在TEM樣品制備中用于低kV FIB銑削的基于劑量的端點(diǎn)確定的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于使用聚焦離子束形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層的方法、系統(tǒng)以及計算機(jī)可讀介質(zhì)，包括將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料；用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生帶有一個或多個具有破壞層的暴露面的半成品樣品薄層；對該聚焦離子束的清除速率進(jìn)行表征；對清除速率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層一段預(yù)先確定的銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層以清除至少一部分破壞層，以便產(chǎn)生包括至少一部分有關(guān)特征的成品樣品薄層。
【專利說明】在TEM樣品制備中用于低kV FIB銑削的基于劑量的端點(diǎn)確定
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于透射電子顯微術(shù)(TEM)或掃描透射電子顯微術(shù)(STEM)的樣品的制備，并且具體地涉及帶電粒子束在制備TEM或STEM樣品中的使用。
【背景技術(shù)】
[0002]透射電子顯微術(shù)(TEM)使觀測員能夠形成納米級至埃的分?jǐn)?shù)級的極小特征的影像。TEM還允許分析樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在TEM中，寬電子射束沖擊樣品并且透射穿過樣品的電子經(jīng)過聚焦以形成樣品的影像。樣品必須足夠薄以允許原束中的電子行進(jìn)穿過樣品并在相反側(cè)上射出。
[0003]一種相關(guān)類型的顯微術(shù)，掃描透射電子顯微術(shù)(STEM)，具有類似的要求和能力。
[0004]從大塊樣品材料上切削下來的薄TEM樣品被稱為“薄層”。薄層厚度通常小于100納米(nm)，但對于某些應(yīng)用而言，薄層必須顯著更薄。就30 nm及以下的先進(jìn)半導(dǎo)體制作工藝來說，薄層的厚度經(jīng)常需要小于20 nm，以便避免小型結(jié)構(gòu)之間的重疊。樣品的厚度變化會導(dǎo)致薄層彎曲、過度銑削、或其他重大缺陷。對于這樣的薄樣品而言，薄層制備是TEM分析中的一個關(guān)鍵步驟，它很大程度上決定了結(jié)構(gòu)表征的質(zhì)量以及對最小和最關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的分析。
[0005]用于TEM薄層制備的現(xiàn)有技術(shù)方法通常利用聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)進(jìn)行的各種銑削操作。這種銑削操作包括清潔橫截面、規(guī)則橫截面和以如下方式放置的框式銑削:銑削圖案的落點(diǎn)確定薄層的邊緣的最終位置。薄層厚度和最終薄層中心位置的精確度基于這些FIB銑削操作的落點(diǎn)的精確度。在自動化工作流程中，通常關(guān)于從其上將要銑削TEM樣品的基底的頂表面上的某一特征或基準(zhǔn)點(diǎn)進(jìn)行所有銑削。
[0006]圖1OA至圖101中所示，例如，在轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人FEI公司的美國專利號20130143412 Al “用于制備供TEM成像的薄樣品的方法(Methods for Preparing ThinSamples for TEM Imaging)”中描述了一種制備薄TEM樣品的現(xiàn)有技術(shù)方法。在圖1OA中，描繪了已經(jīng)完成大塊銑削后的垂直樣品截面1002。垂直樣品截面1002附裝在側(cè)面和底部處的大塊基底上，但為了清晰性，沒有顯示出周圍的大塊基底。在圖1OB中，描繪了過度銑削區(qū)1052，這些過度銑削區(qū)典型地顯示了某種程度的垂落。使用離子束1706在第一側(cè)1051A上打薄樣品截面1002。
[0007]在圖1OC和圖1OD中，添加了材料1056，從而使得增加原樣品截面1002的總厚度?？蛇x地清除部分所添加的材料1056。充足的沉積材料1056留在了樣品面1051A上，以便當(dāng)銑削另一個樣品面1051B時提供附加構(gòu)造完整性。在圖1OE中，在最終樣品面1051B暴露前，附加材料1056可以沉積到樣品1002上。然后，在后續(xù)附加打薄過程中，可以清除沉積材料1056。
[0008]然后，在圖1OF中，在樣品1002的第二 TEM樣品面1051B (背側(cè))處引導(dǎo)FIB 1706以打薄該樣品。所暴露的第二樣品面1051B將通常還顯示某種程度的垂落，造成過度銑削區(qū)1052。在圖1OG和IOH中，使用合適的方法(如化學(xué)汽相淀積)也使材料1056沉積到第二樣品面1051B上。然后通過FIB銑削清除第二面上的一些或所有沉積材料。在圖101中，可以可選地將所有沉積材料1056從已完成的TEM樣品1010上清除。
[0009]關(guān)于結(jié)晶材料(硅為商業(yè)上重要的例子)薄層的生產(chǎn)的已知問題在于，高能聚焦離子束(例如，30千電子伏(keV))在最終薄層內(nèi)產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的破壞層。例如由擾亂樣品的晶格的高能離子引起破壞層。一種已知的解決方案為在較低FIB能量下進(jìn)行一些最終加工步驟，典型地為2 keV至5 keV，但通常不大于8 keV。這些較低的FIB能量加工步驟經(jīng)常被稱為“破壞清除”步驟。在一些情況下，甚至使用更低的著陸能量(小于2 keV)。通常，著陸能量越低，晶格的擾亂越小，并且結(jié)果破壞層厚度隨著著陸能量降低而減小。
[0010]低著陸能量操作有時也稱為低kV操作，這是因?yàn)?，如果樣品在地電位下，則著陸能量直接與離子源尖端上的高電壓電位相關(guān)。
[0011]與低kV (千伏)破壞清除程序相關(guān)的問題在于，F(xiàn)IB分辨率和探針特征在低kV下被大大降級。因?yàn)樵诘蚹V下色差通常導(dǎo)致探針形成效能大大降級，所以FIB分辨率和探針特征被降級。
[0012]這意味著涉及成像的所有步驟(如用于放置最終低kV破壞清除銑削的步驟)具有已降級的能力。典型地，自動化加工產(chǎn)生的薄層，其中，低kV銑削的落點(diǎn)對最終切削落點(diǎn)和厚度精度具有關(guān)鍵性的影響。最終結(jié)果是，在30 kV下邊緣的落點(diǎn)的控制比在低kV好得多，并且破壞清除過程對最終薄層的厚度和位置引入不希望地大量不確定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的示例性實(shí)施例包括一種用于使用聚焦離子束形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層的方法。該方法包括:將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料；用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面包括破壞層；對在將低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征；對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個，以便清除至少一部分破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分有關(guān)特征的成品樣品薄層。
[0014]本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施例包括一種用于形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括:聚焦離子束柱；樣品平臺；安置在樣品平臺上或內(nèi)的樣品；可編程控制器，該控制器致使該系統(tǒng)自動進(jìn)行如下操作:將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料；用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面包括破壞層；對在將低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征；對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面，以便清除至少一部分破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分有關(guān)特征的成品樣品薄層。
[0015]本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施例包括一種用計算機(jī)程序編碼的非瞬態(tài)計算機(jī)可讀介質(zhì)，該計算機(jī)程序用于自動形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層，該計算機(jī)程序包括計算機(jī)指令，當(dāng)被計算機(jī)處理器執(zhí)行時，這些計算機(jī)指令致使控制聚焦離子束系統(tǒng)的計算機(jī)進(jìn)行如下操作:將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料；用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面包括破壞層；對在將低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征；對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面，以便清除至少一部分破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分有關(guān)特征的成品樣品薄層。
[0016]為了可以更好地理解以下本發(fā)明的詳細(xì)說明，上文已經(jīng)相當(dāng)廣泛地概述了本發(fā)明的特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。下文將說明本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到所披露的概念和具體實(shí)施例可容易地用作改進(jìn)或設(shè)計用于完成本發(fā)明相同目的其他結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識到這些同等構(gòu)造不脫離如隨附權(quán)利要求中所闡明的本發(fā)明的精神和范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更加徹底地理解本發(fā)明和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考以下說明，其中:
圖1示出了從樣品基底102切削下來的薄層104，該樣品基底包括在薄層從樣品基底上清除前有待分析的特征；
圖2示出了在薄層從樣品基底上清除前從樣品基底102切削下來的薄層104的俯視
圖；
圖3示出了半成品薄層104的一端的俯視圖，包括破壞層302a和302b以及最終薄層304的位置；
圖4示出了半成品薄層104的俯視圖以及進(jìn)行最終銑削的示例性低kV銑削區(qū)402的落點(diǎn)；
圖5示出了在低kV銑削過程中的半成品薄層104的側(cè)視圖；
圖6示出了成品薄層304的自頂向下圖；
圖7示出了被配備成實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的示例性帶電粒子束系統(tǒng)702的一個實(shí)施
例；
圖8示出了一流程圖，描繪了一種根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例的基于劑量的端點(diǎn)確定來形成TEM樣品薄層的低kV方法；
圖9示出了一流程圖，描繪了一種用于根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例使用來自加工點(diǎn)的反饋來提高最終銑削的效能；以及 圖1OA至圖101描繪了一種用于制備薄TEM樣品的現(xiàn)有技術(shù)方法。
【具體實(shí)施方式】
[0018]本發(fā)明的實(shí)施例針對用于利用具有基于劑量的端點(diǎn)確定的低能帶電粒子束銑削形成樣品薄層的方法和系統(tǒng)。本發(fā)明的一些實(shí)施例包括用于利用具有基于劑量的端點(diǎn)確定的低能帶電粒子束銑削形成樣品薄層的全自動化方法和系統(tǒng)。本發(fā)明的一些實(shí)施例包括用于利用儀器的操作員進(jìn)行的自動化步驟和手動步驟形成樣品薄層的方法和系統(tǒng)。在至少一個實(shí)施例中，帶電粒子束為聚焦離子束并且樣品薄層為透射電子顯微術(shù)(TEM)薄層和/或掃描透射電子顯微術(shù)(STEM)薄層。以高精度薄層邊緣落點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)高kV (約30 kV)銑削。用標(biāo)準(zhǔn)程序放置高kV銑削，典型地利用有關(guān)特征附近的基底表面上的基準(zhǔn)點(diǎn)，至少一部分有關(guān)特征將包括在成品樣品薄層內(nèi)。高kV薄層厚度和落點(diǎn)由本領(lǐng)域內(nèi)已知的基準(zhǔn)點(diǎn)精度問題確定。
[0019]精確高kV銑削完成后，適當(dāng)定位薄層并將薄層銑削到精確控制的厚度。然而，薄層的厚度稍微大于預(yù)期最終厚度，以便可以用最終銑削清除由于高kV銑削造成的破壞層。在優(yōu)選實(shí)施例中，薄層比所希望的薄層最終厚度厚大約用于高kV銑削的粒子束的穿透深度的長度的兩倍長。在30 kV鎵離子束的示例中，穿透深度大約為30 nm。
[0020]基于劑量的方法用于清除破壞層。用以如下方式放置的圖案來進(jìn)行最終低kV銑削:銑削落點(diǎn)的精度不重要，只有最終劑量重要。在優(yōu)選實(shí)施例中，以比薄層面積大的尺寸進(jìn)行“框式”銑削。在一些情況下，將從更大的樣品上提取制作的薄層，如晶片或晶片塊，其中在樣品的頂表面附近有結(jié)構(gòu)體。為了最小化與銑削透這些結(jié)構(gòu)體相關(guān)聯(lián)的某些類型的不希望的人為現(xiàn)象，令人希望的是在入射粒子束和垂直于薄層面的平面內(nèi)的樣品的頂表面的射線之間具有一個明顯的角。典型地，希望此角大于三十(30)度。在一個實(shí)施例中，以相對于樣品的頂表面基本上為45度的角引導(dǎo)FIB。其他實(shí)施例包括FIB圍繞與樣品表面垂直的軸附加旋轉(zhuǎn)。又另一個實(shí)施例包括涉及離子束相對于表面法線的實(shí)質(zhì)性方位角和實(shí)質(zhì)性的極角兩者的復(fù)角?？梢杂枚喾N方式實(shí)現(xiàn)這些角，有時涉及多軸平臺，并且有時涉及一個或多個具有所希望的固定定向的可移動柱。
[0021]本發(fā)明的實(shí)施例的附加方面包括提供薄層面上的材料清除速率的精確表征以及基于材料清除速率的表征進(jìn)行時間控制的低kV銑削。在一些實(shí)施例中，薄層面上的材料清除速率特征在于基于射束電流的精確校準(zhǔn)確定低kV粒子束發(fā)送的帶電粒子的精確劑量。射束電流的精確校準(zhǔn)對一段時間內(nèi)出現(xiàn)的射束電流的變化作出解釋。所發(fā)送的帶電粒子的劑量為掃描面積、耗時掃描以及掃描時的射束電流的函數(shù)。典型地，最大不確定性與離子束電流相關(guān)聯(lián)。為了提供劑量的良好控制，以有規(guī)律的時間間隔或在接近基于劑量的銑削的預(yù)定時間內(nèi)測量射束電流。可以在薄層制備前的任何規(guī)定時間進(jìn)行此測量。例如，用于測量的規(guī)定時間可以是銑削啟動前一秒鐘的若干分之幾、銑削啟動前一分鐘的若干分之幾、每天一次、每周一次、每個晶片一次等。校準(zhǔn)FIB電流的方法通常由將離子束引導(dǎo)至集流電極內(nèi)，通過該集流電極，通過精確的電流測量電子設(shè)備進(jìn)行精確的電流測量?？梢栽陔x子柱內(nèi)或在離子柱以外的位置上完成此測量。
[0022]清除材料的控制不取決于低kV成像或圖案識別，而僅取決于最終劑量的精確控制。直接在銑削前的FIB射束電流的仔細(xì)測量(例如，射束電流誤差不超過1%)以及銑削定時的仔細(xì)控制(例如，不超過1%定時誤差)導(dǎo)致從半成品薄層上清除的材料量誤差不超過2%。在從半成品薄層的每側(cè)清除30 nm材料的示例性情況下，銑削誤差控制到不超過2%將低kV銑削引起的誤差限制到小于一納米。本段落中所使用的數(shù)字僅用于說明目的。
[0023]校準(zhǔn)射束電流不是表征材料清除速率的唯一方式。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，通過實(shí)驗(yàn)性地測量在所使用的低kV的粒子束條件下的材料清除速率來進(jìn)行清除速率的表征。例如，可以實(shí)驗(yàn)性地進(jìn)行低kV銑削以確定(對于給定的一組粒子束條件而言)每分鐘從薄層面上清除I nm材料?？梢栽诒又苽淝暗娜魏我?guī)定時間進(jìn)行材料清除速率的實(shí)驗(yàn)性測量的表征。例如，用于測量的規(guī)定時間可以是銑削啟動前一秒鐘的若干分之幾、銑削啟動前一分鐘的若干分之幾、每天一次、每周一次、每個晶片一次等。
[0024]在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實(shí)施例中，來自加工點(diǎn)的反饋可以與定時和劑量控制相結(jié)合或可以用于為定時和劑量確定合適的值。例如，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例生產(chǎn)一個或多個薄層的過程中，基于在薄層生產(chǎn)過程對銑削定時的仔細(xì)控制和對實(shí)際束電流的監(jiān)控來對薄層生產(chǎn)過程中發(fā)送至每個薄層的劑量的量進(jìn)行精確記錄。隨后觀察薄層以確定加工實(shí)現(xiàn)其目標(biāo)目的程度，并且此信息被反饋至系統(tǒng)內(nèi)以調(diào)節(jié)用于附加薄層的生產(chǎn)的目標(biāo)劑量?？梢酝ㄟ^任何實(shí)用方法進(jìn)行此檢查，包括用于低kV打薄的工具內(nèi)的系統(tǒng)中SEM影像或從產(chǎn)生薄層最終影像的TEM或STEM系統(tǒng)中收集的信息。機(jī)器視覺算法可以用于測量薄層的特征，以計算有待用于確定后續(xù)劑量的調(diào)節(jié)因數(shù)。
[0025]在另一個示例中，貫穿高kV操作的完成整個過程，系統(tǒng)加工多個樣品。然后，該系統(tǒng)將低kV打薄操作應(yīng)用到一子集樣品上并收集和上述示例同樣條數(shù)的信息。該工具收集成品薄層的SEM影像并且人員檢查質(zhì)量結(jié)果。人員可以指示什么樣的換算因數(shù)應(yīng)發(fā)送至剩余點(diǎn)上。可替代地，機(jī)器視覺算法可以用于測量薄層的特征，以計算有待用于確定后續(xù)劑量的調(diào)節(jié)因數(shù)。當(dāng)生產(chǎn)后續(xù)薄層時，基于SEM影像檢查的信息與制備工具上的新的實(shí)際測量的射束電流相結(jié)合以減少向單位面積所發(fā)送的實(shí)際劑量，以便更加精確地實(shí)現(xiàn)目標(biāo)樣品厚度。
[0026]本發(fā)明的實(shí)施例對用單晶材料(如硅)形成TEM樣品薄層特別有用。單晶體基底在高kV銑削過程中受到比不是由單晶體形成的基底更大的破壞，如數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用中所使用的那些。
[0027]圖1示出了在薄層從樣品基底上清除前從樣品基底102切削下來的半成品薄層104。通過在薄層的周圍位置上從樣品基底102上銑削掉材料來形成半成品薄層104。使用帶電粒子束銑削材料，如離子束、電子束或激光束。在優(yōu)選實(shí)施例中，帶電粒子束為聚焦離子束。樣品基底102上的一個或多個基準(zhǔn)點(diǎn)(未示出)可以用于定位所希望的薄層位置。首先以高精度薄層邊緣落點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)高kV銑削。高kV銑削使用具有大于8 keV優(yōu)選地約30 keV的帶電粒子束從樣品基底上清除材料。
[0028]圖2示出了進(jìn)行初始高kV銑削后的半成品薄層104的俯視圖。帶電粒子束從高kV銑削區(qū)202a和202b上清除基底材料，以暴露出垂直薄層面204a和204b。高kV銑削區(qū)202a和202b位于薄層104的兩側(cè)。一個或多個基準(zhǔn)點(diǎn)(未不出)可以用于確定樣品基底上的高kV銑削區(qū)202a和202b的位置。由于高kV銑削用于從高kV銑削區(qū)202a和202b上清除材料，所以半成品薄層104包括在薄層可以被例如TEM分析前需要被校正或清除的破壞層。[0029]圖3示出了半成品薄層104的一端的俯視圖，包括破壞層302a和302b以及最終薄層304的位置。破壞層302a和302b從薄層面204a和204b延伸至半成品薄層104內(nèi)的某一深度。為了允許在后續(xù)低kV銑削步驟中清除破壞層，進(jìn)行高kV銑削步驟，使得半成品薄層104具有比最終薄層304的預(yù)期厚度更大的厚度。在一個或多個實(shí)施例中，進(jìn)行高kV銑削，從而使得薄層104的各邊基本上比成品薄層304的邊的預(yù)期厚度厚30納米(nm)。
[0030]破壞層302a和302b由半成品薄層104的初始高kV銑削造成。用高能帶電粒子束銑削具有銑削率更高和粒子束落點(diǎn)更精確的好處，因?yàn)闇p少了色差。但是，高能粒子還對樣品基底造成破壞，產(chǎn)生破壞層302a和302b。例如，用聚焦離子束對硅晶體基底進(jìn)行高kV銑削會對晶格造成不想要的破壞。因此，本發(fā)明的實(shí)施例包括進(jìn)行最終銑削以清除破壞層302a和302b。最終銑削步驟為利用基于劑量的端點(diǎn)確定的低kV銑削。
[0031 ] 圖4示出了半成品薄層104的俯視圖以及進(jìn)行最終銑削的示例性低kV銑削區(qū)402的落點(diǎn)。低kV銑削區(qū)402以如下方式放置:落點(diǎn)的精度不重要，只有粒子的最終劑量是重要的。優(yōu)選地，以比成品薄層304的預(yù)期最終厚度更大的尺寸在半成品薄層104的周圍進(jìn)行框式銑削。最簡單類型的框式銑削為其中跨定義的幾何形狀(典型地為矩形)描繪蛇形或柵格圖案并且在銑削持續(xù)時間內(nèi)多次重復(fù)描繪出該圖案的銑削。出于本發(fā)明的目的，關(guān)鍵概念為框式銑削與清潔橫截面銑削的不同之處在于清潔橫截面式銑削具有緩慢漸進(jìn)的銑削位置。出于本發(fā)明的目的，框式銑削圖案的確切細(xì)節(jié)不重要，例如，可以跨基本上為圓形的定義區(qū)描繪出圖案。低kV銑削區(qū)402基本上包括所有破壞層302a和302b，從而使得一旦完成低kV銑削操作就基本上從成品薄層304上清除了所有破壞層302a和302b。因?yàn)槭褂昧说蚹V銑削而不是高kV銑削，所以與由于高kV銑削對半成品薄層304造成的破壞相t匕，消除了或顯著減少了對成品薄層304的破壞。
[0032]圖5示出了在低kV銑削過程中的半成品薄層104的側(cè)視圖?？梢酝ㄟ^以基本上不是“自頂向下”的方式操作帶電粒子束來提高效能。在一些情況下，將從更大的樣品上提取薄層104，如晶片或晶片塊，其中在樣品102的頂表面附近有結(jié)構(gòu)體。為了最小化與銑削透這些結(jié)構(gòu)體相關(guān)聯(lián)的某些類型的不希望的人為現(xiàn)象，令人希望的是在入射粒子束和垂直于薄層104的平面內(nèi)的樣品的頂表面的射線504之間具有一個明顯的角(Θ )。典型地希望此角Θ大于三十(30)度。在一個實(shí)施例中，以相對于樣品的頂表面基本上為45度的角Θ引導(dǎo)FIB。
[0033]圖6示出了成品薄層304的自頂向下圖。通過進(jìn)行低kV銑削基本上從成品薄層304上清除了所有破壞層302a和302b。在成品薄層的底部，成品薄層304可能仍然附裝在樣品基底102上。可以進(jìn)行進(jìn)一步的加工(如根切)，以便將薄層304與樣品基底分開，以供在另一個儀器內(nèi)分析。
[0034]圖8示出了一流程圖，描繪了一種根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例的基于劑量的端點(diǎn)確定來形成TEM樣品薄層的低kV方法。該方法在802處開始并進(jìn)行到步驟804，在步驟804中在樣品基底102處引導(dǎo)高能帶電粒子束。將高能帶電粒子束引導(dǎo)至樣品基底102處以進(jìn)行高kV銑削操作。高kV銑削操作使用高能粒子束將多余量的大塊基底材料從高kV銑削區(qū)202a-202b清除，以暴露出半成品薄層104 (步驟806)的垂直薄層面204a和204b。高能帶電粒子束具有大于8 keV的著陸能量，并且優(yōu)選地約為30 keV。
[0035]在用低能粒子束進(jìn)行破壞清除前，對低能帶電粒子束的材料清除速率進(jìn)行表征(步驟808)?？梢酝ㄟ^精確測量射束電流以確定校準(zhǔn)后的射束電流、通過實(shí)驗(yàn)性地測量低能粒子束的材料清除速率或通過任何其他合適的用于表征低能粒子束的清除速率的方法來完成清除速率的表征。如果通過測量射束電流對清除速率進(jìn)行表征，則通過解釋射束電流的每天(或者甚至更頻繁地)變化的射束電流的精確校準(zhǔn)來控制帶電粒子的劑量。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，在進(jìn)行低kV銑削步驟前直接進(jìn)行步驟808中的射束電流測量。可替代地，可以在有規(guī)律地隔開的時間間隔下進(jìn)行步驟808中的射束電流測量。校準(zhǔn)射束電流的方法包括但不限于用已校準(zhǔn)的皮安培計測量消隱粒子束和使用臺式法拉第杯測量射束電流。
[0036]用高能帶電粒子束銑削半成品薄層104后和對材料清除速率進(jìn)行表征后，將低能帶電粒子束引導(dǎo)向半成品薄層104 (步驟810)。該低能帶電粒子束具有小于8 keV的著陸能量，并且優(yōu)選地在2 keV和5 keV之間。將低能帶電粒子束引導(dǎo)至半成品薄層104處以進(jìn)行低kV銑削操作。低kV銑削操作使用低能粒子束清除破壞層302a和302b(步驟812)。該低_kV銑削步驟被精確定時，從而使得基于銑削時間和材料清除速率發(fā)送預(yù)先確定劑量的帶電粒子(步驟814)。當(dāng)已經(jīng)發(fā)送預(yù)先確定劑量的帶電粒子時，該方法在結(jié)束符號816處停止。成品薄層包括至少一部分有關(guān)特征。
[0037]清除材料的控制不取決于低_kV成像或圖案識別，而僅取決于最終劑量的精確控制。通過精確表征在銑削前的規(guī)定時間時的材料清除速率和仔細(xì)控制銑削的定時來控制最終劑量。在優(yōu)選實(shí)施例中，將定時誤差控制到小于百分之一(1%)并且將射束電流的誤差控制到小于百分之一(1%)。這導(dǎo)致被清除的材料的誤差小于百分之二(2%)。例如，如果在半成品薄層104的各側(cè)清除三十納米(30 nm)的材料,則將被清除的材料控制到小于2%允許低kV銑削操作引起亞納米誤差。
[0038]此處描述了本發(fā)明關(guān)于形成TEM薄層的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，本發(fā)明的實(shí)施例不僅僅局限于形成TEM薄層，而且還適用于其他類型的薄層，如STEM薄層。
[0039]在優(yōu)選實(shí)施例中，圖8中的方法為全自動化的，并且成品薄層304的最終端點(diǎn)確定不需要任何人的交互，具體地任何人的視覺交互。在低_kV銑削步驟前直接測量射束電流，并且基于最新的射束電流校準(zhǔn)調(diào)節(jié)低-kV銑削時間，以給出極精確的劑量控制。以如下方式放置銑削圖案:“過度暴露出”有關(guān)區(qū)域周圍的區(qū)域，從而使得落點(diǎn)的位置對從有關(guān)區(qū)域清除的材料具有很小的影響或沒有影響。
[0040]圖9示出了一流程圖，描繪了一種使用來自加工點(diǎn)的反饋提高最終銑削的效能的方法。在本發(fā)明的這個實(shí)施例中，來自加工點(diǎn)的反饋可以與定時和劑量控制相結(jié)合或可以用于為定時和劑量確定合適的值。該方法在框902處開始并進(jìn)行的步驟904。根據(jù)圖8中的方法生產(chǎn)第一組一個或多個薄層?；谠诒由a(chǎn)過程中對銑削定時的仔細(xì)控制和對實(shí)際射束電流的監(jiān)控來對步驟904過程中發(fā)送至每個薄層的劑量的量進(jìn)行精確記錄。隨后觀察薄層以確定加工實(shí)現(xiàn)其目標(biāo)目的程度。或者正在銑削薄層時或者在完成薄層的銑削后的時間點(diǎn)測量薄層的一個或多個特征(步驟906)。記錄薄層的一個或多個特征(步驟908)，如薄層厚度、剩余破壞層的尺寸、銑削落點(diǎn)的誤差偏移等?；陬A(yù)期薄層特征與所測量的該第一組薄層的一個或多個特征之間的差值計算低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量(步驟910)。此信息被反饋至系統(tǒng)內(nèi)以調(diào)節(jié)用于附加薄層的生產(chǎn)的目標(biāo)劑量?？梢酝ㄟ^任何實(shí)用方法進(jìn)行此檢查，包括用于低kV打薄的工具內(nèi)的系統(tǒng)中SEM影像或從產(chǎn)生薄層最終影像的TEM或STEM系統(tǒng)中收集的信息。使用單位面積發(fā)送低能聚焦離子束的第二規(guī)定劑量的第二圖案銑削時間生產(chǎn)第二組一個或多個樣品薄層(步驟912)。該過程在結(jié)束符號914處結(jié)束?？梢远啻螒?yīng)用此反饋過程以提高成品樣品薄層銑削的精度。
[0041]例如，使用圖8和圖9的方法的實(shí)施例，生產(chǎn)薄層的系統(tǒng)收集以下多條信息:(I)在開始低kV銑削前，樣品厚度為95.0 nm，(2)在2 kV的加速電壓下進(jìn)行低kV銑削，(3)將每側(cè)上應(yīng)用的低kV銑削發(fā)送至9.00 Mfli2面積大的目標(biāo)區(qū)域35.7秒的持續(xù)時間，以及(4)在低kV銑削的時間所測量的射束電流為85.4 pA。使薄層成像的TEM系統(tǒng)確定樣品厚度比最佳厚度小4%。當(dāng)生產(chǎn)后續(xù)薄層時，來自TEM系統(tǒng)的信息與制備工具上的新的實(shí)際測量的射束電流相結(jié)合以減少單位面積發(fā)送的實(shí)際劑量，以便更加精確地實(shí)現(xiàn)目標(biāo)樣品厚度。
[0042]在另一個示例中，貫穿高kV操作的完成整個過程，系統(tǒng)加工多個樣品。然后，該系統(tǒng)將低kV打薄操作應(yīng)用到一子集樣品上并收集和上述樣品同樣條數(shù)的信息。該工具收集成品薄層的SEM影像并且人員檢查質(zhì)量結(jié)果。人員可以指示什么樣的換算因數(shù)應(yīng)發(fā)送至剩余點(diǎn)上。當(dāng)生產(chǎn)后續(xù)薄層時，基于SEM影像檢查的信息與制備工具上的新的實(shí)際測量的束電流相結(jié)合以減少單位面積發(fā)送的實(shí)際劑量，以便更加精確地實(shí)現(xiàn)目標(biāo)樣品厚度。
[0043]圖7描繪了被配備成實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的示例性雙束SEM/FIB系統(tǒng)702的一個實(shí)施例。本發(fā)明不需要雙束系統(tǒng)，但可以容易地與任何帶電粒子束系統(tǒng)一起使用，包括單個FIB系統(tǒng)。此處所述雙束系統(tǒng)僅用于示例性目的?？梢栽陔p束電子束/聚焦離子束系統(tǒng)(如現(xiàn)在所述的系統(tǒng))中進(jìn)行這種TEM樣品的制備和分析。例如可以從本發(fā)明的受讓人的美國俄勒岡州希爾斯伯勒FEI公司商購合適的帶電粒子束系統(tǒng)。雖然以下提供了合適的硬件的示例，但本發(fā)明不限于以任何具體類型的硬件被實(shí)現(xiàn)。
[0044]雙束系統(tǒng)702具有垂直安裝的電子束柱704和以與可抽空試樣室708上的垂線成大約52度角安裝的聚焦離子束(FIB)柱706?？梢酝ㄟ^泵系統(tǒng)709抽空試樣室，該泵系統(tǒng)通常包括渦輪分子泵、油擴(kuò)散泵、離子吸氣泵、渦旋泵中的一個或多個或它們的組合，或其他已知泵送裝置。
[0045]電子束柱704包括用于產(chǎn)生電子的電子源710 (肖特基發(fā)射器或冷場發(fā)射器)以及形成電子細(xì)聚焦束716的電子光學(xué)透鏡712和714。電子源710通常保持在工件718的電位以上500 V與30 kV之間的電位，該工件通常保持在地電位。
[0046]因此，電子以大約500 eV到30 keV的著陸能量沖擊工件718?？梢栽谠摴ぜ鲜┘迂?fù)電位，以降低電子的著陸能量，這減少了與該工件交互的電子總量，從而減小了成核位點(diǎn)的尺寸。工件718可以包括例如半導(dǎo)體裝置、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、數(shù)據(jù)存儲裝置或用于分析其材料特征或成分的材料的樣品?？梢酝ㄟ^偏轉(zhuǎn)線圈720將電子束716的沖擊點(diǎn)定位在工件718的表面上或在其上掃描電子束716的沖擊點(diǎn)。通過掃描電子顯微鏡電源和控制單元722控制透鏡712和714以及偏轉(zhuǎn)線圈720的操作。透鏡和偏轉(zhuǎn)單元可以使用電場、磁場或其組合。
[0047]工件718在試樣室708內(nèi)的可移動平臺724上。平臺724可以優(yōu)選地在水平平面(X軸和Y軸)內(nèi)和垂直地(Z軸)移動并且可以傾斜大約六十(60)度以及繞Z軸旋轉(zhuǎn)?？梢源蜷_門727以便將工件718插到X-Y-Z平臺724上并且還便于維修內(nèi)部供氣罐(若使用供氣罐)(未示出)。該門被聯(lián)鎖，從而使得如果試樣室708被抽空，則門不能被打開。
[0048]一個或多個噴氣系統(tǒng)(GIS) 730安裝在真空室上。每個GIS可以包括用于容裝前體或活化材料的儲罐(未示出)以及用于將氣體引導(dǎo)至工件的表面上的針732。每個GIS進(jìn)一步包括用于調(diào)節(jié)向工件供應(yīng)前體材料的裝置734。在本示例中，將該調(diào)節(jié)裝置描繪成可調(diào)節(jié)閥，但該調(diào)節(jié)裝置還可以包括例如用于對前體材料進(jìn)行加熱以控制其蒸汽壓力的調(diào)節(jié)加熱器。
[0049]當(dāng)電子束716的電子沖擊工件718時，發(fā)射并可以檢測到次級電子、背向散射電子以及俄歇(Auger)電子，以形成影像或確定關(guān)于該工件的信息。例如次級電子被次級電子檢測器736 (如Everhart-Thornley檢測器)或被能夠檢測低能電子的半導(dǎo)體檢測器裝置檢測至IJ。位于TEM樣品支座761和平臺724下方的STEM檢測器762可以收集透射通過安裝在該TEM樣品支座上的樣品的電子。來自檢測器736、762的信號被提供至可編程系統(tǒng)控制器738。所述控制器738還控制著偏轉(zhuǎn)器信號、透鏡、電子源、GIS、平臺和泵以及儀器的其他物件。監(jiān)控器740用于使用信號顯示使用者控制和工件的影像。所述控制器738可以包括可編程通用計算機(jī)，該計算機(jī)包括有形的非瞬態(tài)計算機(jī)可讀介質(zhì)，用計算機(jī)指令對該存儲器進(jìn)行編碼，當(dāng)被計算機(jī)的處理器執(zhí)行時，這些指令致使該計算機(jī)自動執(zhí)行本發(fā)明的實(shí)施例，如圖8中描繪的方法。
[0050]在真空控制器741的控制下，通過泵系統(tǒng)709抽空室708。該真空系統(tǒng)在室708內(nèi)提供大約7 X 10_6mbar的真空。當(dāng)合適的前體或活化劑氣體被引到樣品表面上時，室背景壓力會上升，通常上升至約5 X 10_5 mbar。
[0051]聚焦離子束柱706包括上頸部744 (離子源746位于其中)和聚焦柱748，該聚焦柱包括引出電極750和靜電光學(xué)系統(tǒng),該靜電光學(xué)系統(tǒng)包括物鏡751。離子源746可以包括液態(tài)金屬鎵離子源、等離子體離子源、液態(tài)金屬合金源或任何其他類型的離子源。聚焦柱748的軸可以用與電子柱的軸成非零度角被定向。離子束752從離子源746經(jīng)聚焦柱748以及靜電偏轉(zhuǎn)器754之間通向工件718。
[0052]FIB電源和控制單元756在離子源746處提供電位。離子源746通常保持在工件的電位以上I kV與60 kV之間的電位，該工件通常保持在地電位。因此，離子以大約I kV到60 kV的落地能量沖擊工件。FIB電源和控制單元756耦聯(lián)到偏轉(zhuǎn)板754上，這些偏轉(zhuǎn)板可以致使離子束在工件718的上表面上描繪出相應(yīng)的圖案。在一些系統(tǒng)中，如本領(lǐng)域中熟知的，偏轉(zhuǎn)板放置在最后一個透鏡前面。當(dāng)FIB電源和控制單元756向消隱電極上施加消隱電壓時，離子束聚焦柱748內(nèi)的束消隱電極(未示出)致使離子束752沖擊到消隱孔徑(未示出)而不是工件718上。
[0053]離子源746通常提供一束可以在工件718處聚焦成十分之一亞微米寬束的僅帶正電的鎵粒子，以便通過離子銑削、增強(qiáng)蝕刻、材料沉積對工件718進(jìn)行修改，或以便使工件718成像。
[0054]顯微操縱器757 (如美國德克薩斯州達(dá)拉斯Omniprobe公司的自動探針200 ?或德國羅伊特林根Kleindiek Nanotechnik的MM3A型號)可以在真空室內(nèi)精確地移動物體。顯微操縱器757可以包括位于真空室外的精密電動機(jī)758，以提供位于真空室內(nèi)的部分759的X、Y、Z和塞塔控制。顯微操縱器757可以配備有不同的用于操縱小物體的末端執(zhí)行器。在此處所述的實(shí)施例中，末端執(zhí)行器為一個細(xì)探針760。如本領(lǐng)域內(nèi)所熟知的，顯微操縱器(或微探針)可以用于將TEM樣品(其通常通過離子束已經(jīng)與基底分開)轉(zhuǎn)移至TEM樣品支座761上，以供分析。
[0055]系統(tǒng)控制器738控制雙束系統(tǒng)702的各種零件的操作。通過系統(tǒng)控制器738，用戶可經(jīng)由輸入至常規(guī)用戶界面(未示出)中的指令來致使離子束752或電子束716以所希望的方式進(jìn)行掃描?？商娲?，系統(tǒng)控制器738可以根據(jù)已編程指令控制雙束系統(tǒng)702。圖7為示意性圖示，其不包括典型雙束系統(tǒng)的所有元件并且其不反映所有元件的實(shí)際外觀和尺寸以及它們之間的關(guān)系。
[0056]盡管以上本發(fā)明的說明主要針對制備超薄TEM樣品的方法，但應(yīng)認(rèn)識到執(zhí)行這種方法的操作將進(jìn)一步在本發(fā)明的范圍內(nèi)。進(jìn)一步地，應(yīng)認(rèn)識到本發(fā)明的實(shí)施例可以通過計算機(jī)硬件、硬件和軟件兩者的組合實(shí)現(xiàn)，或通過存儲在非瞬態(tài)計算機(jī)可讀存儲器內(nèi)的計算機(jī)指令實(shí)現(xiàn)?？梢愿鶕?jù)本說明書中所述的方法和附圖在使用標(biāo)準(zhǔn)編程技術(shù)的計算機(jī)程序內(nèi)執(zhí)行這些方法，包括配置有計算機(jī)程序的非瞬態(tài)計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中如此配置的存儲介質(zhì)致使計算機(jī)以特定的并且預(yù)定義的方式操作?？梢杂酶呒壋绦蛐跃幊陶Z言或面向?qū)ο缶幊陶Z言執(zhí)行每個程序。然而，如果希望，可以用匯編語言或機(jī)器語言執(zhí)行這些程序。在任何情況下，語言可以是編譯型語言或解釋型語言。此外，程序可以在被編程用于此目的專用集成電路上運(yùn)行。
[0057]進(jìn)一步地，可以在任何類型的計算平臺內(nèi)執(zhí)行方法論，包括但不限于個人計算機(jī)、微型計算機(jī)、主機(jī)、工作站、網(wǎng)絡(luò)化或分布式計算環(huán)境、與帶電粒子工具或其他成像裝置分開、整合或通信的計算機(jī)平臺等?？梢杂么鎯υ诖鎯橘|(zhì)或裝置(無論是可拆卸的還是與計算平臺整合的)上的機(jī)器可讀代碼執(zhí)行本發(fā)明的各個方面，如硬盤、光學(xué)讀取和/或?qū)懭氪鎯橘|(zhì)、RAM、ROM等，從而使得可以被可編程計算機(jī)讀取，以便當(dāng)計算機(jī)讀取該存儲介質(zhì)或裝置時對該計算機(jī)進(jìn)行配置和操作，以執(zhí)行此處所述的程序。此外，可以通過有線或無線網(wǎng)絡(luò)傳輸機(jī)器可讀代碼或機(jī)器可讀代碼的各部分。此處所述發(fā)明包括這些類型和其他各種類型的計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，同時此類介質(zhì)包含用于結(jié)合微處理器或其他數(shù)據(jù)處理器執(zhí)行上述步驟的指令和程序。本發(fā)明還包括根據(jù)此處所述的方法和技術(shù)被編程時的計算機(jī)本身。
[0058]計算機(jī)程序可以應(yīng)用到輸入數(shù)據(jù)上，以執(zhí)行此處所述的功能，并且從而轉(zhuǎn)換輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)以生成輸出數(shù)據(jù)。將輸出信息應(yīng)用到一個或多個輸出裝置上，如顯示監(jiān)視器。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，所轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)表示物理和有形物體，包括在顯示器上產(chǎn)生物理和有形物體的具體視覺描繪。
[0059]為了使用粒子束使樣品成像，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例還利用了粒子束裝置，如FIB或SEM。這種用于使樣品成像的粒子與樣品進(jìn)行內(nèi)在相互作用，導(dǎo)致某種程度上的物理變形。進(jìn)一步地，貫穿本說明書，使用如“計算”、“確定”、“測量”、“生成”、“檢測”、“形成”等術(shù)語的討論也適用于操縱和將計算機(jī)內(nèi)被表示成物理量的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成計算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)類似地被表示成物理量的其他數(shù)據(jù)的計算機(jī)系統(tǒng)或類似電子裝置、或其他信息存儲、傳輸或顯示裝置的動作和過程。
[0060]本發(fā)明具有廣泛適用性并且可以提供如以上示例中所述和所示的許多好處。根據(jù)特定應(yīng)用，實(shí)施例會變化很大，但不是每個實(shí)施例會提供所有好處和滿足本發(fā)明中可以實(shí)現(xiàn)的所有目標(biāo)。適用于實(shí)施本發(fā)明的粒子束系統(tǒng)例如可以從本發(fā)明的受讓人FEI公式商購。
[0061]盡管之前大部分描述針對半導(dǎo)體晶片，但本發(fā)明可以應(yīng)用于任何合適的基底或表面。進(jìn)一步地，本發(fā)明可以應(yīng)用于除了在真空室外從基底上被清除以外的在真空室內(nèi)打薄的樣品(場外式樣品)或者應(yīng)用于從基底上提取并在安裝在真空室內(nèi)的TEM柵極上后被打薄的樣品(現(xiàn)場式樣品)。此處無論什么時候使用術(shù)語“自動”、“自動化”或類似術(shù)語，那些術(shù)語將被理解成包括手動啟動自動或自動化過程或步驟。在以下討論中和在權(quán)利要求書中，以開放式的方式使用術(shù)語“包括”和“包含”，并且因此應(yīng)被解釋為表示“包括但不限于……”。術(shù)語“集成電路”是指一組電子部件和它們的在微芯片的表面上被圖案化的相互連接(統(tǒng)稱內(nèi)部電路元件)。術(shù)語“半導(dǎo)體裝置”通常是指集成電路(1C)，該集成電路可以整合到半導(dǎo)體晶片上、與晶片分離或被封裝用在電路板上。此處所使用的術(shù)語“FIB”或“聚焦離子束”是指任何準(zhǔn)直的離子束，包括用離子光學(xué)器件聚焦的束和成形離子束。
[0062]就本說明書中沒有專門定義任何術(shù)語來講，目的在于給出術(shù)語的簡單且普通的意思。附圖旨在幫助理解本發(fā)明，并且除非另外指明，否則不按比例繪制。
[0063]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一種用于用聚焦離子束形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層的方法，該方法包括:將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料；用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個面包括破壞層；對在將低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征；對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面，以便清除至少一部分破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分有關(guān)特征的成品樣品薄層。
[0064]在一些實(shí)施例中，表征該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)一步包括測量該低能聚焦離子束的射束電流 以及確定校準(zhǔn)后的射束電流。在一些實(shí)施例中，單位面積離子的劑量取決于校準(zhǔn)后的射束電流、銑削該圖案所在的區(qū)域的面積以及該低能聚焦離子束所使用的預(yù)先確定的圖案銑削時間。
[0065]在一些實(shí)施例中，表征該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)一步包括實(shí)驗(yàn)性地測量該低能聚焦離子束的材料清除速率。
[0066]在一些實(shí)施例中，從同一聚焦離子束柱上發(fā)射該高能聚焦離子束以及該低能聚焦離子束。
[0067]在一些實(shí)施例中，該高能聚焦離子束具有大于八千電子伏(8 keV)或者大于或等于三十千電子伏(30 keV)的著陸能量。
[0068]在一些實(shí)施例中，該低能聚焦離子束具有小于八千電子伏(8 keV)或者在2千電子伏和5千電子伏(2 keV至5 keV)之間的著陸能量。
[0069]在一些實(shí)施例中，在沒有人工干預(yù)的情況下進(jìn)行用該低能聚焦離子束銑削半成品樣品薄層。
[0070]在一些實(shí)施例中，以不與薄層的平面平行的角度引導(dǎo)該聚焦離子束，或者相對于薄層的平面以非零度的入射角引導(dǎo)該聚焦離子束，或者相對于薄層的平面以基本上四十五
(45)度的角引導(dǎo)該聚焦離子束，或者在銑削半成品樣品薄層前，使該聚焦離子束或使該樣品或使這兩者繞與樣品表面垂直的軸旋轉(zhuǎn)。
[0071]在一些實(shí)施例中，該基底包括單晶材料，如硅。
[0072]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，該方法進(jìn)一步包括:產(chǎn)生第一組一個或多個薄層，該組中的每個薄層接收低能聚焦離子束單位面積發(fā)送的第一規(guī)定劑量離子，在銑削該組薄層過程中的時間點(diǎn)或之后的時間點(diǎn)測量該第一組薄層的一個或多個特征，記錄所測量的該第一組薄層的一個或多個特征，基于預(yù)期薄層特征與所測量的該第一組薄層的一個或多個特征之間的差值計算該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量，使用第二圖案銑削時間產(chǎn)生第二組一個或多個薄層，以發(fā)送該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量。
[0073]在一些實(shí)施例中，人員手動觀察該第一組薄層的一個或多個特征，并且該人員提供在計算第二規(guī)定劑量所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
[0074]在一些實(shí)施例中，機(jī)器視覺算法測量該第一組薄層的一個或多個特征，并且所測量的該第一組薄層的一個或多個特征用于計算在確定第二規(guī)定劑量中所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
[0075]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一種用于形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括:聚焦離子束柱、樣品平臺、放置在樣品平臺上或內(nèi)的樣品、可編程控制器，該控制器致使該系統(tǒng)自動進(jìn)行如下操作:將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料，用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個面包括破壞層，對在將低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征；對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面，以便清除至少一部分破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分有關(guān)特征的成品樣品薄層。
[0076]在一些實(shí)施例中，該系統(tǒng)通過測量該低能聚焦離子束的射束電流以及確定校準(zhǔn)后的射束電流或者通過實(shí)驗(yàn)性地測量該低能聚焦離子束的材料清除速率來對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征。
[0077]在一些實(shí)施例中，單位面積離子的劑量取決于校準(zhǔn)后的射束電流、銑削該圖案所在的區(qū)域的面積以及該低能聚焦離子束所使用的預(yù)先確定的圖案銑削時間。
[0078]在一些實(shí)施例中，該高能聚焦離子束具有大于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
[0079]在一些實(shí)施例中，該低能聚焦離子束具有小于八千電子伏(8 keV)或者在2千電子伏和5千電子伏(2 keV至5 keV)之間的著陸能量。
[0080]在一些實(shí)施例中，可編程控制器進(jìn)一步致使該系統(tǒng)自動產(chǎn)生第一組一個或多個薄層，該組中的每個薄層接收低能聚焦離子束單位面積發(fā)送的第一規(guī)定劑量離子，在銑削該組薄層過程中的時間點(diǎn)或之后的時間點(diǎn)測量該第一組薄層的一個或多個特征，記錄所測量的該第一組薄層的一個或多個特征，基于預(yù)期薄層特征與所測量的該第一組薄層的一個或多個特征之間的差值計算該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量，使用第二圖案銑削時間產(chǎn)生第二組一個或多個薄層，以發(fā)送該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量。
[0081]在一些實(shí)施例中，人員手動觀察第一組薄層的一個或多個特征，并且該人員提供在計算第二規(guī)定劑量所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
[0082]在一些實(shí)施例中，機(jī)器視覺算法測量第一組薄層的一個或多個特征，并且所測量的該第一組薄層的一個或多個特征用于計算在確定第二規(guī)定劑量中所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
[0083]本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施例包括一種用計算機(jī)程序編碼的非瞬態(tài)計算機(jī)可讀介質(zhì)，該計算機(jī)程序用于自動形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層，該計算機(jī)程序包括計算機(jī)指令，當(dāng)被計算機(jī)處理器執(zhí)行時，這些計算機(jī)指令致使控制聚焦離子束系統(tǒng)的計算機(jī)進(jìn)行如下操作:將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料；用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面包括破壞層；對在將低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征；對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子，以及用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面，以便清除至少一部分破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分有關(guān)特征的成品樣品薄層。
[0084]在一些實(shí)施例中，計算機(jī)指令致使控制聚焦離子束系統(tǒng)的計算機(jī)通過測量該低能聚焦離子束的射束電流以及確定校準(zhǔn)后的射束電流或者通過實(shí)驗(yàn)性地測量該低能聚焦離子束的材料清除速率來對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征。
[0085]在一些實(shí)施例中，單位面積離子的劑量取決于校準(zhǔn)后的射束電流、銑削該圖案所在的區(qū)域的面積以及該低能聚焦離子束所使用的預(yù)先確定的圖案銑削時間。
[0086]在一些實(shí)施例中，該高能聚焦離子束具有大于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
[0087]在一些實(shí)施例中，該低能聚焦離子束具有小于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
[0088]在一些實(shí)施例中，計算機(jī)可讀介質(zhì)進(jìn)一步包括計算機(jī)指令，這些計算機(jī)指令致使控制聚焦離子束系統(tǒng)的計算機(jī)進(jìn)行如下操作:產(chǎn)生第一組一個或多個薄層，該組中的每個薄層接收低能聚焦離子束單位面積發(fā)送的第一規(guī)定劑量離子，在銑削該組薄層過程中的時間點(diǎn)或之后的時間點(diǎn)測量該第一組薄層的一個或多個特征，記錄所測量的該第一組薄層的一個或多個特征，基于預(yù)期薄層特征與所測量的該第一組薄層的一個或多個特征之間的差值計算該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量，使用第二圖案銑削時間產(chǎn)生第二組一個或多個薄層，以發(fā)送該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量。
[0089]在一些實(shí)施例中，人員手動觀察第一組薄層的一個或多個特征，并且該人員提供在計算第二規(guī)定劑量所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
[0090]在一些實(shí)施例中，機(jī)器視覺算法測量第一組薄層的一個或多個特征，并且所測量的該第一組薄層的一個或多個特征用于計算在確定第二規(guī)定劑量中所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
[0091]雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明和其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)理解到可在此產(chǎn)生各種變化、取代以及改變而不背離如隨附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的精神和范圍。而且，本發(fā)明的范圍并非旨在局限于在本說明書中所述的工藝、機(jī)器、制造物、物質(zhì)組合物、手段、方法以及步驟的具體實(shí)施例。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將從本發(fā)明的披露中輕易認(rèn)識到的，可以根據(jù)本發(fā)明利用現(xiàn)有的或往后要開發(fā)的、大體上執(zhí)行相同功能或大體上實(shí)現(xiàn)和此處所述的對應(yīng)實(shí)施例相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造物、物質(zhì)組合物、手段、方法或步驟。相應(yīng)地，所附權(quán)利要求書是旨在于將此類工藝、機(jī)器、制造物、物質(zhì)的組合物、手段、方法或步驟包括在它們的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于使用聚焦離子束形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層的方法，該方法包括: 將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料； 用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面包括破壞層； 對在將低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面的一個或多個前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征； 對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及 用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面，以便清除至少一部分該破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分該有關(guān)特征的成品樣品薄層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，表征該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)一步包括測量該低能聚焦離子束的射束電流以及確定校準(zhǔn)后的射束電流。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，單位面積離子的劑量取決于該校準(zhǔn)后的射束電流、銑削該圖案所在的區(qū)域的面積以及該低能聚焦離子束所使用的預(yù)先確定的圖案銑削時間。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，表征該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)一步包括實(shí)驗(yàn)性地測量該低能聚 焦離子束的材料清除速率。
5.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，從同一聚焦離子束柱上發(fā)射該高能聚焦離子束以及該低能聚焦離子束。
6.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，該高能聚焦離子束具有大于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
7.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，該低能聚焦離子束具有小于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
8.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，該高能聚焦離子束具有大于或等于三十千電子伏(30 keV)的著陸能量。
9.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，該低能聚焦離子束具有在二千電子伏和五千電子伏之間(2 keV至5 keV)的著陸能量。
10.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，在沒有人工干預(yù)的情況下進(jìn)行用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層。
11.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，以不與該薄層的平面平行的角度引導(dǎo)該聚焦離子束。
12.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，基底包括單晶材料。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，該單晶材料包括硅。
14.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其中，相對于該薄層的平面以非零度的入射角引導(dǎo)該聚焦離子束。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，相對于該薄層的平面以基本上四十五(45)度的角引導(dǎo)該聚焦離子束。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，在銑削該半成品樣品薄層前，使該聚焦離子束或使該樣品或使這兩者繞與該樣品表面垂直的軸旋轉(zhuǎn)。
17.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括: 產(chǎn)生第一組一個或多個薄層，該組中的每個薄層接收該低能聚焦離子束單位面積發(fā)送的第一規(guī)定劑量的離子； 在銑削該組薄層過程中的時間點(diǎn)或之后的時間點(diǎn)測量該第一組薄層的一個或多個特征； 記錄所測量的該第一組薄層的一個或多個特征； 基于預(yù)期薄層特征與所測量的該第一組薄層的一個或多個特征之間的差值計算該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量； 使用第二圖案銑削時間產(chǎn)生第二組一個或多個薄層，以發(fā)送該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，人員手動觀察該第一組薄層的一個或多個特征，并且該人員提供在計算該第二規(guī)定劑量時所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，機(jī)器視覺算法測量該第一組薄層的一個或多個特征，并且所測量的該第一組薄層的一個或多個特征用于計算在確定該第二規(guī)定劑量時所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
20.一種用于形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括: 聚焦離子束柱； 樣品平臺； 安置于該樣品平臺上或內(nèi)的樣品； 可編程控制器，該控制器致使該系統(tǒng)自動進(jìn)行如下操作: 將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料； 用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面包括破壞層； 對在將低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除率進(jìn)行表征； 對該低能聚焦離子束的材料清除率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及 用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面，以便清除至少一部分該破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分該有關(guān)特征的成品樣品薄層。
21.如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中，該系統(tǒng)通過測量該低能聚焦離子束的射束電流以及確定校準(zhǔn)后的射束電流來對該低能聚焦離子束的材料清除率進(jìn)行表征。
22.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中，單位面積離子的劑量取決于該校準(zhǔn)后的射束電流、銑削該圖案所在 的區(qū)域的面積以及該低能聚焦離子束所使用的預(yù)先確定的圖案銑削時間。
23.如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中，該系統(tǒng)通過實(shí)驗(yàn)性地測量該低能聚焦離子束的材料清除速率來對該低能聚焦離子束的材料清除率進(jìn)行表征。
24.如權(quán)利要求20至23任意一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，該高能聚焦離子束具有大于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
25.如權(quán)利要求20至23任意一項(xiàng)所述的方法，其中，該低能聚焦離子束具有小于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
26.如權(quán)利要求20至23任意一項(xiàng)所述的方法，其中，該低能聚焦離子束具有在二千電子伏和五千電子伏之間(2 keV至5 keV)的著陸能量。
27.如權(quán)利要求20至23任意一項(xiàng)所述的方法，其中，該可編程控制器進(jìn)一步致使該系統(tǒng)自動進(jìn)行如下操作: 產(chǎn)生第一組一個或多個薄層，該組中的每個薄層接收該低能聚焦離子束單位面積發(fā)送的第一規(guī)定劑量的離子； 在銑削該組薄層過程中的時間點(diǎn)或之后的時間點(diǎn)測量該第一組薄層的一個或多個特征； 記錄所測量的該第一組薄層的一個或多個特征； 基于預(yù)期薄層特征與所測量的該第一組薄層的一個或多個特征之間的差值計算該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量； 使用第二圖案銑削時間產(chǎn)生第二組一個或多個薄層，以發(fā)送該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量。
28.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中，人員手動觀察該第一組薄層的一個或多個特征，并且該人員提供在計算該第二規(guī)定劑量所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
29.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中，機(jī)器視覺算法測量該第一組薄層的一個或多個特征，并且所測量的該第一組薄層的一個或多個特征用于計算在確定該第二規(guī)定劑量時所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
30.一種用計算機(jī)程序編碼的非瞬態(tài)計算機(jī)可讀介質(zhì)，該計算機(jī)程序用于自動形成透射電子顯微術(shù)樣品薄層，該計算機(jī)程序包括計算機(jī)指令，當(dāng)被計算機(jī)處理器執(zhí)行時，這些計算機(jī)指令致使控制聚焦離子束系統(tǒng)的計算機(jī)進(jìn)行如下操作: 將高能聚焦離子束引導(dǎo)向大塊量材料，該大塊量材料包括有關(guān)特征和多余量的材料，以銑削掉該多余量的材料； 用該高能聚焦離子束銑削掉該多余量的材料，以產(chǎn)生具有大于所希望的成品樣品薄層厚度的厚度的半成品樣品薄層，該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面包括破壞層； 對在將低能聚焦離子束引 導(dǎo)向該半成品樣品薄層前的規(guī)定時間對該低能聚焦離子束的材料清除率進(jìn)行表征； 對該低能聚焦離子束的材料清除率進(jìn)行表征之后，將該低能聚焦離子束引導(dǎo)向該半成品樣品薄層的暴露面中的一個或多個一段預(yù)先確定的圖案銑削時間，以便從該低能聚焦離子束上單位面積發(fā)送規(guī)定劑量的離子；以及 用該低能聚焦離子束銑削該半成品樣品薄層的一個或多個暴露面，以便清除至少一部分該破壞層，由此產(chǎn)生包括至少一部分該有關(guān)特征的成品樣品薄層。
31.如權(quán)利要求30所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，計算機(jī)指令致使控制該聚焦離子束系統(tǒng)的計算機(jī)通過測量該低能聚焦離子束的射束電流以及確定校準(zhǔn)后的射束電流來對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征。
32.如權(quán)利要求31所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，單位面積離子的劑量取決于該校準(zhǔn)后的射束電流、銑削該圖案所在的區(qū)域的面積以及該低能聚焦離子束所使用的預(yù)先確定的圖案銑削時間。
33.如權(quán)利要求30所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，計算機(jī)指令致使控制該聚焦離子束系統(tǒng)的計算機(jī)通過實(shí)驗(yàn)性地測量該低能聚焦離子束的材料清除速率來對該低能聚焦離子束的材料清除速率進(jìn)行表征。
34.如權(quán)利要求30至33任意一項(xiàng)所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，該高能聚焦離子束具有大于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
35.如權(quán)利要求30至33任意一項(xiàng)所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，該低能聚焦離子束具有小于八千電子伏(8 keV)的著陸能量。
36.如權(quán)利要求30至33任意一項(xiàng)所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，進(jìn)一步包括致使控制該聚焦離子束系統(tǒng)的計算機(jī)進(jìn)行如下操作的計算機(jī)指令: 產(chǎn)生第一組一個或多個薄層，該組中的每個薄層接收該低能聚焦離子束單位面積發(fā)送的第一規(guī)定劑量的離子； 在銑削該組薄層過程中的時間點(diǎn)或之后的時間點(diǎn)測量該第一組薄層的一個或多個特征； 記錄所測量的該第一組薄層的一個或多個特征； 基于預(yù)期薄層特征與所測量的該第一組薄層的一個或多個特征之間的差值計算該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量； 使用第二圖案銑削時間產(chǎn)生第二組一個或多個薄層，以發(fā)送該低能聚焦離子束單位面積的離子的第二規(guī)定劑量。
37.如權(quán)利要求36所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，人員手動觀察該第一組薄層的一個或多個特征，并且該人員提供在計算該第二規(guī)定劑量所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
38.如權(quán)利要求36所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，機(jī)器視覺算法測量該第一組薄層的一個或多個特征，并且所測量的該第一組薄層的一個或多個特征用于計算在確定該第二規(guī)定劑量時所使用的調(diào)節(jié)因數(shù)。
【文檔編號】G01N1/28GK103674635SQ201310386836
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】T.G.米勒, J.阿加瓦奇, M.莫里亞蒂 申請人:Fei 公司