一種用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，該傳感器包括兩個(gè)基片、磁電阻傳感元件以及推臂衰減器和挽臂衰減器。同一基片上磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向相同，不同基片上的磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向相反，其中一個(gè)基片上的磁電阻傳感元件相互電連接構(gòu)成推挽電橋的推臂，另一個(gè)基片上的磁電阻傳感元件相互電連接構(gòu)成推挽電橋的挽臂。推、挽臂上磁電阻傳感元件成列排布于推臂衰減器和挽臂衰減器的上方或下方。此傳感器可在準(zhǔn)橋、半橋、全橋三種電橋結(jié)構(gòu)上得到實(shí)現(xiàn)。其具有以下優(yōu)點(diǎn)：功耗低、偏移量小、線性度好、工作范圍寬以及能在高強(qiáng)度磁場(chǎng)中工作等，并且其靈敏度能達(dá)到單芯片參考橋式磁傳感器的最大靈敏度的2倍。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)中的推挽橋式磁傳 感器。
【背景技術(shù)】
[0002]磁傳感器廣泛用于現(xiàn)代工業(yè)和電子產(chǎn)品中以感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)測(cè)量電流、位置、方 向等物理參數(shù)。在現(xiàn)有技術(shù)中，有許多不同類(lèi)型的傳感器用于測(cè)量磁場(chǎng)及其他參數(shù)，例如霍 爾(HalI)元件,各向異性磁電阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件或巨磁電阻 (Giant Magnetoresistance, GMR)元件為敏感元件的磁傳感器。
[0003]霍爾磁傳感器雖然能在高強(qiáng)度磁場(chǎng)中工作，但靈敏度很低、功耗大、線性度差等缺 點(diǎn)。AMR磁感器雖然靈敏度比霍爾傳感器高，但其制造工藝復(fù)雜，功耗高，并且不適用于高強(qiáng) 度磁場(chǎng)。GMR磁傳感器相比霍爾磁傳感器有更高的靈敏度，但其線性范圍偏低，并且也不適 用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)。
[0004]TMR (Tunnel MagnetoResistance)磁傳感器是近年來(lái)開(kāi)始工業(yè)應(yīng)用的新型磁電阻 效應(yīng)傳感器，其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應(yīng)對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行感應(yīng)，其相對(duì)于霍 爾磁傳感器、AMR磁傳感器以及GMR磁傳感器具有更高的靈敏度、更低的功耗、更好的線性 度以及更寬的工作范圍。但現(xiàn)有的TMR磁傳感器仍然不適用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)中工作，并且線 性范圍也不夠?qū)挕?br>
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上問(wèn)題，提供一種適用于高強(qiáng)度磁場(chǎng) 中的推挽橋式磁傳感器。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明提供了一種用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的 推挽橋式磁傳感器，該傳感器包括推臂基片和挽臂基片；
至少一個(gè)由一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感元件電連接構(gòu)成的推臂和至少一個(gè)由一個(gè)或多個(gè) 磁電阻傳感元件電連接構(gòu)成的挽臂；
至少一個(gè)推臂衰減器和至少一個(gè)挽臂衰減器；
所述推臂和所述推臂衰減器沉積在所述推臂基片上，所述挽臂和所述挽臂衰減器沉積 在所述挽臂基片上；
所述推臂衰減器和所述挽臂衰減器的長(zhǎng)軸方向?yàn)閅軸方向，短軸方向?yàn)閄軸方向；
所述推臂中的磁電阻傳感元件成列排布于所述推臂衰減器的上方或下方，所述挽臂中 的磁電阻傳感元件成列排布于挽臂衰減器的上方或下方；
同一基片上的磁電阻傳感元件的磁性釘扎層的磁化方向相同，所述推臂基片與所述挽 臂基片上的磁電阻傳感元件的磁性釘扎層的磁化方向相反；
所述推臂基片和所述挽臂基片上的磁電阻傳感元件的敏感方向均為X軸方向。
[0007]優(yōu)選的，每個(gè)所述推臂衰減器和每個(gè)所述挽臂衰減器的上方或下方各自分別最多對(duì)應(yīng)一列所述磁電阻傳感元件，同一基片上的所述推臂衰減器或所述挽臂衰減器的個(gè)數(shù)與 所述磁電阻傳感元件的列數(shù)之間的關(guān)系如下:NA>=NS+2i，其中NA為推臂衰減器或挽臂衰 減器的個(gè)數(shù)，NS為磁電阻傳感元件的列數(shù)，i為非負(fù)整數(shù)。
[0008]優(yōu)選的，所述磁電阻傳感元件為GMR或者TMR傳感元件。
[0009]優(yōu)選的，對(duì)于所述推臂基片和所述挽臂基片，其中一個(gè)基片上的所述磁電阻傳感 元件的釘扎層的磁化方向?yàn)閄軸正方向，另一個(gè)基片上的所述磁電阻傳感元件的釘扎層的 磁化方向?yàn)閄軸負(fù)方向。
[0010]優(yōu)選的，在沒(méi)有外加磁場(chǎng)時(shí)，所述磁電阻傳感元件可以通過(guò)片上永磁體、片上線 圈、雙交換作用、形狀各向異性中的任意一種或者至少兩種的結(jié)合來(lái)偏置磁性自由層的磁 化方向，其中，所述片上永磁體和片上線圈所產(chǎn)生的交叉偏置場(chǎng)的方向?yàn)閅軸方向。
[0011]優(yōu)選的，所述推臂和所述挽臂電連接構(gòu)成的電橋?yàn)榘霕?、全橋或?zhǔn)橋。
[0012]優(yōu)選的，所述推臂和所述挽臂上的磁電阻傳感元件的數(shù)量相同并且相互平行。
[0013]優(yōu)選的，所述推臂衰減器和所述挽臂衰減器的數(shù)量相同并且相互平行。
[0014]優(yōu)選的，所述推臂衰減器和所述挽臂衰減器均為細(xì)長(zhǎng)條形陣列，其組成材料為軟 鐵磁合金，含有N1、Fe、和Co中的一種元素或至少兩種元素。
[0015]優(yōu)選的，所述推臂和所述挽臂上磁電阻傳感元件處的磁場(chǎng)的增益系數(shù)Asns〈l。
[0016]優(yōu)選的，所述推臂基片和所述挽臂基片包括了集成電路，或與包括了集成電路的 其它基片相連接。
[0017]優(yōu)選的，所述集成電路為CMOS、BiCMOS、Bipolar、BCDMOS或者S0I，所述推臂直
接沉積在所述推臂基片上的集成電路上，所述挽臂直接沉積在所述挽臂基片上的集成電路 上。
[0018]優(yōu)選的，所述基片為ASIC芯片，其包含有偏移電路、增益(gain)電路、校準(zhǔn)電 路、溫度補(bǔ)償電路和邏輯(logic)電路中的任一種或幾種應(yīng)用電路。
[0019]優(yōu)選的，所述邏輯電路為數(shù)字開(kāi)關(guān)電路或者旋轉(zhuǎn)角度計(jì)算電路。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:功耗低、偏移量小、線性度好、工作范 圍寬以及適用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)，此外，該設(shè)計(jì)的靈敏度能達(dá)到單芯片參考橋式設(shè)計(jì)的最大靈 敏度的2倍。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例技術(shù)描述中 所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí) 施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖 獲得其他的附圖。
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中推挽橋式磁傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2為本發(fā)明中的推挽橋式磁傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖3為磁電阻傳感元件周?chē)拇艌?chǎng)分布圖。
[0025]圖4為磁電阻傳感元件所在位置與相對(duì)應(yīng)的增益系數(shù)之間的關(guān)系曲線。
[0026]圖5為磁電阻傳感元件的響應(yīng)曲線。
[0027]圖6為本發(fā)明中推挽橋式磁傳感器有無(wú)衰減器的轉(zhuǎn)換特性曲線?！揪唧w實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
作進(jìn)一步的描述。
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中專(zhuān)利申請(qǐng)201310325337.5所公開(kāi)的單芯片推挽橋式磁傳感器 的結(jié)構(gòu)示意圖。該傳感器包括基片1，用于輸入輸出的焊盤(pán)6-9，多個(gè)傾斜設(shè)置在基片I上 面的推臂通量集中器12和挽臂通量集中器13，以及分別位于相鄰兩個(gè)推臂通量集中器之 間的間隙14和相鄰兩個(gè)挽臂通量集中器之間的間隙15處的磁電阻傳感元件10和11。磁 電阻傳感元件10和11的釘扎層的磁化方向相同。該傳感器容易飽和，不能用于高強(qiáng)度的 磁場(chǎng)當(dāng)中。
實(shí)施例
[0030]圖2為本發(fā)明中的推挽橋式磁傳感器的一種結(jié)構(gòu)示意圖。該傳感器包括推臂基 片20，挽臂基片21，多個(gè)磁電阻傳感元件22，42，多個(gè)推臂衰減器23、挽臂衰減器41，焊盤(pán) 24-39。其中，磁電阻傳感元件22、推臂衰減器23、焊盤(pán)24-31沉積于推臂基片20上，磁電 阻傳感元件42、挽臂衰減器41、焊盤(pán)32-39沉積于挽臂基片21上，推臂基片20和挽臂基片 21除了方向不同之外，其它都相同。推臂衰減器23和挽臂衰減器41的長(zhǎng)軸方向?yàn)閅軸方 向，短軸方向?yàn)閄軸方向。焊盤(pán)24，25，36，37分別作為電源供應(yīng)端VBias，接地端GND，電壓輸 出端V+，V-，焊盤(pán)26-29分別與焊盤(pán)34、35、38、39電連接。磁電阻傳感元件22，42分別相互 電連接形成推臂和挽臂，并成列排布于推臂衰減器23、挽臂衰減器41的下方，但并不限于 以上位置。每個(gè)推臂衰減器和每個(gè)挽臂衰減器的下方各自分別至多排布有一列磁電阻傳感 元件。每一列磁電阻傳感元件可以含有一個(gè)或至少兩個(gè)磁電阻傳感元件，圖2中每一列含 有6個(gè)磁電阻傳感元件。推臂基片20和挽臂基片21的兩側(cè)各自分別有兩個(gè)推臂衰減器23 和挽臂衰減器41下方?jīng)]有排布磁電阻傳感元件22，42，這是為了使磁電阻傳感元件22，42 處的磁場(chǎng)分布更加均勻。當(dāng)然根據(jù)需要，可以設(shè)置更多的推臂衰減器和/或挽臂衰減器的 下方不排布磁電阻傳感元件。優(yōu)選的，這些下方不排布磁電阻傳感元件的推臂衰減器和/ 或挽臂衰減器分別位于推臂基片20和挽臂基片21的外側(cè)以及最中間。如果有需要，這些 推臂衰減器和/或挽臂衰減器的下方也可以排布磁電阻傳感元件。同一基片上的推臂衰減 器或挽臂衰減器的個(gè)數(shù)與磁電阻傳感元件的列數(shù)之間的關(guān)系如下:NA>=NS+2i，其中NA為 推臂衰減器或挽臂衰減器的個(gè)數(shù)，NS為磁電阻傳感元件的列數(shù)，i為非負(fù)整數(shù)。此外，磁電 阻傳感元件22，42也可以成列排布于推臂衰減器23、挽臂衰減器41的上方，圖2中未顯示 出此種情形。
[0031]同一基片上的各磁電阻傳感元件22以及各磁電阻傳感元件42的釘扎層的磁化 方向相同，但磁電阻傳感元件22與磁電阻傳感元件42的釘扎層的磁化方向相反，分別為 100，101,磁化方向101與X軸方向相同,磁化方向100與X軸方向相反。磁電阻傳感兀件 22，42的敏感方向均為X軸方向，其可以為GMR或者TMR傳感元件，磁電阻傳感元件22，42 的數(shù)量相同并且相互平行。此外，在沒(méi)有外加磁場(chǎng)時(shí)，所述磁電阻傳感元件可以通過(guò)片上永 磁體、片上線圈、雙交換作用、形狀各向異性或者它們的任意結(jié)合來(lái)偏置磁性自由層的磁化 方向，使其與釘扎層的磁化方向垂直，片上永磁體和片上線圈所產(chǎn)生的交叉偏置場(chǎng)的方向 為Y軸方向。磁電阻傳感兀件22與磁電阻傳感兀件42上的交叉偏置場(chǎng)的方向可以相反，即一個(gè)沿Y軸正向，另一個(gè)沿Y軸負(fù)向，也可以相同，即均沿Y軸正向或Y軸負(fù)向。
[0032]推臂衰減器23和挽臂衰減器41的數(shù)量相同，可以為一個(gè)或多個(gè)，在圖2中為12 個(gè)，它們相互平行并且均為細(xì)長(zhǎng)條形陣列，其組成材料為選自N1、Fe和Co中的一種或幾種元素組成的軟鐵磁合金，但并不限于以上材料。在推臂基片20和挽臂基片21上也還可以印制有集成電路，或與印制有集成電路的其他基片相連接，優(yōu)選地，所印制的集成電路可以為CM0S、BiCM0S、Bipolar、BCDM0S或者SOI，當(dāng)推臂基片20和挽臂基片21上印制有集成電路時(shí)，推臂與挽臂便可直接沉積在對(duì)應(yīng)基片的集成電路上面。此外，推臂基片20和挽臂基片可為ASIC芯片，其可含有偏移、增益、校準(zhǔn)、溫度補(bǔ)償和邏輯中的任一種或幾種應(yīng)用電路，其中邏輯電路還可以為數(shù)字開(kāi)關(guān)電路或者旋轉(zhuǎn)角度計(jì)算電路，但并不限于以上電路。
[0033]本實(shí)施例中是采用焊盤(pán)引線鍵合來(lái)進(jìn)行輸入輸出連接，也可以采用倒裝芯片、球柵陣列封裝、晶圓級(jí)封裝以及板上芯片封裝等半導(dǎo)體封裝方法。
[0034]圖3為在衰減器23下方的磁電阻傳感元件22在外加磁場(chǎng)中的磁場(chǎng)分布圖。圖中，外加磁場(chǎng)的方向?yàn)?02。從圖中可以看出，通過(guò)衰減器23的磁場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)大幅衰減，所以即使施加高強(qiáng)度的外加磁場(chǎng)，只要在磁電阻傳感元件22的工作磁場(chǎng)范圍內(nèi)，便能檢測(cè)到此磁場(chǎng)。由此可見(jiàn)，即使把本發(fā)明中的推挽橋式磁傳感器放置于高強(qiáng)度的磁場(chǎng)中，該傳感器所感測(cè)到的磁場(chǎng)大小是衰減后的磁場(chǎng)，只要在其飽和范圍之內(nèi)，此傳感器仍然可以正常工作。 磁電阻傳感元件42周?chē)拇艌?chǎng)分布與圖3中相同，在此就不再贅敘。
[0035]圖4為磁電阻傳感元件22，42所在位置與相對(duì)應(yīng)的增益系數(shù)之間的關(guān)系曲線。從圖中曲線40可以看出，磁電阻傳感元件22，42所在位置處磁場(chǎng)的增益系數(shù)Asns〈l。從該曲線也可以得到通過(guò)衰減器23的磁場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)大幅衰減的結(jié)論。
[0036]圖5為磁電阻傳感元件22，42的響應(yīng)曲線。當(dāng)外加磁場(chǎng)102的方向與釘扎層的磁化方向47平行，同時(shí)外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度大于-Bs+Bo 51時(shí),磁性自由層的磁化方向46與外加磁場(chǎng)102的方向平行，進(jìn)而與釘扎層的磁化方向47平行，此時(shí)磁電阻傳感元件的磁阻最小，即為& 48。當(dāng)外加磁場(chǎng)102的方向與釘扎層的磁化方向47反平行，同時(shí)外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度大于Bs+Bo 52時(shí),磁性自由層的磁化方向46與外加磁場(chǎng)102的方向平行,進(jìn)而與釘扎層的磁化方向47反平行，此時(shí)磁電阻傳感元件的磁阻最大，即為Rh49。當(dāng)外加磁場(chǎng)102的強(qiáng)度為Bo 50時(shí)，磁性自由層的磁化方向46與釘扎層的磁化方向47垂直，此時(shí)，磁電阻傳感元件的磁阻為Rl 48和Rh49的中間值，即(Rl +Rh) /2。-Bs+Bo 51與Bs+Bo 52之間的磁場(chǎng)便是傳感器的測(cè)量范圍。從圖中可以看出，曲線53在-Bs+Bo 25與Bs+Bo 26之間呈線性，
電阻變化率為X100%=^ X100%。
[0037]對(duì)于TMR傳感元件，其電阻變化率`最高可達(dá)到200%，對(duì)于GMR元件，其電阻變化率最高只有10%。
[0038]圖6為磁電阻傳感元件為T(mén)MR傳感元件時(shí)，本發(fā)明中的推挽橋式磁傳感器有無(wú)衰減器時(shí)的轉(zhuǎn)換特性曲線。曲線43對(duì)應(yīng)的是沒(méi)有衰減器的情形，曲線44對(duì)應(yīng)的是有衰減器的情形。圖中橫軸為外加磁場(chǎng)的大小，縱軸為傳感器輸出電壓與電源電壓之間的比值。對(duì)比兩曲線可以看出，使用了衰減器之后，傳感器的線性工作范圍明顯變寬，線性度也更好， 并且曲線原點(diǎn)上下對(duì)稱(chēng)性更好，也就是說(shuō)偏移量會(huì)更小。
[0039]以上討論的是電橋?yàn)槿珮虻那樾?，由于半橋和?zhǔn)橋的工作原理與全橋相同，在此就不再贅述，上述所得到的結(jié)論也同樣適用于半橋和準(zhǔn)橋結(jié)構(gòu)的推挽橋式磁傳感器。
[0040]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技 術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修 改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于:該傳感器包括推臂基片和挽臂基片；至少一個(gè)由一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感元件電連接構(gòu)成的推臂和至少一個(gè)由一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感元件電連接構(gòu)成的挽臂；至少一個(gè)推臂衰減器和至少一個(gè)挽臂衰減器；所述推臂和所述推臂衰減器沉積在所述推臂基片上，所述挽臂和所述挽臂衰減器沉積在所述挽臂基片上；所述推臂衰減器和所述挽臂衰減器的長(zhǎng)軸方向?yàn)閅軸方向，短軸方向?yàn)閄軸方向；所述推臂中的磁電阻傳感元件成列排布于所述推臂衰減器的上方或下方，所述挽臂中的磁電阻傳感元件成列排布于挽臂衰減器的上方或下方；同一基片上的磁電阻傳感元件的磁性釘扎層的磁化方向相同，所述推臂基片與所述挽臂基片上的磁電阻傳感元件的磁性釘扎層的磁化方向相反；所述推臂基片和所述挽臂基片上的磁電阻傳感元件的敏感方向均為X軸方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，每個(gè)所述推臂衰減器和每個(gè)所述挽臂衰減器的上方或下方各自分別最多對(duì)應(yīng)一列所述磁電阻傳感元件，同一基片上的所述推臂衰減器或所述挽臂衰減器的個(gè)數(shù)與所述磁電阻傳感元件的列數(shù)之間的關(guān)系如下:NA>=NS+2i，其中NA為推臂衰減器或挽臂衰減器的個(gè)數(shù)，NS為磁電阻傳感元件的列數(shù)，i為非負(fù)整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，所述磁電阻傳感元件為GMR或者TMR傳感元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的 用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，對(duì)于所述推臂基片和所述挽臂基片，其中一個(gè)基片上的所述磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向?yàn)閄軸正方向，另一個(gè)基片上的所述磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向?yàn)閄軸負(fù)方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，在沒(méi)有外加磁場(chǎng)時(shí)，所述磁電阻傳感元件可以通過(guò)片上永磁體、片上線圈、雙交換作用、形狀各向異性中的任意一種或者至少兩種的結(jié)合來(lái)偏置磁性自由層的磁化方向，其中，所述片上永磁體和片上線圈所產(chǎn)生的交叉偏置場(chǎng)的方向?yàn)閅軸方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，所述推臂和所述挽臂電連接構(gòu)成的電橋?yàn)榘霕?、全橋或?zhǔn)橋。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，所述推臂和所述挽臂上的磁電阻傳感元件的數(shù)量相同并且相互平行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，所述推臂衰減器和所述挽臂衰減器的數(shù)量相同并且相互平行。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁場(chǎng)傳感器，其特征在于， 所述推臂衰減器和所述挽臂衰減器均為細(xì)長(zhǎng)條形陣列，其組成材料為軟鐵磁合金，含有N1、 Fe、和Co中的一種元素或多種元素。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，所述推臂和所述挽臂上磁電阻傳感元件處的磁場(chǎng)的增益系數(shù)Asns〈l。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，所述推臂基片和所述挽臂基片包括了集成電路，或與包括了集成電路的其它基片相連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，所述集成電路為CMOS、BiCMOS、Bipolar、BCDMOS或者SOI，所述推臂直接沉積在所述推臂基片上的集成電路上，所述挽臂直接沉積在所述挽臂基片上的集成電路上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，所述基片為ASIC芯片，其包含有偏移電路、增益(gain)電路、校準(zhǔn)電路、溫度補(bǔ)償電路和邏輯 (logic)電路中的任一種或幾種應(yīng)用電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于高強(qiáng)度磁場(chǎng)的推挽橋式磁傳感器，其特征在于，所述邏輯電路為數(shù)字開(kāi)關(guān)電路或者旋轉(zhuǎn)角度計(jì)算電路。
【文檔編號(hào)】G01R33/09GK103592608SQ201310496945
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月21日
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