二極管、三極管的后端檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種二極管、三極管的后端檢測(cè)方法，該方法包括一窗測(cè)試和二窗測(cè)試，一窗測(cè)試包括潛在危險(xiǎn)測(cè)試、無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試和關(guān)鍵測(cè)試；二窗測(cè)試包括無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試和關(guān)鍵測(cè)試，關(guān)鍵測(cè)試主要包含了正向電壓、電流放大倍數(shù)、漏電流、正向直流電流以及最大流通電流在內(nèi)的參數(shù)測(cè)試。本發(fā)明分為兩個(gè)測(cè)試步驟，測(cè)試的準(zhǔn)確率增高，測(cè)試參數(shù)多，檢測(cè)范圍大，設(shè)有潛在危險(xiǎn)測(cè)試，對(duì)產(chǎn)品的反向擊穿、大飽和電流、大電流開(kāi)啟測(cè)試以及大電流增益進(jìn)行測(cè)試，增加了產(chǎn)品在潛在危險(xiǎn)狀態(tài)工作的正常率，測(cè)試后的產(chǎn)品性能更優(yōu)，更能排除潛藏的殘次品。
【專利說(shuō)明】二極管、三極管的后端檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品封裝測(cè)試領(lǐng)域，特別是二極管、三極管的后端檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]原有的二極管、三極管檢測(cè)，只是對(duì)二極管、三極管的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)，比如檢測(cè)二極管、三極管的正向電壓、正向直流電流、最大流通電流等，這些參數(shù)只是二極管使用的參數(shù)，檢測(cè)后的效果以及檢測(cè)的意義不大。若生產(chǎn)后有殘次品，使用這套相關(guān)參數(shù)檢測(cè)的方法是無(wú)法對(duì)二極管、三極管的合格率作出判定的。而若僅通過(guò)這么一套檢測(cè)程序后，就讓產(chǎn)品發(fā)放到銷售商，這樣的產(chǎn)品不合格率十分高。
[0003]現(xiàn)有的二極管、三極管產(chǎn)品，若要提高其性能，還需要對(duì)其做出潛在危險(xiǎn)檢測(cè)，t匕如反向擊穿檢測(cè)、大飽和電流檢測(cè)等，經(jīng)過(guò)這些檢測(cè)的產(chǎn)品其性能更好，在非常規(guī)使用環(huán)境下也不易損壞。但這種檢測(cè)僅是零星的檢測(cè)，沒(méi)有規(guī)律和系統(tǒng)，根本無(wú)法適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種二極管、三極管的后端檢測(cè)方法，分為兩個(gè)測(cè)試步驟，測(cè)試的準(zhǔn)確率增高，測(cè)試參數(shù)多，檢測(cè)范圍大，設(shè)有潛在危險(xiǎn)測(cè)試，對(duì)產(chǎn)品的反向擊穿、大飽和電流、大電流開(kāi)啟測(cè)試以及大電流增益進(jìn)行測(cè)試，增加了產(chǎn)品在潛在危險(xiǎn)狀態(tài)工作的正常率，測(cè)試后的產(chǎn)品性能更優(yōu)，更能排除潛藏的殘次品。
[0005]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:二極管、三極管的后端檢測(cè)方法，它主要用于二極管、三極管封裝測(cè)試，保證測(cè)試流程的一致性，它包括一窗測(cè)試和二窗測(cè)試，其中，所述的一窗測(cè)試包括以下步驟:
Sll:將待測(cè)產(chǎn)品送入一窗測(cè)試座內(nèi)；
S12:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行潛在危險(xiǎn)測(cè)試，潛在危險(xiǎn)測(cè)試包括反向擊穿測(cè)試、大電流增益測(cè)試、大飽和電流測(cè)試和大電流開(kāi)啟測(cè)試；
S13:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行無(wú)危險(xiǎn)的測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試包括基本參數(shù)初測(cè)和QA測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試優(yōu)化大量的測(cè)試時(shí)間；
S14:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行關(guān)鍵測(cè)試；
所述的二窗測(cè)試包括以下步驟:
521:待測(cè)產(chǎn)品在二窗測(cè)試座內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試包括基本參數(shù)初測(cè)和QA測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試優(yōu)化大量測(cè)試時(shí)間；
522:測(cè)試產(chǎn)品在二窗測(cè)試座內(nèi)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵測(cè)試；
523:二窗測(cè)試完畢后，將測(cè)試產(chǎn)品送出二窗測(cè)試座。
[0006]所述的關(guān)鍵測(cè)試包括對(duì)以下幾個(gè)參數(shù)的測(cè)試:
A:正向電壓；
B:電流放大倍數(shù)；
C:漏電流； D:正向直流電流；
E:最大流通電流。
[0007]本發(fā)明具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):
1、分為一窗測(cè)試和二窗測(cè)試兩個(gè)測(cè)試流程，測(cè)試的準(zhǔn)確率增高，測(cè)試參數(shù)多，檢測(cè)范圍
大；
2、設(shè)有潛在危險(xiǎn)測(cè)試,對(duì)產(chǎn)品的反向擊穿、大飽和電流、大電流開(kāi)啟測(cè)試以及大電流增益進(jìn)行測(cè)試，增加了產(chǎn)品在潛在危險(xiǎn)狀態(tài)工作的正常率；
3、設(shè)有關(guān)鍵測(cè)試部分，對(duì)產(chǎn)品的正向電壓、漏電流、正向直流電流、最大流通電流以及電流放大倍數(shù)等參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)，產(chǎn)品性能更優(yōu)，適應(yīng)性更好；
4、分為多測(cè)試，使二極管、三極管的測(cè)試一致性更好，測(cè)試后的產(chǎn)品性能更優(yōu)，排除潛藏的殘次品。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本發(fā)明的方法步驟流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0010]如圖1所示，二極管、三極管的后端檢測(cè)方法，它主要用于二極管、三極管封裝測(cè)試，保證測(cè)試流程的一致性，它包括一窗測(cè)試和二窗測(cè)試，其中，所述的一窗測(cè)試包括以下步驟:
511:將待測(cè)產(chǎn)品送入一窗測(cè)試座內(nèi)；
512:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行潛在危險(xiǎn)測(cè)試，潛在危險(xiǎn)測(cè)試包括反向擊穿測(cè)試、大電流增益測(cè)試、大飽和電流測(cè)試和大電流開(kāi)啟測(cè)試；
513:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行無(wú)危險(xiǎn)的測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試包括基本參數(shù)初測(cè)和QA測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試優(yōu)化大量的測(cè)試時(shí)間，所述的QA測(cè)試為質(zhì)量測(cè)試，一窗測(cè)試主要是針對(duì)產(chǎn)品的功能測(cè)試和質(zhì)量測(cè)試；
514:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行關(guān)鍵測(cè)試；
所述的二窗測(cè)試包括以下步驟:
521:待測(cè)產(chǎn)品在二窗測(cè)試座內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試包括基本參數(shù)初測(cè)和QA測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試優(yōu)化大量測(cè)試時(shí)間，所述的QA測(cè)試為質(zhì)量測(cè)試；
522:測(cè)試產(chǎn)品在二窗測(cè)試座內(nèi)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵測(cè)試；
523:二窗測(cè)試完畢后，將測(cè)試產(chǎn)品送出二窗測(cè)試座。
[0011]所述的關(guān)鍵測(cè)試包括對(duì)以下幾個(gè)參數(shù)的測(cè)試:
A:正向電壓；
B:電流放大倍數(shù)；
C:漏電流；
D:正向直流電流；
E:最大流通電流。
【權(quán)利要求】
1.二極管、三極管的后端檢測(cè)方法，它主要用于二極管、三極管封裝測(cè)試，保證測(cè)試流程的一致性，其特征在于:它包括一窗測(cè)試和二窗測(cè)試，其中，所述的一窗測(cè)試包括以下步驟: 511:將待測(cè)產(chǎn)品送入一窗測(cè)試座內(nèi)； 512:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行潛在危險(xiǎn)測(cè)試，潛在危險(xiǎn)測(cè)試包括反向擊穿測(cè)試、大電流增益測(cè)試、大飽和電流測(cè)試和大電流開(kāi)啟測(cè)試； 513:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行無(wú)危險(xiǎn)的測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試包括基本參數(shù)初測(cè)和QA測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試優(yōu)化大量的測(cè)試時(shí)間； 514:待測(cè)產(chǎn)品在一窗測(cè)試座內(nèi)進(jìn)行關(guān)鍵測(cè)試； 所述的二窗測(cè)試包括以下步驟: 521:待測(cè)產(chǎn)品在二窗測(cè)試座內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試包括基本參數(shù)初測(cè)和QA測(cè)試，無(wú)危險(xiǎn)測(cè)試優(yōu)化大量測(cè)試時(shí)間； 522:測(cè)試產(chǎn)品在二窗測(cè)試座內(nèi)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵測(cè)試； 523:二窗測(cè)試完畢后，將測(cè)試產(chǎn)品送出二窗測(cè)試座。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管、三極管的后端檢測(cè)方法，其特征在于:關(guān)鍵測(cè)試包括對(duì)以下幾個(gè)參數(shù)的測(cè)試: A:正向電壓； B:電流放大倍數(shù)； C:漏電流； D:正向直流電流； E:最大流通電流。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK103760485SQ201410039571
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月27日
【發(fā)明者】李莉, 劉宇, 胡波, 李智軍, 鄒顯紅, 劉俊, 樊增勇, 劉達(dá) 申請(qǐng)人:成都先進(jìn)功率半導(dǎo)體股份有限公司, 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司