單芯片推挽橋式磁場傳感器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種單芯片推挽橋式磁場傳感器，該傳感器包括基片、焊盤、磁電阻傳感元件以及通量集中器，其中磁電阻傳感元件位于相鄰?fù)考衅鞯拈g隙處，其釘扎層方向相同，通量集中器分為推臂和挽臂兩種類型，一種與X軸正向的夾角為正，另一種與X軸正向的夾角為負(fù)，該傳感器的工作原理是通過檢測在通量集中器間隙處的磁場大小，來獲得在X軸方向上的磁場差值。該傳感器具有以下優(yōu)點(diǎn)：體積小、成本低、制作簡單、靈敏度高、線性度好、檢測的信號強(qiáng)、工作動態(tài)范圍寬等。
【專利說明】單芯片推挽橋式磁場傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種單芯片推挽橋式磁場傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]TMR (隧道磁電阻，Tunnel MagnetoResistance)傳感器是近年來開始應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域的新型磁電阻效應(yīng)傳感器。該傳感器利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應(yīng)對磁場進(jìn)行感應(yīng)，主要表現(xiàn)在:在磁性多層膜材料中，隨著外磁場大小和方向的變化，磁性多層膜的電阻發(fā)生明顯變化。它比之前所發(fā)現(xiàn)并已實(shí)際應(yīng)用的AMR (各向異性磁電阻，Anisotropic MagnetoResistance )和 GMR (巨磁電阻，Giant MagnetoResistance)傳感器具有更大的電阻變化率，同時(shí)相對于霍爾傳感器具有更好的溫度穩(wěn)定性。
[0003]傳統(tǒng)的TMR或GMR推挽橋式傳感器要求相鄰兩個(gè)橋臂電阻中的磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向相反，而通常沉積在同一基片上的TMR或GMR元件，由于其磁矩翻轉(zhuǎn)所需要的磁場強(qiáng)度大小相同，因此在同一基片上的磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向通常都相同，這使得制作推挽橋式傳感器存在很大困難。目前主要有以下幾種方法來實(shí)現(xiàn)在單一芯片上制備推挽橋式傳感器。
[0004](I)通過采用兩次成膜工藝或者激光加熱輔助磁疇局部翻轉(zhuǎn)法來使臂中磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向相反，從而實(shí)現(xiàn)單一芯片的橋式傳感器。兩次成膜工藝，即分兩次分別沉積釘扎層方向相反的TMR元件，這使得其制作工藝復(fù)雜，并且第二次工藝退火時(shí)會影響第一次沉積的薄膜，這使得前后兩次成膜的一致性差，從而影響傳感器的整體性能。激光加熱輔助磁疇局部翻轉(zhuǎn)法，是指在同一強(qiáng)磁場中退火之后，采用激光對芯片進(jìn)行局部加熱輔助磁矩翻轉(zhuǎn)，來使相鄰臂的釘扎層的磁矩方向相反，從而實(shí)現(xiàn)單一芯片的橋式傳感器。但該方法需要使用專用設(shè)備，設(shè)備昂貴，并且整個(gè)過程耗時(shí)長。
[0005](2)通過傾斜臂上磁電阻傳感元件的自由層的磁矩平衡方向來實(shí)現(xiàn)單一芯片的橋式傳感器。即各臂上磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向相同，相鄰臂上磁電阻傳感元件的自由層的磁化方向不同，但每個(gè)磁電阻傳感元件的自由層的磁化方向與其釘扎層的磁化方向的夾角相同。但此種方法會導(dǎo)致傳感器響應(yīng)的磁場動態(tài)范圍有所減小，從而導(dǎo)致傳感器的靈敏度降低。
[0006](3)多芯片封裝技術(shù):從同一晶圓或是不同晶圓取兩個(gè)一致性好的磁電阻，這兩個(gè)磁電阻的釘扎層的磁化方向相同，然后將其中一個(gè)相對另一個(gè)磁電阻翻轉(zhuǎn)180度進(jìn)行多芯片封裝，構(gòu)成推挽式半橋。該方法能夠?qū)崿F(xiàn)推挽式半橋的功能，即提高了檢測靈敏度，具有溫度補(bǔ)償功能，但是另一方面多芯片封裝，封裝尺寸大，生產(chǎn)成本高，并且實(shí)際封裝時(shí)不能嚴(yán)格的進(jìn)行180度翻轉(zhuǎn)，即兩個(gè)電阻的靈敏度方向不是嚴(yán)格的相差180度，這使得兩個(gè)電阻隨外場變化的輸出特性不相同，出現(xiàn)靈敏度不同，存在比較大的偏置電壓等不對稱問題，這樣在實(shí)際應(yīng)用中就會帶來新的問題。
[0007]此外，推挽橋式傳感器具有比單電阻、參考橋式傳感器更高的靈敏度，還具有溫度補(bǔ)償功能，能夠抑制溫度漂移的影響。而現(xiàn)有技術(shù)中的推挽橋式磁場傳感器使用的是永磁體對磁電阻元件的磁化方向進(jìn)行偏置，該傳感器成本高、偏移量大，并且不適用于高強(qiáng)度的磁場。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問題，提供一種體積小、成本低、靈敏度高、線性度好、制作簡單的單芯片推挽橋式磁場傳感器。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0010]一種單芯片推挽橋式磁場傳感器，該傳感器包括:一位于XY平面內(nèi)的基片、至少一個(gè)由一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感元件組成的推臂和至少一個(gè)由一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感元件組成的挽臂、多個(gè)設(shè)置在所述基片上的推臂通量集中器和挽臂通量集中器，其中多個(gè)推臂通量集中器兩兩之間和多個(gè)挽臂通量集中器兩兩間均設(shè)置有一定的間隙。其中，XY平面由坐標(biāo)軸X軸和Y軸來定義。所述推臂通量集中器與X軸正向的夾角為正，而所述挽臂通量集中器與X軸正向的夾角為負(fù)，或者推臂通量集中器與X軸正向的夾角為負(fù)，而挽臂通量集中器與X軸正向的夾角為正。所述磁電阻傳感兀件的磁性釘扎層的磁化方向相同；各磁電阻傳感元件均分別對應(yīng)地位于兩個(gè)相鄰?fù)票弁考衅骰騼蓚€(gè)相鄰?fù)毂弁考衅髦g的間隙處，以檢測所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器之間的磁場在X軸方向上分量的差值；所述磁電阻傳感元件通過微電子連接和電子封裝方法形成推挽電橋，并進(jìn)行輸入輸出連接。
[0011]優(yōu)選地,所述磁電阻傳感元件為GMR或者TMR傳感元件。
[0012]優(yōu)選地，在沒有外加磁場時(shí)，所述磁電阻傳感元件通過永磁偏置、雙交換作用、形狀各向異性或者它們的任 意結(jié)合來使磁性自由層的磁化方向與磁性釘扎層的磁化方向垂直。
[0013]優(yōu)選地，所述推臂和所述挽臂上的磁電阻傳感元件的數(shù)量相同并且兩者的相對位置上的磁電阻傳感元件之間相互平行。
[0014]優(yōu)選地，所述推臂和所述挽臂上的磁電阻元件彼此的旋轉(zhuǎn)角度的幅度相同，但方向不同。
[0015]優(yōu)選地，所述推臂通量集中器與X軸正向的夾角為5° ^85°，所述挽臂通量集中器與X軸正向的夾角為-5°~-85°。
[0016]優(yōu)選地，所述推挽電橋?yàn)榘霕?、全橋或者?zhǔn)橋。
[0017]優(yōu)選地，所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器均為細(xì)長條形陣列，其組成材料為選自N1、Fe、Co和Al中的一種或幾種兀素組成的軟鐵磁合金。
[0018]優(yōu)選地，所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器的數(shù)量相同。
[0019]優(yōu)選地，所述微電子連接和封裝方法包括焊盤引線框、倒裝芯片、球柵陣列技術(shù)、圓片級封裝以及板上芯片直裝式。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0021](I)電橋橋臂中的磁電阻傳感元件的釘扎層的磁化方向相同，所以無需采用兩次成膜或退火等工藝，就可以實(shí)現(xiàn)在單一芯片上制備。
[0022](2)采用多個(gè)細(xì)長條形通量集中器，能使傳感器具有良好的線性度和高靈敏度，也使得傳感器的輸出不容易達(dá)到飽和狀態(tài)，從而增大了傳感器工作的動態(tài)范圍，此外在長條形通量集中器的間隙處能放置更多的磁電阻元件，從而降低了噪聲；
[0023](3)與現(xiàn)有技術(shù)中的推挽橋式磁傳感器相比，本發(fā)明中的推挽橋式磁場傳感器使用的是通量集中器而不是永磁體，所以成本更低，并且本設(shè)計(jì)的推挽橋式磁場傳感器不需要在不同方向旋轉(zhuǎn)，因而更易于橋臂匹配，從而偏移量更小，此外由于所使用的磁電阻傳感元件的尺寸很小(例如0.1x10 um)，使得該設(shè)計(jì)更適用于高強(qiáng)度的磁場。
[0024](4)相對于現(xiàn)有的參考橋式磁場傳感器而言,本發(fā)明中的推挽橋式磁場傳感器的線性度更好、所檢測的信號更強(qiáng)、工作的動態(tài)范圍更寬。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中單芯片橋式磁場傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2為本實(shí)用新型中的單芯片推挽全橋磁場傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖3為本實(shí)用新型中的單芯片推挽全橋磁場傳感器的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖4為本實(shí)用新型中的單芯片推挽全橋磁場傳感器在Y軸方向磁場中的磁場分布圖。
[0030]圖5為本實(shí)用新型中的單芯片推挽全橋磁場傳感器在X軸方向磁場中的磁場分布圖。
[0031]圖6為本實(shí)用新型中的單芯片推挽全橋磁場傳感器和單芯片參考橋式磁場傳感器的響應(yīng)曲線。
[0032]圖7為本實(shí)用新型的全橋電路圖。
[0033]圖8為本實(shí)用新型的半橋電路圖。
[0034]圖9為本實(shí)用新型的準(zhǔn)橋電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的一種單芯片橋式磁場傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。該結(jié)構(gòu)包括基片1、兩個(gè)屏蔽層2、感應(yīng)元件3、參考元件4，兩個(gè)屏蔽層2之間具有間隙5。4個(gè)用于輸入輸出的焊盤6-9，依次分別作為電源供應(yīng)端Vbias、接地端GND、電壓輸出端V+和V-，其感應(yīng)軸方向?yàn)?10。參考元件4位于屏蔽層2的下方，感應(yīng)元件3位于兩個(gè)屏蔽層2之間的間隙5處，屏蔽層2的形狀為方形。感應(yīng)元件3之間連接構(gòu)成感應(yīng)臂，參考元件4之間連接構(gòu)成參考臂?；琁在沿著感應(yīng)軸方向110具有很大的長度，并且感應(yīng)元件3和參考元件4相距較遠(yuǎn)，也就是感應(yīng)臂和參考臂之間的間距比較大，并且二者之間只有一個(gè)間隙5，這會造成芯片上的空間浪費(fèi)，也使得芯片的尺寸比較大，此種設(shè)計(jì)而成的芯片尺寸大小約為2mmX 0.5mm。并且，由于感應(yīng)臂和參考臂之間的間距比較大，會使得電橋難以平衡，并且會導(dǎo)致這兩臂上的溫度不同，從而導(dǎo)致其溫度補(bǔ)償功能降低。此外，由于采用了方形的屏蔽層2，會致使傳感器更容易達(dá)到磁場的飽和狀態(tài)，在屏蔽層2的中心附近就會開始產(chǎn)生非均勻的飽和磁場，并且在間隙5附近會產(chǎn)生磁滯，從而降低了傳感器的線性度。[0036]現(xiàn)有技術(shù)中也出現(xiàn)了解決上述問題的方法，但并不是很完善。例如，中國專利申請201310203311.3公開了一種單芯片參考橋式磁場傳感器,該傳感器包括相互交錯(cuò)排放的參考元件串和感應(yīng)元件串、長條形的屏蔽結(jié)構(gòu)，參考元件串位于屏蔽結(jié)構(gòu)的下方，感應(yīng)元件串位于兩個(gè)屏蔽結(jié)構(gòu)之間的間隙處。這種結(jié)構(gòu)的傳感器雖然能解決上述問題，但與本發(fā)明相t匕，其線性度不夠好，所檢測的信號也不夠強(qiáng)，并且很難控制其偏移量。
[0037]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型的
【發(fā)明內(nèi)容】
作進(jìn)一步的描述。
[0038]實(shí)施例1
[0039]圖2為本實(shí)用新型的單芯片推挽全橋磁場傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。該傳感器包括基片1、用于輸入輸出的焊盤6-9、多個(gè)傾斜設(shè)置在基片I上面的推臂通量集中器12和挽臂通量集中器13、以及分別位于相鄰兩個(gè)推臂通量集中器之間的間隙14和相鄰兩個(gè)挽臂通量集中器之間的間隙15處的磁電阻傳感元件10和11。磁電阻傳感元件10和11為GMR或者TMR磁電阻傳感元件，其形狀可以為方形、菱形或者橢圓形，磁電阻傳感元件10和磁電阻傳感元件11的個(gè)數(shù)相同并且相對應(yīng)的磁電阻傳感元件10與11相互平行,這些磁電阻傳感元件的磁性釘扎層的磁化方向相同，均為110。在沒有外加磁場時(shí)，磁電阻傳感元件10和11通過永磁偏置、雙交換作用、形狀各向異性或者它們的任意結(jié)合來使磁性自由層的磁化方向與磁性釘扎層的磁化方向垂直，用于檢測推臂通量集中器和挽臂通量集中器之間的磁場在X軸方向上分量的差值。磁電阻傳感兀件10和11與焊盤6-9電連接形成一個(gè)全橋,該全橋包括兩個(gè)推臂和兩個(gè)挽臂，其中，磁電阻傳感元件10構(gòu)成的橋臂為推臂，磁電阻傳感元件11構(gòu)成的橋臂為挽臂。推臂通量集中器12和挽臂通量集中器13為細(xì)長條形陣列，它們的組成材料為選自N1、Fe、Co和Al中的一種或幾種元素組成的軟鐵磁合金，但不限于以上材料。推臂通量集中器12與X軸正向的夾角為16，優(yōu)選的，其取值范圍為5°、5°，在本實(shí)施例中為45° ;挽臂通量集中器13與X軸正向的夾角17的取值范圍為-5°?-85°，在本實(shí)施例中為-45°。優(yōu)選地，本發(fā)明的芯片尺寸大小為0.5mm X 0.5mm，。此外，根據(jù)應(yīng)用需求的不同，芯片的尺寸還可以小于0.5_ X 0.5_。在本實(shí)施例中，間隙14和15的大小為20um，推臂通量集中器12和挽臂通量集中器13的寬度均為20um，厚度為10um，磁電阻傳感元件(10，11)的尺寸大小為15um X 1.5um。
[0040]本實(shí)施例中是采用焊盤來進(jìn)行輸入輸出連接，也可以采用倒裝芯片、球柵陣列技術(shù)、圓片級封裝以及板上芯片直裝式等微電子連接和封裝方法。
[0041]圖3為本實(shí)用新型的單芯片推挽全橋磁場傳感器的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。圖2中的磁電阻元件10和11分別旋轉(zhuǎn)+45°和-45°便得到了本圖所示的結(jié)構(gòu)，圖3所示的結(jié)構(gòu)與圖2的區(qū)別在于，磁電阻元件10和11分別與推臂通量集中器12和挽臂通量集中器13平行。
[0042]與現(xiàn)有技術(shù)中的方形結(jié)構(gòu)相比，本實(shí)用新型采用長條形結(jié)構(gòu)的通量集中器更有效的利用了空間，磁滯更低，能使傳感器具有良好的線性度和高靈敏度，也使得傳感器的輸出不容易達(dá)到飽和狀態(tài)，從而增大了傳感器工作的動態(tài)范圍，此外在其間隙處能放置更多的磁電阻元件，從而降低了噪聲。
[0043]實(shí)施例2
[0044]圖4為本實(shí)用新型的單芯片推挽全橋磁場傳感器在Y軸方向磁場中的磁場分布圖。圖中外加磁場的方向100與Y軸平行，測量方向101與X軸平行。從圖中可以看出，進(jìn)入到傳感器里面的外加磁場被推臂通量集中器12和挽臂通量集中器13進(jìn)行了偏置，其中，在推臂通量集中器12之間的間隙14處的磁場方向?yàn)?02，在挽臂通量集中器13之間的間隙15處的磁場方向?yàn)?03。磁場方向102與103關(guān)于Y軸對稱。在本實(shí)施例中，外加磁場By=100G，所測得的 X 軸磁場大小 BX+=90G，BX_=_90G，則增益系數(shù) Axy=Bx/By= ( Bx+- BxJ/By=180/100=1.8，這比現(xiàn)有技術(shù)中單芯片參考橋式磁場傳感器的增益系數(shù)要大，所得到的增益系數(shù)與推臂通量集中器12和挽臂通量集中器13的尺寸大小和間隙大小有關(guān)。
[0045]圖5為本實(shí)用新型的單芯片推挽全橋磁場傳感器在X軸方向磁場中的磁場分布圖。圖中外加磁場的方向以及測量方向均為與X軸平行的方向101。在推臂通量集中器12間隙14處的磁場方向?yàn)?04,在挽臂通量集中器13間隙15處的磁場方向?yàn)?05。磁場方向104與105關(guān)于X軸對稱。在本實(shí)施例中，外加磁場Bx=IOO G，所測得的X軸磁場大小BX+=101G，BX_=-101G，則增益系數(shù) Axx=( Bx+- BxJ /Bx= (101-101)/100=0,由此可見兩個(gè)橋臂上的磁場在X軸分量相互抵消，將不能檢測到X軸磁場信號。
[0046]圖6為本實(shí)用新型的單芯片推挽全橋磁場傳感器和單芯片參考橋式磁場傳感器的響應(yīng)曲線。曲線20為本發(fā)明的單芯片推挽全橋磁場傳感器的響應(yīng)曲線，曲線21為單芯片參考橋式磁場傳感器的響應(yīng)曲線。從圖中可以看出，曲線20關(guān)于原點(diǎn)對稱，而曲線21不對稱，這限制了傳感器的線性范圍。此外，本實(shí)用新型的單芯片推挽全橋磁場傳感器的線性度要更好，檢測的信號強(qiáng)度也更強(qiáng)，靈敏度也更高，動態(tài)工作范圍更寬。
[0047]實(shí)施例3
[0048]圖7為本實(shí)用新型的單芯片推挽全橋磁場傳感器的電路示意圖。若干個(gè)磁電阻傳感元件10電連接構(gòu)成等效磁電阻R18和R18’，若干個(gè)磁電阻傳感元件11電連接構(gòu)成等效磁電阻R19和R19’，這四個(gè)磁電阻連接構(gòu)成全橋。它們的磁性釘扎層的磁化方向相同，相對位置的磁電阻(R18和R18’，R19和R19’ )的磁性自由層的磁化方向相同,相鄰位置的磁電阻(R18和R19，R18和R19，，R18，和R19，R18，和R19，)的磁性自由層的磁化方向不同。當(dāng)沿著磁電阻傳感元件10和11的敏感方向施加外磁場時(shí)，磁電阻R18和R18’的阻值變化情況會與磁電阻R19和R19’的阻值變化相反,從而構(gòu)成推挽輸出。該全橋的輸出電壓
[0049]
【權(quán)利要求】
1.一種單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，它包括: 一位于XY平面內(nèi)的基片，其中XY平面由坐標(biāo)軸X軸和Y軸來定義； 至少一個(gè)由一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感元件組成的推臂； 至少一個(gè)由一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感元件組成的挽臂； 多個(gè)設(shè)置在所述基片上的推臂通量集中器和挽臂通量集中器，多個(gè)所述推臂通量集中器兩兩之間和多個(gè)挽臂通量集中器兩兩間均設(shè)置有一定的間隙，其中，所述推臂通量集中器與X軸正向的夾角為正而所述挽臂通量集中器與X軸正向的夾角為負(fù)，或者所述推臂通量集中器與X軸正向的夾角為負(fù)，而所述挽臂通量集中器與X軸正向的夾角為正； 所述磁電阻傳感元件的磁性釘扎層的磁化方向相同； 各磁電阻傳感元件均分別對應(yīng)地位于兩個(gè)相鄰?fù)票弁考衅骰騼蓚€(gè)相鄰?fù)毂弁考衅髦g的間隙處，以檢測所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器之間的磁場在X軸方向上分量的差值； 所述磁電阻傳感元件通過微電子連接和電子封裝方法形成推挽電橋，并進(jìn)行輸入輸出連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，所述磁電阻傳感元件為GMR或者TMR傳感元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，在沒有外加磁場時(shí)，所述磁電阻傳感元件通過永磁偏置、雙交換作用、形狀各向異性或者它們的任意結(jié)合來使磁性自由層的磁化方向與磁性釘扎層的磁化方向垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，所述推臂和所述挽臂上的磁電阻傳感元件的數(shù)量相同并且兩者的相對位置上的磁電阻傳感元件之間相互平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，所述推臂和所述挽臂上的磁電阻元件彼此的旋轉(zhuǎn)角度的幅度相同，但方向不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，所述推臂通量集中器與X軸正向的夾角為5° ^85°，所述挽臂通量集中器與X軸正向的夾角為-5° ~-85。。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，所述推挽電橋?yàn)榘霕颉⑷珮蚧蛘邷?zhǔn)橋。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器均為細(xì)長條形陣列，其組成材料為軟鐵磁合金，所述軟鐵磁合金包含有N1、Fe、Co和Al中的一種或幾種元素。
9.根據(jù)權(quán)利要求1，4及8中任一項(xiàng)所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器的數(shù)量相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于，所述微電子連接和封裝方法包括焊盤引線框、倒裝芯片、球柵陣列技術(shù)、圓片級封裝以及板上芯片直裝式。
【文檔編號】G01R33/09GK203587785SQ201320459796
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月30日
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