剖面圖。標準具I的簡要結(jié)構如圖1所示，標準具I是在俯視觀察時為正方形板狀的光學部件，邊長為例如10mm。如圖2所示，該標準具I具備第一基板10、第二基板20。這些第一基板10、第二基板20分別由例如石英玻璃、鈉玻璃(Sodaglass)、結(jié)晶化玻璃、鉛玻璃、鉀玻璃、硼硅酸玻璃、無堿玻璃等各種玻璃、水晶等透光性基材形成，并通過蝕刻板狀基材而形成。而且，標準具I通過將第一基板10和第二基板20接合而一體地構成。在該接合中，通過將設置于第一基板10和第二基板20的接合部分的接合膜30結(jié)合而進行固定。使用以聚硅氧烷作為主材料的等離子體聚合膜作為接合部30。并且，對于上述以外的接合方法，可以利用基于接合劑等粘著性材料的接合、基于金屬膜和金屬膜的接合等。第一基板10通過對厚度為例如500 μ m的基材進行蝕刻加工而形成。在該第一基板10上設置有通過蝕刻而以圓形形狀凹陷的第一凹部11。在第一凹部11的底部，在中央具備以圓柱形狀突出的反射膜形成部13，在反射膜形成部13的周圍設置有低一級(臺階)地形成的電極形成部12。而且，在第一凹部11的反射膜形成部13上設置有第一反射膜15。該第一反射膜15具有光的反射特性和透過特性，由單層膜的金屬薄膜形成。而且，在電極形成部12以俯視觀察時圍繞第一反射膜15的方式形成有環(huán)形的第一驅(qū)動電極14。并且，第一驅(qū)動電極14與引出電極18連接。第一驅(qū)動電極14以及引出電極18是導電膜，例如可以使用IT0(Indium TinOxide)膜。并且，這些導電膜也可以使用以Cr膜為襯底、在其上層疊了 Au膜的Cr/Au膜等。
引出電極18與形成在第一基板10的四角中的一角上的連接焊盤17a連接。因此，第一驅(qū)動電極14通過引出電極18實現(xiàn)與連接焊盤17a電氣連接。第二基板20通過使用正方形基材例如對厚度為200 μ m的基材的一面進行蝕刻加工而形成。該第二基板20具有隔膜(diaphragm) 22。隔膜22由以基板中央為中心的圓柱形狀的可動部22a和在其周圍保持可動部22a并以比可動部22a薄的厚度形成的薄壁部22b構成。對于薄壁部22b，基材被從與第一基板10相對的面相反的面進行蝕刻，形成圓環(huán)形狀的第二凹部21。通過如此設置第二凹部21來形成隔膜22的薄壁部22b，并使可動部22a易于向第二基板20的厚度方向移動。而且，在第二基板20的與第一基板10相對的面上形成有第二反射膜25以及第二驅(qū)動電極24。第二反射膜25具有光的反射特性和透過特性，與第一反射膜15相對并以圓形形狀設置在可動部22a。作為第二反射膜25的材料,與第一反射膜15相同，由單層膜的金屬薄膜形成。因此，由第一基板10的第一反射膜15和第二基板20的第二反射膜25構成隔著標準具I中的間隙相互面對的兩個反射膜。

第二驅(qū)動電極24被設置在與第一驅(qū)動電極14相對的薄壁部22b。該第二驅(qū)動電極24以圍繞第二反射膜25的方式形成環(huán)形形狀。這樣，第一基板10的第一驅(qū)動電極14和第二基板20的第二驅(qū)動電極24相對，并由兩者構成標準具I的靜電致動器(actuator)40，可調(diào)節(jié)反射膜之間的間隙尺寸。并且，第二驅(qū)動電極24與引出電極28相連接。第二驅(qū)動電極24和引出電極28是導電膜，例如可以使用ITO膜。并且，這些導電膜也可以使用以Cr膜為襯底、在其上層疊了 Au膜的Cr/Au膜等。進一步地，引出電極28通過Ag漿等導電性粘接劑(未圖示)與形成在第一基板10的四角中的一角的連接焊盤17b連接，實現(xiàn)第一基板10和第二基板20之間的導電。在上述標準具I中，如果為了改變面對的第一反射膜15和第二反射膜25的間隙尺寸而驅(qū)動靜電致動器40，則由于靜電力第一驅(qū)動電極14和第二驅(qū)動電極24相互吸引，第二基板20的薄壁部22b彎曲，從而可動部22a以向第一基板10接近的方式移位。可動部22a設置有第二反射膜25，可以調(diào)節(jié)第一反射膜15和第二反射膜25之間的間隙尺寸。而且，根據(jù)該反射膜間的間隙尺寸，可以改變從標準具I射出的光的波長。而且，本實施方式的標準具I形成為第一驅(qū)動電極14和第二驅(qū)動電極24間的距離大于第一反射膜15和第二反射膜25間的距離。這種結(jié)構可以抑制當?shù)谝或?qū)動電極14和第二驅(qū)動電極24之間的間隙尺寸變得微小時拉力急劇增加的吸合現(xiàn)象(Pull-1n現(xiàn)象)。并且，作為間隙尺寸設定方法，舉例示出了能夠通過靜電致動器40來調(diào)節(jié)反射膜之間的間隙尺寸的結(jié)構，但是也可以是例如設有具有電磁線圈和永久磁鐵的電磁致動器或可通過施加電壓進行伸縮的壓電元件的結(jié)構。反射膜的結(jié)構下面對作為一對反射膜的第一反射膜15以及第二反射膜25的膜結(jié)構進行說明。
在本實施方式中，作為一對反射膜的第一反射膜15以及第二反射膜25均為單層膜。并且，單層膜為含有銀(Ag)、釤(Sm)以及銅(Cu)的Ag-Sm-Cu合金膜，或者是含有銀(Ag)、鉍(Bi)以及釹(Nd)的Ag-B1-Nd合金膜。在這里，Ag-Sm-Cu合金膜實際上由銀(Ag)、衫(Sm)以及銅(Cu)構成。Ag-B1-Nd合金膜實際上由銀(Ag)、鉍(Bi)以及釹(Nd)構成。優(yōu)選地，當?shù)谝环瓷淠?5以及第二反射膜25由Ag-Sm-Cu合金膜形成時，按原子數(shù)計，Ag-Sm-Cu合金膜包含0.1%以上0.5%以下的Sm、包含0.1%以上0.5%以下的Cu，Sm以及Cu的合計為1.0%以下。如果Sm以及Cu的含量不足0.1原子％ ,則因處理加工或經(jīng)時變化而導致的反射率下降會變大。如果Sm以及Cu的含量按原子數(shù)計超過0.5%，則反射率會變低。如果Sm以及Cu的含量按原子數(shù)計的合計超過1.0%，則反射率會變低。而且，剩余部分實際上是Ag，但是可以包括微量的雜質(zhì)元素(例如氧、氮、碳等)。優(yōu)選地，當?shù)谝环瓷淠?5以及第二反射膜25由Ag-B1-Nd合金膜形成時，按原子數(shù)計包含0.1%以上3.0%以下的B1、包含0.1 %以上5.0%以下的Nd。進一步優(yōu)選地，Bi為0.1%以上2.0%以下，Nd為0.1%以上3.0%以下。如果Bi以及Nd的含量按原子數(shù)計不足0.1 %，則因處理加工或經(jīng)時變化而導致的反射率下降會變大。如果Bi的含量按原子數(shù)計超過3.0%或Nd的含量超過5.0%，則反射率會變低。而且，剩余部分實際上為Ag，但是可以包括微量的雜質(zhì)元素(例如氧、氮、碳等)。這些第一反射膜15以及第二反射膜25使用具有上述合金膜的組成的目標材料，并通過濺射法等已知的方法形成。在標準具I中，第一反射膜15以及第二反射膜25的光的反射率以及透過率的平衡很重要。通過使形成第一反射膜15以及第二反射膜25的上述合金膜的厚度變厚可使反射率變高，但透過率會下降，因此標準具I的檢測靈敏度會受到影響。另一方面，通過將形成第一反射膜15以及第二反射膜25的上述合金膜的厚度變薄可使透過率變高，但反射率會下降，因此會導致標準具I的分光性能下降。特別是在對寬波長范圍進行分光的標準具中，光的透過率根據(jù)波長的不同而不同，重要的是取得反射膜的反射率以及透過率的平衡。對這些點進行了研究的結(jié)果是，形成第一反射膜15以及第二反射膜25的上述合金膜的厚度是IOnm以上40nm以下。如果上述合金膜的厚度不足10nm，則由于厚度薄，實際上不能穩(wěn)定地形成合金膜。另一方面，如果上述合金膜的厚度超過40nm，則光的透過率下降，透過標準具I的光量下降，恐怕很難檢測出該光量。因此，在本實施方式中上述合金膜(Ag-Sm-Cu合金膜或Ag-B1-Nd合金膜)的厚度是IOnm以上40nm以下。標準具的制造方法下面，對標準具I的制造方法進行簡單說明。通過在作為基材的石英玻璃基板等上施行蝕刻加工來形成第一基板10、第二基板20。對各蝕刻加工后的第一基板10以及第二基板20利用濺射法形成Ag-Sm-Cu合金膜或Ag-B1-Nd合金膜。在本實施方式中為單層膜。
在將濺射后的合金膜圖案化為所希望的形狀的圖案化處理中，使用濕式蝕刻法。對于濕式蝕刻法，施行例如如下處理。(A)以所希望的圖案在合金膜上形成作為蝕刻掩模的抗蝕膜。在固化抗蝕膜時，合金月旲被暴露在聞溫下。(B)用有機類抗蝕膜剝離液剝離抗蝕膜。這時，合金膜暴露于有機溶劑。經(jīng)過這種濕蝕刻加工，在第一基板10以及第二基板20上分別形成第一反射膜15以及第二反射膜25。然后，接合第一基板10以及第二基板20，并得到標準具I。在接合工序中，例如，在接合面上形成作為接合膜30的等離子體聚合膜，用等離子處理等對表面進行活性化，使該等離子體聚合膜相互粘合，從而接合第一基板10和第二基板20。由于第一反射膜15以及第二反射膜25會暴露在這些狀況下，因此合金膜需要具有耐高溫性和耐有機溶劑性。除此之外，合金膜還需要具有耐高溫高濕性、耐硫化性、耐鹵素性等各種耐性。以下，有時會將標準具的制造工序中的合金膜所需的耐性統(tǒng)稱為處理(process)耐性，特別是，有時會將圖案化工序中的合金膜所需要的耐性稱為圖案化處理耐性。 下面，對上述合金膜的耐高溫性和處理耐性進行舉例，從而對本實施方式進行更加詳細的說明。在這里，將作為光反射率優(yōu)良的金屬膜的純銀膜作為比較對象進行研究。1.高溫耐性首先，對純銀膜以及合金膜(Ag-Sm-Cu合金膜以及Ag-B1-Nd合金膜)的耐高溫性進行評價。純銀膜以及上述合金膜使用具有各自的組成的目標材料，并通過濺射法形成在平滑的玻璃基板上。按原子數(shù)計，Ag-Sm-Cu合金膜含有0.5%的Sm，含有0.5%的Cu，剩余部分實質(zhì)上為Ag。按原子數(shù)計，Ag-B1-Nd合金膜含有1.0%的Bi，含有0.5%的Nd，剩余部分實際上為Ag。作為耐高溫性，通過比較成膜后初期的純銀膜以及上述合金膜的反射率和在大氣環(huán)境中在250°C下實施I小時加熱處理后(高溫試驗后)的反射率來進行。使用分光光度計(spectrophotometer)對可見光范圍的波長400nm以上700nm以下的反射率進行了測定。表I中示出了光的波長為400nm、550nm以及700nm時的純銀膜以及上述合金膜的初期反射率(單位:％)以及高溫試驗后的反射率(單位:％)。表I
權利要求
1.一種干涉濾波器，其特征在于，所述干涉濾波器具備隔著間隙相互面對的兩個反射膜，其中， 所述反射膜包括:含有銀(Ag)、釤(Sm)以及銅(Cu)的Ag-Sm-Cu合金膜， 按原子數(shù)計，所述Ag-Sm-Cu合金膜含有0.1 %以上0.5 %以下的Sm，含有0.1 %以上0.5%以下的Cu，且Sm以及Cu的合計為1.0%以下， 所述Ag-Sm-Cu合金膜的厚度為10nm以上40nm以下。
2.根據(jù)權利要求1所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述反射膜為所述Ag-Sm-Cu合金膜的單層膜。
3.根據(jù)權利要求1所述的干涉濾波器，其特征在于，所述干涉濾波器具備支撐所述反射膜的透光性基板，其中， 所述反射膜包括:介電膜以及所述Ag-Sm-Cu合金膜， 從靠近所述基板的位置開始依次設置所述介電膜、所述Ag-Sm-Cu合金膜。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述反射膜包括:保護所述Ag-Sm-Cu合金膜的保護膜。
5.一種干涉濾波器，其特征在于，所述干涉濾波器具備隔著間隙相互面對的兩個反射膜，其中， 所述反射膜包括:含有銀(Ag)、鉍(Bi)以及釹(Nd)的Ag-B1-Nd合金膜， 按原子數(shù)計，所述Ag-B1-Nd合金膜含有0.1 %以上3.0 %以下的Bi，且含有0.1 %以上5.0%以下的Nd， 所述Ag-B1-Nd合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。
6.根據(jù)權利要求5所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述反射膜為所述Ag-B1-Nd合金膜的單層膜。
7.根據(jù)權利要求5所述的干涉濾波器，其特征在于，所述干涉濾波器具備支撐所述反射膜的透光性基板，其中， 所述反射膜包括:介電膜以及所述Ag-B1-Nd合金膜，從靠近所述基板的位置開始依次設置所述介電膜、所述Ag-B1-Nd合金膜。
8.根據(jù)權利要求5至7中任一項所述的干涉濾波器，其特征在于， 所述反射膜包括:保護所述Ag-B1-Nd合金膜的保護膜。
9.一種光學模塊，其特征在于，所述光學模塊具備: 兩個反射膜，隔著間隙相互面對；以及 檢測部，檢測透過了所述反射膜的光的光量， 所述反射膜包括:含有銀(Ag)、釤(Sm)以及銅(Cu)的Ag-Sm-Cu合金膜， 按原子數(shù)計，所述Ag-Sm-Cu合金膜含有0.1 %以上0.5 %以下的Sm，含有0.1 %以上0.5%以下的Cu，且Sm以及Cu的合計為1.0%以下， 所述Ag-Sm-Cu合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。
10.一種光學模塊，其特征在于，所述光學模塊具備: 兩個反射膜，隔著間隙相互面對；以及 檢測部，檢測透過了所述反射膜的光的光量， 其中，所述反射膜包括:含有銀(Ag)、鉍(Bi)以及釹(Nd)的Ag-B1-Nd合金膜，按原子數(shù)計，所述Ag-B1-Nd合金膜含有0.1 %以上3.0 %以下的Bi，且含有0.1 %以上.5.0%以下的Nd， 所述Ag-B1-Nd合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。
11.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備具有: 兩個反射膜，隔著間隙相互面對； 檢測部，檢測透過了所述反射膜的光的光量；以及 處理部，基于在所述檢測部檢測到的光的光量，實施分析處理， 其中，所述反射膜包括:含有銀(Ag)、釤(Sm)以及銅(Cu)的Ag-Sm-Cu合金膜， 按原子數(shù)計，所述Ag-Sm-Cu合金膜含有0.1 %以上0.5 %以下的Sm，含有0.1 %以上.0.5%以下的Cu，且Sm以及Cu的合計為1.0%以下， 所述Ag-Sm-Cu合金膜的厚度為IOnm以上40nm以下。
12.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備具有: 兩個反射膜，隔著間隙相互面對； 檢測部，檢測透過了所述反射膜的光的光量；以及 處理部，基于在所述檢測部檢測到的光的光量，實施分析處理， 其中，所述反射膜包括:含有銀(Ag)、鉍(Bi)以及釹(Nd)的Ag-B1-Nd合金膜， 按原子數(shù)計，所述Ag-B1-Nd合金膜含有0.1 %以上3.0 %以下的Bi，且含有0.1 %以上.5.0%以下的Nd， 所述Ag-B1-Nd合金膜的厚度為10nm以上40nm以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種干涉濾波器、光學模塊以及電子設備。上述干涉濾波器包括隔著間隙相互面對的第一反射膜和第二反射膜。第一反射膜和第二反射膜包括Ag-Sm-Cu合金膜或Ag-Bi-Nd合金膜，其中，按原子數(shù)計，Ag-Sm-Cu合金膜含有0.1％以上0.5％以下的Sm，含有0.1％以上0.5％以下的Cu，且Sm以及Cu的合計為1.0％以下，Ag-Bi-Nd合金膜含有0.1％以上3.0％以下的Bi，含有0.1％以上5.0％以下的Nd，上述Ag-Sm-Cu合金膜或Ag-Bi-Nd合金膜的厚度為10nm以上40nm以下。
文檔編號G01N21/25GK103217732SQ201310012209
公開日2013年7月24日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權日2012年1月18日
發(fā)明者新東晉, 北原浩司, 松下友紀 申請人:精工愛普生株式會社