技術(shù)特征：
1.一種MEMS反相振動陀螺儀，包括：測量體、與所述測量體相連接的上蓋板以及下蓋板；其特征在于，所述測量體為兩個，沿垂直方向相對連接，每個所述測量體包括外框架、位于所述外框架內(nèi)的內(nèi)框架以及位于所述內(nèi)框架內(nèi)的質(zhì)量塊；兩個所述測量體之間通過所述外框架相連接；所述外框架與所述內(nèi)框架之間通過第一彈性梁相連接；所述質(zhì)量塊與所述內(nèi)框架通過第二彈性梁相連接；所述內(nèi)框架與所述外框架之間的相對邊設(shè)置有梳狀耦合結(jié)構(gòu)；兩個所述質(zhì)量塊在垂直方向上以相反方向振動，所述梳狀耦合結(jié)構(gòu)測量旋轉(zhuǎn)角速度。2.如權(quán)利要求1所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述內(nèi)框架與所述外框架之間設(shè)置有多組第一彈性梁；所述第一彈性梁以所述質(zhì)量塊的中線對稱設(shè)置。3.如權(quán)利要求1所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，多組所述第一彈性梁設(shè)置在所述外框架和所述內(nèi)框架之間的間隔空間內(nèi)，并在間隔空間中自由活動。4.如權(quán)利要求2所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述第一彈性梁為U型折疊梁。5.如權(quán)利要求1所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述質(zhì)量塊與所述內(nèi)框架之間設(shè)置有多組第二彈性梁，每組所述第二彈性梁包括兩根Y型彈性梁，每根所述Y型彈性梁包括一根主干部以及兩根分支部；所述兩根分支部分別與所述內(nèi)框架以及所述質(zhì)量塊相連接。6.如權(quán)利要求5所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述兩根Y型彈性梁的主干部分的末端設(shè)置在所述內(nèi)框架的端角處，兩末端呈直角相連接。7.如權(quán)利要求1所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述第一彈性梁的厚度大于所述第二彈性梁的厚度。8.如權(quán)利要求1所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述測量體采用包括有上硅層及下硅層的雙層硅結(jié)構(gòu)，每層硅層之間分別設(shè)置有氧化埋層，所述上硅層的表面形成有外延層。9.如權(quán)利要求8所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述第一彈性梁成型于所述外延層以及所述上硅層；所述第二彈性梁成型于所述外延層。10.如權(quán)利要求1所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述質(zhì)量塊以及所述梳狀耦合結(jié)構(gòu)上分別設(shè)置有電極。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS反相振動陀螺儀，其特征在于，所述上蓋板及所述下蓋板的材料為硅片或玻璃片。12.一種陀螺儀的制造工藝，其特征在于，所述制造工藝包括以下步驟：第一步，在絕緣體上外延硅硅片的上硅層上生長出一外延層；第二步，通過高溫氧化或淀積處理，在所述外延層表面上形成一層二氧化硅層；第三步，通過光刻和刻蝕在所述絕緣體上外延硅硅片外側(cè)及內(nèi)側(cè)的所述二氧化硅層表面上刻蝕出多個深至所述外延層的孔；第四步，通過光刻及深度刻蝕，刻穿所述絕緣體上外延硅硅片外側(cè)的孔內(nèi)的外延層，并將上硅層深度刻蝕至一定深度；第五步，去除光刻膠，通過深度刻蝕，將所述絕緣體上外延硅硅片外側(cè)的孔深度刻蝕至氧化埋層，形成外框架以及第一彈性梁；并同時在硅片內(nèi)側(cè)刻蝕出多個深至上硅層的孔，形成第二彈性梁；第六步，將所述二氧化硅層去除；第七步，在所述上硅層以及外延層表面淀積氮化硅或二氧化硅，形成保護(hù)層；第八步，將水平方向上的所述保護(hù)層去除，然后將所述絕緣體上外延硅硅片與上蓋板鍵合；第九步，將所述絕緣體上外延硅硅片的下硅層進(jìn)行拋光，并減薄一定厚度，之后在所述下硅層表面生長或淀積出一層二氧化硅層；第十步，通過光刻和刻蝕，將下硅層的內(nèi)側(cè)的所述二氧化硅層去除，并露出所述下硅層的內(nèi)側(cè)部分；第十一步，通過化學(xué)腐蝕或深度刻蝕，將所述下硅層的內(nèi)側(cè)部分刻蝕至氧化埋層；第十二步，通過刻蝕將所述下硅層的內(nèi)側(cè)部分的氧化埋層以及所述下硅層表面的所述二氧化硅層去除，并將暴露在外的絕緣體上外延硅硅片進(jìn)行刻蝕，直至所述內(nèi)側(cè)部分刻蝕至外延層，所述下硅層刻蝕至氧化埋層，從而形成內(nèi)框架及質(zhì)量塊；第十三步，通過光刻以及刻蝕，將所述內(nèi)框架、第一彈性梁及質(zhì)量塊表面的氧化埋層去除；第十四步，通過刻蝕，將保護(hù)層去除；第十五步，將兩塊絕緣體上外延硅硅片進(jìn)行背對背硅-硅鍵合，形成完整的MEMS反相振動陀螺儀。13.如權(quán)利要求12所述的陀螺儀的制造工藝，其特征在于，對所述上蓋板及下蓋板的加工工藝還包括：A、在所述上蓋板和所述下蓋板的鍵合面上分別通過光刻、深度刻蝕及刻蝕各自形成一個凹陷區(qū)；B、與所述絕緣體上外延硅硅片鍵合之前，對所述上蓋板及所述下蓋板進(jìn)行清洗。14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的陀螺儀的制造工藝，其特征在于，所述深度刻蝕及所述刻蝕的方法為以下方法中的一種或多種方法：干法刻蝕或濕法刻蝕，所述干法刻蝕包括：硅的深度反應(yīng)離子刻蝕及反應(yīng)離子刻蝕。15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的陀螺儀的制造工藝，其特征在于，用于腐蝕所述硅層的腐蝕劑為以下腐蝕劑中的一種或多種的組合：氫氧化鉀、四甲基氫氧化氨、乙二胺磷苯二酚或氣態(tài)的二氟化氙。16.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的陀螺儀的制造工藝，其特征在于，用于腐蝕所述二氧化硅層的腐蝕劑為以下腐蝕劑中的一種或多種的組合：緩沖氫氟酸、49％氫氟酸或氣態(tài)的氟化氫。