晶片檢查裝置和探針卡的預(yù)熱方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠消減晶片檢查裝置的設(shè)置空間并且能夠降低設(shè)置成本的晶片檢查裝置。本發(fā)明的晶片檢查裝置（10）具備：以一片一片地搬送晶片的方式在第一搬送區(qū)域（S2）設(shè)置的第一晶片搬送機構(gòu)（12）；在第一搬送區(qū)域的端部的對準(zhǔn)區(qū)域（S3）內(nèi)，經(jīng)由晶片保持體（15）通過第一晶片搬送機構(gòu)（12）搬送的、在檢查位置對準(zhǔn)晶片（W）的對準(zhǔn)機構(gòu)（14）；在沿著第一搬送區(qū)域（S2）和對準(zhǔn)區(qū)域（S3）的第二搬送區(qū)域（S4）內(nèi)，經(jīng)由晶片保持體（15）搬送晶片（W）的第二晶片搬送機構(gòu)（16）；和排列在沿著第二搬送區(qū)域的檢查區(qū)域（S5）并且對經(jīng)由晶片保持體（15）通過第二晶片搬送機構(gòu)（16）搬送的晶片（W）進行電氣特性檢查的多個檢查室（17），在檢查室（17）進行對準(zhǔn)后的晶片的電氣特性檢查。
【專利說明】晶片檢查裝置和探針卡的預(yù)熱方法
[0001]本申請是2011年9月13日提出的申請?zhí)枮?01110276545.1的同名申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明，涉及進行晶片的電氣特性檢查的晶片檢查裝置和探針卡的預(yù)熱方法，更加詳細地說，涉及能夠使之省空間化且消減成本的晶片檢查裝置和能夠在短時間預(yù)熱探針卡的探針卡的預(yù)熱方法。
【背景技術(shù)】
[0003]作為晶片的檢查裝置，包括例如在使晶片以原有的狀態(tài)對多個設(shè)備進行電氣特性檢查的探針裝置，和以晶片的狀態(tài)進行加速檢查的預(yù)燒(burn-1n)檢查裝置等。
[0004]探針裝置，通常包括:搬送晶片的裝載室；和進行晶片的電氣特性檢查的檢查室，以通過控制裝置控制裝載室和檢查室內(nèi)的各種的裝置，進行晶片的電氣特性檢查的方式構(gòu)成。裝置室包括:以盒單位裝載晶片的盒載置部；在盒與檢查室之間搬送晶片的晶片搬送機構(gòu)；和在使用晶片搬送機構(gòu)搬送晶片的期間進行晶片的預(yù)備對位(預(yù)對準(zhǔn))的預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)。檢查室包括:載置從裝載室來的晶片，在Χ、Y、ζ和Θ方向移動的能夠調(diào)節(jié)溫度的載置臺；配置在載置臺上方的探針卡；和與載置臺協(xié)動進行探針卡的多個探針與晶片的多個電極墊的對位(對準(zhǔn))的對準(zhǔn)機構(gòu)，以載置臺和對準(zhǔn)機構(gòu)協(xié)動并進行晶片和探針卡的對準(zhǔn)后，根據(jù)需要在規(guī)定溫度下進行晶片的電氣特性檢查的方式構(gòu)成。
[0005]加熱晶片并在高溫下檢查的情況下，由于加熱后的晶片熱膨脹，在加熱后的晶片的電極墊與沒加熱的探針卡的探針之間產(chǎn)生位置偏移，不能夠使電極墊和探針正確地接觸，有可能不能確保信賴性。 因此，在現(xiàn)有技術(shù)中晶片的檢查之前預(yù)熱探針卡以確保電極墊和探針的接觸。
[0006]另外，在預(yù)燒檢查裝置的情況下，例如專利文獻I中所公開的，進行用晶片托盤保持的晶片的多個電極墊和探針薄板的多個凸起的對位后，通過真空吸附使晶片托盤、晶片和探針薄板等統(tǒng)一并作為一片的卡片組裝，搬送該卡片并安裝在預(yù)燒單元內(nèi)，在預(yù)燒單元內(nèi)規(guī)定的溫度下進行晶片的加速檢查。
[0007]專利文獻1:日本特開平11-186349號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的課題
[0009]在現(xiàn)有技術(shù)中的探針裝置的情況下，例如有以下問題。例如，作為探針裝置的主要部的檢查室，由于一邊使載置臺在XY方向移動一邊使用對準(zhǔn)機構(gòu)的照相機，對準(zhǔn)晶片的多個電極墊與探針卡的多個探針，需要載置臺移動的空間和對準(zhǔn)機構(gòu)的照相機移動的空間，所以僅僅檢查室就需要占有立體的非常大的空間。并且，在裝載室也必須有用于從盒搬送晶片至檢查室的空間。因此，對應(yīng)設(shè)備的生產(chǎn)能力設(shè)置多個探針裝置時，在現(xiàn)有技術(shù)的探針裝置中不得不平面地多個排列設(shè)置，設(shè)置空間變寬，成本變高。另外，預(yù)燒裝置，與預(yù)燒單元不同，為了使晶片和探針薄板等真空吸附來一體化，必須有獨自的晶片搬送機構(gòu)和將卡片一體化的裝置。
[0010]另外，在進行晶片的高溫檢查的情況下，通過將晶片加熱到規(guī)定溫度(例如，150°C)來進行，為了抑制因加熱而熱膨脹的晶片的電極墊和沒加熱的探針卡的位置的偏移，使用載置臺預(yù)熱探針卡并使其膨脹，來抑制晶片的電極墊和探針的位置的偏移。但是，這時，為了使探針卡的探針不產(chǎn)生損傷，使載置臺接近到探針卡跟前，由于晶片和探針卡的探針在非接觸的狀態(tài)下預(yù)熱，預(yù)熱所需要的時間變長。而且，在預(yù)熱探針卡之后，必須進行熱膨脹后的晶片與探針卡的對準(zhǔn)。
[0011]本發(fā)明，是為了解決以上課題而完成的，其目的在于提供能夠消減晶片檢查裝置的設(shè)置空間，并且能夠降低設(shè)置成本的晶片檢查裝置。另外，本發(fā)明的目的也在于同時提供能夠在短時間內(nèi)預(yù)熱探針卡的探針卡預(yù)熱方法。
[0012]課題解決的手段
[0013]本發(fā)明第一方面所記載的晶片檢查裝置，其使晶片的多個電極與探針卡的多個探針接觸來進行晶片的電氣特性檢查，所述晶片檢查裝置的特征在于，包括:載置機構(gòu)，其在晶片的搬出搬入?yún)^(qū)域收納多個晶片的框體至少在橫向多個排列；晶片搬送機構(gòu)，其以從所述載置機構(gòu)上的各所述框體將晶片一片一片搬送的方式設(shè)置在沿所述晶片的搬出搬入?yún)^(qū)域形成的搬送區(qū)域；對準(zhǔn)室，其具有在所述載置機構(gòu)的至少一方的端部形成的對位區(qū)域內(nèi)，經(jīng)由晶片保持體通過所述晶片搬送機構(gòu)搬送的、使所述晶片與電氣特性檢查的檢查位置進行對位的對位機構(gòu)；和多個檢查室，其排列在沿所述搬送區(qū)域形成的檢查區(qū)域并且進行經(jīng)由所述晶片保持體被所述晶片搬送機構(gòu)搬送的所述晶片的電氣特性檢查，其中，使通過所述對位機構(gòu)對位后的晶片在所述檢查室內(nèi)升降來進行電氣特性檢查。
[0014]本發(fā)明第二方面所記載的晶片檢查裝置，其使晶片的多個電極與探針卡的多個探針接觸來進行晶片的電氣特性檢查，所述晶片檢查裝置的特征在于，包括:載置機構(gòu)，其在晶片的搬出搬入?yún)^(qū)域收納多個晶片的框體至少在橫向多個排列；第一晶片搬送機構(gòu)，其以從所述載置機構(gòu)上的各所述框體將晶片一片一片搬送的方式設(shè)置在沿所述晶片的搬出搬入?yún)^(qū)域形成的第一搬送區(qū)域；對準(zhǔn)室，其具有在所述第一搬送區(qū)域的至少一方的端部形成的對位區(qū)域內(nèi)，經(jīng)由所述晶片保持體將通過所述第一晶片搬送機構(gòu)搬送的所述晶片與電氣特性檢查的檢查位置進行對位的對位機構(gòu)；第二晶片搬送機構(gòu)，其在沿所述第一搬送區(qū)域和所述對位區(qū)域形成的第二搬送區(qū)域內(nèi)，經(jīng)由所述晶片保持體搬送所述晶片；和多個檢查室，其排列在沿所述第二搬送區(qū)域形成的檢查區(qū)域并且經(jīng)由所述晶片保持體進行通過所述第二晶片搬送機構(gòu)搬送的所述晶片的電氣特性檢查，其中，使通過所述對位機構(gòu)對位后的晶片在所述檢查室內(nèi)升降來進行電氣特性檢查。
[0015]另外，本發(fā)明第三方面所記載的晶片檢查裝置，其特征在于:在本發(fā)明第一和第二方面記載的發(fā)明中，所述對準(zhǔn)室和所述檢查室，在各自的內(nèi)部被設(shè)定為同一位置關(guān)系的位置分別具備接收所述晶片保持體的定位部件。
[0016]另外，本發(fā)明第四方面所記載的晶片檢查裝置，其特征在于:在本發(fā)明第三方面記載的發(fā)明中，所述晶片保持體具備:和保持所述晶片的保持板和拆裝自由地支承所述保持板的支承體，在所述支承體的下面設(shè)置有與所述各定位部件結(jié)合的多個定位部。[0017]另外，本發(fā)明的第五方面所記載的晶片檢查裝置，其特征在于:在本發(fā)明的第四方面所記載的發(fā)明中，所述支承體構(gòu)成為所述晶片搬送機構(gòu)的臂。
[0018]另外，本發(fā)明的第六方面所記載的晶片檢查裝置，其特征在于:在本發(fā)明的第四和第五方面所記載的發(fā)明中，所述對位機構(gòu)具備:將所述保持板從所述支承體拾起并使其水平移動的移動體；和與所述移動體協(xié)動來進行被所述保持板保持的所述晶片的位置對準(zhǔn)的攝像機構(gòu)。
[0019]另外，本發(fā)明的第七方面所記載的晶片檢查裝置，其特征在于:在本發(fā)明的第四?第六方面的任一項所記載的發(fā)明中，所述檢查室具備:具有多個探針的探針卡；從周圍包圍所述多個探針的密封部件；將所述保持板與所述晶片一起提升并使其接觸所述密封部件的能夠調(diào)節(jié)溫度的升降體；將由所述晶片、所述密封部件和所述探針卡形成的密閉空間抽真空的排氣機構(gòu)。
[0020]另外，本發(fā)明的第八方面所記載的晶片檢查裝置，其特征在于:在本發(fā)明第七方面記載的發(fā)明中，所述定位部件附設(shè)在所述升降體。
[0021]另外，本發(fā)明的第九方面所記載的晶片檢查裝置，其特征在于:在本發(fā)明第一?第八方面的任何一方面所記載的發(fā)明中，所述檢查室在所述檢查區(qū)域的各排列位置中，在上下方向多個層疊。
[0022]另外，本發(fā)明的第十方面所記載的晶片檢查裝置，其特征在于:在本發(fā)明第一?第九方面的任一方面所記載的發(fā)明中，在所述對位區(qū)域設(shè)置有收納所述保持板的緩沖室。
[0023]另外，本發(fā)明的第十一方面所記載的探針卡的預(yù)熱方法，包括:具有在電氣特性檢查的檢查位置對晶片進行對位的對位機構(gòu)的對準(zhǔn)室；和對所述晶片進行電氣特性檢查的檢查室，所述檢查室包括:具有多個探針的探針卡；將所述多個探針從周圍包圍的密封部件；將所述晶片提升并使所述晶片接觸所述密封部件的能夠調(diào)節(jié)溫度的升降體；和將由所述晶片、所述密封部件和所述探針卡形成的密閉空間進行抽真空的排氣機構(gòu)，在進行所述晶片的電氣特性檢查時，在所述檢查室內(nèi)使用所述升降體來預(yù)熱探針卡，上述探針卡的預(yù)熱方法的特征在于，包括:
[0024]通過所述升降體將所述晶片提升并使所述晶片接觸所述密封部件的第一工序；
[0025]通過所述排氣機構(gòu)對所述密閉空間進行減壓并將所述晶片吸附至所述密封部件的第二工序；和
[0026]通過所述升降體對所述晶片的上表面和所述多個探針?biāo)佑|的所述探針卡進行
預(yù)熱的第三工序。
[0027]另外，本發(fā)明的第十二方面所記載的探針卡的預(yù)熱方法，其特征在于:在本發(fā)明第十一方面所記載的發(fā)明中，包括在所述對準(zhǔn)室對所述晶片進行對準(zhǔn)的工序。
[0028]另外，本發(fā)明的第十三方面所記載的探針卡的預(yù)熱方法，其特征在于:在本發(fā)明的第十二方面所記載的發(fā)明中，具備經(jīng)由晶片保持體在所述對準(zhǔn)室和所述檢查室之間搬送所述晶片的工序。
[0029]另外，本發(fā)明的第十四方面所記載的探針卡的預(yù)熱方法，其特征在于:在本發(fā)明的第十三方面所記載的發(fā)明中，具備在所述第二工序后將所述晶片保持體從所述檢查室搬出的工序。
[0030]發(fā)明的效果[0031]按照本發(fā)明，能夠提供能消減晶片檢查裝置的設(shè)置空間并且能降低設(shè)置成本的晶片檢查裝置。另外，也能夠同時提供能在短時間內(nèi)預(yù)熱探針卡的探針卡預(yù)熱方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1是表示本發(fā)明的晶片檢查裝置的一個實施方式的俯視圖。
[0033]圖2 (a)、(b)是分別表示圖1所示的晶片檢查裝置的圖，Ca)是從正面一側(cè)看的立體圖，(b)是從背面一側(cè)看的立體圖。
[0034]圖3是表示圖1所示的晶片檢查裝置的對位機構(gòu)的重要部分的概念圖。
[0035]圖4是表示圖1所示的晶片檢查裝置的檢查室的重要部分的概念圖。
[0036]圖5是具體表不圖4所不的檢查室的排氣機構(gòu)的概念圖。
[0037]圖6 (a)、(b)是分別表示使用圖3所示的對位機構(gòu)的對位工序的工序圖。
[0038]圖7 (a)、(b)是分別表示使用圖3所示的對位機構(gòu)的對位工序,是繼續(xù)圖6所示工序的工序圖。
[0039]圖8是表不使用圖3所不的對位機構(gòu)的對位工序的晶片的立體圖。
[0040]圖9 (a)、(b)是分別表不使用圖4所不的檢查室的檢查工序的工序圖。
[0041]圖10 (a)、(b)是分別表不使用圖4所不的檢查室的檢查工序圖，是繼續(xù)圖9所不工序的工序圖。
[0042]圖11 (a)、(b)是分別表示使用圖4所示的檢查室的檢查工序圖，是繼續(xù)圖10所示工序的工序圖。
[0043]圖12 (a)、(b)是分別表示本發(fā)明的檢查裝置的其他實施方式的圖，(a)是俯視圖、(b)是正面圖。
[0044]圖13是圖12所示的包括配置在檢查裝置的載置機構(gòu)的上側(cè)的晶片移載機構(gòu)的俯視圖。
[0045]圖14是圖12所示的用于檢查裝置的搬送機構(gòu)的上臂和晶片保持板的俯視圖。
[0046]圖15 Ca)?(C)分別表示圖12所示的檢查裝置中進行晶片對準(zhǔn)時的工序圖。
[0047]圖16 (a)、(b)分別表示在圖12所示的對準(zhǔn)室進行對準(zhǔn)時的工序圖。
[0048]圖17是圖12所示的說明檢查裝置的檢查室與搬送機構(gòu)關(guān)系的說明圖。
[0049]圖18 (a)、(b)分別表不圖16所不工序的后續(xù)工序圖。
[0050]符號說明
[0051]10、110 晶片檢查裝置
[0052]11、111 載置機構(gòu)
[0053]12、16、113 晶片搬送機構(gòu)
[0054]13、112 對準(zhǔn)室
[0055]14、119 對準(zhǔn)機構(gòu)
[0056]14AU19A 移動體
[0057]14BU19B 定位部件
[0058]15、118 晶片保持體
[0059]15A 保持板
[0060]15B 支承體[0061]15C 定位部
[0062]17、114 檢查室
[0063]18、121 探針卡
[0064]18AU21A 探針
[0065]21、124 密封部件
[0066]22、125 升降體
[0067]24 排氣機構(gòu)
[0068]SUSlO 搬出搬入?yún)^(qū)域
[0069]S2.S4.S30 搬送區(qū)域
[0070]S3、S20 對準(zhǔn)區(qū)域
[0071]S5、S40 檢查區(qū)域
[0072]W晶片
【具體實施方式】
[0073]以下，基于圖1~圖18所示的實施方式，對本發(fā)明進行說明。
[0074]本實施方式的晶片檢查裝置10，例如圖1、圖2的(a)、(b)所示，裝置主體的正面被分隔為:將晶片W以盒為單位搬出搬入的形成為細長的搬出搬入?yún)^(qū)域SI ;為了沿著搬出搬入?yún)^(qū)域SI搬送晶片W而形成的第一搬送區(qū)域S2 ;形成于第一搬送區(qū)域S2的兩端的對準(zhǔn)區(qū)域S3 ;沿著第一搬送區(qū)域S2用于搬送晶片W而形成的第二搬送區(qū)域S4 ;和沿著第二搬送區(qū)域S4而形成的晶片W的檢查區(qū)域S5，并收納在如圖2的(a)、(b)所示的外殼中。這些區(qū)域SI~S5，每個區(qū)域作為獨立的空間形成。而且，在這些區(qū)域SI~S5內(nèi)分別設(shè)置有專用的裝置，這些專用的裝置通過控制裝置來控制。
[0075]在搬出搬入?yún)^(qū)域SI中，如圖1、圖2 (a)、(b)所示，載置收納多個晶片W的FOUP等的框體F的載置機構(gòu)11被設(shè)置在4處，這些載置機構(gòu)11以載置并固定通過自動搬送裝置(未圖示)等搬送的框體F的方式構(gòu)成。在鄰接搬出搬入?yún)^(qū)域SI的第一搬送區(qū)域S2，設(shè)置有將分別載置在各載置機構(gòu)11的框體F內(nèi)的晶片W進行搬送的第一晶片搬送機構(gòu)12，以第一晶片搬送機構(gòu)12在第一搬送區(qū)域S2內(nèi)搬送晶片W的方式構(gòu)成。第一晶片搬送機構(gòu)12包括:真空吸附晶片W，或者后述的為了支承晶片保持體以在水平方向旋轉(zhuǎn)并且在上下方向升降的方式構(gòu)成的臂12A ;內(nèi)置有使臂12A旋轉(zhuǎn)并升降的驅(qū)動機構(gòu)的構(gòu)架12B ;和使構(gòu)架12B移動的移動機構(gòu)(未圖示)，以通過移動機構(gòu)移動到第一搬送區(qū)域S2內(nèi)來搬送晶片W的方式構(gòu)成。
[0076]如圖1、圖2 (a )、(b)所示，在形成在第一搬送區(qū)域S2的兩端部的對準(zhǔn)區(qū)域S3，設(shè)置有晶片W的預(yù)對準(zhǔn)室(未圖示)；晶片W的對準(zhǔn)室13 ;和緩沖室(未圖示)，預(yù)對準(zhǔn)室、對準(zhǔn)室13和緩沖室相互上下配置。在預(yù)對準(zhǔn)室設(shè)置有進行晶片W的預(yù)對準(zhǔn)的預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)，在對準(zhǔn)室13設(shè)置有進行晶片W對準(zhǔn)的對準(zhǔn)機構(gòu)14 (參照圖3)。另外，在緩沖室設(shè)置有收納晶片W的收納機構(gòu)。緩沖室，作為檢查完成后的晶片W的臨時放置場所，另外，也作為針研磨用晶片的收納場所來使用。
[0077]對準(zhǔn)機構(gòu)14，如圖3所示包括:設(shè)置在地板面(未圖示)上且以向上下方向和水平方向移動的方式構(gòu)成的筒狀的移動體14A ;包圍移動體14A且固定在地板面上并使晶片保持體15朝一定方向的定位的環(huán)狀的定位部件14B ;與移動體14A協(xié)動并將晶片保持體15上的晶片W對準(zhǔn)的第一、第二照相機HCpHC2 ;和固定第一、第二照相機HCpHC2的橋14D，以第一、第二照相機HCp 14C2在分別的焦點位置(對準(zhǔn)高度)拍攝晶片W的上表面的方式構(gòu)成。第一照相機HC1配置在對準(zhǔn)室13內(nèi)的XY坐標(biāo)的中心(XY坐標(biāo)的原點)，以拍攝晶片W的中心C (參照圖8)的方式配置，第二照相機HC2配置在XY坐標(biāo)的坐標(biāo)軸上，以拍攝晶片W的周邊部的目標(biāo)記號T (參照圖8)的方式配置。而且，第一、第二照相機HCpHC2，分別拍攝晶片W的中心C和目標(biāo)記號T，控制裝置基于這些位置信息求出連結(jié)晶片W的中心C與目標(biāo)記號T的線L (參照圖8)，以求出相對于線L的坐標(biāo)軸的傾斜度，并且修正與預(yù)先記錄的探針卡的多個探針對應(yīng)的晶片W的電極墊的位置偏移。
[0078]如圖3所示，定位部件14B作為具有比移動體14A的外徑大的內(nèi)徑的圓環(huán)狀的板部件形成，在其上表面以在圓周方向空有規(guī)定間隔的方式形成多個(例如3個)突起14Βρ多個突起HB1，配置在以第一照相機HC1為中心的圓周上，每個XY坐標(biāo)值預(yù)先設(shè)定在從XY坐標(biāo)的原點隔著等距離的位置。另外，在對準(zhǔn)室13，在該XY坐標(biāo)設(shè)定后述的探針卡的多個探針的針頭的XY坐標(biāo)值。
[0079]另外，晶片保持體15包括:保持晶片W的保持板15A ;將保持板15A拆裝自由地支承的環(huán)狀的支承體15B ;和在支承體15B的下表面具有與定位部件14B的多個突起HB1分別嵌合的凹部MC1的多個定位部15C，被定位部件14B大致水平地支承，以總是配置為一定位置的方式構(gòu)成。另外，如圖3所示，在支承體15B中形成比移動體14A更加大直徑的貫通孔，移動體14A穿過該貫通孔，以在貫通孔內(nèi)能夠在XY方向移動的方式形成。
[0080]移動體14A位于由定位部件14B支承的晶片保持體15的中央部正下方。移動體14A，從晶片保持體15的正下方在垂直方向上升與保持板15A接觸，并穿通支承體15B的貫通孔，將保持板15A從支承體15B提升至對準(zhǔn)高度。另外，移動體14A，在對準(zhǔn)高度的支承體15B的貫通孔的范圍內(nèi)向XY方向移動，與第一、第二照相機HCpHC2協(xié)動進行晶片W的對準(zhǔn)。而且，移動體14A，在對準(zhǔn)后返回原來的位置期間，使保持對準(zhǔn)后的晶片W的保持板14B以保持對準(zhǔn)時的XY坐標(biāo)值的狀態(tài)返回至支承體15B上。對準(zhǔn)后的晶片W，如后所述與晶片保持體15 —起搬送至檢查區(qū)域S5。
[0081]如圖1、圖2 (a)、(b)所示，在鄰接于第一搬送區(qū)域S2和對準(zhǔn)區(qū)域S3的第二搬送區(qū)域S4，設(shè)置有第二晶片搬送機構(gòu)16，第二晶片搬送機構(gòu)16，在第二搬送區(qū)域S4內(nèi)移動，以在對準(zhǔn)區(qū)域S3和檢查區(qū)域S5之間經(jīng)由晶片保持體15搬送晶片W的方式構(gòu)成。該第二晶片搬送機構(gòu)16，與第一晶片搬送機構(gòu)13同樣地以包括臂16A、構(gòu)架16B和移動機構(gòu)(未圖示)的方式構(gòu)成。
[0082]如圖1所示，在與第二搬送區(qū)域S4鄰接的檢查區(qū)域S5，沿著該區(qū)域S5，多個(本實施方式中為5個)檢查室17隔著規(guī)定間隔排列，這些檢查室17，以對于通過第二晶片搬送機構(gòu)16經(jīng)由保持體15搬送的完成對準(zhǔn)的晶片W進行電氣特性檢查的方式構(gòu)成。另外，檢查室17，如圖2 (a)、(b)所示，在檢查區(qū)域S5的各排列位置的上下方向作為被多個層疊的層疊構(gòu)造而形成。各層的檢查室17,均具有同一構(gòu)造。下面，以在以下的一個的檢查室17為例，參照例如圖4進行說明。
[0083]如圖4所示，檢查室17包括:具有與晶片W的多個電極墊對應(yīng)的多個探針18A的探針卡18 ;固定探針卡18的頂板19 ;通過安裝在頂板19的下表面的圓環(huán)狀的固定環(huán)20來固定外周邊部，且形成為將多個探針18A包圍的規(guī)定寬度的環(huán)狀的晶片吸附用的密封部件(以下，僅稱為“密封部件”)21 ;使晶片保持體15整體升降，且內(nèi)置有將晶片W冷卻、加熱到規(guī)定溫度的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)的升降體22 ;和對通過升降體22與密封部件21在外周邊部彈接的晶片W與探針卡18之間形成的密閉空間進行抽真空，并使晶片W的多個電極墊和多個探針18A —并接觸的排氣機構(gòu)(例如真空泵)(未圖示)。在頂板19，通過矩形組塊將多個彈簧探針(pogo pin)成束并保持的彈簧探針組塊(pogo block) 19A被保持的貫通保持部,對應(yīng)于探針卡18的背面的端子電極在多處排列為矩陣狀而形成。這些彈簧探針組塊19A的彈簧探針與探針卡和檢查器(未圖示)連接。在頂板19和探針卡18A的外周邊部，分別形成向圖4箭頭所示的方向排氣的排氣通路，在這些排氣通路的出口經(jīng)由配管與真空泵連接。關(guān)于具有排氣機構(gòu)和排氣通路的排氣機構(gòu)，以后敘述。
[0084]如圖4所示，在升降體22的下表面形成有凸緣部22A，在該凸緣部22k的上表面，與晶片保持體15的定位部件15C的凹部KC1嵌合的多個突起22B在圓周方向隔著規(guī)定間隔形成。這些突起22B，與在對準(zhǔn)室13內(nèi)的定位部件14B形成的多個突起HB1對應(yīng)，被配置在成為同一 XY坐標(biāo)的位置。S卩，檢查室17內(nèi)的XY坐標(biāo)與對準(zhǔn)室13的XY坐標(biāo)是同一坐標(biāo)位置關(guān)系，在對準(zhǔn)室13被對準(zhǔn)的保持板15A上的晶片W，在檢查室17內(nèi)再現(xiàn)在水平方向(Χ、Υ、Θ方向)的位置坐標(biāo)，多個電極墊以與探針卡18的多個探針18Α確實地接觸的方式對準(zhǔn)。并且，升降體22的凸緣部22Α和多個突起22Β相當(dāng)于對準(zhǔn)室13內(nèi)的定位部件14Β。
[0085]升降體22，將在凸緣部22Α的多個突起22Β支持的晶片保持體15以該狀態(tài)朝向探針卡18提升，能夠使對準(zhǔn)后的晶片W的周邊部與密封部件21彈接并做出密閉空間。密閉空間通過排氣機構(gòu)減壓，晶片W被密封部件21真空吸附。另外，升降體22，其驅(qū)動方式是:把真空吸附后的晶片W留在探針卡18 —側(cè)并下降并來使晶片保持體15從晶片W分離，通過第二搬送機構(gòu)16將晶片保持體15從檢查室17搬出后，再次上升使晶片W與多個探針壓接，在規(guī)定溫度下進行晶片W的電氣特性檢查。在檢查后，完成檢查的晶片W，沿著逆向的路徑從檢查室17搬出。
[0086]這樣，本實施方式的檢查室17的空間，只要有晶片保持體15搬出搬入的空間，和使由晶片保持體15保持的晶片W與探針卡18接觸用的升降體22進行升降的空間就足夠。因此，檢查室17，與現(xiàn)有技術(shù)比較能夠顯著地降低高度，如上所述采用層疊構(gòu)造能夠顯著地消減檢查室的設(shè)置空間。而且，升降體22，由于沒必要在XY方向移動，也能夠顯著地消減檢查室17的占有面積。另外，對準(zhǔn)機構(gòu)14，由于能夠在各檢查室17共有，所以不需要如現(xiàn)有技術(shù)中的在每個檢查室17設(shè)置昂貴的對準(zhǔn)機構(gòu)14，能夠大幅地消減成本。
[0087]另外，如圖1、圖2 (a)、(b)所示，在各檢查室17分別設(shè)置有冷卻管道23，通過每個的冷卻裝置(未圖示)冷卻在檢查中發(fā)熱的晶片W并總是維持一定的溫度。
[0088]此處，對于在進行晶片W的電氣特性檢查時使晶片W真空吸附在密封部件21的排氣機構(gòu)24，一邊參照例如圖5 —邊進行說明。如圖5所示，排氣機構(gòu)24具備:在探針卡18的外周邊部的一處形成的第一排氣通路24A ;和以與第一排氣通路24A連通的方式在頂板19的上下方向形成的第二排氣通路24B ;在從該第二排氣通路24B的周面的一處向頂板19內(nèi)的在徑方向延伸設(shè)置的頂板19的外周面開口的第三排氣通路24C ;和通過配管(未圖示)與第三排氣通路24C連接的真空泵(未圖示)。
[0089]如圖5所示，第一排氣通路24A包括:在探針卡18的外周邊部上表面形成的淺的凹陷部24Ai ;貫通凹陷部24Ai的底部的孔24A2 ;和堵塞凹陷部24Ai的上部開口的帶孔的配件24A3。另外，第二排氣孔24B包括:安裝在頂板19的上下方向形成的貫通孔的具有中空狀的排氣通路的螺栓ZAB1 ;和將中空螺栓ZAB1固定在頂板19的螺帽24B2，以中空螺栓24Bi的排氣通路的軸心與配件24A3的孔的軸心一致的方式安裝在頂板19。在該中空螺栓24Bi的上端安裝有密封第二排氣通路24B的蓋部件24D。另外，在中空螺栓24Bi的圓周面形成有將排氣通路和第二排氣通路24C連通的孔。
[0090]另外，如圖5所示，密封部件21的厚度，形成為與探針18A的長度大致相同。因此，由于密封部件21與通過升降體22提升的晶片W接觸，在晶片W的上表面和探針18A之間形成微小的間隙。這樣在晶片W接觸密封部件21的狀態(tài)下驅(qū)動真空泵時，在晶片W和探針卡18之間形成的密閉空間被減壓，晶片W吸附在密封部件21并彈接，因此，晶片W的多個電極墊與多個探針18A輕微地接觸，如上所述即使升降體22下降也能夠保持晶片W與密封部件21的吸附狀態(tài)。
[0091]其次，關(guān)于操作一邊參照圖6~圖11 一邊進行說明。[0092]首先，通過自動搬送裝置在搬出搬入?yún)^(qū)域SI的各載置機構(gòu)11載置FOUP等的框體F。在第一搬送區(qū)域S2驅(qū)動第一晶片搬送機構(gòu)12，通過臂12A從框體F —片一片地搬出晶片W，將晶片W搬向?qū)?zhǔn)區(qū)域S3的預(yù)對準(zhǔn)室內(nèi)的預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)，在此處進行晶片W的預(yù)對準(zhǔn)。之后，第一晶片搬送機構(gòu)12，通過臂12A從預(yù)對準(zhǔn)室將晶片W搬出，通過臂12A將晶片W與保持體15 —起向?qū)?zhǔn)室13搬送。
[0093]之后，第一晶片搬送機構(gòu)12，如圖6的(a)所示通過晶片保持體15向?qū)?zhǔn)室13內(nèi)搬送晶片W，如同圖的(b)所示把晶片保持體15傳遞給定位部15C。這時，晶片保持體15，其定位部15C的凹部MC1與定位部件14B的突起HB1嵌合，并自動地進行在對準(zhǔn)室13的晶片保持體15的定位。定位后，如同圖的(b)中箭頭所示移動體14A上升。
[0094]移動體14A上升并與保持板15A接觸，而且如圖7的(a)所示上升到對準(zhǔn)高度后停止。在該位置第一、第二照相機HCpHC2和移動體14A在控制裝置的控制下運行。SP，如圖8所示，第一的照相機HC1拍攝晶片W并識別晶片W的中心C。當(dāng)?shù)谝徽障鄼CHC1不能識別晶片W的中心C時，移動體14A在晶片保持體15的支持體15B的貫通孔的范圍內(nèi)向XY方向移動的期間，第一照相機HC1查找保持板15A上的晶片W的中心C，使用第一照相機MC1識別中心C。接著，弟二照相機14C2拍攝晶片W的周邊部的目標(biāo)T,從將中心C與目標(biāo)T連結(jié)的線L和坐標(biāo)軸識別晶片W的Θ方向的傾斜度。第二照相機1扣2識別晶片W的傾斜度后，移動體14A在Θ方向旋轉(zhuǎn)對相對于晶片W的XY坐標(biāo)軸的傾斜度進行修正。接著，通過第一照相機HC1對晶片W的中心再次確認，并識別晶片W的中心C的一系列的運行，完成晶片W的對準(zhǔn)。
[0095]在對準(zhǔn)后，移動體14A下降到原來的位置，在途中保持板15A被載置在支持體15B上。之后，在第二搬送區(qū)域S4第二搬送機構(gòu)16驅(qū)動，如圖7的(b)的箭頭所示將晶片W與晶片保持體15 —起從對準(zhǔn)室13搬送到檢查區(qū)域S5的規(guī)定的檢查室17。
[0096]第二晶片搬送機構(gòu)16，如圖9的(a)所示，搬送到檢查區(qū)域S5的規(guī)定的檢查室17內(nèi)，如同圖的(b)所示，把晶片保持體15傳遞給升降體22。這時，晶片保持體15的定位部15C的多個凹部KC1與升降體22的多個突出22B嵌合，在檢查室17內(nèi)晶片保持體15自動地進行定位，維持在對準(zhǔn)室13的對準(zhǔn)狀態(tài)。升降體22，如同圖的(b)的箭頭所示從對準(zhǔn)位置以將晶片保持體15支承的狀態(tài)直至彈接在密封部件21為止在垂直方向上升。
[0097]升降體22上升后，如圖10的(a)所示，晶片W的周邊部與密封部件21接觸，通過晶片W、密封部件21和探針卡18形成密閉空間。在此處，排氣機構(gòu)24的真空泵運行，從第一、第二、第三排氣通路24A、24B、24C (參照圖5)如同圖的(a)的箭頭所示排出密閉空間內(nèi)的空氣，使晶片W真空吸附于密封部件21。晶片W被密封部件21真空吸附后，升降體22，如同圖的(a)的鏤空箭頭所示，以支承晶片保持體15的狀態(tài)下降至原來的位置。在該期間，第二晶片搬送機構(gòu)16將晶片保持體15從升降體22分離，如同圖的(b)的鏤空箭頭所示，從檢查室17將晶片保持體15送回對準(zhǔn)區(qū)域S3的緩沖室。晶片保持體15準(zhǔn)備下次的晶片W的檢查。
[0098]晶片保持體15從檢查室17搬出后，如圖11的(a)的鏤空箭頭所示，升降體22再次在垂直方向上升，如同圖的(b)所示，通過升降體22推壓真空吸附的晶片W到探針卡18，使晶片W的多個電極墊和探針卡18的多個探針18A—并電接觸。在晶片W與探針卡18電接觸的狀態(tài)下，實行晶片W的電氣特性檢查。
[0099]在進行晶片W的高溫檢查的情況下，經(jīng)由升降體22的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)，通過升降體22將晶片W加熱到規(guī)定的溫度(例如，150°C )。被加熱的晶片W與探針卡18之間有溫度差。因此，使加熱后的晶片W與探針卡18接觸后,盡管進行晶片W的電極塾和探針18A的對準(zhǔn)，在電極墊與探針18之間也會產(chǎn)生位置偏移，難以確保具有信賴性的檢查。
[0100]于是，在本實施方式中，如圖5、圖11的(b)所示，從檢查室17搬出晶片保持體15后，使升降體22接觸真空吸附在密封部件21的晶片W，在該狀態(tài)下加熱晶片W (預(yù)熱)。這時，晶片W，彈接在密封部件21并且與探針卡18的全部的探針18A接觸。由此，加熱晶片W后，通過經(jīng)由與晶片W接觸的全部的探針18A從晶片W至探針卡18的直接的熱傳遞和來自晶片W的福射熱，能夠短時間地加熱探針卡18到規(guī)定溫度。另外，晶片W和探針18A以維持對準(zhǔn)時的接觸狀態(tài)熱膨脹，能夠不使位置偏移預(yù)熱到大致相同的檢查溫度。能夠從預(yù)熱之后立即連續(xù)地以該狀態(tài)實行晶片W的高溫檢查，能夠確保檢查的信賴性。
[0101]在檢查完成后，升降體22下降并回到原來的位置。在該期間，第二晶片搬送機構(gòu)16將晶片保持體15搬入檢查室17內(nèi)，并把晶片保持體15傳遞給升降體22后，第二晶片搬送機構(gòu)16從檢查室17暫時退出。另一方面，升降體22隨著晶片保持體15上升，使保持板15A與完成檢查的晶片W接觸。這時，停止通過排氣機構(gòu)24的真空泵所進行的真空吸附，使密閉空間返回到常壓后，在升降體22回到原來的位置期間，第二晶片搬送機構(gòu)16從升降體22接收晶片保持體15并從檢查室17退出，將晶片保持體15返還至緩沖室。接著，第一晶片搬送機構(gòu)12驅(qū)動并將晶片W從晶片保持體15返還至載置機構(gòu)11的框體F內(nèi)。通過這些一系列的運行完成晶片W的檢查。關(guān)于其它的晶片W，從框體F分別搬送到檢查區(qū)域S5的多個檢查室17，同樣地進行檢查。
[0102]按照以上說明的本實施方式，在搬出搬入?yún)^(qū)域SI載置框體F，使用分別設(shè)置在第一、第二搬送區(qū)域S2、S4的第一、第二的晶片搬送機構(gòu)12、16，將通過對準(zhǔn)區(qū)域S3的對準(zhǔn)機構(gòu)14對準(zhǔn)的晶片W經(jīng)由晶片保持體15搬送至設(shè)置在檢查區(qū)域S5的檢查室17，由于在檢查室17能夠?qū)⑼ㄟ^晶片保持體15保持的晶片W不進行對準(zhǔn)而實施晶片W的電氣特性檢查，所以能夠顯著地消減晶片檢查裝置10的設(shè)置空間，并且能夠顯著地降低設(shè)置成本。
[0103]另外，在進行晶片W的聞溫檢查的情況下，使晶片W和與探針卡18對準(zhǔn)后的晶片W和以及探針卡18真空吸附，在該狀態(tài)下通過與晶片W接觸的升降體22將晶片W預(yù)熱至規(guī)定溫度，因此，晶片W和探針卡18能夠維持對準(zhǔn)的狀態(tài)，在預(yù)熱后沒必要重新進行晶片W與探針卡18的對準(zhǔn)，而且，能夠使晶片W的電極墊與探針18A不發(fā)生位置偏移而進行高溫檢查，能夠確保高溫檢查的信賴性。
[0104]另外，按照本實施方式，由于在檢查室17僅僅使晶片W升降就能進行電氣特性檢查，能夠?qū)崿F(xiàn)檢查室17的省空間化。另外，由于在檢查區(qū)域S5中能夠在多處具備多層構(gòu)造檢查室17，能夠顯著地提高檢查效率。
[0105]第二實施方式
[0106]本實施方式的晶片檢查裝置，如圖12?圖18所示，基本來說通過減少第一實施方式中的晶片檢查裝置10的第一搬送區(qū)域SI，來使得檢查裝置省空間化并簡化晶片搬送機構(gòu)。因此，以下，以本實施方式的特征部分為中心進行說明。
[0107]即，本實施方式的晶片檢查裝置110，如圖12 (a)所示，被分隔為:在裝置主體的正面將晶片W以盒單位搬出搬入的形成為細長的搬出搬入?yún)^(qū)域SlO ;在該搬出搬入?yún)^(qū)域SlO的右端形成的對準(zhǔn)區(qū)域S20 ;用于沿搬出搬入?yún)^(qū)域SlO和對準(zhǔn)區(qū)域S20搬送晶片W而形成的搬送區(qū)域S30 ;和沿著搬送區(qū)域S20形成的晶片W的檢查區(qū)域S40。這些區(qū)域SlO?S40，與第一實施方式相同作為每個區(qū)域相互獨立的空間而形成。
[0108]如圖12的(a)、(b)所示，分別在搬出搬入?yún)^(qū)域S10、對準(zhǔn)區(qū)域S20、搬送區(qū)域S30和檢查區(qū)域S40，分別設(shè)置有載置機構(gòu)111、對準(zhǔn)室112、晶片搬送機構(gòu)113和檢查室114。另夕卜，如圖12 (b)和圖13所示，在載置機構(gòu)111的上段設(shè)置有晶片W的預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115和晶片移載機構(gòu)116。因此，晶片搬送機構(gòu)113從框體F向預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115搬送未檢查的晶片W，在預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115中進行預(yù)對準(zhǔn)。晶片移載機構(gòu)116從預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115向晶片搬送機構(gòu)113移載預(yù)對準(zhǔn)后的晶片W。晶片搬送機構(gòu)113，向?qū)?zhǔn)室112搬送該晶片W，并且把對準(zhǔn)后的晶片W搬送向檢查室114。然后，晶片搬送機構(gòu)113，從檢查室114經(jīng)由設(shè)置在載置機構(gòu)111的左端的針跡檢查區(qū)域S50內(nèi)的針跡檢查裝置117搬送檢查完成的晶片W到載置裝置111上的框體F內(nèi)的原來位置。
[0109]然后，晶片搬送機構(gòu)113，如圖12 (b)所示，包括:基臺113A ;在基臺113A上通過旋轉(zhuǎn)軸能夠正反旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的旋轉(zhuǎn)體113B ;在旋轉(zhuǎn)體113B上分別個別地在一個方向往返移動的上下兩支臂113CU13D ;升降基臺113A和臂113CU13D的升降機構(gòu)113E ;和使這些機構(gòu)沿著搬送區(qū)域S30往返移動的移動機構(gòu)113F。升降機構(gòu)113E，構(gòu)成為通過滾珠螺桿(ball screw)113El使基臺113A和臂113C、113D在上下方向移動。移動機構(gòu)113E，構(gòu)成為通過滾珠螺桿(未圖示)使基臺113A和臂113C、113D在軌道113F1向橫向往返移動。晶片搬送機構(gòu)113、預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115和晶片移載機構(gòu)的關(guān)系在以下進行說明。
[0110]預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115，如圖12 (b)所示，包括:將通過晶片搬送機構(gòu)113的下臂113D搬送的未檢查晶片W真空吸附并使其正反旋轉(zhuǎn)的輔助卡盤115A ;內(nèi)置有使輔助卡盤115A正反旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動機構(gòu)的基臺115B ;通過輔助卡盤115A旋轉(zhuǎn)的晶片W的定向平面(orientation flat)和凹口等記號的檢測用傳感器(未圖示),并構(gòu)成為:在晶片W通過輔助卡盤115A進行旋轉(zhuǎn)的過程中用傳感器檢測晶片W的記號后，輔助卡盤115A使晶片W朝向一定方向并停止。
[0111]另外，晶片移載機構(gòu)116，如圖12 (b)、圖13和圖15 (b)、(C)所不，包括:為了把持晶片從支承棒116A的周面相互向圓周方向隔著120°設(shè)置為放射狀的3根把持棒116B ；和通過支承棒116A使3根把持棒116B升降的升降機構(gòu)116C，并構(gòu)成為:這些把持棒116B伸縮并把持預(yù)對準(zhǔn)后的晶片W后下降，且如圖15 (b)、(c)所示向晶片搬送機構(gòu)113的上臂113C移載晶片W。在把持棒116B的頂端部形成如圖13所示的側(cè)面形狀折返為口字狀的支承部116B1;并通過支承部IWA1支承晶片W的外周邊部。該支承部IWB1真空吸附并支承晶片W的外周邊部。因此，晶片移載機構(gòu)116，能夠在3根把持棒116B頂端的支承部IWB1將晶片吸附，并水平地把持且升降。
[0112]從晶片移載機構(gòu)116接過對準(zhǔn)后的晶片W的晶片搬送機構(gòu)113的上臂113C，如圖14所示將預(yù)對準(zhǔn)后的晶片W通過晶片保持板118吸附保持，并搬送向?qū)?zhǔn)室112、檢查室114。在該上臂113C，形成有從中央到頂端部附近的矩形狀的大孔113Q。另外，下臂113D，將未檢查的晶片W從框體F搬送至預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115。
[0113]晶片保持板118，如圖14所示形成有與晶片W實質(zhì)上相同的外徑。在晶片保持板118的外周邊部的6處形成有在圓周方向隔著等間隔的缺口部118A，這些之中的3處缺口部118A以把持晶片的3根把持棒116B的支承部IWB1穿通的方式形成。另外，在上臂16C形成有對應(yīng)晶片保持板118的缺口部118A的小孔16C2。因此，晶片移載裝置116，在3根把持棒116B的支承部IWB1把持預(yù)對準(zhǔn)后的晶片W，當(dāng)將晶片W從預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115的輔助卡盤115A移載至晶片保持板118上時，3根把持棒116B的支承部IWB1穿過晶片保持板118的缺口部118A和小孔16C2。
[0114]在對準(zhǔn)室112內(nèi)，設(shè)置例如圖16 (a)、(b)所示對準(zhǔn)機構(gòu)119。該對準(zhǔn)機構(gòu)119，如同圖所示，包括:移動體119A ;具有多個突起部IWB1的定位部件119B ;和第一、第二照相機119(^、119(:2、橋119D，具備與第一實施方式的晶片檢查裝置10的對準(zhǔn)機構(gòu)14相同的構(gòu)造。在本實施方式中，與第一實施方式不同的點是:晶片保持體118通過晶片搬送機構(gòu)113的上臂113C搬送到對準(zhǔn)室112內(nèi)，上臂113C在對準(zhǔn)室112內(nèi)的規(guī)定位置以停留在規(guī)定的位置的狀態(tài)進行晶片W的對準(zhǔn)。即，上臂113C相當(dāng)于第一實施方式的晶片保持體15的支承體15B。
[0115]在對準(zhǔn)室112內(nèi)，上臂113C通過定位部件119B被定位在規(guī)定位置。因此，在上臂113C的下表面形成與定位部件119B的多個突起IWB1分別嵌合的凹部113C3，并構(gòu)成為:當(dāng)上臂113C進入對準(zhǔn)室112內(nèi)時，使多個凹部113C3與對應(yīng)的這些突起IWB1嵌合并就位。而且，移動體119A穿過上臂113C的孔113Q，在孔113Q內(nèi)能夠在XY方向移動。移動體119A，與第一實施方式同樣地從晶片保持體118的正下方在垂直方向上升，在晶片W對準(zhǔn)后回到原來的位置。對準(zhǔn)后的晶片W，通過上臂113C與晶片保持體118 —起從對準(zhǔn)室15離開，被搬向檢查室114。
[0116]另外，檢查室114，除了將對準(zhǔn)后的晶片W進行交接的機構(gòu)與第一實施方式不同之外，其它結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同。 即，檢查室114,如圖17所不與第一實施方式相同,包括:頂板120、探針卡121、彈簧探針組塊122、固定環(huán)123和密封部件124。與第一實施方式不同的晶片傳遞機構(gòu)，包括:從進入檢查室114內(nèi)的晶片搬送機構(gòu)113的上臂113C，使對準(zhǔn)后的晶片W與晶片保持體118 —起在垂直方向升降的升降體125 ;和包圍升降體125進行上臂113C的定位的環(huán)狀定位部件126。在定位部件126的上表面，與進入檢查室114內(nèi)的上臂113C的凹部113(:3嵌合的多個突起126A以在圓周方向隔著規(guī)定間隔的方式形成。這些突起126A，對應(yīng)于對準(zhǔn)室112內(nèi)的定位部件119B的多個突起119B1，配置在同一 XY坐標(biāo)的位置。因此，在對準(zhǔn)室112對準(zhǔn)后的晶片W的XY坐標(biāo)值在檢查室114再現(xiàn)。
[0117]即，檢查室114內(nèi)的XY坐標(biāo)與對準(zhǔn)室15的XY坐標(biāo)為鏡像關(guān)系，上臂113C定位在定位部件57上并就位，在對準(zhǔn)室112被對準(zhǔn)的晶片保持板118上的晶片W通過升降體125提升時，晶片W的多個電極與探針卡121的多個探針1212A確實地接觸。
[0118]其次，對操作進行說明。首先，在晶片檢查裝置110的各載置機構(gòu)111上載置有FOUP等的框體F。當(dāng)進行晶片W的檢查時，晶片搬送機構(gòu)113驅(qū)動，通過下臂13D從框體F一片一片地搬出晶片W，如圖15 (a)所示搬送晶片W到預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115，并在此處進行晶片W的預(yù)對準(zhǔn)。之后，晶片移載機構(gòu)116驅(qū)動，如圖8 (b)所示通過3根把持棒116B把持并提升對準(zhǔn)后的晶片W。此時，晶片搬送機構(gòu)113驅(qū)動，上臂16C在吸附晶片保持體118的狀態(tài)下進入預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115和晶片移載機構(gòu)116之間，并且在晶片W的中心與晶片保持體118的中心一致的位置停止。
[0119]接著，晶片移載機構(gòu)116的3根把持棒116B下降，且3根把持棒116B的支承部IieB1分別穿過晶片保持體118的缺口部118A和上臂113C的小孔113C2，將晶片W載置在晶片保持體118上。當(dāng)3根把持棒116B在上臂113C的小孔113C2內(nèi)伸長并放開晶片W后，3根保持棒116B如圖15 (c)所示上升并返回初期位置。當(dāng)晶片W移載到第二晶片搬送機構(gòu)113的上臂113C上時，上臂113C從預(yù)對準(zhǔn)機構(gòu)115返回初期位置。
[0120]晶片搬送機構(gòu)113的上臂113C如圖16 (a)所示進入到對準(zhǔn)室112內(nèi)的定位部件119B的正上方后下降，上臂113C的凹部113C3與定位部件119B的突起IWB1嵌合，自動進行在對準(zhǔn)室112的上臂113C的定位。定位后，如同圖(b)的箭頭所示移動體119A上升。移動體119A上升,并與第一實施方式相同通過第一、第二照相機119(^、119(]2進行晶片W的對準(zhǔn)后，在移動體119A下降的過程中，移動晶片保持體118到上臂113C上，移動體119A返回到初期位置，晶片W的對準(zhǔn)完成。在對準(zhǔn)后，上臂113C如圖18 (b)的箭頭所示把對準(zhǔn)后的晶片W與晶片保持體118 —起從對準(zhǔn)室112退出，并將對準(zhǔn)后的晶片W搬送到規(guī)定的檢查室 114。
[0121]晶片搬送機構(gòu)113的上臂113C如圖17所示進入檢查室114內(nèi)，通過上臂113C的凹部113C3和定位部件126的突起126A，在檢查室114內(nèi)再現(xiàn)在對準(zhǔn)室112內(nèi)對準(zhǔn)的XY坐標(biāo)位置。之后，當(dāng)升降體125上升并在垂直方向抬起晶片保持體118時，晶片W的外周邊部與密封部件124彈性接觸，并在探針卡121與晶片W之間形成密閉空間。之后，與第一實施方式相同由于通過排氣機構(gòu)對密閉空間進行減壓，晶片W真空吸附于密封部件124。在該狀態(tài)下升降體125以保持晶片保持體118的狀態(tài)下降，將晶片保持體118移動到上臂113C上。之后，上臂113C從檢查室114退出后，升降體125再次上升向探針卡121 —側(cè)推壓晶片W，使晶片W的多個電極與多個探針121A電接觸，以進行晶片W的電氣檢查。
[0122]在檢查完成后，解除通過排氣機構(gòu)的真空吸附，密閉空間返回常壓后，在升降體125伴隨完成檢查的晶片W返回原來位置的過程中，晶片搬送機構(gòu)113的下臂113D從升降體125接過完成檢查的晶片W后從檢查室114退出，并搬送向針跡檢查室117，針跡檢查后，通過下臂113D搬送晶片W到載置機構(gòu)111上的框體F的原來位置。由此，完成一系列的晶片W的檢查，后續(xù)的晶片W的檢查以相同方法進行。
[0123]如以上所進行的說明，按照本實施方式，與第一實施方式相比能夠減少搬送區(qū)域，并更好地實現(xiàn)省空間化。另外，伴隨搬送區(qū)域的減少晶片搬送機構(gòu)消減，從機構(gòu)上來說能夠更好地實現(xiàn)簡化。
[0124]本發(fā)明，不受限于上述實施方式，有必要的話能夠設(shè)計變更各構(gòu)成元件。在上述實施方式中，例如在晶片的檢查中真空吸附晶片，但只要用升降體將晶片壓接在密封部件，在該期間中就能夠停止抽真空。另外，本發(fā)明的晶片檢查裝置，在其構(gòu)造上也能夠適用于預(yù)燒檢查裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種探針卡的預(yù)熱方法，其包括:具有在電氣特性檢查的檢查位置對晶片進行對位的對位機構(gòu)的對準(zhǔn)室；和對所述晶片進行電氣特性檢查的檢查室，所述檢查室包括:具有多個探針的探針卡；從周圍包圍所述多個探針的密封部件；將所述晶片提升并使所述晶片與所述密封部件接觸的能夠調(diào)節(jié)溫度的升降體；和將由所述晶片、所述密封部件和所述探針卡形成的密閉空間抽真空的排氣機構(gòu)，在進行所述晶片的電氣特性檢查時，在所述檢查室內(nèi)，使用所述升降體對所述探針卡進行預(yù)熱，所述探針卡的預(yù)熱方法的特征在于，包括: 通過所述升降體將所述晶片提升并使所述晶片與所述密封部件接觸的第一工序；通過所述排氣機構(gòu)將所述密閉空間減壓并使所述晶片吸附于所述密封部件的第二工序；和 通過所述升降體對所述多個探針與所述晶片的上表面接觸的所述探針卡進行預(yù)熱的第三工序。
2.如權(quán)利要求1所述的探針卡的預(yù)熱方法，其特征在于: 包括在所述對準(zhǔn)室中將所述晶片對準(zhǔn)的工序。
3.如權(quán)利要求2所述的探針卡的預(yù)熱方法，其特征在于: 包括經(jīng)由晶片保持體對所述晶片在所述對準(zhǔn)室和所述檢查室之間進行搬送的工序。
4.如權(quán)利要求3所述的探針卡的預(yù)熱方法，其特征在于: 包括在所述第二工序后將所述晶片保持體從所述檢查室搬出的工序。
【文檔編號】G01R1/073GK103884978SQ201410119777
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2010年9月13日
【發(fā)明者】山田浩史, 星野貴昭, 小嶋伸時, 三枝健, 下山寬志 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社