用于測(cè)量晶體管的特性的電壓檢測(cè)電路和方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于測(cè)量晶體管的特性的電壓檢測(cè)電路和方法。電壓檢測(cè)電路包括：晶體管；耦合到晶體管的漏極端子的開(kāi)關(guān)；該漏極端子耦合到開(kāi)關(guān)的一端；第一驅(qū)動(dòng)器，其與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子的第二驅(qū)動(dòng)器同步地控制開(kāi)關(guān)；以及多個(gè)電阻器，其串聯(lián)耦合并耦合到開(kāi)關(guān)的另一端。
【專利說(shuō)明】用于測(cè)量晶體管的特性的電壓檢測(cè)電路和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文所討論的實(shí)施例涉及一種用于功率晶體管的電壓檢測(cè)電路和用于測(cè)量功率晶體管的特性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，隨著進(jìn)行功率晶體管的開(kāi)發(fā)，已在努力提高高壓半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的性能，高壓半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件諸如為場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、使用氮化鎵(GaN)層作為電子渡越層的高電子遷移率晶體管(HEMT)等。
[0003]在用于開(kāi)關(guān)電源的功率晶體管中，具體地，降低損耗是一項(xiàng)重要挑戰(zhàn)，并且導(dǎo)通電阻用作功率晶體管的工作性能指標(biāo)。
[0004]然而，許多近來(lái)的功率晶體管執(zhí)行高速操作，并且僅使用利用DC特性計(jì)算的導(dǎo)通電阻作為性能指標(biāo)是不足夠的。
[0005]因此，作為執(zhí)行功率晶體管的開(kāi)關(guān)操作時(shí)使用的有效性能指標(biāo)，測(cè)量動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 Ron ο
[0006]參照?qǐng)D1，為了計(jì)算動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Ron，脈沖電壓被輸入到功率晶體管的柵極端子，并且基于此時(shí)在漏極中流動(dòng)的接通電流Ids_on和接通電壓Vds_on，使用動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Ron=Vds_on/1 ds_on,執(zhí)行計(jì)算。
[0007]圖2A-2D是示出了當(dāng)執(zhí)行功率晶體管的柵極的切換時(shí)根據(jù)漏極電壓和漏極電流來(lái)計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗和動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Ron而獲得的波形的圖。
[0008]一般而言，在許多情況下，在功率晶體管的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Ron的大小取決于在功率晶體管處于關(guān)態(tài)時(shí)施加的電壓(斷開(kāi)電壓Vds_off)。此原因是晶體管感受到的溫度由于通過(guò)開(kāi)關(guān)損耗以及由Vds_on和Ids_on引起的導(dǎo)通損耗生成的焦耳熱而改變，開(kāi)關(guān)損耗是在執(zhí)行從關(guān)態(tài)切換到開(kāi)態(tài)或從開(kāi)態(tài)切換到關(guān)態(tài)時(shí)由漏-源電壓Vds的波形和漏-源電流Ids的波形彼此交疊而引起的。
[0009]還已知在使用化學(xué)半導(dǎo)體的功率晶體管中，由于半導(dǎo)體表面和界面處存在的電子和空穴被捕獲(trap)的電子和空穴捕獲水平，電流和電壓波形取決于Vds_ofT。
[0010]下面是參考文獻(xiàn):
[0011][文獻(xiàn)I]日本特開(kāi)專利公布第2008-309702號(hào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]根據(jù)本發(fā)明的一方面，電壓檢測(cè)電路包括:晶體管；耦合到晶體管的漏極端子的開(kāi)關(guān)；該漏極端子耦合到開(kāi)關(guān)的一端；第一驅(qū)動(dòng)器，其與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子的第二驅(qū)動(dòng)器同步地控制開(kāi)關(guān)；以及多個(gè)電阻器，其串聯(lián)耦合并耦合到開(kāi)關(guān)的另一端。
[0013]本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)權(quán)利要求書中具體指出的要素和組合來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
[0014]應(yīng)理解，前面一般描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的，并且不是對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的限制。的電壓檢測(cè)電路測(cè)量功率晶體管的特性的方法的制造半導(dǎo)體晶體管或集成電路的制
4態(tài)導(dǎo)通電阻的測(cè)量電路和測(cè)量裝置的
；測(cè)量晶體管的柵極的切換，從而測(cè)量電壓子與源極端子之間的數(shù)百伏電壓(斷開(kāi)電數(shù)毫伏電壓(接通電壓(0111011:5186))以司上重復(fù)。
-測(cè)量目標(biāo)測(cè)量晶體管的漏-源電壓，同時(shí)丨)的設(shè)置通常由輸入的電壓中的較高電壓τ sc之間的差，因此未執(zhí)行正確測(cè)量。
[0034]然后，時(shí)間常數(shù)之間的差導(dǎo)致在示波器上觀測(cè)的電壓響應(yīng)波形失真。也就是，出現(xiàn)下述問(wèn)題:由于衰減器和示波器的輸入范圍設(shè)置引起的容許誤差裕度而未正確測(cè)量低電壓(接通電壓)。
[0035]圖5A-5F是示出了包含衰減器的探針借助計(jì)算器以圖3所示的方式測(cè)量功率晶體管的特性的情況的仿真結(jié)果的圖表。
[0036]這些波形是“漏極電壓”、“漏極電流”、“柵極電壓”和“將源-漏電壓除以漏極電流而獲得的電阻值”。這些波形是在將來(lái)自脈沖信號(hào)源的脈沖輸入目標(biāo)測(cè)量晶體管的柵極的情況下通過(guò)仿真而獲得的。
[0037]圖5Α示出了表示通過(guò)將漏-源電壓Vds除以漏極電流Ids而獲得的值并代表開(kāi)態(tài)下的導(dǎo)通電阻的波形。圖5B示出了漏極電壓的脈沖響應(yīng)波形，圖5C示出了漏極電流的響應(yīng)波形，并且圖示出了來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出的波形。
[0038]圖5E示出了圖5A的波形的放大部分，并且圖5F示出了圖5B的波形的放大部分。圖5F中示出的電壓V(漏)和V(探針)如下。
[0039]V(漏):圖3的測(cè)量電路中的目標(biāo)測(cè)量晶體管的漏極端子的電勢(shì)。V(探針):圖4的探針等效電路的探針端子中的電勢(shì)。
[0040]如圖5A-5F所示，當(dāng)功率晶體管從斷開(kāi)被切換到接通時(shí)，發(fā)生漏-源電壓的波形的負(fù)脈沖(undershoot)。于是,接通電壓的值變?yōu)镺V或更低，并且沒(méi)有正確地確定導(dǎo)通電阻。
[0041]甚至當(dāng)輸入到示波器的輸入端子的電壓在容許范圍內(nèi)時(shí)，如果電壓值大大超過(guò)顯示范圍，則安裝在示波器的輸入級(jí)中的放大器導(dǎo)致飽和和失真，顯示在屏幕上的數(shù)值包括大誤差裕度，并且因此不可以正確地執(zhí)行評(píng)估。
[0042]存在下述技術(shù):其中在施加斷開(kāi)電壓時(shí)強(qiáng)制性將電壓鉗位的電路被設(shè)置，以使得保持到示波器的輸入電壓小于示波器的輸入端子的容許電壓。然而，在本技術(shù)中，正確的斷開(kāi)電壓未被施加到功率晶體管并且僅示波器的輸入容許電壓被施加，或針對(duì)輸入的最小電壓不適當(dāng)?shù)卦O(shè)置示波器的輸入范圍，因此不正確地評(píng)估動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻與斷開(kāi)電壓的依賴關(guān)系O
[0043]圖6是示出了本公開(kāi)的原理的圖。目標(biāo)測(cè)量晶體管3的漏極端子16連接至負(fù)載2的一個(gè)端子，并且其源極端子18接地。負(fù)載2的另一端子連接到電源I。目標(biāo)測(cè)量晶體管3的柵極端子17連接到振蕩減少柵極電阻器R4的一個(gè)端子，并且振蕩減少柵極電阻器R4的另一端子連接到驅(qū)動(dòng)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的柵極驅(qū)動(dòng)器5的輸出端子。然后，控制柵極驅(qū)動(dòng)器5的脈沖生成器6的輸出端子連接到驅(qū)動(dòng)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的柵極驅(qū)動(dòng)器5的輸入端子。
[0044]目標(biāo)測(cè)量晶體管3的漏極端子16和負(fù)載2的連接節(jié)點(diǎn)被連接到開(kāi)關(guān)8的一個(gè)端子，開(kāi)關(guān)8的另一端子被連接到分壓電阻器R2的一個(gè)端子。分壓電阻器R2的另一端子被連接到分壓電阻器Rl的一個(gè)端子和示波器的輸入，并且分壓電阻器Rl的另一端子接地。
[0045]開(kāi)關(guān)8的斷開(kāi)和閉合由柵極驅(qū)動(dòng)器10來(lái)控制，控制柵極驅(qū)動(dòng)器10的脈沖生成器11的輸出端子連接到柵極驅(qū)動(dòng)器10的輸入端子。脈沖生成器11生成與由脈沖生成器6生成的脈沖同步的脈沖，并將該同步脈沖提供給斷開(kāi)和閉合開(kāi)關(guān)8的柵極驅(qū)動(dòng)器10的輸入端子，其中脈沖生成器6控制驅(qū)動(dòng)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的柵極驅(qū)動(dòng)器5。也就是，開(kāi)關(guān)8與目標(biāo)測(cè)量晶體管3同步地?cái)嚅_(kāi)和閉合。通過(guò)用分壓電阻器町和以對(duì)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的漏極電壓進(jìn)行分壓而獲得的漏極電壓※[(町+以)的電壓僅在開(kāi)關(guān)8接通的時(shí)段內(nèi)被輸入到示波器。
[0046]同時(shí)，流經(jīng)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的源極側(cè)的漏極電流1如由電流探針30測(cè)量，因此可以根據(jù)漏極電流0111-1-6111:) 1(18和漏極電壓獲得動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻尺011。
[0047]當(dāng)僅目標(biāo)測(cè)量晶體管3的漏極電壓的接通電壓時(shí)間(1011)由示波器測(cè)量時(shí)，示波器的輸入范圍的敏感度提高，此外，未使用其中包含衰減器的探針。因此，以高準(zhǔn)確度測(cè)量接通電壓。此外，在更優(yōu)選的斷開(kāi)電壓施加到功率晶體管之后執(zhí)行測(cè)量，因此正確地評(píng)估動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻與斷開(kāi)電壓的依賴關(guān)系。
[0048]圖7是根據(jù)作為本公開(kāi)的原理的具體示例的第一實(shí)施例的電壓檢測(cè)電路的電路圖。作為目標(biāo)測(cè)量晶體管3，例如，可以使用用于功率施加的功率晶體管，即場(chǎng)效應(yīng)晶體管、108晶體管、雙極晶體管、、前述晶體管的復(fù)合型晶體管、或具有與這樣的晶體管的功能相同的功能的集成電路。目標(biāo)測(cè)量晶體管3的漏極端子16連接到連接線路24并且源極端子18接地，其中負(fù)載2連接到連接線路24。柵極端子17連接到柵極電阻器財(cái)?shù)囊粋€(gè)端子，柵極電阻器財(cái)?shù)牧硪欢俗舆B接到驅(qū)動(dòng)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的柵極驅(qū)動(dòng)器5的輸出端子。
[0049]作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的柵極驅(qū)動(dòng)器5，例如，可以使用具有互補(bǔ)型晶體管的配置或在輸出級(jí)具有單個(gè)單端晶體管的配置的晶體管，并且晶體管可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管、103晶體管、雙極晶體管、前述晶體管的復(fù)合型晶體管、或具有與這樣的晶體管的功能相同的功能的集成電路。
[0050]控制柵極驅(qū)動(dòng)器5的脈沖生成器6的輸出端子連接到驅(qū)動(dòng)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的柵極驅(qū)動(dòng)器5的輸入端子。如果脈沖生成器6的輸出電壓具有接通和斷開(kāi)目標(biāo)測(cè)量晶體管3的電壓值，則可以采用不包括柵極驅(qū)動(dòng)器5的配置。此外，使柵極驅(qū)動(dòng)器5的輸出穩(wěn)定的電阻器可以被設(shè)置在脈沖生成器6與柵極驅(qū)動(dòng)器5之間。
[0051]作為開(kāi)關(guān)晶體管8八，例如使用這樣的晶體管，其具有等于或高于小功率晶體管或目標(biāo)測(cè)量晶體管3的擊穿電壓的擊穿電壓并且具有顯著小于分壓電阻器81和分壓電阻器尺2的總電阻的導(dǎo)通電阻，該晶體管也可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極晶體管等。開(kāi)關(guān)晶體管8八的漏極端子19和目標(biāo)測(cè)量晶體管3的漏極端子16通過(guò)連接線路22被線路連接。開(kāi)關(guān)晶體管8八的源極端子21連接到分壓電阻器以的一個(gè)端子。分壓電阻器以的另一端子連接到分壓電阻器町的一個(gè)端子，此外，分壓電阻器町的另一端子接地。
[0052]柵極電阻器四的一個(gè)端子連接到開(kāi)關(guān)晶體管8八的柵極端子20，并且柵極電阻器尺9的另一端子連接到驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)晶體管8八的柵極驅(qū)動(dòng)器10八的輸出端子。驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)晶體管8八的柵極驅(qū)動(dòng)器10八包括控制端子，并且經(jīng)由連接線路23連接到開(kāi)關(guān)晶體管8八的源極端子21。
[0053]在這種情況下，作為驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)晶體管8八的柵極驅(qū)動(dòng)器10八，例如可以使用下述驅(qū)動(dòng)器:其具有將連接到開(kāi)關(guān)晶體管8八的柵極端子20的輸出端子的電勢(shì)水平轉(zhuǎn)變了對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)晶體管8八的源極端 子21的電勢(shì)的量的功能，并且具有將用于接通開(kāi)關(guān)晶體管8八至源極端子21的電勢(shì)的電勢(shì)差加到柵極端子20的功能。通過(guò)這種連接，甚至當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管8八的源極端子21的電勢(shì)不為0時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)器10八的輸出脈沖也被正確施加在開(kāi)關(guān)晶體管8八度。另外，斷開(kāi)電壓可以被適當(dāng)?shù)厥┘佑谀恐檬静ㄆ鞯碾妷簻y(cè)量范圍并且使得能夠執(zhí)
承例的第二實(shí)施例的電壓檢測(cè)電路的電路示的根據(jù)第一實(shí)施例的電壓檢測(cè)電路中的
提供了具有將其輸出電壓改變成任意值的；一實(shí)施例的開(kāi)關(guān)晶體管8八的柵極驅(qū)動(dòng)器
可以是通過(guò)改變其電源電壓來(lái)改變輸出電
體管3接通的時(shí)段內(nèi)可以由示波器測(cè)量目器的輸入范圍的敏感度。此外，沒(méi)有使用其接通電壓。
承例的第三實(shí)施例的電壓檢測(cè)電路的電路示的根據(jù)第一實(shí)施例的電壓檢測(cè)電路中的動(dòng)器5A的輸出能力。
[0064]此外，在本實(shí)施例中，僅在目標(biāo)測(cè)量晶體管3接通的時(shí)段內(nèi)可以由示波器測(cè)量目標(biāo)測(cè)量晶體管3的漏極電壓，因此可以提高示波器的輸入范圍的敏感度。此外，沒(méi)有使用其中包含衰減器的探針，因而可以以高準(zhǔn)確度測(cè)量接通電壓。
[0065]圖10A-10F是示出了使用第二實(shí)施例的電壓檢測(cè)電路測(cè)量功率晶體管的特性的情況的仿真結(jié)果的圖表。
[0066]這些波形是“漏極電壓”、“漏極電流”、“柵極電壓”和“將源-漏電壓除以漏極電流而獲得的電阻值”。這些波形是在將脈沖輸入目標(biāo)測(cè)量晶體管3的柵極的情況下通過(guò)仿真而獲得的。
[0067]圖1OA示出了表示通過(guò)將漏-源電壓Vds除以漏極電流Ids而獲得的值并代表開(kāi)態(tài)下的導(dǎo)通電阻的波形。圖1OB示出了漏極電壓的脈沖響應(yīng)波形，圖1OC示出了漏極電流的響應(yīng)波形，并且圖1OD示出了來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)器IOB的輸出的波形。
[0068]圖1OE示出了圖1OA的波形的放大部分，圖1OF示出了圖1OB的波形的放大部分。圖1OF中示出的電壓值V(漏)、V(探針)和V(bnc)如下。
[0069]V(漏):圖3的測(cè)量電路中的目標(biāo)測(cè)量晶體管的漏極端子的電勢(shì)；V(探針):圖4的探針等效電路的探針端子中的電勢(shì)；V(bnc):圖8的分壓端子25的電勢(shì)。
[0070]根據(jù)圖1OF的波形了解:V(漏)是正確值，并且V(bnc)的結(jié)果與V(漏)的結(jié)果匹配。另一方面，V(探針)表示負(fù)值，應(yīng)理解獲得了明顯不同的結(jié)果。在根據(jù)第二實(shí)施例的電壓檢測(cè)電路中，開(kāi)態(tài)下的電壓與V(漏)的值匹配，關(guān)態(tài)下的電壓被維持在IOV或更小電壓。因此，到示波器的輸入電壓是實(shí)際電壓的1/40或更小電壓，因此示波器的輸入敏感度可以提高至少約四十倍。
[0071]最后，將參照?qǐng)D11描述引入了根據(jù)本實(shí)施例的測(cè)量方法的、從半導(dǎo)體晶體管或集成電路(IC)的制造到產(chǎn)品運(yùn)載的處理步驟。
[0072]首先，步驟SI示出了制造晶體管或IC的處理，在步驟SI中，對(duì)半導(dǎo)體晶片提供電連接，其中晶體管結(jié)構(gòu)或集成電路結(jié)構(gòu)被形成用于測(cè)試。在該階段，提供電壓或電流的針或探針與作為晶體管或IC的電接口的電極相接觸，以測(cè)量在對(duì)其施加電壓或電流時(shí)出現(xiàn)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性。選擇靜態(tài)和動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性由于制造問(wèn)題等而達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)的裝置(第一選擇)。
[0073]接著，在步驟S2中，通過(guò)使用本實(shí)施例的電壓檢測(cè)電路評(píng)估晶體管或IC的開(kāi)關(guān)特性，準(zhǔn)確挑選出不執(zhí)行期望操作的晶體管或IC (第二選擇)。通過(guò)第一選擇和第二選擇，可以去除后續(xù)封裝步驟中的不必要的封裝操作。
[0074]隨后，在步驟S3中，通過(guò)切分等將晶片狀態(tài)下的晶體管或IC切割成單獨(dú)的芯片(元件)。
[0075]接著，在步驟S4中，僅選擇除了包含在步驟SI和S2中被確定為缺陷的晶體管或IC的芯片之外的芯片，執(zhí)行樹(shù)脂密封，形成外部連接端子，從而執(zhí)行封裝。
[0076]然后，在步驟S5中，對(duì)封裝的晶體管或IC再次執(zhí)行引入根據(jù)本公開(kāi)的電壓檢測(cè)電路的開(kāi)關(guān)特性的評(píng)估，并且評(píng)估其動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性以執(zhí)行最終選擇(第三選擇)。
[0077]在步驟S6中，僅運(yùn)載出在步驟S5中通過(guò)選擇的封裝的晶體管或IC作為產(chǎn)品。
[0078]本文所闡述的所有示例和條件語(yǔ)言意圖用于教示目的，以幫助讀者理解本發(fā)明以及本發(fā)明人對(duì)促進(jìn)技術(shù)所貢獻(xiàn)的構(gòu)思，并且不應(yīng)被理解為限制這樣具體闡述的示例和條件，并且說(shuō)明書中的這樣的示例的組織也與表示本發(fā)明的優(yōu)劣無(wú)關(guān)。雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)理解在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改、替代和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種電壓檢測(cè)電路，包括: 晶體管； 耦合到所述晶體管的漏極端子的開(kāi)關(guān)，所述漏極端子耦合到所述開(kāi)關(guān)的一端； 第一驅(qū)動(dòng)器，其與驅(qū)動(dòng)所述晶體管的柵極端子的第二驅(qū)動(dòng)器同步地控制所述開(kāi)關(guān)；以及 多個(gè)電阻器，其串聯(lián)耦合并耦合到所述開(kāi)關(guān)的另一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓檢測(cè)電路， 其中，所述晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，雙極晶體管，&高電子遷移率晶體管，或所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、所述雙極晶體管和所述&高電子遷移率晶體管的復(fù)合類型晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓檢測(cè)電路， 其中，所述開(kāi)關(guān)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管或雙極晶體管，并且具有等于或高于所述晶體管的擊穿電壓的擊穿電壓。
4.一種用于測(cè)量晶體管的特性的方法，包括: 在所述晶體管周圍提供開(kāi)關(guān)、第一驅(qū)動(dòng)器、第二驅(qū)動(dòng)器和串聯(lián)耦合的多個(gè)電阻器，所述開(kāi)關(guān)耦合到所述晶體管的漏極端子，所述漏極端子耦合到所述開(kāi)關(guān)的一端，所述第一驅(qū)動(dòng)器與驅(qū)動(dòng)所述晶體管的柵極端子的所述第二驅(qū)動(dòng)器同步地控制所述開(kāi)關(guān)，并且所述多個(gè)電阻器耦合到所述開(kāi)關(guān)的另一端，以及 同時(shí)接通和斷開(kāi)所述第一驅(qū)動(dòng)器和所述第二驅(qū)動(dòng)器； 通過(guò)測(cè)量所述多個(gè)電阻器的分壓來(lái)測(cè)量所述晶體管的漏極電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法， 其中，所述多個(gè)電阻器的分壓直接耦合到示波器的輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括: 與所述分壓同時(shí)地測(cè)量所述晶體管的接通電流；以及 基于所述分壓和所述接通電流來(lái)計(jì)算所述晶體管的導(dǎo)通電阻。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK103837731SQ201310492219
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月22日
【發(fā)明者】廣瀨達(dá)哉 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社