可折疊襯底的制作方法
【專利摘要】提供了一種可折疊襯底，該可折疊襯底包括具有第一上表面的第一襯底部分和具有第二上表面的第二襯底部分。可折疊橋接部將第一襯底部分接合至第二襯底部分。所述可折疊橋接部包括從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的接合帶，以及與接合帶的一部分對應(yīng)的間隙，其中所述間隙通過去除原始晶圓襯底的復(fù)數(shù)個部分而被限定在第一襯底部分和第二襯底部分之間。在一個實(shí)施方式中，所述第一和第二部分包括磁場傳感器，并且可折疊橋接部能夠被彎曲從而以相對于彼此的預(yù)定角度布置所述兩個部分。一旦被彎曲，傳感器封裝就能夠被合并至磁場傳感器組件中以便與其它控制電路相集成。
【專利說明】可折疊襯底
[0001 ] 關(guān)于聯(lián)邦資助的研究或開發(fā)的聲明
[0002]無

【背景技術(shù)】
[0003]在許多裝置例如手機(jī)、個人導(dǎo)航裝置等中，在集成封裝中需要沿著面外功能性軸線的感測。然而，這些裝置采用半導(dǎo)體工藝制成，但是由于半導(dǎo)體工藝的二維性質(zhì)，使得面外結(jié)構(gòu)極其難于生產(chǎn)。因此在許多情況下，MEMS或者其它的非傳統(tǒng)制造工藝被采用。然而，這樣的方法的應(yīng)用使得裝置非常昂貴并且需要較長的開發(fā)周期。
[0004]因此，需要一種精確的場傳感器，例如包括面外功能的、小尺寸的、低成本的、并且易于合并至器件中的磁場傳感器。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施方式的目的是一種可折疊襯底，該可折疊襯底包括:具有第一上表面的第一襯底部分和具有第二上表面的第二襯底部分。可折疊橋接部將第一襯底部分接合至第二襯底部分，并且所述可折疊橋接部包括從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的接合帶、以及與所述接合帶的一部分對應(yīng)并且被限定在第一和第二襯底部分之間的間隙。
[0006]一種制造可折疊襯底的方法，該方法包括:提供具有晶圓本體部分、上表面和下表面的晶圓襯底，和限定所述晶圓襯底的第一襯底部分和第二襯底部分。可折疊橋接部被提供以從第一襯底部分延伸至第二襯底部分；并且晶圓本體部分的復(fù)數(shù)個部分被去除以便形成與可折疊橋接部的至少一部分對應(yīng)的間隙。
[0007]此外，一種可折疊襯底包括具有第一上表面和第一下表面的第一襯底部分、和具有第二上表面和第二下表面的第二襯底部分?？烧郫B部分將第一襯底部分接合至第二襯底部分，并且包括附連至第一和第二下表面的柔性材料。
[0008]一種制造可折疊襯底的方法，該方法包括提供具有本體部分、上表面和下表面的晶圓并且在晶圓的上表面上設(shè)置一個或多個器件。每個器件包括在從上表面向下穿過本體部分的方向上延伸的至少一個無電路區(qū)域。柔性材料至少在每個器件下方被附著至晶圓的下表面，并且每個無電路區(qū)域被從晶圓的頂表面穿過晶圓本體部分并向下至柔性材料地去除，但不去除該柔性材料。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]通過結(jié)合附圖參閱下列說明可以更好地理解本發(fā)明的各實(shí)施方式，圖中:
[0010]圖1A和IB分別是晶圓上的各器件的示意圖和所述各器件之一的特寫；
[0011]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的方法；
[0012]圖3A-3E是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的器件的各制造階段的示意圖；
[0013]圖4是圖3A-3E的器件的示意性俯視圖；
[0014]圖5A-5C是合并有圖3A-3E的磁場傳感器的磁場傳感器組件的各制造階段的示意圖；
[0015]圖6是組裝好的圖3A-3E的磁場傳感器組件的透視圖；
[0016]圖7A-7E是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的器件的各制造階段的示意圖；
[0017]圖8是圖7A-7E的器件的示意性俯視圖；
[0018]圖9A-9D是制造合并有圖7A-7C的磁場傳感器的磁場傳感器組件的示意圖；
[0019]圖10是已組裝的圖7A-7E的磁場傳感器組件的透視圖；
[0020]圖1lA和IlB分別是圖3A-3E和圖7A-7E示出的實(shí)施方式的示意性俯視圖；
[0021]圖12A和12B是圖5A-5C示出的本發(fā)明的實(shí)施方式的變體的示意圖；
[0022]圖13是本發(fā)明的另一實(shí)施方式的示意圖，其提供傳感器的面外定向；
[0023]圖14A和14B是圖13示出的本發(fā)明的實(shí)施方式附裝至襯底的示意圖；
[0024]圖15A和15B是圖3D和3E示出的本發(fā)明的實(shí)施方式的變體的示意圖，其包括硅內(nèi)貫通孑L (inter-silicon via)；
[0025]圖16是安裝在組件中的圖15B的器件的示意圖；
[0026]圖17A和17B是圖7D和7E示出的本發(fā)明的實(shí)施方式的變體的示意圖，其包括硅內(nèi)貫通孔；
[0027]圖18是安裝在組件中的圖17B的器件的示意圖；
[0028]圖19是圖18的組件的透視圖；
[0029]圖20A和20B分別是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的在晶圓上的各器件的示意圖和所述各器件之一的特寫；
[0030]圖21是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的方法；
[0031]圖22A-22C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的器件的示意性側(cè)視圖；
[0032]圖23是安裝在組件中的圖22A-22C的器件的示意圖。
[0033]圖24A-24C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的器件的示意性側(cè)視圖；
[0034]圖25是處于直角構(gòu)造的圖24A-24C的器件的示意圖；
[0035]圖26是本發(fā)明的實(shí)施方式的示意圖；以及
[0036]圖27是處于直角構(gòu)造的圖26的器件的示意圖。
[0037]將被意識到的是，出于說明的簡化和清晰，各圖中示出的元件不一定被精確或依照比例地繪制。例如，一些元件的尺寸可能出于清楚而相對于其它元件被放大，或者多個物理構(gòu)件可能被包含在一個功能塊或元件中。進(jìn)一步地，在認(rèn)為適當(dāng)?shù)牡胤?，附圖標(biāo)記可在各圖中重復(fù)以指代相應(yīng)的或類似的元件。而且，附圖中繪出的框塊中的一些可組合為單一功倉泛。

【具體實(shí)施方式】
[0038]在下列詳細(xì)說明中，大量具體細(xì)節(jié)被提出以提供對本發(fā)明的實(shí)施方式的全面理解。將被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的是，本發(fā)明的這些實(shí)施方式可在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些的情況下予以實(shí)施。在其它情況下，公知的方法、過程、構(gòu)件和結(jié)構(gòu)可能沒有被具體描述，從而不模糊本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0039]本發(fā)明的實(shí)施方式包括基于各向異性磁阻(AMR)技術(shù)的磁場傳感器。如所知曉的，在AMR器件中，薄膜坡莫合金材料被沉積在硅晶圓上，同時施加以強(qiáng)磁場以形成坡莫合金電阻。這些坡莫合金電阻的磁疇在與所施加的場相同的方向上對齊，借此建立磁化矢量。隨后的光刻和蝕刻步驟限定AMR電阻的幾何形狀。
[0040]在詳細(xì)說明本發(fā)明的至少一個實(shí)施方式之前，需要理解的是，本發(fā)明并沒有將其應(yīng)用局限于在下列說明中提出的或附圖中示出的構(gòu)造細(xì)節(jié)和構(gòu)件布置。本發(fā)明能夠?yàn)槠渌鼘?shí)施方式或以各種方式實(shí)施或執(zhí)行。并且，還需要的理解的，本文所用的用語和術(shù)語是出于說明的目的并且不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是限定。進(jìn)一步地，本發(fā)明不局限于磁傳感器或任何其它特定類型的器件。
[0041]被意識到的是，本發(fā)明的出于清楚目的而在分開的實(shí)施方式內(nèi)容中描述的一些特征還可以以組合方式出現(xiàn)在單一實(shí)施方式中。相反地，本發(fā)明的出于簡潔目的而在單一實(shí)施方式內(nèi)容中描述的各種特征還可分開或以任何適當(dāng)子組合方式出現(xiàn)。
[0042]通常，如被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的，如在圖1A中所示的晶圓102被用作基座，在該基座上設(shè)置有多個器件，如磁場傳感器104-n。通常來說，晶圓102由半導(dǎo)體材料如硅制成，盡管本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，并且如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的，也可使用別的基座材料。如下文將更詳細(xì)的論述的，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，每個磁場傳感器104包括第一部分106和第二部分108。
[0043]現(xiàn)在參見圖1B，第一部分106可包括相對于彼此定向以檢測沿著各自的X軸、Y軸的磁場的X軸磁力儀110和Y軸磁力儀112。第二部分108包括Z軸磁力儀114。Z軸磁力儀114在第二部分108上定向，使得當(dāng)?shù)诙糠?08沿著虛擬鉸鏈116垂直于第一部分106定向時，磁力儀104-n能夠在全部三個軸線X、Y、Z上檢測磁場。
[0044]作為概述，如圖2所示的方法200以步驟204開始，該步驟中，在晶圓102上形成支撐例如基于AMR技術(shù)的磁力儀或磁場傳感器所必需的回路元件。如被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的，基于晶圓102的大小，可以設(shè)置多個這樣的器件104。公知的工藝如光刻和薄膜坡莫合金材料沉積可用于制造這些器件。隨后，步驟208中，從第一部分106至第二部分108的信號路徑借助鉸接區(qū)域或區(qū)段被接合在一起，這將在下文中予以更詳細(xì)地說明，其可通過采用晶圓再分布層(RDL)技術(shù)而形成。
[0045]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，通常在涉及移動引線接合墊時使用RDL技術(shù)。然而，在本發(fā)明中，盡管接合墊不一定被移動，但同樣的RDL技術(shù)可被利用以便接合第一和第二部分。
[0046]如下面將在磁場傳感器的一個實(shí)施方式中更詳細(xì)描述的，步驟212中，每個器件104-n通過使晶圓102的一部分和其它材料從底部被去除而設(shè)置有鉸接區(qū)域。作為最終過程的一部分，步驟216中，器件104-n被安裝使得第一部分106和第二部分108正交，即彼此垂直，從而建立磁軸X、Y、Z定向。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)注意的是，第一和第二部分不必然需要相互正交，而是可以設(shè)置為任意角度。
[0047]于是，襯底由單一平坦材料制成，并且該襯底設(shè)置有橋接或鉸接區(qū)域，從而允許兩個部分隨后相對于彼此以期望的角度進(jìn)行布置。由此，制成的器件是可彎曲的。
[0048]如圖3A所不,具有下表面302和上表面304的晶圓102根據(jù)已知晶圓處理技術(shù)被處理，從而建立用于形成包括相應(yīng)的第一、第二和第三連接墊305、306和307的磁場傳感器所必需的電路，該第一、第二和第三連接墊被置于上表面302上。這些連接墊305、306和307可由例如銅、金、銀等的多種導(dǎo)電金屬中的任意一種制成。隨后，在上表面304上沉積鈍化層308，如圖3B所示。然而，鈍化層308構(gòu)造為使得各連接墊305、306和307的主要部分被留為暴露。接著，在鈍化層308上沉積下絕緣層310，但與鈍化層308的沉積相類似，各連接墊305、306和307被留為暴露。應(yīng)當(dāng)注意的是，存在用于確保任何沉積層不覆蓋任何特定區(qū)域的多種已知技術(shù)。這些工藝?yán)绨ü庋谀；蛭g刻。
[0049]然后設(shè)置將連接墊305和連接墊306彼此連接的接合帶312。由此，這兩個連接墊305、306借助該接合帶312而被相互電接合，如圖3C所示。
[0050]然后在下絕緣層310的暴露部分和接合帶312上沉積上絕緣層314，如圖3D所示。然而，上絕緣層314構(gòu)造為使得其不覆蓋第三連接墊307，而是該第三連接墊被留為有效地暴露。
[0051]一旦晶圓處理完成，即所有的層或帶已經(jīng)被沉積以完成這些器件的制造，并且晶圓102已經(jīng)歷經(jīng)任何其它工藝步驟，那么器件104-n必須被從晶圓102自身切除。然而，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式，在單個器件104-n從晶圓102切下之前，每個器件104-n的一部分被切除以形成間隙320，如圖3E所示。
[0052]間隙320位于晶圓102的在第一連接墊305與第二連接墊306之間在接合帶312的下方或與接合帶312對應(yīng)的那部分中。間隙320可要么通過刀片鋸切、激光鋸切要么通過利用適當(dāng)掩模的蝕刻操作而針對每個器件104-n在晶圓102中被形成。在任何情況下，晶圓102從背面302被切割穿過晶圓102且穿過鈍化層308，而留下該下絕緣層310、接合帶312和上絕緣層314未被觸及。另外，甚至下絕緣層310或其一部分可被去除以形成間隙320。結(jié)果，如上所述，每個器件104-n具有第一部分106，其借助限定出可折疊橋接部324的下絕緣層310的剩余部分、接合帶312和上絕緣層314而接合至第二部分108。在這種情況下，接合帶312將第一連接墊305電接合至第二連接墊306。由此，接合至這些相應(yīng)連接墊的任何電路都通過此接合帶312而被接合。
[0053]應(yīng)當(dāng)注意的是，圖3A-3E示出了該器件的側(cè)視圖，并且可能存在同樣從第一部分106至第二部分108被接合的大量其它連接墊305-n和306_n。由此，參見圖4的器件俯視圖，該圖示出了與第三連接墊307類似的透過上絕緣層314暴露的多個連接墊307-n，以及位于上絕緣層下方將第一部分106上的各連接墊305-n和第二部分108上的其它各連接墊306-n跨越間隙320接合的多個接合帶312_n。由此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，多個接合帶312-n在各電路層的創(chuàng)建中彼此處于相同水平上。
[0054]由于器件300借助可折疊橋接部324的操作是可彎曲的，因而可折疊橋接部324中的那些層或帶具有便于可彎曲而不會折斷的厚度和/或材料。這樣的材料包括但不限于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，導(dǎo)電的和非導(dǎo)電的各種材料可在可折疊橋接部324中應(yīng)用以提供本文所描述的功能。
[0055]一旦器件104-n從晶圓分離，然后就將該器件連接至將處理磁場傳感器的輸出以形成磁場傳感器組件的附加電路，例如ASIC器件?，F(xiàn)在參見圖5A，提供印刷電路板(PCB) 504，并且，任選地，利用裸片附裝處理手段512將間隔件508附裝至PCB 504的上表面?；A(chǔ)器件516通過相同的裸片附裝處理手段512附裝至間隔件508?；A(chǔ)器件516在其上表面上具有多個器件觸點(diǎn)518-n。
[0056]磁場傳感器器件104-n靠近間隔件508和基礎(chǔ)器件516被定位，使得器件104的第二部分108垂直于第一部分106。參見圖5B，磁場傳感器器件104可通過，例如借助“拾放”裝置，被拾取，或直接借助裸片連接器被拾取并且被安置到PCB 504上而被定位，使得第二部分108在與基礎(chǔ)器件516接觸時被移置，如圖所示?？烧郫B橋接部324的柔性允許第二部分108相對于第一部分106彎曲。
[0057]隨后，第一部分106和第二部分108通過使用環(huán)氧樹脂或底部填料526被附裝至PCB 504和/或基礎(chǔ)器件516，如圖5C所示，從而保持第一部分106和第二部分108之間的正交性。
[0058]接合引線528-n用于將各連接墊306_n附連至各基礎(chǔ)器件接觸墊518_n。另一套接合引線530-n用于將基礎(chǔ)器件516的各接觸墊519_n與PCB 504的各PCB觸點(diǎn)524接合。如圖6所示，包括PCB 504、基礎(chǔ)器件516和磁場傳感器104的整個器件然后被封裝和/或被模制以提供用于隨后集成至例如手機(jī)中的單一器件。
[0059]替代地，例如，如圖12A和12B所示，無需使用ASIC器件即可建立第一部分106相對于第二部分108的正交性。在此，PCB 504具有導(dǎo)引間隔件1202，該導(dǎo)引間隔件例如通過裸片附裝處理手段512附裝至PCB 512的上表面。該器件104然后被拾取并被放置到PCB512上，使得當(dāng)器件104被帶向PCB 504時，第二部分108與導(dǎo)引間隔件1202接觸。由于導(dǎo)引間隔件1202的高度和其相對于第一部分106的位置，與導(dǎo)引間隔件1202的這種接觸將第二部分108偏轉(zhuǎn)至與第一部分106成直角。第一部分106和第二部分108之間的關(guān)系米用裸片附裝處理手段512例如環(huán)氧樹脂予以保持，并且在所有的連接已經(jīng)被形成并且測試已經(jīng)完成之后還可能包括灌封材料。進(jìn)一步地，類似于上述實(shí)施方式，可在必要時附裝接合引線(未示出)。
[0060]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，導(dǎo)引間隔件1202可被構(gòu)造為在第一和第二部分之間建立任何期望的角度，而不僅僅是90°。
[0061]圖3D和3E示出的實(shí)施方式的改型將參照圖15A、15B和16予以說明。具體地，器件1500大體上類似于器件300，除了第一、第二和第三連接墊305-307中的每一個分別接合至第一、第二和第三貫通孔1505-1507。第一、第二和第三貫通孔1505-1507中的每一個分別以第一、第二和第三貫通孔墊1515-1517終止。第一、第二和第三貫通孔1505-1507可被稱為“貫通娃孔(through silicon via)”。如圖15B所示，間隙320被形成并且這些貫通孔允許在可能需要時訪問第一和第二部分上的電路。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，并非所有的連接墊都具有對應(yīng)的貫通孔，并且由此并非所有的連接墊都有必要被訪問。
[0062]參見圖16，器件1500可借助例如具有定位于其上的導(dǎo)引件1554的PCB而在襯底1552上被定向。導(dǎo)引件1554可具有定位于其上的導(dǎo)引墊1558。襯底1552的上表面可具有設(shè)置在該上表面上的第一和第二導(dǎo)引墊1562、1566。當(dāng)將器件1500朝向襯底1552向下放置并且處在導(dǎo)引件1554附近時，該器件1500將允許第一和第二部分以期望的角度相對于彼此被定向。第一、第二和第三貫通孔墊1515-1517構(gòu)造為與導(dǎo)引墊1558、以及第一和第二襯底接觸墊1562、1566對置，并且可借助已知多種方法中的任意一種而被連接，所述方法包括但不限于波峰焊、球柵陣列等。這樣，可能實(shí)現(xiàn)從該器件上的電路至要么襯底1552要么導(dǎo)引件1554的電接觸。
[0063]另外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，要么各向異性導(dǎo)電膜(ACF)要么各向異性導(dǎo)電骨(ACP)可隨著在需要之處的凸塊處理而被放置在導(dǎo)引件1554和器件1500之間，從而在導(dǎo)引件1554和器件1500之間創(chuàng)建電連接。
[0064]與上述第一實(shí)施方式類似的本發(fā)明的第二實(shí)施方式也以具有上表面304和背面302的晶圓102開始，如圖7A所示。第一、第二和第三連接墊705、706和707借助多種已知技術(shù)中的任意一種而被設(shè)置在上表面304上。隨后，鈍化層708被設(shè)置在上表面304上，但將各連接墊705、706和707留為暴露。類似地，下絕緣層710被設(shè)置在鈍化層708上但也將各連接墊705、706和707留為暴露。
[0065]接合帶712被放置在下絕緣層710的一部分上，從而將第二連接墊706電接合至第三連接墊707，如圖7B所示。
[0066]在下絕緣層710和接合帶712上設(shè)置上絕緣層714。然而，上絕緣層714被掩蓋以將第一連接墊705以及接合帶712與第二連接墊706接合的那部分留為暴露，如圖7C所
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[0067]在上絕緣層714中與第一連接墊705對應(yīng)的開口中設(shè)置第一導(dǎo)電凸塊716，如圖7D所示。在上絕緣層714中設(shè)置第二導(dǎo)電凸塊717，以便與接合帶712的與第二連接墊706對應(yīng)的暴露部分接合。
[0068]第一可焊接部718接合至第一導(dǎo)電凸塊716并且第二可焊接部719接合至第二導(dǎo)電凸塊717，如圖7E所示。與在上面描述的從晶圓102移除一器件類似，間隙720被切割穿過晶圓102，在一個實(shí)例中，通過背面302、通過晶圓本體102和鈍化層708進(jìn)行訪問，如圖7E所示。這樣，絕緣層710、接合帶712和上絕緣層714在第一部分802和第二部分803之間形成可折疊橋接部801。
[0069]由于器件700借助可折疊橋接部801的操作是可彎曲的，因而可折疊橋接部801中的那些層或帶具有便于可彎曲而不會折斷的厚度和/或材料。這些材料包括但不限于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，導(dǎo)電和非導(dǎo)電的各種材料可在可折疊橋接部801中使用以提供本文所描述的功能。如圖8所示的器件的俯視圖，能夠看到第一可焊接部718-n和第二可焊接部719-n可觸及，即從上絕緣層714延伸。第二可焊接部719-n被電接合至對應(yīng)的第三連接墊707-n。由此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，多個接合帶712-n彼此處于相同的水平處。
[0070]目前該磁場傳感器800必須與基礎(chǔ)器件集成,類似于上述第一實(shí)施方式。由此,參見圖9A，PCB 904設(shè)置有附裝至PCB 904上表面的基礎(chǔ)器件908。如上，基礎(chǔ)器件908至PCB904的附裝部912可借助已知的多種附裝技術(shù)中的任意一種予以實(shí)現(xiàn)?；A(chǔ)器件908的上表面包括相應(yīng)的第一、第二和第三基礎(chǔ)器件接觸墊916、918和920。PCB 904還包括至少一個PCB接觸墊906。
[0071 ] 在附裝過程中，磁場傳感器800被反向和定向，使得可焊接部719與基礎(chǔ)器件接觸墊916對齊并且可焊接部718與第二基礎(chǔ)器件接觸墊918對齊，如圖9B所示。一旦傳感器800被如此對齊，第二部分803然后就被繞著可折疊橋接部801彎曲從而相對于第一部分801正交地被定向。然后器件800借助例如環(huán)氧樹脂917的施加而被保持在該定向中。然后接合弓I線922被設(shè)置以將第三基礎(chǔ)器件接觸墊920附連至PCB接觸墊906，如圖9C所示。
[0072]替代地，如圖9D所示，借助已知的凸塊處理技術(shù)中的任意一種，第一凸塊930可被設(shè)置在第一基礎(chǔ)器件接觸墊916上并且第二凸塊934可被設(shè)置在第二基礎(chǔ)器件接觸墊918上。要么各向異性導(dǎo)電膜(ACF)要么各向異性導(dǎo)電膏(ACP)938可被放置在基礎(chǔ)器件908與傳感器800之間。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解要么ACF要么ACP如何被設(shè)置和放置以便在傳感器800與基礎(chǔ)器件908之間建立連接。
[0073]如圖10中的器件的透視圖所示，設(shè)置多個接合引線920-n以將多個信號從基礎(chǔ)器件908接合至PCB 904。類似于第一實(shí)施方式，然后采用環(huán)氧樹脂或其它的封裝技術(shù)覆蓋PCB 904、基礎(chǔ)器件908和被附裝的傳感器800構(gòu)成的組件，從而提供用于后續(xù)插入到例如具有GPS功能的手機(jī)的設(shè)備中的單一整體器件。
[0074]在本發(fā)明另一的實(shí)施方式中，設(shè)置有一個或多個金屬帶以強(qiáng)化可折疊部?，F(xiàn)在參見圖11A，類似于圖4中所示器件的器件1100包括從第一部分106延伸至第二部分108的多個金屬帶1104-n。盡管這些金屬帶1104-n沒有將第一部分106上的電路與第二部分108上的電路接合，但這些金屬帶1104-n與各接合帶312-n設(shè)置在相同的水平上。各金屬帶1104-n提供跨越可折疊橋接部324的附加的強(qiáng)度。
[0075]現(xiàn)在參見圖11B，類似于圖8中所示器件的器件1110包括從第一部分106延伸至第二部分108的多個金屬帶1114-n。盡管這些金屬帶1114_n沒有將第一部分802上的電路與第二部分803上的電路接合，但這些金屬帶1114-n與各接合帶712-n設(shè)置在相同的水平上。各金屬帶1114-n提供跨越可折疊橋接部801的附加的強(qiáng)度。
[0076]圖7D和7E示出的實(shí)施方式的改型現(xiàn)在將參照圖17A、17B和18予以說明。具體地，器件1600大體上類似于器件700，除了第一、第二和第三連接墊705-707中的每一個分別被連接至第一、第二和第三貫通孔1605-1607。第一、第二和第三貫通孔1605-1607中的每一個分別以第一、第二和第三貫通孔接觸墊1615-1617終止。第一、第二和第三貫通孔1605-1607可被稱為“貫通硅孔”。如圖17B所示，間隙720被形成并且各貫通孔允許在可能需要時訪問第一和第二部分上的電路。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，并非所有的連接墊都具有對應(yīng)的貫通孔，并且由此并非所有的連接墊都有必要被訪問。
[0077]參見圖18，器件1600類似于已經(jīng)在上面描述的那樣可在基礎(chǔ)器件908上被定向。有利地，第一、第二和第三接觸墊1615-1617此時為從“外部”可用的以用于連接。如圖19所示，第一、第二和第三貫通孔接觸墊1615-1617可呈現(xiàn)多種位置以用于借助例如接合引線焊接而連接。
[0078]另外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，要么各向異性導(dǎo)電膜(ACF)要么各向異性導(dǎo)電膏(ACP)可隨著在需要之處的凸塊處理而被放置在基礎(chǔ)器件908與器件1600之間，從而在基礎(chǔ)器件908與器件1600之間建立電連接。
[0079]在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，不是將器件限定為具有在之間有一個間隙的兩個部分，而是限定為帶有兩個間隙的三個部分。有利地，在三維(3D)傳感器應(yīng)用的情況下，所述器件能夠被彎曲以具有兩個帶角度的部分。
[0080]現(xiàn)在參見圖13，器件1300包括第一、第二和第三部分1304、1308和1312，其中在第一和第二部分1304、1308之間具有第一間隙1316并且在第二和第三部分1308、1312之間具有第二間隙1320。第一可折疊橋接部1324跨越第一間隙1316延伸并且第二可折疊橋接部1328跨越第二間隙1320延伸。各可折疊橋接部和各間隙以與上面已關(guān)于各層和各帶的沉積以及襯底材料的去除所描述的相同的方式被形成。
[0081]器件1300可包括在其表面上制造的傳感器結(jié)構(gòu)。于是，在3D傳感器應(yīng)用的情況下，每個部分1304、1308和1312可具有在表面上制造的各自的傳感器結(jié)構(gòu)P、D、S。在一個實(shí)例中，如將在下面論述的，分別在第二和第三部分1308、1312上的傳感器D、S在由箭頭D、S代表的第一方向上被定向，并且在第一部分1304上的傳感器P在由箭頭P代表的第二方向上被定向。
[0082]現(xiàn)在參見圖14A，為了從器件1300獲得面外感測，襯底1404，例如印刷電路板(PCB)，設(shè)置有例如借助環(huán)氧樹脂1416或任何其它已知機(jī)構(gòu)附裝至襯底1404上表面的第一和第二間隔件1408、1412。然后器件1300被放置在襯底1404上，使得第一和第三部分1304、1312中的每一個相對于第二部分1308以相同的角度X處于面外。
[0083]替代地，參見圖14B，不是構(gòu)建PCB 1404來實(shí)現(xiàn)面外構(gòu)造，而是凸塊1420、1422可分別被放置在第一和第三部分1304、1312的底部。凸塊1420、1422可以被確定尺寸以便以期望角度保持兩個部分1304、1312。
[0084]由此，當(dāng)?shù)谝徊糠?304和第三部分1312處于相同的傾斜角度X時，相應(yīng)的傳感器P、S將具有相同的面外感測元件。結(jié)果，如果第一傳感器P的輸出是Sp并且第三傳感器S的輸出是Ss，則SP+Ss之和為面外感測信號Sw，并且Sp-Ss的差值為面內(nèi)感應(yīng)信號SIP。
[0085]第二部分1308可作用成用于各接合引線的互連和連接空間，從而與系統(tǒng)中的其它器件諸如ASIC器件相互作用。此外，第二部分1308上的傳感器可以是可選的并且能夠作用成額外的面內(nèi)傳感器。
[0086]拾放機(jī)可以被用于將器件1300放置到襯底1404上。當(dāng)拾放機(jī)向下推器件1300時，第一和第三部分1304、1312將借助那些間隔件1408、1412被向上偏轉(zhuǎn)以形成該規(guī)定的角度X。這一角度X可為O度和90度之間的任意值。在一個實(shí)施方式中，可選擇最優(yōu)值，例如30度。
[0087]替代地，器件1300可被放置在器件諸如ASIC器件的頂部，并且然后將該ASIC器件附裝至作為最終封裝的一部分的另一襯底，例如PCB。各接合引線可以在需要時被附連以用于電互連或其它目的。
[0088]在器件1300的變體中，第一或第三部分1304、1312中的任一個可以被省略以減小尺寸和降低成本。在這種情況下，以上描述的面外感測信號Stff不再有效。面外功能于是可以通過比較面內(nèi)傳感器輸出Sd和剩下的面外傳感器輸出要么Sp要么Ss而被確定。盡管Stff的殘余誤差可以在羅盤中產(chǎn)生航向誤差是可能的，但是這樣的誤差能夠通過實(shí)施適當(dāng)?shù)某C正算法而被減小。
[0089]在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，通過加入柔性元件可由單一平面襯底例如晶圓制成多平面器件。
[0090]通常，如對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言已知的，如圖20A所示的晶圓102被用作其上設(shè)置多個器件1900-n的基底。通常而言，晶圓102由半導(dǎo)體材料例如硅制成，盡管本發(fā)明的各實(shí)施方式不限于此并且可如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知地那樣采用其它的基底材料。如下文更詳細(xì)地論述的，在本發(fā)明的本實(shí)施方式中，每個器件1900-n包括第一部分1904、第二部分1908和第三部分1912，其中在第一和第二部分1904、1908之間具有第一空隙區(qū)1916并且在第一和第三部1904、1912之間具有第二空隙區(qū)1920。
[0091]現(xiàn)在參見圖20B，第一、第二和第三部分1904、1908、1912可以包括如可以通過許多已知方法中的任何一種而被期望和定位、或被形成的任何類型的電路或元件。然而，必要的是在空隙區(qū)1916、1920中的任意一個中均沒有放置電路或功能性器件。
[0092]作為制造方法的概述，如圖21所示的方法2000以在晶圓102上形成多個器件1900的步驟2004開始。如被本領(lǐng)域普通技術(shù)人言所知曉的，依據(jù)晶圓102的大小可設(shè)置多個這樣的器件1900。公知的工藝?yán)绻饪毯捅∧げ牧铣练e可用于制造這些器件。另外，步驟2008中，每個器件被布置成具有將器件1900的至少兩個部分從彼此分開的至少一個空隙區(qū)。
[0093]接下來，步驟2012中，將柔性膜至少在每個器件1900下面附裝至晶圓的底面。替代地，粘附帶或鍍敷金屬可替代柔性膜被使用。隨后，步驟2016中，晶圓中的每個空隙區(qū)被從每個器件的頂面向下去除至柔性膜。步驟2020中，一旦各自由區(qū)被切除，就將每個單獨(dú)的器件從晶圓切下，以在必要時用于后續(xù)附加處理。
[0094]現(xiàn)在參見圖22A的器件1900的截面，襯底102包括柔性材料件，例如附著至底面的膜2102。僅僅出于解釋的目的，第一部分1904示出為具有在上表面中留為暴露的兩個連接墊2108、2112。這些連接墊可以以與已在上面描述過的類似的方式被形成。當(dāng)然，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，還可以存在未被暴露而是被覆蓋的多個連接墊和/或墊。第二部分1908包括連接墊2104并且第三部分包括連接墊2116。第一和第二空隙區(qū)1916、1920中的每一個都不含來自任一相鄰部分的任何元件。
[0095]如上面參照方法2000中的步驟2016所述的，自由區(qū)1916、1920的每一個中的材料被向下去除至柔性膜部分2102。襯底102上的任何上部沉積層的材料可借助刀片鋸切、激光鋸切、利用適當(dāng)掩模的蝕刻操作、或前述方式的任意組合予以去除。如圖22B所示，器件1900是自由區(qū)1916、1920的去除而導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)注意的是，無需去除所有的晶圓材料，因?yàn)椴挥绊懩げ糠?102的柔性的一些可被留下。
[0096]有利地，柔性部分2102允許第一、第二和第三部分1904、1908、1912以面外方式被定向，如圖22C所示。由此面外載體從面內(nèi)制造過程中被形成。
[0097]結(jié)果，器件1900的面外布置能夠?qū)崿F(xiàn)，如圖23所示。在此，例如PCB的襯底2202包括安裝在其上表面上的導(dǎo)引件或支撐件2204。然后，以與上述類似的方式將器件1900放置在支撐件2204上，使得第一部分1904和第三部分1912相對于彼此處于預(yù)定角度。器件1900可借助例如環(huán)氧樹脂、或任何其它的已知機(jī)構(gòu)予以附裝。應(yīng)當(dāng)注意的是，在本示范性器件1900中沒有第二部分，盡管也可以具有第二部分，但是為了簡化說明僅僅示出兩個部分。襯底2202可包括用于與第三部分1912的連接墊2116連接的襯底接觸墊2212。任選地，襯底接觸墊2116可包括通過凸塊工藝提供的、用于借助接合引線2216連接至襯底接觸墊2212的凸塊2208。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，還存在用以提供這樣的連接的許多已知方式。
[0098]現(xiàn)在參見圖24A，本發(fā)明的實(shí)施方式包括在結(jié)構(gòu)上與圖3D示出的器件300類似的器件2400，器件2400包括替代形式的間隙。在此，間隙設(shè)置有傾斜壁而非如前述實(shí)施方式所示出的直壁，從而允許一個部分相對于另一部分的各種定位。為了形成器件2400，最開始通過例如V形刀片切割而在襯底材料102中形成第一楔形間隙2404。當(dāng)然，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，其它方法或工具可用于形成第一楔形間隙。然而，刀片切割被調(diào)整，從而不破壞位于形成可折疊部的下絕緣層310、接合帶312和上絕緣層314下面的鈍化層308。因此，刀片設(shè)置為距下鈍化層308不近于距離W地去除材料。第一楔形間隙2404可具有根據(jù)材料、刀片的銳度和其它設(shè)計(jì)因素選取的初始角度V。
[0099]隨后，如圖24B所示，第一楔形間隙2404被修正以形成擴(kuò)大的楔形間隙2406。擴(kuò)大的楔形間隙2406可通過例如將襯底材料102借助許多已知光刻工藝或類似工藝的任意一種進(jìn)行蝕刻而形成。當(dāng)然，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，其它方法或工具可用于形成擴(kuò)大的楔形間隙。結(jié)果，擴(kuò)大的楔形間隙2406具有“平坦”部分，該“平坦”部分具有寬度T，如圖所示。
[0100]裸片附裝膜2408的層跨越襯底102底部被設(shè)置并且由此覆蓋擴(kuò)大的楔形間隙2406，如圖24C所示。裸片附裝膜2408是柔性的并且包括一定程度的粘性，并且這樣的裸片附裝膜可從例如Hitachi Chemical Company公司獲得。
[0101]擴(kuò)大的楔形間隙2406和裸片附裝膜2408的設(shè)置允許第一和第二部分2412、2416相對于彼此以預(yù)定的角度布置。由此，如上所述，第一部分2412可借助可折疊部的操作相對于第二部分1416移動，從而產(chǎn)生圖25所示的構(gòu)造。如圖所示，擴(kuò)大的楔形間隙2406通過第一部分2412相對于第二部分2416的移動被縮小。作為柔性膜的裸片附裝膜2408將傾向于卷繞至楔形間隙2406中。寬度T通常為膜1408厚度的大約兩倍。
[0102]由于裸片附裝膜2408的粘性，器件2400將被保持在該定向中，這將便于器件2400在后續(xù)組件中的安裝。
[0103]現(xiàn)在參見圖26，在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，作為圖13中示出的器件1300的改型，器件2600可設(shè)置有多個擴(kuò)大的楔形間隙2406-1、2406-2。裸片附裝膜2408允許器件2600彎曲為如圖27所示的“U”形。
[0104]應(yīng)當(dāng)注意的是，本文所述的封裝可被應(yīng)用至磁傳感器，例如電子羅盤。進(jìn)一步地，該封裝可被應(yīng)用至除能夠放置在晶圓或類似平坦襯底上的任何電路之外的加速度傳感器、陀螺儀傳感器和電場傳感器。
[0105]更進(jìn)一步地，器件可具有多個可折疊部，例如，一個在頂面上并且另一個在底上面，從而提供襯底的不同構(gòu)造。
[0106]由此，已經(jīng)描述了本發(fā)明的至少一個實(shí)施方式的多個特征，將被意識到的是，各種改變、修改以及完善都易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員想到。這些改變、修改以及完善也意在成為本發(fā)明的一部分并且也意在處于本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，前述說明和附圖僅僅是在示例，并且本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)由所附權(quán)利要求的適當(dāng)解釋和它們的等同方案確定。
【權(quán)利要求】
1.一種可折疊襯底，其包括: 包括第一上表面的第一襯底部分； 包括第二上表面的第二襯底部分；以及 將第一襯底部分接合至第二襯底部分的可折疊橋接部， 其中可折疊橋接部包括: 從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的接合帶；以及 與所述接合帶的一部分對應(yīng)并且被限定在第一和第二襯底部分之間的間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可折疊襯底，其中第一和第二襯底部分來自同一個單一半導(dǎo)體晶圓襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可折疊襯底，其中所述間隙從所述單一半導(dǎo)體晶圓襯底中切出。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可折疊襯底，其中第一和第二電路中的至少一個包括至少一個磁場傳感器。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可折疊襯底，其中第二電路包括穿過第二絕緣層中的開口可觸及的至少一個接觸墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可折疊襯底，其中所述至少一個接觸墊被構(gòu)造用于接納焊料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可折疊襯底，其中所述接合帶包括可反復(fù)彎曲的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可折疊襯底，還包括: 設(shè)置在第一表面上的第一電路；和 設(shè)置在第二表面上的第二電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可折疊襯底，其中所述可折疊橋接部將第一電路電接合至第二電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可折疊襯底，其中所述第一電路包括: 沿著第一方向檢測磁場的第一磁場傳感器；和 沿著第二方向檢測磁場的第二磁場傳感器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可折疊襯底,其中: 所述第一和第二磁場傳感器相對于彼此被定向，使得所述第一和第二方向彼此正交。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可折疊襯底，其中所述第二電路包括: 沿著第三方向檢測磁場的第三磁場傳感器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可折疊襯底，其中可折疊橋接部還包括: 從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的第一絕緣層， 其中所述接合帶被設(shè)置在所述第一絕緣層的一段上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的可折疊襯底，其中所述可折疊橋接部還包括: 從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的第二絕緣層， 其中所述第二絕緣層被設(shè)置在所述接合帶的一段上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的可折疊襯底，其中第一絕緣層、接合帶和第二絕緣層中的每一個包括可反復(fù)彎曲的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的可折疊襯底，其中所述可折疊橋接部還包括: 至少一個可反復(fù)彎曲的金屬帶。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可折疊襯底，其中所述至少一個金屬帶被設(shè)置在第一絕緣層的一部分上。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可折疊襯底，其中所述間隙通過從位于可折疊橋接部下方的原始襯底去除材料而被限定，并且其中: 原始襯底中的所述間隙被形成有彼此平行的對置的壁。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可折疊襯底，其中所述間隙通過從位于可折疊橋接部下方的原始襯底去除材料而被限定，并且其中: 原始襯底中的所述間隙被形成有彼此不平行的對置的壁。
20.一種制造可折疊襯底的方法，其包括: 提供具有晶圓本體部分、上表面和下表面的晶圓襯底； 限定所述晶圓襯底的第一襯底部分和第二襯底部分； 提供從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的可折疊橋接部；以及去除晶圓本體部分的復(fù)數(shù)個部分并且形成與所述可折疊橋接部的至少一部分對應(yīng)的間隙。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中提供可折疊橋接部還包括: 提供從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的至少一個可反復(fù)彎曲的金屬帶。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中去除晶圓本體的復(fù)數(shù)個部分包括下述的至少一種: 刀片鋸切； 激光鋸切；和 掩模蝕刻。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中提供可折疊橋接部包括: 提供從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的第一接合帶。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中提供可折疊橋接部包括: 在第一接合帶下方從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的上表面的一部分上沉積第一鈍化層。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中去除晶圓本體的復(fù)數(shù)個部分包括: 在下表面處開始，去除材料，并且保持接合帶大致完整。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中去除晶圓本體的復(fù)數(shù)個部分包括: 去除晶圓本體材料以形成具有彼此平行的對置的壁的間隙。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中去除晶圓本體的復(fù)數(shù)個部分包括: 去除晶圓本體材料以形成具有彼此不平行的對置的壁的間隙。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，還包括: 沉積從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的并且與所述第一接合帶大致共面的至少一個金屬帶。
29.—種可折疊襯底，其包括: 具有第一上表面和第一下表面的第一襯底部分； 具有第二上表面和第二下表面的第二襯底部分；以及 將第一襯底部分接合至第二襯底部分的可折疊部分， 其中所述可折疊部分包括附連至第一和第二下表面的柔性材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的可折疊襯底，其中所述柔性材料是柔性膜和金屬中的一種。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的可折疊襯底，還包括下述的至少一個: 設(shè)置在第一上表面上的第一電路；和 設(shè)置在第二上表面上的第二電路。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的可折疊襯底，還包括: 設(shè)置在第一襯底部分上用以沿著第一方向檢測磁場的第一磁場傳感器；以及 設(shè)置在第二襯底部分上用以沿著第二方向檢測磁場的第二磁場傳感器。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的可折疊襯底，其中: 第一和第二磁場傳感器相對于彼此被定向，使得當(dāng)?shù)谝缓偷诙r底部分彼此成直角布置時，第一和第二方向彼此正交。
34.根據(jù)權(quán)利要求29所述的可折疊襯底，其中第一和第二襯底部分通過從原始襯底中去除材料從而在原始襯底上形成與可折疊部分對應(yīng)的間隙而被限定。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的可折疊襯底，其中原始襯底上的所述間隙被形成有彼此平行的對置的壁。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的可折疊襯底，其中原始襯底中的所述間隙被形成有彼此不平行的對置的壁。
37.一種制造可折疊襯底的方法，其包括: 提供具有本體部分、上表面和下表面的晶圓； 限定在從上表面向下穿過晶圓本體部分至下表面的方向上延伸的至少一個無電路區(qū)域； 將可反復(fù)彎曲的材料至少在所限定的至少一個無電路區(qū)域的每一個的下方附裝至晶圓的下表面；以及 從晶圓的上表面向下至可反復(fù)彎曲的材料，去除晶圓本體部分的與所限定的無電路區(qū)域?qū)?yīng)的那一部分，但不去除可反復(fù)彎曲的材料。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中去除每個無電路區(qū)域包括下述的至少一種: 刀片鋸切； 激光鋸切；以及 掩模蝕刻。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述可反復(fù)彎曲的材料是膜和金屬中的一種。
40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，還包括: 在晶圓的上表面上未限定無電路區(qū)域的地方設(shè)置一個或多個器件。
41.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中去除每個所限定的無電路區(qū)域包括去除少于全部的對應(yīng)的晶圓本體部分。
42.一種三軸磁力儀，其包括: 第一襯底部分，該第一襯底部分具有設(shè)置在其上的第一和第二磁場傳感器，以便分別沿著第一和第二方向檢測磁場，所述第一和第二方向彼此正交； 第二襯底部分，該第二襯底部分具有設(shè)置在其上的第三磁場傳感器，以便沿著第三方向檢測磁場，以及 將第一襯底部分接合至第二襯底部分的可折疊橋接部， 其中可折疊橋接部包括: 第一絕緣層； 從第一襯底部分延伸至第二襯底部分的并且被設(shè)置在第一絕緣層的一段上的接合帶； 設(shè)置在接合帶的一段上的第二絕緣層；以及 在第一和第二襯底部分之間限定的間隙。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的磁力儀，其中第一和第二襯底部分中的每一個包括半導(dǎo)體材料。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的磁力儀，其中可折疊橋接部還包括: 至少一個可反復(fù)彎曲的金屬帶。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的磁力儀，其中所述至少一個金屬帶被設(shè)置在第一絕緣層的一部分上。
46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的磁力儀，其中第二襯底部分包括穿過第二絕緣層上的開口可觸及的至少一個連接墊。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的磁力儀，還包括: 穿過第一襯底部分延伸的并且被接合至所述至少一個連接墊的至少一個貫通孔。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的磁力儀，其中所述至少一個連接墊被構(gòu)造用于接納焊料。
49.根據(jù)權(quán)利要求42所述的磁力儀，其中: 所述間隙通過從原始半導(dǎo)體襯底中去除材料而形成。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的三軸磁力儀，其中: 原始襯底中的所述間隙被形成有彼此平行的對置的壁。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的三維磁力儀，其中: 原始襯底中的所述間隙被形成有彼此不平行的對置的壁。
52.根據(jù)權(quán)利要求42所述的磁力儀，其中: 第一絕緣層、接合帶和第二絕緣層中的每一個從第一襯底部分延伸至第二襯底部分。
53.根據(jù)權(quán)利要求42所述的磁力儀，其中第一絕緣層、接合帶和第二絕緣層中的每一個包括可反復(fù)彎曲的材料。
54.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可折疊襯底,還包括: 附著至第一襯底部分的第一下表面和第二襯底部分的第二下表面的柔性材料， 其中所述柔性材料跨越限定于第一和第二襯底部分之間的間隙。
55.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括: 提供跨越所述間隙從第一襯底部分的第一下表面延伸至第二襯底部分的第二下表面的柔性材料。
【文檔編號】G01B7/16GK104204754SQ201380014771
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月21日
【發(fā)明者】趙陽, 劉海東, 蔡永耀, 李宗亞, N·哈瓦特, 馬軍, 張峰, 段志偉, 蔣樂越 申請人:美新公司