用于生長碘化銫閃爍體的基板的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于生長碘化銫閃爍體的基板，包括基板本體，所述基板本體的上表面設(shè)有光滑平整層，所述基板本體的下表面設(shè)有凹凸不均的漫反射層，且所述基板本體為透明基板本體。通過上述方式，本實用新型使生長在所述基板上的碘化銫閃爍體可以利用常見的防水金屬膜進(jìn)行密封，能夠大大節(jié)約閃爍體的防水密封成本，并提高閃爍體的生產(chǎn)率。
【專利說明】用于生長碘化銫閃爍體的基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于功能薄膜材料的【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，本實用新型涉及一種用于生長碘化銫閃爍體的基板。
【背景技術(shù)】
[0002]無機閃爍體(inorganic scintillator)在福射探測中起著非常重要的作用，廣泛應(yīng)用于影像核醫(yī)學(xué)、核物理、高能物理、工業(yè)CT、油井勘探和安全檢查等領(lǐng)域。目前研究和應(yīng)用最多的是無機閃爍體，而這其中具有高亮度、高分辨率的碘化銫閃爍體應(yīng)用最為廣泛。但是碘化銫材料為吸濕性材料，當(dāng)其吸收空氣中的水分而潮解時，會使得閃爍體的特性，特別是圖像分辨率大大降低，因此，如何有效的封裝閃爍體更尤為重要。而不同的基板其封裝的工藝也都不相同。
[0003]目前，作為代表性的碘化銫閃爍體，是以碳材料為基板來生長碘化銫閃爍體，封裝方式為浜松光子學(xué)株式會社的鍍膜封裝方法，如專利為W099/66348、W002/23219以及JP170092/1998所公布的封裝方法。該碘化銫閃爍體封裝方式首先通過CVD法在碘化銫表面鍍一層厚為IOum的聚對二甲苯層,然后派射一層200nm的SiO2膜,最后CVD法形成一層IOum聚對二甲苯層。
[0004]然而，利用CVD法蒸鍍聚對二甲苯膜及濺射SiO2層作為用來使閃爍體免受濕氣影響的防濕屏障。這種封裝技術(shù)存在生產(chǎn)成本很高和生產(chǎn)率很低。為了解決這個問題，利用防水性好的薄膜進(jìn)行封裝，但由于基板為不透明的碳材料，所以防水薄膜必須是透明材質(zhì)才可以滿足出光要求，因此，這種薄膜即需要很低的水蒸氣透過率，又需要很高的可見光透過率。能夠滿足這些性能條件要求的薄膜非常少，同樣成本也很高。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種用于生長碘化銫閃爍體的基板，使生長在所述基板上的碘化銫閃爍體可以利用常見的防水金屬膜進(jìn)行密封，大大節(jié)約閃爍體的防水密封成本，提高閃爍體生產(chǎn)率。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的一個技術(shù)方案是:提供一種用于生長碘化銫閃爍體的基板，包括基板本體，所述基板本體的上表面設(shè)有光滑平整層，所述基板本體的下表面設(shè)有凹凸不均的漫反射層，且所述基板本體為透明基板本體。
[0007]在本實用新型的一個較佳實施例中，所述光滑平整層的上表面敷設(shè)有增透膜。
[0008]在本實用新型的一個較佳實施例中，所述漫反射層為非各向同性光學(xué)漫反射層。
[0009]在本實用新型的一個較佳實施例中，所述基板本體的材質(zhì)為玻璃。
[0010]在本實用新型的一個較佳實施例中，所述基板本體的厚度為0.5_3mm。
[0011]在本實用新型的一個較佳實施例中，所述光滑平整層的平面度小于等于0.2 mm。
[0012]本實用新型的有益效果是:采用高可見光透過率的材料作為基板材料，使經(jīng)過碘化銫閃爍體轉(zhuǎn)化出來的可見光可以完全的透過基板，從而大大提高閃爍體的亮度性能；在基板的下表面敷設(shè)非各向同性光學(xué)漫反射層，使得閃爍屏外的光源不會在基板的下表面產(chǎn)生反射影像，不會產(chǎn)生偽影等反光現(xiàn)象，能夠大大提高閃爍體的圖像質(zhì)量；同時，也不會因為碘化銫上表面的顆?；蚍庋b薄膜上產(chǎn)生折皺、氣泡等異常而影響其X射線探測器的成像。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型一種用于生長碘化銫閃爍體的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實用新型的碘化銫閃爍體封裝后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、基板本體，2、光滑平整層，3、漫反射層，4、閃爍體層，
5、封裝鋁膜。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對本實用新型的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實用新型的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本實用新型的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0017]請參閱圖1，本實用新型實施例包括:
[0018]一種用于生長碘化銫閃爍體的基板，包括基板本體1，所述基板本體I的厚度為0.5~3mm,在本實施例中,所述基板本體I的材質(zhì)為玻璃，具有一定的防水性，該基板本體I的可見光透過率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于0.1g/m2 ?day-l，且其厚度為2.5mm。
[0019]所述基板本體I的上表面設(shè)有光滑平整層2，所述光滑平整層2的上表面可以敷設(shè)增透膜，用于提高整個基板的 透過率，且所述光滑平整層3的平面度小于等于0.2 mm。
[0020]所述基板本體I的下表面設(shè)有漫反射層3，所述漫反射層3為利用金剛砂打磨或化學(xué)方法(化學(xué)腐蝕)處理形成的非各向同性光學(xué)漫反射層，其反射率小于等于10%，所述非各向同性光學(xué)漫反射層的表面凹凸不均，從而對可見光進(jìn)行無規(guī)則性的反射，使得在所述基板的漫反射層不會反射成像，起到防眩作用，從而提高閃爍體性能。
[0021]如圖2所示，利用本實用新型所述的基板生長碘化銫閃爍體，其中，封裝鋁膜5為軟質(zhì)薄膜，利于密封不規(guī)則高度的閃爍體層4 ;所述閃爍體層4生長在透明的基板本體I上，當(dāng)X射線從上面射下，當(dāng)經(jīng)過閃爍體層4時，會被轉(zhuǎn)化為可見光，可見光可以通過透明的基板本體I射出，從而達(dá)到閃爍體面板的使用功能。
[0022]本實用新型揭示了一種用于生長碘化銫閃爍體的基板，采用高可見光透過率的材料作為基板材料，使經(jīng)過碘化銫閃爍體轉(zhuǎn)化出來的可見光可以完全的透過基板，從而大大提高閃爍體的亮度性能；在基板的下表面敷設(shè)非各向同性光學(xué)漫反射層，使得閃爍屏外的光源不會在基板的下表面產(chǎn)生反射影像，不會產(chǎn)生偽影等反光現(xiàn)象，能夠大大提高閃爍體的圖像質(zhì)量；同時，也不會因為碘化銫上表面的顆?；蚍庋b薄膜上產(chǎn)生折皺、氣泡等異常而影響其X射線探測器的成像。
[0023]以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于生長碘化銫閃爍體的基板，包括基板本體，其特征在于，所述基板本體的上表面設(shè)有光滑平整層，所述基板本體的下表面設(shè)有凹凸不均的漫反射層，且所述基板本體為透明基板本體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述光滑平整層的上表面敷設(shè)有增透膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述漫反射層為非各向同性光學(xué)漫反射層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述基板本體的材質(zhì)為玻璃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述基板本體的厚度為0.5-3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述光滑平整層的平面度小于等于0.2 mm。
【文檔編號】G01T1/20GK203616484SQ201320720026
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月13日
【發(fā)明者】范波, 徐碩, 李明 申請人:江蘇龍信電子科技有限公司