一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，采用激光量熱技術(shù)測(cè)量深紫外光學(xué)元件的吸收損耗絕對(duì)值，采用激光誘導(dǎo)熒光光譜技術(shù)測(cè)量深紫外光學(xué)元件在深紫外激光照射下的熒光光譜，采用拉曼光譜技術(shù)測(cè)量深紫外光學(xué)元件材料的缺陷能級(jí)、摻雜組分及雜質(zhì)的含量。通過測(cè)量深紫外光學(xué)元件在深紫外激光波長(zhǎng)的吸收損耗特性、熒光光譜特性及拉曼光譜特性評(píng)估深紫外光學(xué)元件的綜合光學(xué)性能，通過測(cè)量深紫外光學(xué)元件在深紫外激光照射過程中吸收損耗、熒光光譜和拉曼光譜的實(shí)時(shí)變化監(jiān)測(cè)深紫外光學(xué)元件性能的穩(wěn)定性。在同一測(cè)量裝置中測(cè)量深紫外光學(xué)元件的光學(xué)特性參數(shù)和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)深紫外光學(xué)元件在深紫外激光照射過程中光學(xué)特性的變化。
【專利說(shuō)明】一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種對(duì)光學(xué)元件參數(shù)的測(cè)量方法及裝置，特別是一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其可以進(jìn)行深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能及其穩(wěn)定性的測(cè)試。
【背景技術(shù)】
[0002]在超大規(guī)模集成電路制造工藝中，準(zhǔn)分子激光光刻是最重要的工藝過程之一。目前半導(dǎo)體集成電路光刻設(shè)備所使用的主要激光光源為氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光器，輸出波長(zhǎng)為193nm。在光刻機(jī)設(shè)備中，大量使用了深紫外光學(xué)元件，包括反射光學(xué)元件、透射光學(xué)元件、衰減光學(xué)元件等，用于對(duì)193nm激光束的整形、傳輸和控制。制備這些深紫外光學(xué)元件采用的光學(xué)材料主要為紫外級(jí)融石英和氟化鈣襯底和氟化物(氟化鎂、氟化鋁、氟化鑭等)、氧化物(氧化鋁、氧化硅等)薄膜材料，由這些材料制備的深紫外光學(xué)元件不僅其在193nm波長(zhǎng)的光學(xué)性能與材料的純度和摻雜、雜質(zhì)含量、吸收特性等諸多因素有關(guān)，而且在193nm波長(zhǎng)的深紫外激光長(zhǎng)時(shí)間照射條件下，其材料內(nèi)部可能產(chǎn)生色心和其他的物理或化學(xué)過程，導(dǎo)致其光學(xué)性能緩慢下降，直至災(zāi)難性損傷出現(xiàn)，光學(xué)元件使用壽命終結(jié)。因此測(cè)量和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)深紫外光學(xué)元件的光學(xué)性能及其在深紫外激光照射下光學(xué)性能的實(shí)時(shí)變化和長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性對(duì)發(fā)展高光學(xué)性能、長(zhǎng)使用壽命的深紫外光學(xué)元件，降低光刻設(shè)備的使用成本和集成電路芯片的制造成本具有重要意義。
[0003]深紫外光學(xué)元件的光學(xué)性能不僅與其吸收特性相關(guān)，而且與其在深紫外光照射時(shí)產(chǎn)生的熒光光譜特性和拉曼光譜特性有關(guān)。而深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的穩(wěn)定性則與其吸收特性、熒光光譜特性和拉曼光譜特性在深紫外激光照射時(shí)的實(shí)時(shí)變化直接相關(guān)。目前測(cè)量光學(xué)元件吸收損耗的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)是激光量熱法(IS011551:2003(E) - Test methodforabsorptance of optical laser components),激光量熱法直接測(cè)量光學(xué)元件吸收損耗值，測(cè)量靈敏度高(優(yōu)于10_6_李斌成，熊勝明，H.Blaschke，等；激光量熱法測(cè)量光學(xué)薄膜微弱吸收，《中國(guó)激光》33:823 (2006))，且裝置簡(jiǎn)單，調(diào)節(jié)方便。另外，激光誘導(dǎo)熒光光譜技術(shù)和拉曼光譜技術(shù)是測(cè)量深紫外光學(xué)元件在深紫外激光照射條件下性能穩(wěn)定性的又一技術(shù)手段。由于深紫外光學(xué)元件的激光誘導(dǎo)熒光和拉曼散射光強(qiáng)度及其光譜特性與深紫外光學(xué)材料內(nèi)的摻雜和雜質(zhì)含量、缺陷能級(jí)、深紫外激光照射形成的色心等因素有關(guān)，通過監(jiān)測(cè)深紫外光學(xué)元件在深紫外激光照射產(chǎn)生的熒光和拉曼散射光強(qiáng)度和光譜特性的實(shí)時(shí)變化情況，可以評(píng)估深紫外激光照射對(duì)深紫外光學(xué)元件產(chǎn)生的影響，從而分析深紫外光學(xué)元件的光學(xué)性能及其穩(wěn)定性。
[0004]目前通常采用獨(dú)立的激光量熱技術(shù)、激光誘導(dǎo)熒光光譜技術(shù)和拉曼光譜技術(shù)對(duì)深紫外光學(xué)元件的性能進(jìn)行測(cè)量和評(píng)估。中國(guó)專利申請(qǐng)“一種深紫外光學(xué)元件穩(wěn)定性的綜合測(cè)試方法”(專利申請(qǐng)?zhí)?01010623885.2，申請(qǐng)公布日2010.09.07)提出了集成激光量熱技術(shù)、光熱技術(shù)和激光誘導(dǎo)熒光光譜技術(shù)的綜合測(cè)試技術(shù)對(duì)深紫外光學(xué)元件的穩(wěn)定性進(jìn)行綜合測(cè)量，其雖然能同時(shí)確定深紫外光學(xué)元件的吸收特性和熒光光譜特性在深紫外激光照射下的實(shí)時(shí)變化情況，但不能同時(shí)測(cè)量深紫外光學(xué)元件內(nèi)H2含量的變化情況。而W.Triebel等人雖然提出了一種深紫外光學(xué)元件的激光誘導(dǎo)熒光光譜和拉曼光譜的集成測(cè)量裝置(ff.Triebel, S.Bark-Zollmann, C.Muehlig, et al ,‘Evaluation of fused silica for DUVlaser applications by short time diagnostics”，Proc.SPIE 4103 (2000)),但該裝置中使用了兩種不同波長(zhǎng)的激光器分別激發(fā)熒光和拉曼散射光，不能實(shí)現(xiàn)熒光光譜和拉曼光譜的同時(shí)和在位測(cè)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決技術(shù)問題為:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，該方法能同時(shí)測(cè)量和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)深紫外光學(xué)元件的光學(xué)性能及其在深紫外激光照射條件下吸收損耗、激光誘導(dǎo)熒光光譜和拉曼光譜的實(shí)時(shí)變化特性的綜合測(cè)試，為綜合評(píng)估深紫外光學(xué)元件的光學(xué)性能及其穩(wěn)定性提供技術(shù)手段。
[0006]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案為:一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于步驟如下:
[0007]步驟(1)、將一窄線寬深紫外重復(fù)脈沖激光器(線寬低于2pm、重復(fù)頻率高于IOHz)輸出的激光束聚焦照射到一放置在絕熱樣品室內(nèi)的深紫外光學(xué)元件表面中心位置附近，深紫外光學(xué)元件因吸收激光束能量導(dǎo)致溫度上升，同時(shí)深紫外光學(xué)元件產(chǎn)生熒光發(fā)光和拉曼散射發(fā)光；[0008]步驟(2)、用一溫度測(cè)量元件直接接觸深紫外光學(xué)元件表面測(cè)量其溫度變化，記錄深紫外激光光束照射前、照射過程中、以及照射后(即冷卻過程)深紫外光學(xué)元件的溫度變化信號(hào)△ τ α)，采用激光量熱技術(shù)的數(shù)據(jù)處理方法處理溫度變化信號(hào)Λτα)得到深紫外光學(xué)元件的吸收損耗值CItl;
[0009]步驟(3)、在絕熱樣品室內(nèi)使用熒光收集光學(xué)系統(tǒng)收集深紫外光學(xué)元件在深紫外激光光束照射時(shí)產(chǎn)生的熒光，通過耦合光纖耦合進(jìn)入光譜測(cè)量?jī)x器測(cè)量深紫外光學(xué)元件產(chǎn)生的熒光強(qiáng)度及其光譜分布；記錄深紫外激光光束照射過程中熒光信號(hào)隨時(shí)間的實(shí)時(shí)變化曲線AFa)，由此得到深紫外光學(xué)元件熒光強(qiáng)度及光譜分布的實(shí)時(shí)變化情況；
[0010]步驟(4)、在絕熱樣品室內(nèi)使用另一散射光收集光學(xué)系統(tǒng)收集深紫外光學(xué)元件在深紫外激光光束照射時(shí)產(chǎn)生的拉曼散射光，通過耦合光纖耦合進(jìn)入高分辨光譜測(cè)量?jī)x器測(cè)量深紫外光學(xué)元件產(chǎn)生的拉曼散射光強(qiáng)度及其光譜分布；記錄深紫外激光光束照射過程中拉曼散射光信號(hào)隨時(shí)間的實(shí)時(shí)變化曲線ARa)，由此得到深紫外光學(xué)元件拉曼散射光強(qiáng)度及光譜分布的實(shí)時(shí)變化情況；
[0011]所述步驟(1)中的窄線寬深紫外重復(fù)脈沖激光器為窄線寬、高重復(fù)頻率的準(zhǔn)分子激光器(如KrF (248nm)、ArF (193nm)、F2 (157nm)激光器等)或深紫外全固態(tài)激光器(如YAG激光器四、六倍頻輸出、Ti =Sapphire激光器四倍頻輸出等)。
[0012]所述步驟(2)中的數(shù)據(jù)處理方法為:根據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IS011551中推薦的溫度變化數(shù)學(xué)模型擬合加熱激光光束照射前、照射過程中、以及照射后(即冷卻過程)深紫外光學(xué)元件的溫度變化信號(hào)Λτα)得到吸收損耗值。
[0013]所述的步驟(3)和(4)中的熒光收集光學(xué)系統(tǒng)和散射光收集光學(xué)系統(tǒng)可以為一單一聚焦透鏡或反射式物鏡，也可以為由多個(gè)透鏡或反射式物鏡組成的光收集系統(tǒng)。
[0014]所述的步驟(3)中在熒光收集光學(xué)系統(tǒng)和耦合光纖輸入端之間插入中心波長(zhǎng)為深紫外激光波長(zhǎng)的窄帶濾光片阻止加熱激光波長(zhǎng)的光進(jìn)入耦合光纖并達(dá)到光電探測(cè)單元。
[0015]所述的步驟(3)中用于探測(cè)熒光強(qiáng)度的探測(cè)單元為具有納秒級(jí)時(shí)間分辨能力的高速光電探測(cè)器件，如高靈敏的或帶像增強(qiáng)的CCD陣列探測(cè)器。
[0016]所述的步驟(4)中所用的高分辨光譜測(cè)量?jī)x器分辨率應(yīng)優(yōu)于IcnT1 (波數(shù)分辨率)或5pm (波長(zhǎng)分辨率)。
[0017]當(dāng)深紫外激光器輸出波長(zhǎng)低于200nm時(shí)，綜合測(cè)試裝置的整個(gè)光路系統(tǒng)均置于高純氮?dú)猸h(huán)境中。
[0018]本發(fā)明的原理是:參考國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IS011551建立激光量熱裝置，基于激光量熱技術(shù)測(cè)量被測(cè)深紫外光學(xué)元件的吸收損耗α。。同時(shí)，通過采用熒光收集光學(xué)系統(tǒng)收集、單色儀分光和高速光電陣列探測(cè)器探測(cè)，得到被測(cè)深紫外光學(xué)元件由于深紫外激光光束照射產(chǎn)生的熒光強(qiáng)度、光譜分布及其不同譜線或譜帶熒光強(qiáng)度的時(shí)間特性，以及這些參數(shù)在深紫外激光照射情況下的實(shí)時(shí)變化情況；通過采用拉曼散射光收集光學(xué)系統(tǒng)收集、高分辨光譜儀測(cè)量得到被測(cè)深紫外光學(xué)元件由于深紫外激光光束照射產(chǎn)生的拉曼散射光強(qiáng)度、光譜分布及其不同譜線或譜帶拉曼散射光強(qiáng)度的時(shí)間特性，以及這些參數(shù)在深紫外激光照射情況下的實(shí)時(shí)變化情況；為分析評(píng)估被測(cè)深紫外光學(xué)元件的光學(xué)性能及其在深紫外激光照射條件下的穩(wěn)定性提供測(cè)試數(shù)據(jù)。為了同時(shí)獲得量熱信號(hào)、熒光光譜信號(hào)和拉曼光譜信號(hào)，測(cè)試裝置中采用光譜線寬低于2pm的窄線寬深紫外激光器作激發(fā)光源。
[0019]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):可同時(shí)測(cè)量深紫外光學(xué)元件的吸收特性、熒光光譜特性以及拉曼光譜特性，用于分析評(píng)估深紫外光學(xué)元件的光學(xué)性能并實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)深紫外光學(xué)元件在深紫外激光照射下光學(xué)性能穩(wěn)定性，一機(jī)多用，節(jié)約了成本；并且測(cè)量數(shù)據(jù)來(lái)源于被測(cè)光學(xué)元件的同一測(cè)試位置，為分析深紫外光學(xué)元件的吸收特性、熒光光譜特性和拉曼光譜特性之間的關(guān)聯(lián)性提供了準(zhǔn)確的測(cè)量數(shù)據(jù)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為本發(fā)明采用耦合光纖耦合傳輸拉曼散射光的綜合測(cè)試裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為采用本綜合測(cè)試裝置測(cè)量的深紫外光學(xué)元件的典型激光量熱信號(hào)及吸收特性隨準(zhǔn)分子激光照射劑量的關(guān)系曲線；圖2 (a)為實(shí)測(cè)溫度變化信號(hào)及通過(I)、(2)式擬合測(cè)量溫度曲線，圖2 (b)為紫外級(jí)融石英材料在193nm激光照射下吸收損耗隨照射劑量的變化趨勢(shì)圖；
[0022]圖3為采用本綜合測(cè)試裝置同時(shí)記錄的激光誘導(dǎo)熒光的典型光譜圖；
[0023]圖4為采用本綜合測(cè)試裝置同時(shí)記錄的拉曼光譜的典型光譜圖；
[0024]圖5為本發(fā)明采用直接傳輸拉曼散射光的綜合測(cè)試裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖6為本發(fā)明采用同一光收集系統(tǒng)同時(shí)收集熒光和拉曼散射光的綜合測(cè)試裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖以及【具體實(shí)施方式】進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。
[0027]如圖1所示，本發(fā)明采用耦合光纖耦合傳輸拉曼散射光的綜合測(cè)試裝置由窄線寬深紫外激光光源1、光束整形系統(tǒng)2、電控可變光衰減器3、聚焦透鏡4、電動(dòng)光學(xué)快門5、激光功率計(jì)6、絕熱樣品室7、被測(cè)樣品夾具及被測(cè)深紫外光學(xué)元件樣品8、參考樣品夾具及參考樣品9、靈敏溫度探測(cè)單元10、橋式放大電路11、A/D轉(zhuǎn)換器12、熒光收集光學(xué)系統(tǒng)13、窄帶光學(xué)濾光片14、耦合光纖15、單色儀16、熒光光電探測(cè)器件17、拉曼散射光收集光學(xué)系統(tǒng)18、高分辨光譜儀19、計(jì)算機(jī)20，反射鏡21和光吸收體22組成。當(dāng)深紫外準(zhǔn)分子激光光源的輸出波長(zhǎng)低于200nm時(shí)，整個(gè)光路系統(tǒng)置于高純氮?dú)猸h(huán)境中。深紫外準(zhǔn)分子激光光源I的輸出光束經(jīng)光束整形系統(tǒng)2整形和電控可變光衰減器3調(diào)節(jié)功率后由聚焦透鏡4聚焦到放置在絕熱樣品室7內(nèi)的被測(cè)深紫外光學(xué)元件8表面。深紫外準(zhǔn)分子激光光源I的功率由計(jì)算機(jī)20控制電控可變光衰減器3調(diào)節(jié)，并由電動(dòng)光學(xué)快門5反射到激光功率計(jì)6測(cè)量。透過和從被測(cè)深紫外光學(xué)元件8反射的深紫外準(zhǔn)分子激光束經(jīng)反射鏡21轉(zhuǎn)向后由光吸收體22吸收。被測(cè)深紫外光學(xué)元件8因吸收照射激光束能量而溫度上升，其溫度上升由靈敏溫度探測(cè)單元10測(cè)量，并通過另一靈敏溫度探測(cè)單元同時(shí)測(cè)量參考樣品19的溫度和使用橋式放大電路11消除環(huán)境溫度漂移影響。消除了環(huán)境溫度漂移影響的溫度信號(hào)AT(t)經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換器12模數(shù)轉(zhuǎn)換后送入計(jì)算機(jī)20數(shù)據(jù)處理，得到被測(cè)深紫外光學(xué)元件8的吸收損耗值。
[0028]激光量熱技術(shù)通過測(cè)量被測(cè)深紫外光學(xué)元件8因吸收深紫外激光光束能量而產(chǎn)生的溫度上升來(lái)確定被測(cè)深紫外光學(xué)元件8的吸收損耗值。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IS011551中規(guī)定，測(cè)量過程應(yīng)包括照射前(至少30秒)、照射(5至300秒)和冷卻(至少200秒)三個(gè)過程。照射和冷卻過程中被測(cè)樣品(深紫外光學(xué)元件8)的溫度變化分別為:
[0029]Δ T (t) = A {1-exp [- Y (t-t^ ]}, (t! ^ t ^ t2) (I)
[0030]Δ T(t) = Δ T(t2) +B{1-exp[- Y (t_t2)]}, (t ^ t2) (2)
[0031]其中Crff、α、P、Y分別是樣品夾具及被測(cè)深紫外光學(xué)元件8的有效熱容量、被測(cè)深紫外光學(xué)元件8的吸收損耗、深紫外激光光束功率和熱損失系數(shù)，和t2分別是深紫外激光光束照射開始和結(jié)束時(shí)的時(shí)間，A，B為實(shí)驗(yàn)參數(shù)。通過(I)、(2)式擬合測(cè)量溫度曲線(如圖2 Ca)所示)得到A、B和Y，從而得到被測(cè)深紫外光學(xué)元件8的吸收損耗:
【權(quán)利要求】
1.一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于步驟如下: 步驟(1)、將一窄線寬深紫外重復(fù)脈沖激光器輸出的激光束聚焦照射到一放置在絕熱樣品室內(nèi)的深紫外光學(xué)元件表面中心位置附近，深紫外光學(xué)元件因吸收激光束能量導(dǎo)致溫度上升，同時(shí)深紫外光學(xué)元件產(chǎn)生熒光發(fā)光和拉曼散射發(fā)光；所述的激光器線寬低于2pm、重復(fù)頻率高于IOHz ； 步驟(2)、用一溫度測(cè)量元件直接接觸深紫外光學(xué)元件表面測(cè)量其溫度變化，記錄深紫外激光光束照射前、照射過程中、以及照射后，即冷卻過程深紫外光學(xué)元件的溫度變化信號(hào)Λ T (t)，采用激光量熱技術(shù)的數(shù)據(jù)處理方法處理溫度變化信號(hào)AT(t)得到深紫外光學(xué)元件的吸收損耗值a ^ ; 步驟(3)、在絕熱樣品室內(nèi)使用熒光收集光學(xué)系統(tǒng)收集深紫外光學(xué)元件在深紫外激光光束照射時(shí)產(chǎn)生的熒光，通過耦合光纖耦合進(jìn)入光譜測(cè)量?jī)x器測(cè)量深紫外光學(xué)元件產(chǎn)生的熒光強(qiáng)度及其光譜分布；記錄深紫外激光光束照射過程中熒光信號(hào)隨時(shí)間的實(shí)時(shí)變化曲線AF(t)，由此得到深紫外光學(xué)元件熒光強(qiáng)度及光譜分布的實(shí)時(shí)變化情況；所述的光譜測(cè)量?jī)x器由單色儀和光電探測(cè)單元組成； 步驟(4)、在絕熱樣品室內(nèi)使用另一散射光收集光學(xué)系統(tǒng)收集深紫外光學(xué)元件在深紫外激光光束照射時(shí)產(chǎn)生的拉曼散射光，通過耦合光纖耦合進(jìn)入高分辨光譜測(cè)量?jī)x器測(cè)量深紫外光學(xué)元件產(chǎn)生的拉曼散射光強(qiáng)度及其光譜分布；記錄深紫外激光光束照射過程中拉曼散射光信號(hào)隨時(shí)間的實(shí)時(shí)變化曲線ARU)，由此得到深紫外光學(xué)元件拉曼散射光強(qiáng)度及光譜分布的實(shí)時(shí)變化情況。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于:所述步驟(1)中的窄線寬深紫外重復(fù)脈沖激光器為窄線寬、高重復(fù)頻率的準(zhǔn)分子激光器或深紫外全固態(tài)激光器；所述的準(zhǔn)分子激光器為KrF (248nm)，或ArF (193nm)，或F2(157nm)激光器；所述的深紫外全固態(tài)激光器為四、六倍頻輸出的YAG激光器，或者四倍頻輸出的T1:Sapphire激光器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于:所述步驟(2)中的數(shù)據(jù)處理方法為:根據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IS011551中推薦的溫度變化數(shù)學(xué)模型擬合加熱激光光束照射前、照射過程中、以及照射后，即冷卻過程中深紫外光學(xué)元件的溫度變化信號(hào)AT(t)得到吸收損耗值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于:所述的步驟(3)和步驟(4)中的熒光收集光學(xué)系統(tǒng)和散射光收集光學(xué)系統(tǒng)可以為一單一聚焦透鏡或反射式物鏡，也可以為由多個(gè)透鏡或反射式物鏡組成的光收集系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于:所述的步驟(3)中在熒光收集光學(xué)系統(tǒng)和耦合光纖輸入端之間插入中心波長(zhǎng)為深紫外激光波長(zhǎng)的窄帶濾光片阻止激勵(lì)激光波長(zhǎng)的光進(jìn)入耦合光纖并達(dá)到光電探測(cè)單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于:所述的步驟(3)中用于探測(cè)熒光強(qiáng)度的探測(cè)單元為具有納秒級(jí)時(shí)間分辨能力的高速光電探測(cè)器件，具體為高靈敏的或帶像增強(qiáng)的CCD陣列探測(cè)器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于:所述的步驟(4)中所用的高分辨光譜測(cè)量?jī)x器分辨率應(yīng)優(yōu)于IcnT1波數(shù)分辨率或5pm波長(zhǎng)分辨率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外光學(xué)元件光學(xué)性能的綜合測(cè)試方法，其特征在于:當(dāng)深紫外激光器輸出波長(zhǎng)低于200nm時(shí)，綜合測(cè)試裝置的整個(gè)光路系統(tǒng)均置于高純氮?dú)猸h(huán) 境中。
【文檔編號(hào)】G01M11/02GK103712782SQ201410005252
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月6日
【發(fā)明者】李斌成 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所