由基體材料形成的細(xì)間距探測器陣列的制作方法
【專利摘要】由基體材料形成的細(xì)間距探測器陣列。根據(jù)第一方法實(shí)施例，一種制品包括探測器陣列。每個(gè)探測器包括探頭端部，該探頭端部適用于接觸集成電路測試點(diǎn)。每個(gè)探頭端部被安裝在探測器手指結(jié)構(gòu)上。陣列的所有探測器手指結(jié)構(gòu)具有相同的材料晶粒結(jié)構(gòu)。探測器手指可具有非線性輪廓和/或被配置作為彈性部件。
【專利說明】由基體材料形成的細(xì)間距探測器陣列
[0001] 相關(guān)申請
[0002] 本申請要求Namburi在2012年3月7日提交的申請?zhí)枮?1/607,893、題為"使用 硅制造細(xì)間距探測器陣列的方法"的美國臨時(shí)專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引入被 結(jié)合于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路設(shè)計(jì)、制造和測試領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施例 涉及用于由基體材料形成的細(xì)間距探測器陣列的系統(tǒng)和方法。

【背景技術(shù)】
[0004] 集成電路測試通常使用細(xì)探測器（fine probe)與集成電路的測試點(diǎn)接觸，以便注 入電信號和/或測量集成電路的電氣參數(shù)。傳統(tǒng)的電路探測器是分別獨(dú)立生產(chǎn)的，并且被 手動(dòng)組裝在對應(yīng)于集成電路上的一部分或全部測試點(diǎn)的陣列中。
[0005] 遺憾的是，由于逐個(gè)生產(chǎn)探測器并將它們組裝為陣列的限制，傳統(tǒng)的集成電路探 測器陣列通常不能實(shí)現(xiàn)小于約50 μ m的間距（例如，探測器與探測器之間的間隔）。此外， 傳統(tǒng)的探測器常常具有不期望的高電感，這會(huì)限制測試信號的頻率。進(jìn)一步地，傳統(tǒng)的集成 電路探測器陣列通常不能在所有的三個(gè)維度中達(dá)到必要的對準(zhǔn)精度。更進(jìn)一步地，傳統(tǒng)探 測器的這種對準(zhǔn)和共面性缺陷不利地限制了探測器的數(shù)量和探測器陣列的總面積，并因此 限制了單次可被測試的集成電路的總面積。例如，以細(xì)間距組裝的單個(gè)傳統(tǒng)集成電路探測 器陣列可能不能接觸大型集成電路（例如，高級微處理器）的全部測試點(diǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 因此，需要用于由基體材料（bulk material)形成的細(xì)間距探測器陣列的系統(tǒng)和 方法。此外還需要用于由基體材料形成的具有細(xì)間距和高位置精度的細(xì)間距探測器陣列的 系統(tǒng)和方法。還存在對于與現(xiàn)有的集成電路設(shè)計(jì)、制造和測試系統(tǒng)和方法兼容和互補(bǔ)的用 于由基體材料形成的細(xì)間距探測器陣列的系統(tǒng)和方法。本發(fā)明的實(shí)施例提供了這些優(yōu)點(diǎn)。
[0007] 與通過添加單個(gè)探測器形成組件來構(gòu)建電子探測器陣列的傳統(tǒng)工藝相反，根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施例通過移除材料形成電子探測器陣列的基礎(chǔ)，來從基體材料形成電子探測器陣 列。
[0008] 根據(jù)第一方法實(shí)施例，一種制品包括探測器陣列。每個(gè)探測器包括適用于接觸集 成電路測試點(diǎn)的探頭端部（probe tip)。每個(gè)探頭端部被安裝在探測器手指結(jié)構(gòu)（probe finger structure)上。陣列的所有探測器手指結(jié)構(gòu)具有相同的材料晶粒結(jié)構(gòu)。探測器手指 可具有非線性輪廓和/或被配置作為彈性部件。
[0009] 根據(jù)一種方法實(shí)施例，具有基本平行的第一和第二表面的基體材料被獲取。探測 器基底被形成在第一表面上。適用于接觸集成電路測試點(diǎn)的探頭端部被形成在探測器基底 上。第二表面被安裝到載體晶片。基體材料的多個(gè)部分被移除，以形成耦合到探測器基底 和探頭端部的探測器手指結(jié)構(gòu)。探測器手指結(jié)構(gòu)涂覆有電耦合到探頭端部的導(dǎo)電金屬。探 頭端部和探測器基底的形成可包括光刻法。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，用于測試集成電路的電子探測器陣列包括多個(gè)獨(dú)立探 測器，該多個(gè)獨(dú)立探測器被機(jī)械耦合并被電絕緣。每個(gè)獨(dú)立探測器包括被功能性地耦合到 探測器手指結(jié)構(gòu)的探頭端部。探頭端部具有與探測器手指結(jié)構(gòu)不同的材料。探頭端部被配 置用于接觸集成電路測試點(diǎn)。每個(gè)探測器手指結(jié)構(gòu)由同一塊基體材料形成。每個(gè)獨(dú)立探測 器涂覆有導(dǎo)電金屬。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 結(jié)合在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且 與本說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。除非另有說明，附圖并未按照比例繪制。
[0012] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性"硅通孔"（TSV)載體晶片的一部分。
[0013] 圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的探測器塊的形成。
[0014] 圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的沿著一個(gè)軸在探測器行之間形成溝槽以形成 探測器塊。
[0015] 圖2C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溝槽形成之后的襯底的一部分的俯視圖。
[0016] 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的探測器塊至載體晶片的芯片焊接（die bonding)〇
[0017] 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的獨(dú)立探測器陣列的截面圖。
[0018] 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的對陣列應(yīng)用導(dǎo)電金屬涂層。
[0019] 圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的移除掩膜層從而暴露出探頭端部。
[0020] 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的探測器陣列的典型應(yīng)用。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的各種實(shí)施例，其中這些實(shí)施例的示例在附圖中被示出。 盡管將結(jié)合這些實(shí)施例描述本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是它們并非意圖將本發(fā)明限制于這些 實(shí)施例。相反，本發(fā)明意圖涵蓋可被包括在由附加的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍 之內(nèi)的替代物、修改和等同物。此外，在下文的本發(fā)明的詳細(xì)描述中，給出了許多具體細(xì)節(jié) 以便幫助徹底理解本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識到，可在不具有這些具體細(xì)節(jié) 的情況下實(shí)施本發(fā)明。在其他實(shí)例中，為了避免不必要地模糊本發(fā)明的各個(gè)方面，眾所周知 的方法、過程、組件和電路未被詳細(xì)描述。
[0022] 注釋和術(shù)語
[0023] 下文詳細(xì)描述的一些部分（例如，圖1-7)被以流程、步驟、邏輯塊、處理、和其他可 在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器上執(zhí)行的對數(shù)據(jù)位的操作的符號表示的形式提供。這些描述和表示是數(shù)據(jù) 處理領(lǐng)域的技術(shù)人員用以有效地向本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員傳達(dá)他們的工作的實(shí)質(zhì)的手段。 流程、計(jì)算機(jī)執(zhí)行的步驟、邏輯塊、處理等被認(rèn)為是導(dǎo)向期望結(jié)果的步驟或指令的自相一致 的序列。這些步驟是需要物理量的物理操控的步驟。通常，盡管非必要地，這些量采用能夠 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中被存儲(chǔ)、傳輸、結(jié)合、比較、或進(jìn)行其他操作的電信號或磁信號的形式。已經(jīng) 數(shù)次證明，原則上出于通用的原因，以位、值、元素、符號、字符、術(shù)語、數(shù)字等來引用這些信 號是非常方便的。
[0024] 但是，應(yīng)當(dāng)牢記的是，所有這些及類似術(shù)語都與適當(dāng)?shù)奈锢砹肯嚓P(guān)聯(lián)，并且僅僅是 應(yīng)用于這些量的方便的標(biāo)注。除非明確說明，否則如在下面的討論中清楚表明的，貫穿本發(fā) 明，使用諸如"獲取"、"形成"、"安裝"、"移除"、"涂覆"、"附加"、"處理"、"分離"、"粗糙化"、 "填充"、"實(shí)施"、"生成"、"調(diào)整"、"創(chuàng)建"、"執(zhí)行"、"繼續(xù)"、"索引"、"計(jì)算"、"轉(zhuǎn)化"、"演算"、 "確定"、"測量"、"收集"、"運(yùn)行"等術(shù)語的討論都是指計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或類似電子計(jì)算設(shè)備的動(dòng) 作或處理，這些計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或類似電子計(jì)算設(shè)備操控計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的寄存器和存儲(chǔ)器中的表 示為物理（電子）量的數(shù)據(jù)，并將這些數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器或寄存器或其它這 樣的信息存儲(chǔ)器中的類似地表示為物理量的其他數(shù)據(jù)。
[0025] 由基體材料形成的細(xì)間距探測器陣列
[0026] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性"硅通孔"（TSV)載體晶片100的一部 分。盡管晶片100可使用任何適當(dāng)?shù)牟牧?，但是其被示出由硅形成。晶?00通常應(yīng)具有 平行的頂面和底面?？墒褂萌魏芜m當(dāng)?shù)钠矫鎴D形狀。晶片100包括娃襯底101，其中，娃通 孔的側(cè)壁上具有氧化物，以便將金屬通孔與半導(dǎo)體硅絕緣。
[0027] 載體晶片100還包括由任何適當(dāng)?shù)牟牧闲纬傻臓奚拥貙樱╯acrificial ground layer)。犧牲接地層102將在電火花線切割（wire-EDM)處理期間被使用（這將在下文中 描述），并且應(yīng)當(dāng)適用于這樣的目的。載體晶片100還包括多個(gè)焊盤（solder pad) 103。焊 盤103可包括具有例如2 μ m厚度的金（Au)錫（Sn)合金。在焊盤103下鋪設(shè)的是多個(gè)凸 塊下金屬層（under-bump-metallurgy，UBM)薄膜堆棧105。UBM薄膜堆棧105可包括諸如 鈦（Ti)、鉬（Pt)、和金（Au)膜。應(yīng)當(dāng)理解的是，也可使用其他適當(dāng)?shù)牟牧?。絕緣層104(例 如，二氧化硅（Si0 2)或其他適當(dāng)?shù)牟牧希⒑副P103和UBM105的堆棧分隔開。
[0028] 載體晶片100還包括多個(gè)硅通孔（TSV) 106。硅通孔106提供從焊盤103到載體晶 片100的另一側(cè)、以及到犧牲接地層102的電耦合。
[0029] 圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的探測器塊200的形成。探測器塊200包括襯 底201，襯底201包括硅，盡管可使用任何適當(dāng)?shù)牟牧希ɡ纾斻~合金）。硅襯底201可以 與圖1中所示的硅襯底101類似。硅襯底201可包括高摻雜p型硅，該高摻雜p型硅摻雜 了濃度約為1〇 18摻雜劑/cm3的硼（B)，例如，其可產(chǎn)生0. 001ohm-cm的電阻率。襯底201的 厚度決定了探測器陣列的總體高度。
[0030] 此外，探測器塊200包括多個(gè)焊盤203。焊盤203可以與圖1中所示的焊盤103類 似。焊盤203可包括具有例如2μπι厚度的金（Au)錫（Sn)合金。在焊盤203下鋪設(shè)的是 多個(gè)凸塊下金屬層（UBM)薄膜堆棧205。UBM膜205可以與圖1中所示的UBM膜105類似。 UBM膜205可包括例如鈦（Ti)、鉬（Pt)、和金（Au)膜。應(yīng)當(dāng)理解的是，也可使用其他適當(dāng)?shù)?材料。
[0031] 探測器塊200還包括多個(gè)探測器210。探測器210包括探測器基底211和探頭端 部212。探頭端部212可包括任何適用于探測應(yīng)用（例如，適用于接觸集成電路測試點(diǎn)）的 金屬，例如，諸如釕（Ru)、銠（Rh)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鋨（0s)、銥（Ir)、和/或鉬（Pt)等的貴 金屬。（應(yīng)當(dāng)理解的是，通常金（Au)被包括在貴金屬中，但一般認(rèn)為其太過柔軟以至于不能 用于探測。）探頭端部212和探測器基底211的上表面遮蓋有掩膜層213(例如，不導(dǎo)電的 聚合物）。探測器基底211可通過在晶片的一側(cè)上濺射籽晶層被制造，并通過光刻處理被圖 案化和噴鍍。探頭端部212可通過光刻圖案化光刻膠、噴鍍頭端材料（tip material)、以及 在頭端基底（tip base)之間蝕刻籽晶層被制造在探測器基底的頂部。如果有必要實(shí)現(xiàn)表 面光潔，探頭端部212可被平滑化。探頭端部212隨后應(yīng)被涂上涂層以防止受到余下的處 理。
[0032] 圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的沿著一個(gè)軸在探測器行之間形成溝槽251以 形成探測器塊250。應(yīng)當(dāng)理解的是，溝槽251表示襯底材料的缺失。在一些實(shí)施例中，溝槽 251可移除襯底201的整個(gè)厚度。應(yīng)當(dāng)理解的是，襯底201并非完全被分離；襯底201的多 個(gè)部分保持耦合在圖2B的平面的外部。溝槽251可通過任何適當(dāng)?shù)奶幚肀恍纬桑撎幚戆?括，例如，深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE)。
[0033] 圖2C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溝槽251形成之后的襯底201的一部分的俯 視圖。溝槽251基本上是平行的，并且將探測器210的"行"與"行"分隔開。出于清晰的 目的，掩膜213并未在圖2C中被示出。
[0034] 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的探測器塊250至載體晶片100的芯片焊接300。 焊盤103 (圖1)通過任何適當(dāng)?shù)奶幚肀唤雍系胶副P203 (圖2A、圖2B)。
[0035] 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的獨(dú)立探測器401的陣列400的截面圖。應(yīng)當(dāng)理 解的是，圖4的平面垂直于圖3的平面。例如，如在圖2C中所示，圖4的平面平行于溝槽 251，但并不與該溝槽重合。獨(dú)立探測器401包括探頭端部212、探測器基底211、和探測器手 指結(jié)構(gòu)402。應(yīng)當(dāng)理解的是，由于所有探測器手指402是由相同的材料塊（例如，單晶硅） 形成的，因而它們將具有相同的材料晶粒結(jié)構(gòu)。
[0036] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)當(dāng)理解的是，獨(dú)立探測器401可在至少一個(gè)維度上具有復(fù) 雜的形狀。例如，如圖4所示，探測器手指401是非線性的，例如，它們向右"彎曲"。這種輪 廓可使每個(gè)獨(dú)立探測器在一個(gè)或多個(gè)維度中能夠起到彈性部件的功能，這將能夠符合集成 電路表面上輕微的不規(guī)則，并且提供恢復(fù)力以保持探頭端部（例如，212)與集成電路測試 點(diǎn)的接觸。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，這種"非直線"或非線性的探測器輪廓可通過電火花線切割 加工（wire-EDM)來實(shí)現(xiàn)。例如，直徑約為12 μ m的金屬絲可被用來以小于40 μ m的細(xì)間距 幾何尺寸加工探測器。應(yīng)當(dāng)理解的是，探測器間距在X和Y維上可能是不同的，并且即便在 同一維度中也不必要相同。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，盡管探測器手指401在圖2B的平面中被 示出為是"直"的，但是電火花線切割加工也能夠被應(yīng)用于該階段（例如，代替深反應(yīng)離子 刻蝕）以在該維度中產(chǎn)生更加復(fù)雜的形狀。還應(yīng)理解的是，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例可以約大 于40 μ m間距形成探測器。例如，直徑約大于12 μ m的金屬絲可被用來以較大間距加工探 測器。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的以這種較大間距形成的探測器繼續(xù)享有超越現(xiàn)有技術(shù)的極大 優(yōu)勢，包括例如更低的成本、更低的復(fù)雜性、以及在所有三個(gè)維度中在探頭端部定位精度方 面的出眾的精確度。
[0038] 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的對陣列400應(yīng)用導(dǎo)電金屬涂層501。導(dǎo)電金屬 涂層501可包括金（Au)和/或銅（Cu)或其他適當(dāng)?shù)牟牧?，并且可通過適當(dāng)?shù)奶幚肀粦?yīng)用， 其中所述適當(dāng)?shù)奶幚戆ɡ?，浸鍍或化學(xué)鍍處理。導(dǎo)電金屬涂層501的厚度可由所需的 探測器的載流能力來決定。在材料201是諸如鈹銅合金（BeCu)之類的金屬的情況下，可能 不需要導(dǎo)電金屬涂層501，這是由于有別于摻雜硅，該類金屬可以充分導(dǎo)電。
[0039] 在圖6中，通過任何適當(dāng)?shù)奶幚恚T如，使用干反應(yīng)離子刻蝕處理或通過使用適當(dāng) 的濕化學(xué)，掩膜層213 (圖2)被移除，從而暴露出了探頭端部212。此外，犧牲接地層102 (圖 1)被移除。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，以這種方式在基體材料上形成了電探測器陣列600。
[0040] 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的探測器陣列600(圖6)的典型應(yīng)用。如圖7中 所示，電探測器陣列600被接合到空間變換襯底701?？臻g變換襯底701用來將探測器頭 部712的間隔（其可能是更適用于探測集成電路的間距，例如，小于或等于大約40 μ m)變 換為更適用于印刷電路板的間距（例如，大約1_)。
[0041] 襯底701可以與襯底101 (圖1)類似，盡管這不是必需的。通過任何適當(dāng)?shù)奶幚砗?材料（例如，通過焊料焊盤703)，空間變換襯底701被電且機(jī)械地接合到探測器陣列600。 底部焊盤704用于將空間變換襯底701耦合到較高層次的組件（例如，印刷電路板）。
[0042] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，陣列600的獨(dú)立探測器是由基體材料（例如，高模量的單晶 硅）形成的。這種材料起到彈性部件的功能而不經(jīng)任何塑性變形。復(fù)雜形狀增加了探測器 的彈性特性，使得其能夠符合集成電路表面輕微的不規(guī)則，并且提供恢復(fù)力以保持探頭端 部（例如，212)與集成電路測試點(diǎn)之間的接觸。探頭端部顯示為具有很好的平滑性和頭端 定位精度的細(xì)間距（例如，小于40μπι)，這是因?yàn)樘筋^端部通過光刻處理被限定。由于導(dǎo)電 金屬涂層，探測器陣列具有高載流能力。進(jìn)一步地，由于沒有手工組裝，并且過程利用了集 成電路制造的經(jīng)濟(jì)學(xué)，所以相較于常規(guī)工藝，根據(jù)本發(fā)明的探測器陣列可被以較短的交付 期和縮減的成本生產(chǎn)。
[0043] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供了用于由基體材料形成的細(xì)間距探測器陣列的系統(tǒng)和 方法。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供了用于由基體材料形成的具有細(xì)間距和高定位精度 的細(xì)間距探測器陣列的系統(tǒng)和方法。進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供了能夠與現(xiàn)有的 集成電路設(shè)計(jì)、制造和測試系統(tǒng)和方法相兼容和互補(bǔ)的用于由基體材料形成的細(xì)間距探測 器陣列的系統(tǒng)和方法。
[0044] 本發(fā)明的各種實(shí)施例如上文所述。盡管特定的實(shí)施例中描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng) 理解的是本發(fā)明不應(yīng)被認(rèn)為局限于這些實(shí)施例，而是根據(jù)下文的權(quán)利要求來解釋。
【權(quán)利要求】
1. 一種制品，包括： 探測器陣列，其中，每個(gè)探測器包括： 探頭端部，該探頭端部適用于接觸集成電路測試點(diǎn)； 所述探頭端部被安裝在探測器手指結(jié)構(gòu)上； 其中，所述陣列的所有探測器手指結(jié)構(gòu)具有相同的材料晶粒結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述探測器手指結(jié)構(gòu)具有非線性輪廓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制品，其中，所述探測器手指結(jié)構(gòu)被配置作為彈性部件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，還包括： 所述探測器手指結(jié)構(gòu)上的導(dǎo)電金屬涂層，其中，所述涂層與所述探頭端部電接觸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述探頭端部包括除金以外的貴金屬。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述探測器陣列的所述探頭端部被排列在小于 50 μ m的網(wǎng)格上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述探測器陣列被功能性地耦合到空間變換襯 底，所述空間變換襯底用于將所述探測器陣列的間距變換為更大的間距。
8. -種方法，包括： 獲取具有基本平行的第一和第二表面的基體材料； 在所述第一表面上形成探測器基底； 在所述探測器基底上形成適用于接觸集成電路測試點(diǎn)的探頭端部； 將所述第二表面安裝到載體晶片； 移除部分所述基體材料，以形成耦合到所述探測器基底和所述探頭端部的探測器手指 結(jié)構(gòu)；以及 利用電耦合到所述探頭端部的導(dǎo)電金屬涂覆所述探測器手指結(jié)構(gòu)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述形成探測器基底和形成探頭端部的處理包 括光刻。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述探頭端部包括銠（Rh)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述移除處理包括深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述移除處理包括電火花線切割加工 (wire-EDM)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括： 在所述涂覆處理之前，遮蓋所述探頭端部。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述移除處理形成了非線性的探測器手指結(jié) 構(gòu)。
15. -種用于測試集成電路的電子探測器陣列，包括： 多個(gè)獨(dú)立探測器，該多個(gè)獨(dú)立探測器被機(jī)械耦合并且被電絕緣， 其中，每個(gè)所述獨(dú)立探測器包括被功能性地耦合到探測器手指結(jié)構(gòu)的探頭端部， 其中，所述探頭端部與所述探測器手指結(jié)構(gòu)具有不同的材料， 其中，所述探頭端部被配置用于接觸集成電路測試點(diǎn)， 其中，每個(gè)探測器手指結(jié)構(gòu)由同一塊基體材料形成，并且 其中，每個(gè)所述獨(dú)立探測器都涂覆有導(dǎo)電金屬。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子探測器陣列，其中，所述探測器手指結(jié)構(gòu)具有非線性 輪廓。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子探測器陣列，其中，所述探測器手指結(jié)構(gòu)被配置作為 彈性部件。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子探測器陣列，還包括： 空間變換襯底，所述空間變換襯底用于將所述多個(gè)獨(dú)立探測器的間距變換為更大的間 距。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子探測器陣列，其中，所述探頭端部包括貴金屬。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子探測器陣列，其中，所述多個(gè)獨(dú)立探測器中的兩個(gè)獨(dú) 立探測器的彼此距離小于50 μ m。
【文檔編號】G01R1/067GK104160281SQ201380012995
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2013年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月7日
【發(fā)明者】拉克什密坎斯·納穆布瑞 申請人:愛德萬測試公司