一種縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件。該元件將磁性非晶芯體材料插入激勵(lì)線圈內(nèi)組成一個(gè)等效阻抗元件，交流電流流經(jīng)激勵(lì)線圈產(chǎn)生平行于該芯體樣品長軸方向的交流驅(qū)動(dòng)磁場。與現(xiàn)有的將交流電流直接流經(jīng)該磁性非晶芯體材料的橫向驅(qū)動(dòng)式阻抗元件相比，該元件一方面大大提高了阻抗隨外磁場的變化率，并且提高了其線性度，另一方面簡化了制作工藝、提高了元件性能穩(wěn)定性與一致性，因此在高靈敏微弱磁場的檢測，例如用于地磁場、生物磁場等弱磁場檢測方面具有良好的應(yīng)用前景。
【專利說明】一種縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于一種磁敏傳感器件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件?！颈尘凹夹g(shù)】 [0002]隨著信息科技的發(fā)展，對(duì)信息采集的最基本元件長一傳感器提出了越來越高的要求。1992年，日本名古屋大學(xué)的Mohri教授首次在鈷基非晶絲中觀測到巨磁阻抗(GiantMagneto-1mpedance, GMI)效應(yīng):在幾個(gè)奧斯特的磁場下其磁阻抗變化率高達(dá)50%以上，靈敏度比巨磁阻效應(yīng)高一個(gè)數(shù)量級(jí)，有關(guān)內(nèi)容請(qǐng)參考文獻(xiàn):[K.Mohri, K.Kawashiwa, H.Yoshida, et al.1EEE Trans.Magn.1992, (28): 3150]。此后，巨磁阻抗效應(yīng)逐漸成為研究熱點(diǎn)。以非晶態(tài)軟磁材料的巨磁阻抗效應(yīng)為基礎(chǔ)開發(fā)的磁敏傳感器具有高靈敏度、響應(yīng)速度快、微型化、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，符合傳感器的發(fā)展趨勢，展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。
[0003]巨磁阻抗效應(yīng)反映的是材料的弱場交流磁化隨外加磁場的變化，它主要受到材料本身的磁性能和驅(qū)動(dòng)場的影響?，F(xiàn)有磁阻抗元件的結(jié)構(gòu)通常是將芯體樣品接入檢測電路，使交變電路通過該樣品，此時(shí)產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)磁場垂直于樣品軸向，被稱為“橫向驅(qū)動(dòng)方式”，所產(chǎn)生的巨磁阻抗效應(yīng)被稱為“橫向巨磁阻抗效應(yīng)”。例如，申請(qǐng)?zhí)枮镃N200980122231.7的中國專利公開的磁阻抗傳感器元件就是采用橫向驅(qū)動(dòng)方式，將磁性非晶絲樣品焊接入激勵(lì)電路，使交變電路通過該樣品產(chǎn)生橫向的驅(qū)動(dòng)磁場。
[0004]但是，這種橫向驅(qū)動(dòng)方式往往存在以下不足:
[0005](I)磁阻抗變化率相對(duì)較小，造成其靈敏度較低。
[0006](2)由于磁性非晶芯體材料“竹節(jié)狀”的磁疇分布，橫向驅(qū)動(dòng)條件下磁阻抗隨外磁場的變化曲線多為“雙峰”狀，造成近零磁場附近的線性度無法保證[L.Kraus, H.Chiriac, T.A.0\ ?π [ Magn Magn Mater.2000 (215): 343]。為此，當(dāng)其應(yīng)用在磁敏傳感器上時(shí)往往需要附加一個(gè)直流偏置磁場，或者對(duì)芯體材料進(jìn)行二次熱處理以提高其磁疇取向度、避開近零場的非線性區(qū)。但是，這不僅增加了電路設(shè)計(jì)的難度，也影響了傳感器的穩(wěn)定性；
[0007](3)磁性非晶芯體材料接入電路時(shí)往往需要粘結(jié)、焊接等工藝，其中焊接較牢固，但是焊接工藝卻存在如下問題:首先，該磁性非晶芯體材料往往呈細(xì)條狀，因此對(duì)焊接工藝要求很高；另外，焊接過程中的二次加熱也容易惡化磁性非晶芯體材料的軟磁特性，造成磁阻抗變化率的下降；此外，焊接過程會(huì)影響接入電路的磁性非晶芯體材料的長度和應(yīng)力，從而會(huì)惡化該材料的軟磁性能，最終影響傳感器件的穩(wěn)定性和一致性。
[0008]從傳感器研制的角度出發(fā)，磁阻抗的變化率以及隨外磁場變化的線性度是至關(guān)重要的參數(shù)。因此，如何進(jìn)一步提高磁阻抗元件的靈敏度、線性度、穩(wěn)定性和經(jīng)濟(jì)適用性是科技工作者需要研究的課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的技術(shù)目的是針對(duì)上述現(xiàn)有磁阻抗元件的不足，提供一種新型結(jié)構(gòu)的磁阻抗元件，其具有較高的靈敏度、線性度與穩(wěn)定性，適用于高磁敏傳感器件。
[0010]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，與橫向驅(qū)動(dòng)方式相比，當(dāng)采用縱向驅(qū)動(dòng)方式時(shí)，具有如下(I) (2)所述的預(yù)想不到的有益效果:
[0011]所述的縱向驅(qū)動(dòng)方式是指:將磁性非晶芯體材料插入激勵(lì)線圈內(nèi)，使該材料和激勵(lì)線圈組成一個(gè)等效阻抗元件，交流電流不直接流經(jīng)該磁性非晶芯體材料，而是流經(jīng)激勵(lì)線圈產(chǎn)生交流驅(qū)動(dòng)磁場，該交變驅(qū)動(dòng)磁場平行于該芯體材料的長軸方向，因而被稱為“縱向驅(qū)動(dòng)方式”，所產(chǎn)生的巨磁阻抗效應(yīng)被稱為“縱向巨磁阻抗效應(yīng)”。
[0012](I)在橫向驅(qū)動(dòng)方式下，磁性非晶芯體材料接入激勵(lì)電路，在驅(qū)動(dòng)電流作用下產(chǎn)生趨膚效應(yīng)，施加外磁場，使磁導(dǎo)率降低，趨膚深度增大導(dǎo)致阻抗值隨外加磁場增大而降低；另外，由于磁性非晶芯體材料“竹節(jié)狀”的磁疇分布，橫向驅(qū)動(dòng)條件下磁阻抗隨外磁場的變化曲線多為“雙峰”狀，造成近零磁場附近的線性度無法保證，阻抗變化率小于1000% ；
[0013]在縱向驅(qū)動(dòng)方式下，由磁性非晶芯體材料和激勵(lì)線圈共同組成等效阻抗元件，等效元件的電感量決定了阻抗的變化率，因此一方面能夠弱化磁性非晶芯體材料“竹節(jié)狀”的磁疇分布對(duì)阻抗變化曲線的影響，同時(shí)能夠大幅度提高阻抗隨外磁場的變化率，其阻抗的變化率甚至可以超過50000%。
[0014](2)在縱向驅(qū)動(dòng)方式下，磁性非晶芯體材料插入激勵(lì)線圈內(nèi)即可，無需焊接工藝，因此一方面簡化了制備流程，避免了因焊接工藝造成的芯體材料長度不一致的問題；另一方面克服了焊接過程引入的熱量和應(yīng)力造成的芯體材料磁性能惡化的問題。
[0015]具體而言，本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，包括磁性非晶芯體材料、中空激勵(lì)線圈、中空檢測線圈；所述的中空激勵(lì)線圈與中空檢測線圈同軸放置，所述的磁性非晶芯體材料插入中空激勵(lì)線圈與中空檢測線圈的中空腔體；工作狀態(tài)時(shí)，交流電通過激勵(lì)線圈產(chǎn)生交變驅(qū)動(dòng)磁場，該交變驅(qū)動(dòng)磁場方向平行于該磁性非晶芯體樣品的長軸方向，輸出信號(hào)自檢測線圈兩端引出以檢測阻抗效應(yīng)。
[0016]所述的磁性非晶材料插入中空激勵(lì)線圈內(nèi)，構(gòu)成中空激勵(lì)線圈的芯體，故稱為“磁性非晶芯體材料”。該磁性非晶芯體材料呈立體結(jié)構(gòu)，其長徑比大于1，所述的長徑比是指該磁性非晶芯體材料的長度與垂直于該長度方向的橫截面的最大直徑的比值；所述的橫截面形狀不限，包括圓形、正方形、長方形、橢圓形等；所述的磁性非晶材料的整體結(jié)構(gòu)不限，包括絲狀、纖維狀或窄帶狀等；為了保證磁阻抗元件隨外磁場的變化率和線性度，作為優(yōu)選，所述的磁性非晶芯體材料的長徑比較大，一般在20?500范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為50?400范圍，以減小產(chǎn)生的退磁場，從而保證磁阻抗的變化率和線性度。
[0017]所述的激勵(lì)線圈和檢測線圈可為同一線圈，也可以為獨(dú)立線圈?？紤]到經(jīng)濟(jì)性，激勵(lì)線圈和檢測線圈為同一線圈。
[0018]為了減小應(yīng)力對(duì)磁性非晶芯體材料的磁性能的影響，保證磁阻抗元件的性能一致性，作為優(yōu)選，該縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件還包括絕緣支撐體，該絕緣支撐體具有中空腔體，所述的激勵(lì)線圈與檢測線圈纏繞在該絕緣支撐體表面，所述的磁性非晶芯體材料插入該絕緣支撐體的中空腔體內(nèi)。進(jìn)一步優(yōu)選，用硅膠等柔性不導(dǎo)電膠將所述的激勵(lì)線圈與檢測線圈固定在該絕緣支撐體表面。進(jìn)一步優(yōu)選，所述的纏繞在絕緣支撐體表的線圈長度等于磁性非晶芯體材料的長度。
[0019]所述的絕緣支撐體包括但不限于玻璃管、氧化鋁管或其他絕緣體管等。[0020]作為優(yōu)選，所述的激勵(lì)線圈和檢測線圈的繞線內(nèi)徑與磁性非晶芯體材料的橫截面直徑比設(shè)定為1.1至10之間。
[0021]作為優(yōu)選，所述的激勵(lì)線圈與檢測線圈中的導(dǎo)線直徑為50μπι至0.1mm之間。
[0022]作為優(yōu)選，所述的絕緣支撐體的外徑尺寸與磁性非晶芯體材料的橫截面直徑之比不大于10。
[0023]綜上所述，本發(fā)明提供的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件將交流電流通過激勵(lì)線圈產(chǎn)生平行于磁性非晶芯體樣品長軸方向的交流驅(qū)動(dòng)磁場，而非直接通過磁性非晶芯體樣品，一方面大大提高了元件阻抗隨外磁場的變化率，并且提高了其線性度，另一方面簡化了制作工藝、提高了元件性能穩(wěn)定性與一致性，因此在高靈敏微弱磁場的檢測，例如用于地磁場、生物磁場等弱磁場檢測方面具有良好的應(yīng)用前景。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1中縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2是時(shí)本發(fā)明實(shí)施例1中的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件的阻抗比隨外磁場的變化圖；
[0026]圖3是采用本發(fā)明實(shí)施例1中的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件設(shè)計(jì)的傳感器電路示意圖；
[0027]圖4是對(duì)比實(shí)施例1中橫向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5是比較實(shí)施例1中的橫向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件的阻抗比隨外磁場的變化圖；
[0029]圖6是比較實(shí)施例2中的橫向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件的阻抗比隨外磁場的變化圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述，需要指出的是，以下所述實(shí)施例旨在便于對(duì)本發(fā)明的理解，而對(duì)其不起任何限定作用。
[0031]實(shí)施例1:
[0032]本實(shí)施例中，縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,包括磁性非晶芯體材料10、絕緣支撐體11以及線圈12組成。
[0033]磁性非晶芯體材料10的成分為CoFeBSiNb,呈纖維狀，該磁性非晶纖維的長度遠(yuǎn)大于內(nèi)徑，具體為直徑30 μ m、長度5mm，以盡可能減小退磁場的作用，保證材料的軟磁性倉泛。
[0034]考慮到激勵(lì)線圈和信號(hào)采集線圈的一致性以及經(jīng)濟(jì)適用性，采用同一線圈12作為激勵(lì)線圈和信號(hào)采集線圈。線圈12為繞制線圈，其繞制導(dǎo)線為直徑為50 μ m的銅漆包線。
[0035]絕緣支撐體11為氧化招管，其內(nèi)徑為50 μ m,外徑為100 μ m,長度為5.1mm。該氧化鋁細(xì)管作為激勵(lì)線圈和信號(hào)檢測線圈的支架，同時(shí)保護(hù)磁性非晶纖維不受應(yīng)力影響。為了確保該磁阻抗元件的阻抗變化率，該氧化鋁管的外徑尺寸應(yīng)和磁性非晶纖維的直徑匹配，不超過非晶纖維直徑的10倍為宜。該氧化鋁管的長度比線圈12的長度稍長，便于線圈12的繞制。
[0036]線圈12是在氧化鋁管外用直徑為50 μ m的銅漆包線密排纏繞100匝。線圈12的長度與磁性非晶纖維長度一致，一方面消除漏磁對(duì)元件阻抗變化的影響，另一方面確定磁性非晶纖維的使用長度，保證元件的一致性。
[0037]磁性非晶纖維的固定采用導(dǎo)熱絕緣硅膠，用少量硅膠將非晶磁性纖維兩端和氧化鋁細(xì)管兩端固定。螺線圈內(nèi)的驅(qū)動(dòng)磁場是均勻分布，只要磁性非晶纖維和線圈12對(duì)齊，該磁性非晶纖維在氧化鋁管內(nèi)的位置的不同不會(huì)影響到磁阻抗元件隨外磁場的變化率。
[0038]工作狀態(tài)時(shí)，激勵(lì)信號(hào)13通過線圈12，激勵(lì)頻率根據(jù)磁性非晶芯體材料本身的特性以及激勵(lì)線圈的尺寸和匝數(shù)決定，脈沖電流的波形和峰值大小根據(jù)實(shí)際情況可以調(diào)整，以實(shí)現(xiàn)顯著的阻抗變化率。本實(shí)施例中，激勵(lì)信號(hào)13的激勵(lì)頻率為350kHz，電流峰值為IOmA,占空比1:30的窄脈沖電流。該激勵(lì)信號(hào)通過激勵(lì)線圈后產(chǎn)生交變的驅(qū)動(dòng)磁場,該交變的驅(qū)動(dòng)磁場方向平行于該磁性非晶纖維的長軸方向。
[0039]檢測巨磁阻抗效應(yīng)時(shí)，采用阻抗分析儀連接在信號(hào)檢測線圈兩端，得到輸出信號(hào)14。本實(shí)施例中，采用HP4294A型阻抗分析儀檢測輸出信號(hào)14的阻抗變化率。
[0040]本實(shí)施例中，該磁阻抗元件的阻抗比隨外磁場的變化圖如圖2所示。圖2中，阻抗變化率曲線呈“單峰狀”，在O?20e的磁場范圍阻抗變化率超過45000%，而且表現(xiàn)出很好的線性度。這說明在縱向驅(qū)動(dòng)條件下，配合上述的激勵(lì)電流和制作方式，該磁阻抗元件具有非常顯著的磁場檢測靈敏度，并且具有較好的線性度。
[0041]基于上述磁阻抗元件，配合信號(hào)發(fā)生器、檢波濾波電路、放大電路和反饋電路，可以實(shí)現(xiàn)磁敏傳感器，其結(jié)構(gòu)如圖3所示。該傳感器可用于高靈敏微弱磁場的檢測，例如用于地磁場、生物磁場等弱磁場檢測等。
[0042]對(duì)比實(shí)施例1:
[0043]本實(shí)施例是上述實(shí)施例1的對(duì)比實(shí)施例。
[0044]本實(shí)施例中，與實(shí)施例1相同，磁阻抗元件包括磁性非晶芯體材料10、絕緣支撐體11以及線圈12組成。并且，磁性非晶芯體材料10、絕緣支撐體11、線圈12的材料、形狀、以及尺寸均與實(shí)施例1相同。
[0045]與實(shí)施例1不同的是，該對(duì)比實(shí)施例中，磁阻抗元件采用橫向驅(qū)動(dòng)方式。即，如圖4所示，將磁性非晶纖維插入線圈12后，用導(dǎo)電銀膠接入激勵(lì)電路，即交變的激勵(lì)信號(hào)13通過磁性非晶纖維，而不通過線圈12，該交變的激勵(lì)信號(hào)13通過磁性非晶纖維后產(chǎn)生垂直于該磁性非晶纖維軸向的驅(qū)動(dòng)磁場，即橫向的驅(qū)動(dòng)磁場。
[0046]該橫向驅(qū)動(dòng)條件下，磁性非晶纖維直徑接入電路，對(duì)外磁場的最佳響應(yīng)頻率高于實(shí)施例1中縱向驅(qū)動(dòng)方式下的巨磁阻抗效應(yīng)，激勵(lì)信號(hào)的激勵(lì)頻率為4MHz，電流峰值為IOmA,占空比1:30窄脈沖電流。
[0047]與實(shí)施例1相同，本對(duì)比實(shí)施例中也采用HP4294A型阻抗分析儀檢測輸出信號(hào)14的阻抗變化率。
[0048]如圖5顯示了上述條件下，阻抗元件在激勵(lì)電流驅(qū)動(dòng)下，阻抗變化率隨外磁場的變化規(guī)律。圖中阻抗變化率曲線呈“雙峰狀”，在O?IOOe的磁場范圍阻抗變化率約250%。
[0049]對(duì)比圖2與圖5，可以得到:在相同的條件下，與橫向驅(qū)動(dòng)式相比，采用縱向驅(qū)動(dòng)式的磁阻抗元件能夠獲得更加顯著的磁阻抗變化率隨外磁場的變化；而且，采用縱向驅(qū)動(dòng)式的磁阻抗元件的阻抗變化率曲線呈“單峰狀”，隨外磁場的變化線性度明顯好于橫向驅(qū)動(dòng)條件下的變化線性度。而該顯著的磁阻抗變化率和較好的線性度是高靈敏、高信噪比的磁敏傳感器設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，因此采用縱向驅(qū)動(dòng)式的磁阻抗元件有望開發(fā)出高磁敏傳感器用于地磁場、生物磁場等弱磁場檢測。
[0050]對(duì)比實(shí)施例2:
[0051]本實(shí)施例是上述實(shí)施例1的另一對(duì)比實(shí)施例。
[0052]本實(shí)施例中，磁阻抗元件的結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)方式與對(duì)比實(shí)施例1基本相同。所不同的是，本實(shí)施例中，將磁性非晶纖維插入線圈12后，采用錫焊接的方法將該磁性非晶纖維接入激勵(lì)電路，而不是用導(dǎo)電銀膠接入激勵(lì)電路。
[0053]如圖6顯示了上述條件下，磁阻抗元件在激勵(lì)電流驅(qū)動(dòng)下，阻抗變化率隨外磁場的變化規(guī)律。圖中阻抗變化率曲線呈“雙峰狀”，在O?IOOe的磁場范圍阻抗變化率約170%。
[0054]對(duì)比圖5與圖6，可以得到:在相同的條件下，與采用導(dǎo)電銀膠將磁性非晶纖維接入激勵(lì)電路相比，將磁性非晶纖維焊接接入激勵(lì)電路后，阻抗變化率隨外磁場的變化有明顯下降，而且曲線形狀也有變化。究其原因?yàn)?焊接過程中引入了熱量，一方面對(duì)磁性非晶纖維磁性起到惡化作用；另一方面，磁性非晶纖維先受熱膨脹，冷卻后收縮使磁性非晶纖維受到應(yīng)力作用，同樣影響了阻抗元件的一致性。另外，由于接入激勵(lì)電路的磁性非晶纖維尺寸只有5mm，直徑約幾十個(gè)微米，焊接過程無法確保每次接入電路的磁性非晶纖維長度的一致性，同樣影響到阻抗元件性能的穩(wěn)定性。
[0055]以上所述的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行了詳細(xì)說明，應(yīng)理解的是以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的原則范圍內(nèi)所做的任何修改、補(bǔ)充或類似方式替代等.，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:包括磁性非晶芯體材料、中空激勵(lì)線圈、中空檢測線圈； 所述的中空激勵(lì)線圈與中空檢測線圈同軸放置，所述的磁性非晶芯體材料插入中空激勵(lì)線圈與中空檢測線圈的中空腔體； 工作狀態(tài)時(shí)，交流電通過激勵(lì)線圈產(chǎn)生交變驅(qū)動(dòng)磁場，該交變驅(qū)動(dòng)磁場方向平行于該磁性非晶芯體材料的長軸方向，輸出信號(hào)自檢測線圈兩端引出用以檢測阻抗效應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:還包括絕緣支撐體，所述的絕緣支撐體具有中空腔體；所述的激勵(lì)線圈與檢測線圈纏繞在絕緣支撐體表面，所述的磁性非晶芯體材料插入該絕緣支撐體的中空腔體內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:采用不導(dǎo)電膠將所述的激勵(lì)線圈與檢測線圈固定在絕緣支撐體表面。
4.如權(quán)利要求2所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:纏繞在所述絕緣支撐體表面的線圈長度等于磁性非晶芯體材料的長度。
5.如權(quán)利要求1所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:所述的磁性非晶芯體材料的長徑比在20?500范圍之間，優(yōu)選為50?400范圍之間。
6.如權(quán)利要求1所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:所述的激勵(lì)線圈和檢測線圈的內(nèi)徑與磁性非晶芯體材料的直徑比在1.1?10范圍之間。
7.如權(quán)利要求1所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:所述的激勵(lì)線圈與檢測線圈中的導(dǎo)線直徑在50 μ m?0.1mm范圍之間。
8.如權(quán)利要求2所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:所述的絕緣支撐體的外徑尺寸與磁性非晶芯體材料的直徑之比不大于10。
9.如權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:所述的磁性非晶芯體材料呈絲狀、纖維狀或窄帶狀。
10.如權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的縱向驅(qū)動(dòng)式磁阻抗元件，其特征是:所述的激勵(lì)線圈和檢測線圈為同一線圈。
【文檔編號(hào)】G01V3/40GK103730569SQ201410024746
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】滿其奎, 強(qiáng)健, 常春濤, 王新敏, 李潤偉 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所