沖擊電流試驗(yàn)裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】沖擊電流試驗(yàn)裝置，涉及沖擊電流試驗(yàn)領(lǐng)域。它是為了解決在沖擊電流試驗(yàn)中，無(wú)法遠(yuǎn)程控制，功耗大的問(wèn)題。本實(shí)用新型包括控制/顯示電路、通訊電路、CPU、充電A/D采集電路、可控硅控制電路、儲(chǔ)能/濾波電路、IGBT輸出電路、放電A/D采集電路、輸出波形采集反饋電路和IGBT控制電路；充電A/D采集電路的兩個(gè)信號(hào)輸出端分別連接CPU的一號(hào)電信號(hào)輸入端和可控硅控制電路的電信號(hào)輸入端，CPU的控制信號(hào)輸出端連接可控硅控制電路的控制信號(hào)輸入端，所述可控硅控制電路的控制信號(hào)輸出端連接儲(chǔ)能/濾波電路的二號(hào)電信號(hào)輸入端。本實(shí)用新型適用于沖擊電流試驗(yàn)領(lǐng)域。
【專(zhuān)利說(shuō)明】沖擊電流試驗(yàn)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及沖擊電流試驗(yàn)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思想和方法的不斷改進(jìn)，以及高新技術(shù)的應(yīng)用，沖擊電流試驗(yàn)中所遇到的問(wèn)題廣泛受到關(guān)注。
[0003]目前，國(guó)內(nèi)對(duì)于沖擊電流試驗(yàn)的技術(shù)難點(diǎn)在于脈寬調(diào)制閉環(huán)反饋輸出、數(shù)據(jù)分析處理及大功率IGBT控制輸出波形及時(shí)間，存在的問(wèn)題是無(wú)法遠(yuǎn)程控制，功耗大的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型是為了解決在沖擊電流試驗(yàn)中，無(wú)法遠(yuǎn)程控制，功耗大的問(wèn)題，進(jìn)而提供了沖擊電流試驗(yàn)裝置。
[0005]沖擊電流試驗(yàn)裝置，它包括控制/顯示電路1、通訊電路2、CPU3、充電A/D采集電路4、可控硅控制電路5、儲(chǔ)能/濾波電路6、IGBT輸出電路7、放電A/D采集電路9、輸出波形采集反饋電路10和IGBT控制電路11 ；
[0006]控制/顯示電路I的控制信號(hào)輸出端連接通訊電路2的控制信號(hào)輸入端，控制/顯示電路I的顯示信號(hào)輸入端連接通訊電路2的顯示信號(hào)輸出端，所述通訊電路2的通信信號(hào)輸入或輸出端端連接CPU3的通信信號(hào)輸出或輸入端；
[0007]充電A/D米集電路4的兩個(gè)電信號(hào)輸出端分別連接CPU3的一號(hào)電信號(hào)輸入端和可控硅控制電路5的電信號(hào)輸入端，CPU3的控制信號(hào)輸出端連接可控硅控制電路5的控制信號(hào)輸入端，所述可控硅控制電路5的控制信號(hào)輸出端連接儲(chǔ)能/濾波電路6的控制信號(hào)輸入端；儲(chǔ)能/濾波電路6的兩個(gè)電信號(hào)輸出端分別連接IGBT輸出電路7的電信號(hào)輸入端和充電A/D采集電路4的電信號(hào)輸入端，所述IGBT輸出電路7的電信號(hào)輸出端連接負(fù)載的電信號(hào)輸入端，所述負(fù)載的一號(hào)電信號(hào)輸出端連接放電A/D采集電路9的電信號(hào)輸入端，所述放電A/D采集電路9的電信號(hào)輸出端連接CPU3的二號(hào)電信號(hào)輸入端，所述CPU3的IGBT控制信號(hào)輸出端連接IGBT控制電路11的信號(hào)輸入端；負(fù)載的二號(hào)電信號(hào)輸出端連接輸出波形采集反饋電路10的電信號(hào)輸入端，所述輸出波形采集反饋電路10的反饋信號(hào)輸出端連接IGBT控制電路11的反饋信號(hào)輸入端，所述IGBT控制電路11的控制信號(hào)輸出端連接IGBT輸出電路7的控制信號(hào)輸入端。
[0008]本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了高電壓、高電流、高精度顯示、峰值保持設(shè)計(jì)、遠(yuǎn)程控制等功能，具有輸出穩(wěn)定度聞，紋波小，功耗低，可罪性聞等特點(diǎn)，同比提聞了 10%。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】[0010]【具體實(shí)施方式】一:下面結(jié)合圖1說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式所述的沖擊電流試驗(yàn)裝置，它包括控制/顯示電路1、通訊電路2、CPU3、充電A/D采集電路4、可控硅控制電路
5、儲(chǔ)能/濾波電路6、IGBT輸出電路7、放電A/D采集電路9、輸出波形采集反饋電路10和IGBT控制電路11 ；
[0011]控制/顯示電路I的控制信號(hào)輸出端連接通訊電路2的控制信號(hào)輸入端，控制/顯示電路I的顯示信號(hào)輸入端連接通訊電路2的顯示信號(hào)輸出端，所述通訊電路2的通信信號(hào)輸入或輸出端端連接CPU3的通信信號(hào)輸出或輸入端；
[0012]充電A/D米集電路4的兩個(gè)電信號(hào)輸出端分別連接CPU3的一號(hào)電信號(hào)輸入端和可控硅控制電路5的電信號(hào)輸入端，CPU3的控制信號(hào)輸出端連接可控硅控制電路5的控制信號(hào)輸入端，所述可控硅控制電路5的控制信號(hào)輸出端連接儲(chǔ)能/濾波電路6的控制信號(hào)輸入端；儲(chǔ)能/濾波電路6的兩個(gè)電信號(hào)輸出端分別連接IGBT輸出電路7的電信號(hào)輸入端和充電A/D采集電路4的電信號(hào)輸入端，所述IGBT輸出電路7的電信號(hào)輸出端連接負(fù)載的電信號(hào)輸入端，所述負(fù)載的一號(hào)電信號(hào)輸出端連接放電A/D采集電路9的電信號(hào)輸入端，所述放電A/D采集電路9的電信號(hào)輸出端連接CPU3的二號(hào)電信號(hào)輸入端，所述CPU3的IGBT控制信號(hào)輸出端連接IGBT控制電路11的信號(hào)輸入端；負(fù)載的二號(hào)電信號(hào)輸出端連接輸出波形采集反饋電路10的電信號(hào)輸入端，所述輸出波形采集反饋電路10的反饋信號(hào)輸出端連接IGBT控制電路11的反饋信號(hào)輸入端，所述IGBT控制電路11的控制信號(hào)輸出端連接IGBT輸出電路7的控制信號(hào)輸入端。
[0013]上述實(shí)施方式中，沖擊電流技術(shù)主電路采用R— L一C電路充放電原理，產(chǎn)生要求的沖擊電流，根據(jù)GB/T17215要求為主導(dǎo)思想設(shè)計(jì)；采用脈寬調(diào)制技術(shù)，脈寬調(diào)制閉環(huán)反饋輸出，運(yùn)用大功率IGBT器件，相位模糊控制，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、接地和隔離等措施；通過(guò)嵌入式程序、ADC采集反饋計(jì)算處理、一路IGBT模塊控制施加波形和時(shí)間；在電流回路中采樣，通過(guò)峰值保持電路直讀瞬間產(chǎn)生的沖擊電流值；
[0014]硬件方面使用單片機(jī)系統(tǒng)、超大功率IGBT模塊、愛(ài)普科斯放電電容、可靠性高、低功耗設(shè)計(jì)。
[0015]【具體實(shí)施方式】二:本實(shí)施方式對(duì)【具體實(shí)施方式】一所述的沖擊電流試驗(yàn)裝置的進(jìn)一步限定，本實(shí)施方式中，沖擊電流大于1000A且小于6000A。
【權(quán)利要求】
1.沖擊電流試驗(yàn)裝置，其特征在于:它包括控制/顯示電路(I)、通訊電路(2)、CPU(3)、充電A/D采集電路(4)、可控硅控制電路(5)、儲(chǔ)能/濾波電路(6)、IGBT輸出電路(7)、放電A/D采集電路(9 )、輸出波形采集反饋電路(10 )和IGBT控制電路(11);控制/顯示電路(I)的控制信號(hào)輸出端連接通訊電路(2)的控制信號(hào)輸入端，控制/顯示電路(I)的顯示信號(hào)輸入端連接通訊電路(2 )的顯示信號(hào)輸出端，所述通訊電路(2 )的通信信號(hào)輸入或輸出端端連接CPU (3)的通信信號(hào)輸出或輸入端；充電A/D米集電路(4)的兩個(gè)電信號(hào)輸出端分別連接CPU (3)的一號(hào)電信號(hào)輸入端和可控硅控制電路(5)的電信號(hào)輸入端，CPU (3)的控制信號(hào)輸出端連接可控硅控制電路(5)的控制信號(hào)輸入端，所述可控硅控制電路(5)的控制信號(hào)輸出端連接儲(chǔ)能/濾波電路(6)的控制信號(hào)輸入端；儲(chǔ)能/濾波電路(6)的兩個(gè)電信號(hào)輸出端分別連接IGBT輸出電路(7)的電信號(hào)輸入端和充電A/D采集電路(4)的電信號(hào)輸入端，所述IGBT輸出電路(7)的電信號(hào)輸出端連接負(fù)載的電信號(hào)輸入端，所述負(fù)載的一號(hào)電信號(hào)輸出端連接放電A/D采集電路(9)的電信號(hào)輸入端，所述放電A/D米集電路(9)的電信號(hào)輸出端連接CPU (3)的二號(hào)電信號(hào)輸入端，所述CPU (3)的IGBT控制信號(hào)輸出端連接IGBT控制電路(11)的信號(hào)輸入端；負(fù)載的二號(hào)電信號(hào)輸出端連接輸出波形采集反饋電路(10)的電信號(hào)輸入端，所述輸出波形采集反饋電路(10)的反饋信號(hào)輸出端連接IGBT控制電路(11)的反饋信號(hào)輸入端，所述IGBT控制電路(11)的控制信號(hào)輸出端連接IGBT輸出電路(7)的控制信號(hào)輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖擊電流試驗(yàn)裝置，其特征在于:儲(chǔ)能/濾波電路(6)中的沖擊電流大于1000A且小于6000A。
【文檔編號(hào)】G01R31/00GK203444048SQ201320613969
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】吳冬峰, 張俊卿, 鄭啟東, 高紅巖 申請(qǐng)人:黑龍江省電工儀器儀表工程技術(shù)研究中心有限公司