一種可控制的電流采樣電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可控制的電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管、采樣功率NMOS管M2、采樣功率NMOS管M3、采樣功率NMOS管M4、采樣電阻Rs，分流功率NMOS管、采樣功率NMOS管M2、采樣功率NMOS管M3和采樣功率NMOS管M4的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管和采樣功率NMOS管M2的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs的一端接采樣管M2、M3、M4的源極，另一端接地。采樣功率NMOS管M3和采樣功率NMOS管M4的導(dǎo)通狀態(tài)由信號分別被信號A和B控制。選擇控制電路產(chǎn)生輸出信號A和B。通過選擇控制電路可以實(shí)現(xiàn)不同的采樣電流值。實(shí)現(xiàn)方式簡單。
【專利說明】—種可控制的電流采樣電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及用于模擬集成電路中的可控制的實(shí)現(xiàn)多個值的電流采樣電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路的中，尤其是模擬集成電路中，為了檢測大電流，因?yàn)楣牡鹊囊笮枰獙﹄娏鬟M(jìn)行采樣后在進(jìn)行檢測。而通常電流的采樣只能有一種采樣值。
[0003]這樣的方案主要存在以下缺陷:
因?yàn)橹荒懿蓸右环N電流，所以它所能檢測的電流值只有一種，不便于實(shí)現(xiàn)多種電流值得采樣檢測。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決電流檢測電路只能采樣一種電流值，不便于實(shí)現(xiàn)多種電流值得采樣檢測的缺點(diǎn)。
[0005]本發(fā)明的解決方案如下:
一種可控制的電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2
(4)、采樣功率NMOS管M3 (5)、采樣功率NMOS管M4 (6)和采樣電阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、采樣功率NMOS管M3 (5)和采樣功率NMOS管M4 (6)的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs (8)的一端接采樣管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源極，另一端接地。采樣功率NMOS管M3 (5)和采樣功率NMOS管M4 (6)的導(dǎo)通狀態(tài)由信號分別被信號A和B控制；
所述電流采樣電路還包括選擇控制電路(7)，選擇控制電路(7)產(chǎn)生輸出信號A和B ; 所述選擇控制電路(7)為數(shù)字邏輯電路；
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
通過選擇控制電路(7)可以實(shí)現(xiàn)不同的采樣電流值。實(shí)現(xiàn)方式簡單。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為本發(fā)明的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0007]如圖1所示，Ml、M2、M3、M4為功率NMOS管。Ml為分流管，M2、M3、M4為采樣管。其中M1、M2柵極接電源Vin，因此M1、M2是處于常導(dǎo)通狀態(tài)，為固定接入狀態(tài)。M3、M4的導(dǎo)通狀態(tài)通過選擇控制電路7進(jìn)行控制。選擇控制電路7的輸出信號A、B分別接M3、M4的柵極。當(dāng)M3、M4的柵極信號為高電平時M3、M4導(dǎo)通，為低電平時M3、M4截止。根據(jù)實(shí)際需要控制M3、M4的導(dǎo)通狀態(tài)。管腳Ps接功率MOS管Ml、M2、M3、M4的漏極。采樣電阻Rs—端接采樣管M2、M3、M4的源極，另一端接地。[0008]Ps中有電流輸入。因?yàn)镸1、M2是處于常導(dǎo)通狀態(tài)，Ps中的電流流過Ml、M2，流過Ml的電流直接到地，而流過M2的電流流入采樣電阻Rs，當(dāng)由選擇控制電路7進(jìn)行控制的M3和/或M4導(dǎo)通時，Ps中的電流流過它們后，流入采樣電阻Rs。流入的電流在采樣電阻Rs產(chǎn)生電壓Vs后輸出給后續(xù)電路。
[0009]其中Ml、M2、M3、M4以一定的大小比例設(shè)置。所設(shè)置的比例值根據(jù)電路的具體情況而定。通過選擇控制電路7對M3和/或M4導(dǎo)通狀態(tài)的控制，可以通過M2、M3、M4得到不同的采樣電流，因此通過采樣電阻Rs也就可以產(chǎn)生不同的電壓Vs。M2、M3、M4導(dǎo)通的越多，采樣的電流越大，產(chǎn)生的采樣電壓Vs也就越大。最大時為M2、M3、M4全部導(dǎo)通。采樣電流具體見下表1 (信號A、B不同狀態(tài)對應(yīng)采樣值)。
【權(quán)利要求】
1.一種可控制的電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、采樣功率NMOS管M3 (5)、采樣功率NMOS管M4 (6)和采樣電阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、采樣功率NMOS管M3 (5)和采樣功率NMOS管M4 (6)的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs (8)的一端接采樣管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源極，另一端接地，其特征在于:采樣功率NMOS管M3 (5)和采樣功率NMOS管M4 (6)的導(dǎo)通狀態(tài)由信號分別被信號A和B控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可控制的電流采樣電路，其特征在于:所述電流采樣電路還包括選擇控制電路(7)，選擇控制電路(7)產(chǎn)生輸出信號A和B。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可控制的電流采樣電路，其特征在于:選擇控制電路(7)為數(shù)字邏輯電路。
【文檔編號】G01R19/25GK104034954SQ201310623386
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2013年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月30日
【發(fā)明者】張俊 申請人:陜西易陽科技有限公司