一種陣列晶體模塊的制作方法
【專利摘要】一種陣列晶體模塊，陣列晶體模塊包括若干單元晶體條，陣列晶體模塊的外觀立體形狀為錐形臺或為直四棱柱與錐形臺的結合，錐形臺用以與光電器件耦合，錐形臺包括與光電器件耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，第一底面的面積小于第一頂面的面積。本實用新型能夠在保證探測效率的前提下，解決因光電轉換器件有效探測面積小于封裝面積而帶來的晶體光輸出損失的問題。保證了探測器的靈敏度和性能。
【專利說明】—種陣列晶體模塊
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及正電子發(fā)射斷層成像設備領域，尤其涉及一種陣列晶體模塊。
【背景技術】
[0002]閃爍晶體是能夠將X射線粒子、Y射線粒子轉換成可見光光子的物質，常見的有BGO、NaI (Tl)、CsI (Tl)、LS0/LYS0、PffO等，它們通常具有對放射線吸收能力強、光輸出量較大、輸出光子數(shù)與所吸收的射線能量成線性關系等特性。
[0003]閃爍晶體常與光電轉換器件組成探測器，應用于核醫(yī)學、環(huán)境監(jiān)測、海關安檢，地質勘探等領域。這種探測器中，閃爍晶體吸收射線能量，并產(chǎn)生與該能量對應的一定數(shù)量的可見光光子，光電器件用于接受該批次光子并轉換成電信號，后續(xù)電路通過對電信號的分析獲取射線的能量、時間等信息。電信號的信噪比與光電器件接受到的光子數(shù)直接相關，也直接影響了探測器的性能。這類探測器在設計希望能夠將閃爍晶體中所形成的光子都接受并轉換為電信號，以提高探測器的性能。
[0004]在正電子發(fā)射斷層成像(Positron Emission Tomography,簡稱PET)中，更多的閃爍晶體輸出光進入光電器件中，能夠提高系統(tǒng)對Y光子能量信息的獲取精度，從而提高成像質量。因此，尋求使閃爍晶體輸出光盡可能進入光電器件的方法或者探測結構，對于提升PET系統(tǒng)性能有重要意義。
[0005]針對實際應用，光電轉換器通常排布在一起，構成大探測面積的陣列光電轉換面，目前常見的有硅光電倍增器、雪崩光電二極管、光電倍增器等。這類光電器件，光電接受面相對于整體表面要小，在構成陣列光電轉換面時，探測面中存在光電探測死區(qū)，使得光電探測面不連續(xù)，部分區(qū)域無法接受光子。例如，圖1中一 3x3mm2有效工作區(qū)域100的硅光電倍增器，其整體封裝表面200通常達到4x4mm2。當使用這一光電器件組成光電轉換陣列時，所形成的陣列光電探測面是不連續(xù)的，之間隔有封裝死區(qū)。因此，在設計針對此類光電轉換陣列的探測器結構時，如果采用單個晶體對多個光電器件的耦合方式，會導致晶體條中形成的部分可見光光子到達封裝死區(qū)而無法形成有效的電信號，進而帶來探測器性能的下降。
[0006]有鑒于此，實際應用中通常將晶體條與光電器件一對一耦合，并排列構成陣列，通過檢測光電器件的輸出信號實現(xiàn)高能粒子的相關信息的獲取。目前，針對上述使用情況陣列晶體的構成方式主要分為兩種:
[0007]—種是采用與光電器件封裝尺寸一致的晶體條構成陣列晶體。如圖2所示，該陣列晶體中單根晶體條300的尺寸與單個光電器件400的整體尺寸保持一致，設有有效探測區(qū)域500。這種晶體忽略了光電探測器的探測死區(qū)，使得晶體中所形成的部分光子無法被光電器件所接受，性能有所下降。但這種探測器因晶體條與晶體條之間的間隙較小，用于探測聞能粒子的閃爍晶體的體積較大，探測效率聞。
[0008]另一種是使用與光電器件600的有效探測區(qū)域700相同尺寸的晶體條800耦合方式，如圖3所示。該方式下晶體條的光輸出面與光電器件有效探測區(qū)域700完美耦合，不存在光電器件探測死區(qū)帶來的性能下降的問題。但晶體條與晶體條之間的間隔較大，用于探測高能粒子的閃爍晶體的體積較小，探測效率低。
[0009]因此，針對上述技術問題，有必要提供一種改良結構的陣列晶體模塊，以克服上述缺陷。
實用新型內容
[0010]有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種能在保證探測效率的前提下有效解決晶體光輸出損失問題的陣列晶體模塊。
[0011]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案:
[0012]一種陣列晶體模塊，用以與光電器件耦合，所述陣列晶體模塊包括若干單元晶體條，所述陣列晶體模塊的外觀立體形狀為錐形臺或者為一多邊體與錐形臺的結合，所述錐形臺用以與光電器件耦合，所述相鄰兩個單元晶體條的錐形臺之間形成開口朝向光電器件的倒“V”型，所述錐形臺包括與光電器件耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，所述第一底面的面積小于第一頂面的面積。
[0013]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述多邊體為直四棱柱或六棱柱或三棱柱。
[0014]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，當所述各單元晶體條的外觀立體形狀僅為錐形臺時，所述第一頂面與第一底面相互平行。
[0015]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，當所述各單元晶體條的外觀立體形狀為多邊體與錐形臺的結合時，所述多邊體與錐形臺為一體式結構。
[0016]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，當所述各單元晶體條的外觀立體形狀為多邊體與錐形臺的結合時，所述單元晶體條由多邊體晶體條與錐形臺晶體條耦合而成。
[0017]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述多邊體晶體條與錐形臺晶體條之間通過光導或玻璃或晶體進行耦合。
[0018]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述若干單元晶體條組合構成一多邊體晶體單元和一錐形臺晶體單元，所述陣列晶體模塊由多邊體晶體單元和錐形臺晶體單元耦合而成，所述錐形臺晶體單元包括用于與光電器件耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，所述多邊體晶體單元包括用于與第一頂面耦合的第二底面以及與第二底面相對的第
二頂面。
[0019]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述多邊體晶體單元和錐形臺晶體單元各自耦合面的形狀與面積完全相同。
[0020]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述第二底面與第一頂面之間采用光學膠水直接耦合。
[0021]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述第二底面與第一頂面之間通過光導或玻璃或晶體材料進行耦合。
[0022]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述第一頂面與第二底面的尺寸和形狀完全一致。
[0023]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述第一頂面與第二底面的形狀一致，所述第二底面的面積小于第一頂面的面積。
[0024]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，所述第一底面與第二頂面相互平行。
[0025]優(yōu)選的,在上述陣列晶體模塊中，所述錐型臺晶體單元能由錐型臺玻璃單元或者錐型臺光導單元替換。
[0026]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，在采用單元晶體條構成陣列晶體時，晶體條相連的面之間全部涂上光反射材料進行光隔離處理。
[0027]優(yōu)選的，在上述陣列晶體模塊中，在采用單元晶體條構成陣列晶體時，所述晶體條相連的面之間一部分區(qū)域涂上光反射材料進行光隔離處理，所述晶體條相連的面之間剩余其他部分區(qū)域形成開窗部，使得所述其中一個單元晶體條的一部分可見光光子會通過開窗部進入到另一個單元晶體條中。
[0028]從上述技術方案可以看出，本實用新型實施例的陣列晶體模塊，通過錐形臺設計，可以使晶體原本會損失在光電耦合面上的光經(jīng)過反射進入光電器件，減小了晶體的光輸出面使之與光電器件的有效面相符，既保證了探測器的探測效率不會受到很大影響，也提高了進入光電器件的光子數(shù)量，有效地解決因光電轉換器件有效面積小于封裝面積而帶來的晶體光輸出損失的問題，從而保證了探測器的靈敏度與能量信息獲取精度，優(yōu)化系統(tǒng)性能，同時，通過改進新型陣列晶體中晶體條之間的接合方式，引入開窗部的設計，使得受激的單元晶體條的可見光光子會有一部分進入到相鄰的單元晶體條中，進而被其對應的光電器件探測到，這樣，根據(jù)相鄰光電器件產(chǎn)生的信號，就可以獲取受激的單元晶體條的能量沉積信肩、O
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的有關本實用新型的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為現(xiàn)有技術中一種硅光電倍增器的有效探測區(qū)域與外圍封裝的對比示意圖；
[0031]圖2為現(xiàn)有技術中采用傳統(tǒng)陣列晶體與光電器件耦合的示意圖；
[0032]圖3為現(xiàn)有技術中采用離散晶體條與光電器件耦合的示意圖；
[0033]圖4為本實用新型陣列晶體模塊與光電器件耦合的示意圖；
[0034]圖5為本實用新型陣列晶體模塊的立體示意圖；
[0035]圖6為本實用新型陣列晶體模塊開窗部位的示意圖；
[0036]圖7為本實用新型陣列晶體模塊中錐形臺的平面圖。
【具體實施方式】
[0037]本實用新型公開了一種陣列晶體模塊，該陣列晶體模塊能夠在保證探測效率的前提下，解決因光電轉換器件有效探測面積小于封裝面積而帶來的晶體光輸出損失的問題，保證了探測器的靈敏度和性能。
[0038]該陣列晶體模塊，用以與光電器件耦合，所述陣列晶體模塊包括若干單元晶體條，所述陣列晶體模塊的外觀立體形狀為錐形臺或者為一多邊體與錐形臺的結合，所述錐形臺用以與光電器件耦合，所述相鄰兩個單元晶體條的錐形臺之間形成開口朝向光電器件的倒“V”型，所述錐形臺包括與光電器件耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，所述第一底面的面積小于第一頂面的面積。[0039]所述多邊體為直四棱柱或六棱柱或三棱柱等其他形狀。
[0040]當所述各單元晶體條的外觀立體形狀僅為錐形臺時，所述第一頂面與第一底面相互平行。
[0041]當所述各單元晶體條的外觀立體形狀為多邊體與錐形臺的結合時，所述多邊體與錐形臺可以為一體式結構，也可以為分體式結構。
[0042]當所述多邊體與錐形臺為分體式結構時，所述多邊體與錐形臺可以是由單個晶體條耦合而成，即由單個多邊體晶體條與單個錐形臺晶體條耦合而成，最后將耦合后的晶體條組裝組成陣列晶體模塊。所述多邊體晶體條與錐形臺晶體條之間通過光導或玻璃或晶體進行耦合。
[0043]當然，也可以先用若干單元晶體條組合構成一多邊體晶體單元和一錐形臺晶體單元，然后再將多邊體晶體單元和錐形臺晶體單元耦合。所述錐形臺晶體單元包括用于與光電器件耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，所述多邊體晶體單元包括用于與第一頂面耦合的第二底面以及與第二底面相對的第二頂面。所述第二底面與第一頂面之間可以采用光學膠水直接耦合。所述第二底面與第一頂面之間除了光學膠水外，還可以通過光導或玻璃或晶體等其他材料進行耦合。所述第一頂面與第二底面的尺寸和形狀可以完全一致。所述第一頂面與第二底面的尺寸和形狀也可以部分一致，比如所述第一頂面與第二底面的形狀一致，所述第二底面的面積小于第一頂面的面積。所述第一底面與第二頂面相互平行。
[0044]所述多邊體晶體單元和錐形臺晶體單元各自耦合面的形狀與面積完全相同。
[0045]所述錐型臺晶體單元可以由錐型臺玻璃單元或者錐型臺光導單元替換。
[0046]在采用單元晶體條構成陣列晶體時，晶體條相連的面之間可以全部涂上光反射材料進行光隔離處理。
[0047]當然，在采用單元晶體條構成陣列晶體時，所述晶體條相連的面之間可以一部分區(qū)域涂上光反射材料進行光隔離處理，所述晶體條相連的面之間剩余其他部分區(qū)域形成開窗部，使得所述其中一個單元晶體條的一部分可見光光子會通過開窗部進入到另一個單元晶體條中。
[0048]由于所述多邊體可以為直四棱柱或六棱柱或三棱柱等其他形狀，任何模具可切割的形狀都是本實用新型保護范圍可囊括的范圍。下面將以多邊體中的直四棱柱為例，并結合具體的附圖對本實用新型實施例中的技術方案進行詳細地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0049]如圖4及圖5所示，本實用新型公開的陣列晶體模塊用以與光電器件耦合，所述陣列晶體模塊包括若干單元晶體條10，各單元晶體條10的外觀立體形狀為單獨的錐形臺12的形狀，或者為直四棱柱11與錐形臺12的結合的形狀。錐形臺12用以與光電器件20耦合。本實用新型附圖中顯示的是直四棱柱與錐形臺相結合的一種實施例。本實用新型的保護范圍并不因為附圖而限縮，單獨錐形臺或者任何多邊形與錐形臺結合的其他技術方案均在本實用新型的保護范圍之內。
[0050]如圖4所示，錐形臺12同光電器件20的耦合端采用傾角設計，即各單元晶體條10的錐形臺12設有構成所述傾角設計的斜邊121，斜邊121設于各單元晶體條的錐形臺與光電器件耦合的一端。所述相鄰兩個單元晶體條的錐形臺之間形成開口朝向光電器件的倒“V”型。通過采用傾角設計，根據(jù)光電器件特性進行傾角角度設定，可以使晶體原本會損失在光電稱合面30上的光經(jīng)過反射進入光電器件20,減小了晶體的光輸出面使之與光電器件20的有效面相符，既保證了探測器的探測效率不會受到很大影響，也提高了進入光電器件20的光子數(shù)量。
[0051]錐形臺12包括與光電器件20耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，所述第一底面的面積小于第一頂面的面積。當所述各單元晶體條的外觀立體形狀僅為錐形臺時，所述第一頂面與第一底面相互平行。所述第一頂面與第一底面為矩形或圓形或橢圓形或正六邊形，正五邊形等多邊形。只要是工藝可以切割成的形狀，且滿足第一頂面(靠向探測源的一面)面積大于第一底面(靠向光電器件的一面)面積的即可。
[0052]當所述各單元晶體條10的外觀立體形狀為直四棱柱11與錐形臺12的結合時，直四棱柱11與錐形臺12可以設置為一體式結構，也可以設置為分體式結構。
[0053]當直四棱柱11與錐形臺12為分體式結構時，單元晶體條由直四棱柱晶體條與錐形臺晶體條耦合而成，然后再將各個耦合后的單元晶體條進行組合，進而構成陣列晶體模塊。多邊體晶體條與錐形臺晶體條之間通過光導或玻璃或晶體進行耦合
[0054]當直四棱柱11與錐形臺12為分體式結構時，可以先將若干單元晶體條組合構成一直四棱柱晶體單元和一錐形臺晶體單元，然后將直四棱柱晶體單元和錐形臺晶體單元耦合構成陣列晶體模塊。所述錐形臺晶體單元包括用于與光電器件耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，所述直四棱柱晶體單元包括用于與第一頂面耦合的第二底面以及與第二底面相對的第二頂面。
[0055]所述直四棱柱晶體單元和錐形臺晶體單元各自耦合面的形狀與面積完全相同。所述第二底面與第一頂面之間采用光學膠水直接耦合。所述第二底面與第一頂面之間通過光導或玻璃或晶體材料進行耦合。所述第一頂面與第二底面的尺寸和形狀可以完全一致。所述第一頂面與第二底面的尺寸和形狀可以部分一致，比如第一頂面與第二底面的形狀一致，而第二底面的面積小于第一頂面的面積。所述第一底面與第二頂面相互平行。所述錐型臺晶體單元能由錐型臺玻璃單元或者錐型臺光導單元替換
[0056]在采用單元晶體條10構成陣列晶體時，晶體條相連的面之間全部涂上光反射材料進行光隔離處理。
[0057]當然還有另一種方式，即在采用單元晶體條10構成陣列晶體時，所述晶體條相連的面之間一部分區(qū)域涂上光反射材料進行光隔離處理，所述晶體條相連的面之間剩余其他部分區(qū)域形成開窗部40，使得所述其中一個單元晶體條的一部分可見光光子會通過開窗部40進入到另一個單元晶體條中。通過改進新型陣列晶體中晶體條之間的接合方式，引入開窗部40的設計，使得受激的單元晶體條10的可見光光子會有一部分進入到相鄰的單元晶體條10中，進而被其對應的光電器件20探測到，這樣，根據(jù)相鄰光電器件產(chǎn)生的信號，就可以獲取受激的單元晶體條的能量沉積信息。
[0058]當直四棱柱11與錐形臺12為一體式結構時，第一頂面與第一底面重合為一個面。
[0059]當直四棱柱11與錐形臺12為分體式結構時，第一頂面與第一底面為分離的兩個面。[0060]從上述技術方案可以看出，本實用新型實施例的陣列晶體模塊，通過采用傾角設計，可以使晶體原本會損失在光電耦合面上的光經(jīng)過反射進入光電器件，減小了晶體的光輸出面使之與光電器件的有效面相符，既保證了探測器的探測效率不會受到很大影響，也提高了進入光電器件的光子數(shù)量，有效地解決因光電轉換器件有效面積小于封裝面積而帶來的晶體光輸出損失的問題，從而保證了探測器的靈敏度與能量信息獲取精度，優(yōu)化系統(tǒng)性能，同時，通過改進新型陣列晶體中晶體條之間的接合方式，引入開窗部的設計，使得受激的單元晶體條的可見光光子會有一部分進入到相鄰的單元晶體條中，進而被其對應的光電器件探測到，這樣，根據(jù)相鄰光電器件產(chǎn)生的信號，就可以獲取受激的單元晶體條的能量沉積信息。
[0061]下面將仍舊以直四棱柱為例，結合幾個具體的實施例來說明本實用新型的傾角及直四棱柱部分的厚度設計。
[0062]實施例一:
[0063]設計一個臨床PET探測器，使用的光電器件封裝表面面積為4x4mm2，有效工作面積為3x3mm2，預定探測器以追求高時間分辨率為目的。目前商用臨床PET使用常用的LYSO晶體通常厚度在20?35mm之間，太小了靈敏度太低無法滿足探測要求，太大了晶體太厚導致可見光光子在晶體中傳輸損失過大，能量分辨率和時間分辨率都會下降，這里因為探測器追求高時間性能,把晶體總體厚度設定為20mm?22mm。同時，為了保證整塊晶體對于511KeV (PET需要探測的射線能量)射線的靈敏度，直四棱柱厚度一般設定在10?17mm。則晶體錐形臺部分厚度=總厚度-直四棱柱厚度=3?12_，錐形臺的較大底面需要與光電器件封裝表面相符為4x4mm2，較小底面與光電器件有效面積相符為3x3mm2。如圖7所示，可以計算出:傾角=arctan (錐形臺厚度/ (光電器件封裝表面邊長_光電器件光電面邊長))，在4度到18度之間。
[0064]實施例二:
[0065]設計一個核輻射探測器，使用光電器件封裝表面面積為6x6mm2，有效工作面積為3x3mm2，預定探測器追求高靈敏度。為了提高探測器對高能射線的探測效率，晶體的總厚度設置到38?40mm，直四棱柱的厚度設定到30?35mm。同理可以計算出:傾角在17度到45度。
[0066]由此可以推斷光電器件的特征對晶體傾角及直四棱柱厚度的影響:
[0067]光電器件的有效探測面積與其封裝面積的比值越小，則晶體傾角會越大，直四棱柱厚度=晶體總厚度-錐形臺部分厚度，而錐形臺部分厚度和晶體傾角成反相關。
[0068]本實用新型探測器預定性能指標對晶體傾角及直四棱柱厚度的影響:
[0069]如果探測器要求能量分辨率高，光輸出大，那么晶體傾角需要減小，減少被傾斜面反射而消耗的光；如果探測器要求靈敏度高，那么晶體的總體厚度需要增加，直四棱柱厚度也可以增加。在同時要求這兩點時，晶體的傾角范圍在2度到15度之間，直四棱柱厚度在10到30mm之間。
[0070]對于本領域技術人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本實用新型內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。
[0071] 此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
【權利要求】
1.一種陣列晶體模塊，用以與光電器件耦合，所述陣列晶體模塊包括若干單元晶體條，其特征在于:所述陣列晶體模塊的外觀立體形狀為錐形臺或者為一多邊體與錐形臺的結合，所述錐形臺用以與光電器件耦合，所述相鄰兩個單元晶體條的錐形臺之間形成開口朝向光電器件的倒“V”型，所述錐形臺包括與光電器件耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，所述第一底面的面積小于第一頂面的面積。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述多邊體為直四棱柱或六棱柱或三棱柱。
3.根據(jù)權利要求1所述的陣列晶體模塊，其特征在于:當所述各單元晶體條的外觀立體形狀僅為錐形臺時，所述第一頂面與第一底面相互平行。
4.根據(jù)權利要求1所述的陣列晶體模塊，其特征在于:當所述各單元晶體條的外觀立體形狀為多邊體與錐形臺的結合時，所述多邊體與錐形臺為一體式結構。
5.根據(jù)權利要求1所述的陣列晶體模塊，其特征在于:當所述各單元晶體條的外觀立體形狀為多邊體與錐形臺的結合時，所述單元晶體條由多邊體晶體條與錐形臺晶體條耦合--? 。
6.根據(jù)權利要求5所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述多邊體晶體條與錐形臺晶體條之間通過光導或玻璃或晶體進行耦合。
7.根據(jù)權利要求1所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述若干單元晶體條組合構成一多邊體晶體單元和一錐形臺晶體單元，所述陣列晶體模塊由多邊體晶體單元和錐形臺晶體單元耦合而成，所述錐形臺晶體單元包括用于與光電器件耦合的第一底面以及與第一底面相對的第一頂面，所述多邊體晶體單元包括用于與第一頂面耦合的第二底面以及與第二底面相對的第二頂面。
8.根據(jù)權利要 求7所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述多邊體晶體單元和錐形臺晶體單元各自耦合面的形狀與面積完全相同。
9.根據(jù)權利要求7所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述第二底面與第一頂面之間采用光學膠水直接耦合。
10.根據(jù)權利要求7所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述第二底面與第一頂面之間通過光導或玻璃或晶體材料進行耦合。
11.根據(jù)權利要求7所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述第一頂面與第二底面的尺寸和形狀完全一致。
12.根據(jù)權利要求7所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述第一頂面與第二底面的形狀一致，所述第二底面的面積小于第一頂面的面積。
13.根據(jù)權利要求7所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述第一底面與第二頂面相互平行。
14.根據(jù)權利要求7所述的陣列晶體模塊，其特征在于:所述錐型臺晶體單元能由錐型臺玻璃單元或者錐型臺光導單元替換。
15.根據(jù)權利要求1所述的陣列晶體模塊，其特征在于:在采用單元晶體條構成陣列晶體時，晶體條相連的面之間全部涂上光反射材料進行光隔離處理。
16.根據(jù)權利要求1所述的陣列晶體模塊，其特征在于:在采用單元晶體條構成陣列晶體時，所述晶體條相連的面之間一部分區(qū)域涂上光反射材料進行光隔離處理，所述晶體條相連的面之間剩余其他部分區(qū)域形成開窗部，使得所述其中一個單元晶體條的一部分可見光光子會通過開窗部進入 到另一個單元晶體條中。
【文檔編號】G01T1/202GK203414599SQ201320555197
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年9月8日 優(yōu)先權日:2013年9月8日
【發(fā)明者】謝慶國, 曾晨, 奚道明 申請人:蘇州瑞派寧科技有限公司