夾具及電荷測(cè)量方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種夾具。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的夾具，其為利用等離子體對(duì)基板執(zhí)行等離子體處理的裝置中為了測(cè)量工藝進(jìn)行時(shí)基板上積累的電荷量而使用的夾具，所述夾具包括：金屬材質(zhì)的底板；從所述底板向上部突出的絕緣層；以及在所述絕緣層的上端提供的金屬層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】夾具及電荷測(cè)量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種夾具及電荷測(cè)量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]基板的處理可以利用等離子體。例如，激發(fā)輔助氣體而產(chǎn)生等離子體后，可以利用等離子體蝕刻基板。在利用等離子體處理基板的情況下，基板上會(huì)發(fā)生因上下位置引起的電荷量差?；迳袭a(chǎn)生的電荷量差會(huì)對(duì)基板的性能特性產(chǎn)生影響。因此，需要對(duì)利用等離子體處理的基板上產(chǎn)生的電荷量的差進(jìn)行測(cè)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠測(cè)量基板上積累的電荷的夾具及電荷測(cè)量方法。
[0005]并且，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠測(cè)量根據(jù)基板的區(qū)域積累的不同電荷量的夾具及電荷測(cè)量方法。
[0006]技術(shù)方案
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，可以提供一種夾具，其為利用等離子體對(duì)基板執(zhí)行等離子體處理的裝置中為了測(cè)量工藝進(jìn)行時(shí)基板上積累的電荷量而使用的夾具，所述夾具包括:金屬材質(zhì)的底板；從所述底板向上部突出的絕緣層；以及設(shè)置在所述絕緣層的上端的
金屬層。
[0008]并且，在所述絕緣層上可以形成橫穿上表面和下表面的貫通部，在所述金屬層可以形成與所述貫通部對(duì)應(yīng)的孔。
[0009]并且，所述貫通部和所述孔可以為圖案的形狀。
[0010]并且，所述夾具還可以包括輔助金屬層，所述輔助金屬層附著到所述絕緣層以位于所述貫通部。
[0011]并且，所述底板可以為鋁材質(zhì)，所述絕緣層可以為氧化鋁(aluminum oxide)材質(zhì)。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可以提供一種電荷測(cè)量方法，在將夾具放置在對(duì)基板執(zhí)行等離子體處理的裝置的狀態(tài)下，操作所述裝置，測(cè)量所述夾具上積累的電荷。所述夾具包括底板、向所述底板的上部突出的絕緣層以及位于所述絕緣層上端的金屬層。
[0013]并且，在所述絕緣層上可以形成橫穿上表面和下表面的貫通部，在所述金屬層上形成與所述貫通部對(duì)應(yīng)的孔，使所述底板和所述金屬層可以積累電荷，并具有不同的電位。
[0014]并且，可以測(cè)量所述底板和所述金屬層的電壓。
[0015]并且，所述夾具還可以包括附著到所述絕緣層并位于所述貫通部的輔助金屬層，所述夾具可以測(cè)量所述輔助金屬層之間的電位差。
[0016]并且，所述夾具還可以包括附著到所述絕緣層并位于所述貫通部的輔助金屬層，所述夾具可以測(cè)量所述輔助金屬層和所述底板之間的電壓。
[0017]并且，所述夾具還可以包括附著到所述絕緣層并位于所述貫通部的輔助金屬層，所述夾具可以測(cè)量所述輔助金屬層和所述金屬層的電壓。
[0018]并且，所述夾具在所述裝置設(shè)置有多個(gè)，可以測(cè)量積累在各個(gè)所述夾具的電荷量。
[0019]并且，可以在所述裝置操作期間實(shí)時(shí)測(cè)量積累在所述夾具的電荷。
[0020]并且，所述貫通部和所述孔形成為在所述基板形成的圖案的形狀，使所述底板和所述金屬層可以積累電荷并具有不同的電位。
[0021]并且，所述裝置可以以與對(duì)所述基板的等離子體處理時(shí)的工藝條件相同的條件操作。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，可以提供一種在對(duì)基板執(zhí)行等離子體處理的裝置中測(cè)量等離子體處理時(shí)基板上積累的電荷量的方法，將形成有與所述基板的上端形成的圖案對(duì)應(yīng)的孔的夾具設(shè)置到所述裝置，以與對(duì)所述基板進(jìn)行等離子體處理時(shí)相同的工藝操作所述裝置，測(cè)量所述夾具積累的電荷量，其中所述基板上積累的電荷量是基于所述夾具中測(cè)量的電荷量進(jìn)行計(jì)算。
[0023]并且，所述夾具大小可以以比所述基板小。
[0024]并且，所述夾具在所述裝置設(shè)置有多個(gè)，可以測(cè)量積累在各個(gè)所述夾具的電荷量。
[0025]并且，可以在所述裝置操作期間實(shí)時(shí)測(cè)量積累在所述夾具的電荷。
[0026]本發(fā)明的效果
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè) 實(shí)施例，能夠測(cè)量基板上積累的電荷量。
[0028]并且，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，能夠測(cè)量根據(jù)基板的區(qū)域積累的不同的電荷量。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的夾具的立體圖。
[0030]圖2為圖1的夾具的剖視圖。
[0031]圖3為示出圖1的夾具的使用狀態(tài)的圖。
[0032]圖4為示出圖1的夾具被配置在基板上的狀態(tài)的圖。
[0033]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的夾具的立體圖。
[0034]圖6為根據(jù)再一實(shí)施例的夾具的剖視圖。
[0035]圖7為示出圖6的夾具的使用狀態(tài)的圖。
[0036]符號(hào)說(shuō)明
[0037]10:夾具20:裝置
[0038]101:底板102:絕緣層
[0039]103:貫通部105:金屬層
[0040]106:孔220:下部電極
[0041]230:加熱器410:微波電源
[0042]420:波導(dǎo)管430:同軸轉(zhuǎn)換器
[0043]440:天線部件 441:外部導(dǎo)體
【具體實(shí)施方式】
[0044]下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明的實(shí)施例可以變形為各種形態(tài)，不應(yīng)解釋為本發(fā)明的范圍由下面的實(shí)施例限定。本實(shí)施例是為了對(duì)本領(lǐng)域中具有普通知識(shí)的人更完整地說(shuō)明本發(fā)明而提供的。因此，圖中元件的形狀為了強(qiáng)調(diào)更明確的說(shuō)明而進(jìn)行了夸張。
[0045]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的夾具的立體圖，圖2為圖1的夾具的剖視圖。
[0046]參照?qǐng)D1和圖2，夾具10包括底板101、絕緣層102以及金屬層105。
[0047]底板101可以為具有多種形狀的板。例如，底板101可以為圓形或多邊形的板。底板101為導(dǎo)體。例如，底板101可以為招材質(zhì)。
[0048]絕緣層102在底板101的上表面上向上部突出。絕緣層102可以位氧化鋁材質(zhì)。絕緣層102形成為具有一定厚度。例如，絕緣層102的厚度與半導(dǎo)體或顯示器制造中使用的基板上形成的圖案的厚度對(duì)應(yīng)。絕緣層102上形成貫通部103。在上側(cè)觀察時(shí)，貫通部103可形成為圓形或多邊形等。貫通部103形成為橫穿絕緣層102的上表面和下表面。因此，設(shè)置貫通部103的位置處露出底板101的上表面。
[0049]金屬層105位于絕緣層102的上端。金屬層105上形成孔106。孔106可以形成為與貫通部103對(duì)應(yīng)。因此，金屬層105的孔106可以與絕緣層102的貫通部103連通。底板101的上表面中的一部分通過(guò)絕緣層102的貫通部103和金屬層105的孔106露出。
[0050]圖3為示出圖1的夾具的使用狀態(tài)的圖。
[0051]參照?qǐng)D3，夾具10可以位于設(shè)置在裝置20中的基板W的上表面。
[0052]裝置20對(duì)基板W執(zhí)行等離子體處理。裝置20包括工藝腔室200、基板支承部、氣體供給部320以及微波施加單元400。
[0053]工藝腔室200的內(nèi)部形成空間201，內(nèi)部空間201作為執(zhí)行基板W處理工藝的空間。在工藝腔室200的一個(gè)側(cè)壁可以形成開(kāi)口(未圖示)。開(kāi)口作為基板W出入工藝腔室200內(nèi)部的通路。開(kāi)口通過(guò)門(mén)(未圖示)開(kāi)閉。工藝腔室200的底板面形成有排氣孔202。排氣孔202與排氣線203連接。在工藝過(guò)程中產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物和在工藝腔室200的內(nèi)部停留的氣體可以通過(guò)排氣線203向外部排出。
[0054]在工藝腔室200內(nèi)部設(shè)置有基板支承部?；逯С胁恐С谢錡?；逯С胁堪娊橘|(zhì)板210、下部電極以及加熱器230。
[0055]電介質(zhì)板210與電介質(zhì)塊451對(duì)置設(shè)置。電介質(zhì)板210為圓盤(pán)形狀的電介質(zhì)(dielectric substance)。在電介質(zhì)板210的上表面放置基板W。電介質(zhì)板210的上表面半徑小于基板W。因此，基板W的邊緣區(qū)域位于電介質(zhì)板210的外側(cè)。
[0056]電介質(zhì)板210的內(nèi)部埋設(shè)有下部電極220和加熱器230。下部電極220位于加熱器230的上部。下部電極220與第一下部電源221電氣連接。第一下部電源221包括直流電源。下部電極220和第一下部電源221之間設(shè)置有開(kāi)關(guān)222。下部電極220可以通過(guò)開(kāi)關(guān)222的開(kāi)/關(guān)(0N/0FF)與第一下部電源221電氣連接。當(dāng)開(kāi)關(guān)222打開(kāi)(ON)時(shí)，向下部電極220施加直流電流。通過(guò)在下部電極220上施加的電流，靜電力作用到下部電極220和基板W之間，通過(guò)靜電力，基板W被吸附到電介質(zhì)板210上。
[0057]加熱器230與外部電源(未圖示)電氣連接。加熱器230通過(guò)抵抗外部電源施加的電流而產(chǎn)生熱。產(chǎn)生的熱通過(guò)電介質(zhì)板210被傳遞到基板W。通過(guò)加熱器230產(chǎn)生的熱，基板W維持在預(yù)定溫度。加熱器230包括螺旋形狀的線圈。加熱器230可以以均勻的間隔埋設(shè)在電介質(zhì)板210。并且，基板支承部提供有冷卻流路(未圖示)因而能夠冷卻基板支承部。[0058]氣體供給部320向工藝腔室200內(nèi)部供給輔助氣體。氣體供給部320可以通過(guò)在工藝腔室200側(cè)壁形成的氣體供給孔205向工藝腔室200內(nèi)部供給輔助氣體。
[0059]微波施加單元400向工藝腔室200內(nèi)部施加微波從而激發(fā)輔助氣體。微波施加單元400包括微波電源410、波導(dǎo)管420、同軸轉(zhuǎn)換器430、天線部件440、電介質(zhì)塊451、電介質(zhì)板470以及冷卻板480。
[0060]微波電源410產(chǎn)生微波。波導(dǎo)管420與微波電源410連接，提供微波電源410產(chǎn)生的微波傳遞的通路。
[0061]波導(dǎo)管420的前端內(nèi)部設(shè)置同軸轉(zhuǎn)換器430。同軸轉(zhuǎn)換器430可以為圓錐形形狀。通過(guò)第一主體421的內(nèi)部空間傳遞的微波在同軸轉(zhuǎn)換器430中轉(zhuǎn)變模式而向下方傳播。微波可以從TE模式轉(zhuǎn)變成TEM模式。
[0062]天線部件440將同軸轉(zhuǎn)換器430中轉(zhuǎn)變模式的微波沿垂直方向傳遞。天線部件440包括外部導(dǎo)體441、內(nèi)部導(dǎo)體442以及天線443。外部導(dǎo)體441位于波導(dǎo)管420的下部。在外部導(dǎo)體441內(nèi)部，在垂直方向形成與波導(dǎo)管420的內(nèi)部空間連接的空間441a。
[0063]外部導(dǎo)體441的內(nèi)部設(shè)置有內(nèi)部導(dǎo)體442。內(nèi)部導(dǎo)體442為圓柱形狀的棒(rod)，其長(zhǎng)度方向與上下方向平行地配置。內(nèi)部導(dǎo)體442的上端插入固定到同軸轉(zhuǎn)換器430的下端部。內(nèi)部導(dǎo)體442向下方延長(zhǎng)，其下端位于工藝腔室200的內(nèi)部。內(nèi)部導(dǎo)體442的下端固定接合到天線443的中心。內(nèi)部導(dǎo)體442配置為垂直于天線443的上表面。天線443與基板支承部對(duì)置配置。
[0064]天線443為厚度薄的圓盤(pán)提供。作為一例，天線443可以為銅供。在天線443的下部設(shè)有電介質(zhì)塊451。電介質(zhì)塊451為氧化鋁、石英等電介質(zhì)。天線443施加的微波經(jīng)過(guò)電介質(zhì)塊451向工藝腔室200內(nèi)部放射。通過(guò)放射的微波的電場(chǎng)，供給到工藝腔室200內(nèi)的輔助氣體激發(fā)為等離子態(tài)。電介質(zhì)塊451的上表面可以與天線443的底面相隔預(yù)定距離。與此不同，電介質(zhì)塊451的上表面可以與天線443的底面接觸。
[0065]下面，對(duì)測(cè)量在等離子體處理時(shí)的基板W上積累的電荷量的方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0066]在上表面設(shè)置有夾具10的基板W放置在支承部200時(shí)，裝置20進(jìn)行操作。裝置20以與對(duì)基板W進(jìn)行等離子體處理時(shí)相同的工藝操作。一旦操作裝置20，就會(huì)將等離子體供給到基板W的上部?；錡的下部可以施加偏置電壓。偏置電壓可以為負(fù)壓。因此，等離子體中帶正電的離子可以與基板W的上表面沖撞而形成圖案。并且，正離子經(jīng)過(guò)金屬層105的孔106和絕緣層102的貫通部103到達(dá)底板101。此外，負(fù)離子可以供給到金屬層105。通過(guò)底板101和金屬層105上積累的電荷而產(chǎn)生的電位差可以用電壓計(jì)測(cè)量。例如，底板101可以通過(guò)第一導(dǎo)線LI與第一電壓計(jì)107連接。金屬層105可以通過(guò)第二導(dǎo)線L2與第二電壓計(jì)108連接。第一電壓計(jì)107和第二電壓計(jì)108可以分別測(cè)量底板101和金屬層105上積累的電荷產(chǎn)生的電壓?？梢酝ㄟ^(guò)電壓計(jì)107、108測(cè)量的電壓知道金屬層105和底板101上積累的電荷量。裝置20以與對(duì)基板W進(jìn)行等離子體處理時(shí)相同的工藝操作，因此底板101和金屬層105上積累的電荷量與基板的下部和上部積累的電荷量對(duì)應(yīng)。因此，通過(guò)金屬層105和基板101上積累的電荷量可以知道實(shí)際基板上積累的電荷量。
[0067]并且，通過(guò)第一電壓計(jì)107和第二電壓計(jì)108測(cè)量的值，可以知道底板101和金屬層105之間的電位差。因此，可以知道底板101和金屬層105之間的電荷量的差。
[0068]并且，第一電壓計(jì)107可以在裝置20操作期間實(shí)時(shí)檢測(cè)底板101的電壓。第二電壓計(jì)108可以在裝置20操作期間實(shí)時(shí)檢測(cè)金屬層105的電壓。因此，在裝置20操作的期間可以實(shí)時(shí)測(cè)量夾具20上積累的電荷。
[0069]圖4為示出圖1的夾具被配置在基板上的狀態(tài)的圖。
[0070]參照?qǐng)D4，基板W上可以配置多個(gè)夾具10。例如，夾具10可以位于與基板W上形成的芯片對(duì)應(yīng)的位置處。配置有夾具10的基板W與圖2相同地搬入裝置中。各個(gè)夾具10中包含的底板101和金屬層105通過(guò)導(dǎo)線連接到電壓計(jì)?；錡的各個(gè)區(qū)域積累的電荷量可以不同。因此，在基板W上配置多個(gè)夾具10時(shí)，可以分別測(cè)量按各個(gè)區(qū)域積累到基板W的電荷量。在各個(gè)夾具10中測(cè)量電荷量的方法與圖3相同。
[0071]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的夾具的立體圖。
[0072]參照?qǐng)D5，夾具11包括底板111、絕緣層112以及金屬層115。底板111、絕緣層112以及金屬層115的結(jié)構(gòu)與圖1的夾具10相同，因此省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0073]金屬層105形成的孔116可以為與基板W上形成的圖案對(duì)應(yīng)的形狀。并且，各個(gè)孔116可以為相互不同的形狀。絕緣層112上形成的貫通部為與孔116對(duì)應(yīng)的形狀。
[0074]并且，夾具11可以為與基板W上形成的芯片對(duì)應(yīng)的大小或形狀。因此，在基板W上放置多個(gè)夾具11后測(cè)量電荷時(shí)，各個(gè)夾具11可以位于與芯片對(duì)應(yīng)的位置處。
[0075]圖6為根據(jù)再一實(shí)施例的夾具的剖視圖。
[0076]參照?qǐng)D6，夾具12包括底板121、絕緣層122以及金屬層125。底板121、絕緣層122以及金屬層125的結(jié)構(gòu)與圖1的夾具10相同。并且，孔126和貫通部123與圖1的夾具10或圖5的夾具11相同。因此，省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0077]絕緣層122上可以提供輔助金屬層127、128，以設(shè)置貫通部123。第一輔助金屬層127和第二輔助金屬層128可以分別位于鄰接的絕緣層122的貫通部123上。因此，在上側(cè)觀測(cè)時(shí)，第一輔助金屬層127和第二輔助金屬層128可以面對(duì)面地配置。
[0078]圖7為示出圖6的夾具的使用狀態(tài)的圖。
[0079]參照?qǐng)D7，夾具12放置到基板W上后，基板W搬入裝置20時(shí)，第一輔助金屬層127和第二輔助金屬層128分別通過(guò)第一導(dǎo)線L4和第二導(dǎo)線L3與第一電壓計(jì)131和第二傳感器132連接。第一輔助金屬層127和第二輔助金屬層128可以分別通過(guò)流經(jīng)絕緣層122的貫通部123的正離子帶電。第一電壓計(jì)131和第二電壓計(jì)132可以分別測(cè)量第一輔助金屬層127和第二輔助金屬層128的電壓。通過(guò)電壓計(jì)131、132測(cè)量的電壓，可以測(cè)量輔助金屬層127、128上積累的電荷。因此，第一電壓計(jì)131和第二電壓計(jì)132可以測(cè)量絕緣層122的貫通部123之間正離子供給的不均衡程度。電壓計(jì)131、132測(cè)量電壓和電荷量的方法與圖2相同，因此省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0080]并且，電壓計(jì)131、132之一可以與輔助金屬層127、128之一連接，電壓計(jì)131、132中剩余的可以與底板121連接。電壓計(jì)131、132可以分別檢測(cè)底板121和輔助金屬層127、128之一的電壓。因此,可以檢測(cè)底板121和輔助金屬層127、128之一積累的電荷量。并且，可以檢測(cè)底板121和輔助金屬層127、128之一之間產(chǎn)生的電位差和電荷量的差。
[0081]并且，電壓計(jì)131、132之一可以與輔助金屬層127、128之一連接，電壓計(jì)131、132中剩余的可以與金屬層125連接。電壓計(jì)131、132可以分別檢測(cè)金屬層125和輔助金屬層127、128之一的電壓。因此,可以檢測(cè)金屬層125和輔助金屬層127、128之一積累的電荷量。并且，可以檢測(cè)金屬層125和輔助金屬層127、128之一之間產(chǎn)生的電位差和電荷量的差。
[0082]作為再一實(shí)施例，第一輔助金屬層127和第二輔助金屬層128可以分別位于相隔一定距離的貫通部123。
[0083]并且，所述實(shí)施例中說(shuō)明了利用等離子體執(zhí)行蝕刻工藝的例子，但是基板W處理工藝不限于此，還可以適用于利用等離子體的多種基板W處理工藝，例如沉積工藝、灰化工藝以及清洗工藝等。
[0084]以上的詳細(xì)說(shuō)明為例示本發(fā)明。并且，前述內(nèi)容為示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的，本發(fā)明可以在多種不同組合、變更及環(huán)境下使用。即，在本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的發(fā)明的概念的范圍、與記述的公開(kāi)內(nèi)容等同的范圍和/或本領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)的范圍內(nèi)可進(jìn)行變更或修改。記述的實(shí)施例說(shuō)明了用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)思想的最佳狀態(tài)，本發(fā)明的具體適用領(lǐng)域及用途中要求的多種變更也是可能的。因此，以上本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明不意圖以公開(kāi)的實(shí)施方式限定本發(fā)明。并且，隨附的權(quán)利要求范圍應(yīng)解釋為包括其他實(shí)施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種夾具，在利用等離子體對(duì)基板執(zhí)行等離子體處理的裝置中，所述夾具用于測(cè)量工藝過(guò)程中基板上積累的電荷量，所述夾具包括: 底板，金屬材質(zhì)； 絕緣層，從所述底板向上部突出；以及 金屬層，在所述絕緣層的上端提供。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的夾具，其中，在所述絕緣層上形成橫穿上表面和下表面的貫通部，在所述金屬層形成與所述貫通部對(duì)應(yīng)的孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的夾具，其中，所述貫通部和所述孔為圖案形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的夾具，其中，所述夾具還包括輔助金屬層，所述輔助金屬層附著到所述絕緣層并位于所述貫通部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的夾具，其中，所述底板為鋁材質(zhì)，所述絕緣層為氧化鋁(aluminum oxide)材質(zhì)。
6.一種電荷測(cè)量方法，在將夾具放置在對(duì)基板執(zhí)行等離子體處理的裝置的狀態(tài)下，操作所述裝置，測(cè)量所述夾具上積累的電荷，其中，所述夾具包括底板、向所述底板的上部突出的絕緣層以及在所述絕緣層的上端提供的金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電荷測(cè)量方法，其中，在所述絕緣層上形成橫穿上表面和下表面的貫通部，在所述金屬層形成與所述貫通部對(duì)應(yīng)的孔，使所述底板和所述金屬層積累電荷并具有不同的電位。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電荷測(cè)量方法，其中，測(cè)量所述底板和所述金屬層的電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電荷測(cè)量方法，其中，所述夾具還包括附著到所述絕緣層并位于所述貫通部的輔助金屬層，所述夾具測(cè)量所述輔助金屬層之間的電位差。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電荷測(cè)量方法，其中，所述夾具還包括附著到所述絕緣層并位于所述貫通部的輔助金屬層，所述夾具測(cè)量所述輔助金屬層和所述底板之間的電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電荷測(cè)量方法，其中，所述夾具還包括附著到所述絕緣層并位于所述貫通部的輔助金屬層，所述夾具測(cè)量所述輔助金屬層和所述金屬層之間的電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電荷測(cè)量方法，其中，所述夾具在所述裝置設(shè)置有多個(gè)，測(cè)量積累在各個(gè)所述夾具的電荷量。
13.根據(jù)權(quán)利要求6至11中任一項(xiàng)所述的電荷測(cè)量方法，其中，在所述裝置操作期間實(shí)時(shí)測(cè)量積累在所述夾具的電荷。
14.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的電荷測(cè)量方法，其中，所述貫通部和所述孔形成為在所述基板形成的圖案的形狀，使所述底板和所述金屬層積累電荷并具有不同的電位。
15.根據(jù)權(quán)利要求6至11中任一項(xiàng)所述的電荷測(cè)量方法，其中，所述裝置以與對(duì)所述基板的等離子體處理時(shí)的工藝條件相同的條件操作。
16.一種在對(duì)基板執(zhí)行等離子體處理的裝置中測(cè)量等離子體處理時(shí)基板上積累的電荷量的方法， 將形成有與所述基板的上端形成的圖案對(duì)應(yīng)的孔的夾具提供到所述裝置，以與對(duì)所述基板進(jìn)行等離子體處理時(shí)相同的工藝操作所述裝置，測(cè)量所述夾具積累的電荷量，其中所述基板上積累的電荷量是基于所述夾具中測(cè)量的電荷量進(jìn)行計(jì)算。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電荷測(cè)量方法，其中，所述夾具的大小比所述基板小。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電荷測(cè)量方法，其中，所述夾具在所述裝置設(shè)置有多個(gè)，用于測(cè)量積累在各個(gè)所述夾具的電荷量。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電荷測(cè)量方法，其中，在所述裝置操作期間實(shí)時(shí)測(cè)量積累在所述夾 具的電荷。
【文檔編號(hào)】G01R29/24GK103713204SQ201310456550
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月28日
【發(fā)明者】具一教, 李守真, 成曉星 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司