檢測方法及檢測裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關于一種檢測方法包括下列步驟：令光電檢測元件與包括多個像素單元的像素陣列基板接觸。輸入多個電氣信號至像素陣列基板的像素單元與光電檢測元件。根據(jù)光電檢測元件的光學特性，判斷像素陣列基板的像素單元是否正常。此外，一種實現(xiàn)上述檢測方法的檢測裝置亦被提出。
【專利說明】檢測方法及檢測裝置
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明是有關于一種檢測方法及檢測裝置，且特別是有關于一種用于檢測像素陣 列基板的檢測方法及檢測裝置。
【背景技術】
[0002] 顯示器包括像素陣列基板以及對向基板。在顯示器的制造工藝中，會分別制作像 素陣列基板與對向基板。然后，再將像素陣列基板與對向基板對組，進而完成顯示器。一般 而言，在將像素陣列基板與對向基板對組之前會先對像素陣列基板進行檢測。
[0003] 在現(xiàn)有習知技術中，檢測像素陣列基板時需更換治具，且治具上的探針不易與像 素陣列基板對準，或用于檢測像素陣列基板的偵測器（modulator)與像素陣列基板之間的 間隙難以控制，且易刮傷像素陣列基板。換言之，現(xiàn)有習知的檢測方法復雜，而現(xiàn)有習知的 檢測裝置結構繁復且價格昂貴。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明提供一種檢測方法，其可簡便地檢測像素陣列基板。
[0005] 本發(fā)明提供一種檢測裝置，其可簡便地檢測像素陣列基板且價格低廉。
[0006] 本發(fā)明的一種檢測方法包括下列步驟。令光電檢測元件與包括多個像素單元的像 素陣列基板接觸。輸入多個電氣信號至像素陣列基板的像素單元與光電檢測元件。根據(jù)光 電檢測元件的光學特性，判斷像素陣列基板的像素單元是否正常。
[0007] 本發(fā)明的一種檢測裝置用于檢測包括多個像素單元的像素陣列基板。檢測裝置包 括用于與像素陣列基板接觸的光電檢測元件、用于輸出多個電氣信號至像素陣列基板的像 素單元與光電檢測元件的信號源以及用于根據(jù)光電檢測元件的光學特性判斷像素陣列基 板的像素單元是否正常的分析單元。
[0008] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的每一像素單元包括至少一主動元件以及與此主動 元件電性連接的像素電極。令光電檢測元件與像素陣列基板接觸的步驟包括：將光電檢測 元件置于像素陣列基板上，以使光電檢測元件與像素單元的像素電極接觸。
[0009] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底以及位于基底上的顯示介 質(zhì)層。令光電檢測元件與像素陣列基板接觸的步驟為：將光電檢測元件置于像素陣列基板 上，以使光電檢測元件的顯示介質(zhì)層與像素陣列基板接觸。
[0010] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底、位于基底上的異方向性 導電膜以及位于異方向性導電膜與基底之間的顯示介質(zhì)層。令光電檢測元件與像素陣列基 板接觸的步驟為：將光電檢測元件置于像素陣列基板上，以使光電檢測元件的異方向性導 電膜與像素陣列基板接觸。
[0011] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的檢測方法在今光電檢測元件與像素陣列基板接觸 之后更包括：施加壓力于固定像素陣列基板以及光電檢測元件。
[0012] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底以及位于基底上的顯示介 質(zhì)層。顯示介質(zhì)層包括電子墨水層或有機發(fā)光二極管層。
[0013] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底、配置于基底上的顯示介 質(zhì)層以及配置于基底與顯示介質(zhì)層之間的共用電極層。輸入電氣信號至像素陣列基板的像 素單元與光電檢測元件的步驟為：輸入電氣信號至像素陣列基板的像素單元以及光電檢測 元件的共用電極層。
[0014] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素陣列基板更包括共用電極端。輸入電氣信號 至像素陣列基板的像素單元與光電檢測元件的步驟為：輸入電氣信號至像素陣列基板的像 素單元以及共用電極端，其中這些電氣信號之一通過共用電極端而傳遞至光電檢測元件的 共用電極層。
[0015] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件劃分為多個檢測區(qū)塊，像素陣列基 板劃分為分別包括多個像素單元的多個待測區(qū)塊。令光電檢測元件與像素陣列基板接觸的 步驟為：令光電檢測元件的檢測區(qū)塊分別與像素陣列基板的待測區(qū)域接觸。根據(jù)光電檢測 元件的光學特性判斷像素陣列基板的像素單元是否正常的步驟為：比較電氣信號輸入至像 素單元與光電檢測元件時光電檢測元件的檢測區(qū)塊的光學特性與檢測區(qū)塊的預期光學特 性之間的差異，若光電檢測元件的這些檢測區(qū)塊之一的光學特性與預期光學特性不同，則 判斷與此檢測區(qū)塊接觸的待測區(qū)塊的像素單元異常。
[0016] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的每一像素單元包括具有源極、柵極以及漏極的主 動元件、與主動元件的漏極電性連接的像素電極、與主動元件的源極性電性連接的資料線 以及與主動元件的柵極性連接的掃描線。
[0017] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的檢測裝置更包括光偵測器。光偵測器用于偵測光 電檢測元件的光學特性，而光偵測器所偵測到的光電檢測元件的光學特性傳送至分析單 J Li 〇
[0018] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件用于與像素單元的像素電極接觸。
[0019] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底、位于基底上的顯示介質(zhì) 層以及位于基底與顯示介質(zhì)層之間的共用電極層。
[0020] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件的顯示介質(zhì)層用于與像素陣列基板 接觸，而共用電極層用于接收所述電氣信號之一。
[0021] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電檢測元件更包括異方向性導電膜。顯示介質(zhì) 層位于異方向性導電膜與共用電極層之間。異方向性導電膜用于與像素陣列基板接觸，而 共用電極層用于接收所述電氣信號之一。
[0022] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的異方向性導電膜在與基底垂直的一方向上具導電 性而在與基底平行的另一方向上不具導電性。
[0023] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的光電元件更包括由基底向外延伸且與共用電極層 電性連接的導電結構。導電結構用于與像素陣列基板的共用電極端接觸。
[0024] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的信號源輸出的電氣信號用于輸入至像素陣列基板 的像素單元以及共用電極端。所述電氣信號之一通過共用電極端而傳遞至光電檢測元件的 共用電極層。
[0025] 在本發(fā)明的一實施例中，上述的分析單元用于比較電氣信號輸入至像素單元與光 電檢測元件時光電檢測元件的檢測區(qū)塊的光學特性與檢測區(qū)塊的預期光學特性之間的差 異，若光電檢測元件的檢測區(qū)塊之一的光學特性與此檢測區(qū)塊的預期光學特性不同，則判 斷與此檢測區(qū)塊接觸的待測區(qū)塊的像素單元異常。
[0026] 基于上述，本發(fā)明實施例的檢測方法及檢測裝置將光電檢測元件與待測的像素陣 列基板接觸并輸入電氣信號至像素陣列基板與光電檢測元件，然后根據(jù)光電檢測元件的光 學特性判斷像素陣列基板的像素單元是否正常。本發(fā)明實施例的檢測裝置的構造簡單、制 造成本低，并可簡便地檢測出像素陣列基板的缺陷處。利用本發(fā)明實施例的檢測方法及檢 測裝置可簡便地檢測出像素陣列基板的缺陷處，而避免后續(xù)制造工藝材料及時間的浪費， 進而達到降低成本的目的。
[0027] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式 作詳細說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028] 圖1為本發(fā)明一實施例的檢測方法的流程示意圖。
[0029] 圖2為本發(fā)明一實施例的檢測裝置的示意圖。
[0030] 圖3為圖2的像素單元的電路示意圖。
[0031] 圖4為本發(fā)明另一實施例的檢測裝置的示意圖
[0032] 【符號說明】
[0033] 100 :檢測裝置 110:光電檢測元件
[0034] 111 :基底 111a:軟性透光基板
[0035] 111b:剛性透光基板 112:顯示介質(zhì)層
[0036] 112a:微膠囊 113:共用電極層
[0037] 114:導電結構 120 :信號源
[0038] 130 :分析單元 140 :光偵測器
[0039] 200 :像素陣列基板 210 :像素單元
[0040] 212:像素電極 220 :基板
[0041] Α、ΑΝ(；、ΑΛ :待測區(qū)塊 ACF:異方向性導電膜
[0042] C、CN(；、(；k :檢測區(qū)塊 com :共用電極端
[0043] D :漏極 DL :資料線
[0044] D1、D2:方向 E:電氣信號
[0045] G1 :柵極開啟信號 G :柵極
[0046] g :共柵極端 K :表面
[0047] S :源極 S1 :資料信號
[0048] s :共源極端 SL :掃描線
[0049] S100-S500 :步驟 T :主動元件
[0050] Vcom:共用電極信號
【具體實施方式】
[0051] 為進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段以及其功效，以下結 合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的檢測方法及檢測裝置的【具體實施方式】、結構、特 征及其功效，詳細說明如后。
[0052] 圖1為本發(fā)明一實施例的檢測方法的流程示意圖。圖2為本發(fā)明一實施例的檢測 裝置的示意圖。特別是，圖2的檢測裝置100可具體地實施圖1的檢測方法。以下將搭配 圖1及圖2說明本實施例的檢測方法及檢測裝置100。
[0053] 請參照圖1及圖2，本實施例的檢測方法及檢測裝置100是用于檢測包括多個像素 單元210的像素陣列基板200。首先，提供包括多個像素單元210的像素陣列基板200 (步 驟S100)。如圖2所示，在本實施例中，像素陣列基板200更包括基板220,而像素單元210 配置于基板220上。每一像素單元210包括至少一主動元件T以及與主動元件T電性連接 的像素電極212。圖3為圖2的像素單元的電路示意圖。請參照圖3,主動元件T(例如薄 膜晶體管）具有源極S、柵極G與漏極D。像素電極212與主動元件Τ的漏極D電性連接。 每一像素單元210更包括與主動元件Τ的源極S電性連接的資料線DL以及與主動元件Τ 的柵極G電性連接的掃描線SL。
[0054] 請再參照圖1及圖2,接著，提供光電檢測元件110(步驟S200)。如圖2所示，在 本實施例中，光電檢測元件110包括基底111、位于基底111上的顯示介質(zhì)層112以及位于 基底111與顯示介質(zhì)層112之間的共用電極層113。基底111包括軟性透光基板111a以及 剛性透光基板111b。在本實施例中，顯示介質(zhì)層112例如為電子墨水層。電子墨水層包括 多個微膠囊（microcapsule) 112a。
[0055] 每一微膠囊112a內(nèi)含有白色的帶正電粒子以及黑色的帶負電粒子。然而，本發(fā)明 不限于此，在其他實施例中，顯示介質(zhì)層112亦可為其他適當種類的顯示介質(zhì)層，例如有機 發(fā)光二極管（organic light-emitting diode，0LED)層。
[0056] 然后，令光電檢測元件110與像素陣列基板200接觸（步驟300)。具體而言，本 實施例的檢測裝置100包括光電檢測元件110。檢測裝置100可將光電檢測元件110置于 像素陣列基板200上，以使光電檢測元件110與像素陣列基板200接觸。在本實施例中，光 電檢測元件110可與每一像素單元210的像素電極212接觸。然而，本發(fā)明不限于此，在其 他實施例中，待測的像素陣列基板200可包括覆蓋像素單元210的平坦層（Passivation)。 光電檢測元件110亦可與平坦層接觸。輸入至像素電極212及光電檢測元件110的電氣信 號E所造成的電場仍可穿過平坦層，而使與像素電極212對應的部分顯示介質(zhì)層112產(chǎn)生 動作，進而使光電檢測元件110仍可發(fā)揮檢測像素陣列基板200的功用。
[0057] 在本實施例中，光電檢測元件110更可包括異方向性導電膜ACF，其中顯示介質(zhì)層 112位于異方向性導電膜ACF與共用電極層113之間。上述令光電檢測元件110與像素陣 列基板200接觸的步驟可為令光電檢測元件110的異方向性導電膜ACF與像素陣列基板 200接觸。異方向性導電膜ACF在與基底111垂直的方向D1上具導電性而在與基底111平 行的另一方向D2上不具導電性。藉由異方向性導電膜ACF可增加像素陣列基板200與顯 示介質(zhì)層112在方向D1上的導電性。此外，異方向性導電膜ACF面向像素陣列基板200的 表面K可無粘性，故光電檢測元件110于測試完一個像素陣列基板200后，可自此像素陣列 基板200上移開，而與下一個待測的像素陣列基板200接觸。換言之，光電檢測元件110是 活動式的，而可重復地與待測的像素陣列基板200接觸。然而，本發(fā)明不限于上段所述，圖 4為本發(fā)明另一實施例的檢測裝置的示意圖，請參照圖4,在此實施例中，光電檢測元件110 可不包括異方向性導電膜ACF，而像素陣列基板200可與光電檢測元件110的顯示介質(zhì)層 112直接接觸。
[0058] 在本實施例中，在今光電檢測元件110與像素陣列基板200接觸之后，施加壓力于 固定像素陣列基板200以及光電檢測元件110,使像素陣列基板200以及光電檢測元件110 接觸良好，以使像素陣列基板200與顯示介質(zhì)層112間的導電性更佳。
[0059] 接著，輸入多個電氣信號E至像素陣列基板200的像素單元210與光電檢測元件 110 (步驟400)。具體而言，檢測裝置100包括信號源120。信號源120可輸出多個電氣信 號E至像素陣列基板200的像素單元210與光電檢測元件110。進一步而言，可輸入多個電 氣信號E至像素陣列基板200的像素單元210以及光電檢測元件110的共用電極層113。 詳言之，像素陣列基板200更包括共用電極端com。共用電極端com可與像素陣列基板200 的多條共用電極線電性連接。這些電氣信號E的其中一共用電極信號Vcom可通過共用電 極端com而傳遞至光電檢測元件110的共用電極層113。
[0060] 在本實施例中，光電檢測元件110更包括由基底111向外延伸且與共用電極層113 電性連接的導電結構114。導電結構114用于與像素陣列基板200的共用電極端com接觸。 輸入至共用電極端com的共用電極信號Vcom可通過導電結構114而傳遞至光電檢測元件 110的共用電極層113。像素陣列基板200更包括共源極端s，共源極端s電性連接多個像 素單元210的資料線DL。信號源120輸出的一個電氣信號E(例如資料信號S1)可輸入至 共源極端s。像素陣列基板200更包括共柵極端g，共柵極端g電性連接多個像素單元210 的掃描線SL。信號源120輸出的一個電氣信號E(例如柵極開啟信號G1)可輸入至共柵極 端g。
[0061] 接著，根據(jù)光電檢測元件110的光學特性，判斷像素陣列基板200的像素單元210 是否正常（步驟S500)。詳言之，若像素單元210正常，則輸入至像素單元210及光電測試 元件110的電器信號E可驅(qū)動像素單元210上方的部份顯示介質(zhì)層112,而使與像素單元 210重疊的部分光電檢測元件110的光學特性發(fā)生變化。若像素單元210異常，則輸入至像 素單元210及光電測試元件110的電氣信號E無法正常驅(qū)動像素單元210上方的部份顯示 介質(zhì)層112,而與像素單元210重疊的部分光電檢測元件110的光學特性會呈現(xiàn)異常。據(jù) 此，便可推測出像素陣列基板200的缺陷處。
[0062] 更清楚地說，在本實施例中，光電檢測元件110可劃分為多個檢測區(qū)塊C。像素陣 列基板200可劃分為分別包括多個像素單元210的多個待測區(qū)塊A。當光電檢測元件110 與像素陣列基板200接觸時，光電檢測元件110的檢測區(qū)塊C分別與像素陣列基板200的 待測區(qū)域A接觸。
[0063] 根據(jù)光電檢測元件110的光學特性判斷像素陣列基板200的像素單元210是否正 常的步驟可為：比較電氣信號E輸入至像素陣列基板200的像素單元210與光電檢測元件 110時檢測區(qū)塊C的光學特性與檢測區(qū)塊C的預期光學特性之間的差異，若檢測區(qū)塊(^的 光學特性與檢測區(qū)塊C Ne的預期光學特性不同，則判斷與檢測區(qū)塊CNe接觸的待測區(qū)塊ANe的 像素單元210異常。若檢測區(qū)塊C A的光學特性與檢測區(qū)塊(；k的預期光學特性相同，則判 斷與檢測區(qū)塊(；k的待測區(qū)塊Α Λ的像素單元210正常。
[0064] 舉例而言，在本實施例中，若像素單元210正常，當電氣信號Ε輸入像素單元210 與光電檢測元件110時，像素電極212與共用電極層113間的電場會使帶微膠囊120a中帶 電的白色粒子移動，而使與包括像素電極212的待測區(qū)塊Α Λ接觸的檢測區(qū)決(；k呈現(xiàn)預期 的光學特性，依此便可判斷待測區(qū)塊ΑΛ正常。若像素單元210異常，當電氣信號E輸入至 像素單元210與光電檢測元件110時，像素電極212與共用電極層113之間無法形成正常 電位，而微膠囊120a中帶電粒子分布異常。此時，與包括像素電極212的待測區(qū)塊A Ne接觸 的檢測區(qū)塊CNe呈現(xiàn)的光學特性（例如灰色）與預期的光學特性（例如白色）不同，依此便 可判斷待測區(qū)塊A Ne異常。
[0065] 具體而言，檢測裝置100包括分析單元130,而分析單元130可執(zhí)行上述根據(jù)光電 檢測元件110的光學特性判斷像素單元210是否正常的動作。分析單元130可為檢測人員。 然而，本發(fā)明不限于此，為了生產(chǎn)流程的自動化及提高檢測的正確性。在本實施例中，可采 用機器取代檢測人員的功能。舉例而言，分析單元130可為電子處理器（例如個人電腦）， 而檢測裝置100更包括光偵測器140,例如影像擷取器（image sensor)。電子處理器及光 偵測器140可取代檢測人員的功能。
[0066] 詳言之，光偵測器140可偵測光電檢測元件110的光學特性，特別是偵測電氣信號 E輸入至像素陣列基板200的像素單元210與光電檢測元件110時光電檢測元件110的光 學特性。光偵測器140所偵測到的光電檢測元件110的光學特性會傳送至分析單元130。 分析單元130可取得光電檢測元件110的預期光學特性，并將光電檢測元件110的預期光 學特性與光偵測器140在電氣信號E輸入至像素陣列基板200的像素單元210與光電檢測 元件110時所偵測到的光電檢測元件110的光學特性做比較，以判斷像素陣列基板110的 像素單元210是否正常。
[0067] 綜上所述，本發(fā)明實施例的檢測方法及檢測裝置將光電檢測元件與待測的像素陣 列基板接觸并輸入電氣信號至像素陣列基板與光電檢測元件，然后根據(jù)光電檢測元件的光 學特性判斷像素陣列基板的像素單元是否正常。本發(fā)明實施例的檢測裝置的構造簡單、制 造成本低，并可簡便地檢測出像素陣列基板的缺陷處。利用本發(fā)明實施例的檢測方法及檢 測裝置可簡便地檢測出像素陣列基板的缺陷處，而避免后續(xù)制造工藝材料及時間的浪費， 進而達到降低成本的目的。
[0068] 以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人 員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的方法及技術內(nèi)容作出些許的更 動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的 技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案 的范圍內(nèi)。
【權利要求】
1. 一種檢測方法，其特征在于包括： 提供像素陣列基板，該像素陣列基板包括多個像素單元； 提供光電檢測元件； 令該光電檢測元件與該像素陣列基板接觸； 輸入多個電氣信號至該像素陣列基板的上述像素單元與該光電檢測元件；以及 根據(jù)該光電檢測元件的光學特性，判斷該像素陣列基板的上述像素單元是否正常。
2. 如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于其中每一該像素單元包括至少一主動元 件以及與該至少一主動元件電性連接的像素電極，而今該光電檢測元件與該像素陣列基板 接觸的步驟包括： 將該光電檢測元件置于該像素陣列基板上，以使該光電檢測元件與上述像素單元的上 述像素電極接觸。
3. 如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于其中該光電檢測元件包括基底以及位于 該基底上的顯示介質(zhì)層，而令該光電檢測元件與該像素陣列基板接觸的步驟為： 將該光電檢測元件置于該像素陣列基板上，以使該光電檢測元件的該顯示介質(zhì)層與該 像素陣列基板接觸。
4. 如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于其中該光電檢測元件包括基底、位于該 基底上的異方向性導電膜以及位于該異方向性導電膜與該基底之間的顯示介質(zhì)層，而令該 光電檢測元件與該像素陣列基板接觸的步驟為： 將該光電檢測元件置于該像素陣列基板上，以使該光電檢測元件的該異方向性導電膜 與該像素陣列基板接觸。
5. 如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于在令該光電檢測元件與該像素陣列基板 接觸之后，更包括： 施加壓力于固定該像素陣列基板以及該光電檢測元件。
6. 如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于其中該光電檢測元件包括基底以及位于 該基底上的顯示介質(zhì)層，而該顯示介質(zhì)層包括電子墨水層或有機發(fā)光二極管層。
7. 如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于其中該光電檢測元件包括基底、配置于 該基底上的顯示介質(zhì)層以及配置于該基底與該顯示介質(zhì)層之間的共用電極層，而輸入上述 電氣信號至該像素陣列基板的上述像素單元與該光電檢測元件的步驟為： 輸入上述電氣信號至該像素陣列基板的上述像素單元以及該光電檢測元件的該共用 電極層。
8. 如權利要求7所述的檢測方法，其特征在于其中該像素陣列基板更包括共用電極 端，而輸入上述電氣信號至該像素陣列基板的上述像素單元與該光電檢測元件的步驟為： 輸入上述電氣信號至該像素陣列基板的上述像素單元以及該共用電極端，其中上述電 氣信號之一通過該共用電極端而傳遞至該光電檢測元件的該共用電極層。
9. 如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于其中該光電檢測元件劃分為多個檢測區(qū) 塊，該像素陣列基板劃分為分別包括上述像素單元的多個待測區(qū)塊，令該光電檢測元件與 該像素陣列基板接觸的步驟為令該光電檢測元件的上述檢測區(qū)塊分別與該像素陣列基板 的上述待測區(qū)域接觸，而根據(jù)該光電檢測元件的光學特性判斷該像素陣列基板的上述像素 單元是否正常的步驟為： 比較上述電氣信號輸入至該像素陣列基板的上述像素單元與該光電檢測元件時該光 電檢測元件的上述檢測區(qū)塊的光學特性與上述檢測區(qū)塊的預期光學特性之間的差異，若該 光電檢測元件的上述檢測區(qū)塊之一的光學特性與上述檢測區(qū)塊的該一的預期光學特性不 同，則判斷與上述檢測區(qū)塊的該一接觸的該待測區(qū)塊的該像素單元異常。
10. -種檢測裝置，用于檢測包括多個像素單元的像素陣列基板，其特征在于該檢測裝 置包括： 光電檢測元件，用于與該像素陣列基板接觸； 信號源，用于輸出多個電氣信號至該像素陣列基板的上述像素單元與該光電檢測元 件；以及 分析單元，用于根據(jù)該光電檢測元件的光學特性，判斷該像素陣列基板的上述像素單 兀是否正常。
11. 如權利要求10所述的檢測裝置，其特征在于更包括： 光偵測器，用于偵測該光電檢測元件的光學特性，而該光偵測器所偵測到的該光電檢 測元件的光學特性傳送至該分析單元。
12. 如權利要求10所述的檢測裝置，其特征在于，用于檢測包括上述像素單元的該像 素陣列基板，而每一該像素單元包括至少一主動元件以及與該至少一主動元件電性連接的 像素電極，其中該光電檢測元件用于與上述像素單元的上述像素電極接觸。
13. 如權利要求10所述的檢測裝置，其特征在于其中該光電檢測元件包括基底、位于 該基底上的顯示介質(zhì)層以及位于該基底與該顯示介質(zhì)層之間的共用電極層。
14. 如權利要求13所述的檢測裝置，其特征在于其中該光電檢測元件的該顯示介質(zhì)層 用于與該像素陣列基板接觸，而該共用電極層用于接收上述電氣信號之一。
15. 如權利要求13所述的檢測裝置，其特征在于其中該光電檢測元件更包括異方向性 導電膜，該顯示介質(zhì)層位于該異方向性導電膜與該共用電極層之間，該異方向性導電膜用 于與該像素陣列基板接觸，而該共用電極層用于接收上述電氣信號之一。
16. 如權利要求15所述的檢測裝置，其特征在于其中該異方向性導電膜在與該基底垂 直的一方向上具導電性而在與該基底平行的另一方向上不具導電性。
17. 如權利要求13所述的檢測裝置，其特征在于其中該顯示介質(zhì)層包括電子墨水層或 有機發(fā)光二極管層。
18. 如權利要求13所述的檢測裝置，其特征在于，用于檢測更包括共用電極端的該像 素陣列基板，而該光電元件更包括由該基底向外延伸且與該共用電極層電性連接的導電結 構，而該導電結構用于與該像素陣列基板的該共用電極端接觸。
19. 如權利要求18所述的檢測裝置，其特征在于其中該信號源輸出的上述電氣信號用 于輸入至該像素陣列基板的上述像素單元以及該共用電極端，而上述電氣信號之一通過該 共用電極端而傳遞至該光電檢測元件的該共用電極層。
20. 如權利要求10所述的檢測裝置，其特征在于，用于檢測包括上述個像素單元的該 像素陣列基板，該像素陣列基板劃分為分別包括上述像素單元的多個待測區(qū)塊，其中該光 電檢測元件劃分為多個檢測區(qū)塊，上述檢測區(qū)塊用于分別與上述待測區(qū)塊接觸，而該分析 單元用于比較上述電氣信號輸入至該像素陣列基板的上述像素單元與該光電檢測元件時 該光電檢測元件的上述檢測區(qū)塊的光學特性與上述檢測區(qū)塊的預期光學特性之間的差異， 若該光電檢測元件的上述檢測區(qū)塊之一的光學特性與上述檢測區(qū)塊的該一的預期光學特 性不同，則判斷與上述檢測區(qū)塊的該一接觸的該待測區(qū)塊的該像素單元異常。
【文檔編號】G01M11/02GK104122073SQ201410049504
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年2月12日 優(yōu)先權日:2013年4月29日
【發(fā)明者】劉全豐, 黃振勛, 黃霈霖, 李錫麟, 蔡振法, 張永昇 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司