激光勘查裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種激光勘查裝置，發(fā)射用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的光束，包括：多個(gè)半導(dǎo)體激光單元，以陣列方式設(shè)置在底座上；匯聚反射鏡，設(shè)置在半導(dǎo)體激光單元陣列上方以反射多個(gè)半導(dǎo)體激光單元發(fā)射的激光匯聚到出光口以形成出射光束；和調(diào)焦透鏡部件，設(shè)置在出光口，調(diào)焦透鏡部件用于對(duì)出射光束進(jìn)行調(diào)節(jié)。本發(fā)明的激光勘查裝置在勘探過(guò)程中不會(huì)破壞痕跡。
【專利說(shuō)明】激光勘查裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及勘查【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及激光勘查裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]公安刑偵現(xiàn)場(chǎng)勘查中需要發(fā)現(xiàn)的痕跡包括大量生物質(zhì)痕跡、例如血液、吐液、精液、汗液等等，現(xiàn)場(chǎng)勘查光源既要保證能夠有效發(fā)現(xiàn)這些痕跡又要保證現(xiàn)場(chǎng)勘查光源發(fā)射的光束單位面積能量不能太大否則會(huì)破壞生物質(zhì)痕跡包含的DNA、這種要求從技術(shù)上可分為兩個(gè)指標(biāo)、一方面要求就是發(fā)射光源在痕跡的熒光激發(fā)波長(zhǎng)范圍內(nèi)要足夠亮從而激發(fā)出痕跡較亮的熒光、另一方面要求發(fā)射光源的光能量單位面積內(nèi)不能太大、不會(huì)破壞生物質(zhì)痕跡中的DNA。
[0003]由于激光是一種相干光源、激光束具有很強(qiáng)的散斑特性，也就是激光束的能量不是均勻分布的、是匯聚到各個(gè)散斑點(diǎn)上的，在很小的散斑點(diǎn)上集中了大部分的激光能量，現(xiàn)有技術(shù)中采用單一激光器發(fā)射的激光束其散斑點(diǎn)的能量與激光發(fā)射功率成正比、大功率的激光束、會(huì)在這些散斑點(diǎn)上形成局部燒灼現(xiàn)象、對(duì)保護(hù)DNA非常不利。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的一個(gè)目的是要提供一種不會(huì)破壞痕跡的激光勘查裝置。
[0005]本發(fā)明提供了一種激光勘查裝置，發(fā)射用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的光束，包括:多個(gè)半導(dǎo)體激光單元，以陣列方式設(shè)置在底座上；匯聚反射鏡，設(shè)置在半導(dǎo)體激光單元陣列上方以反射多個(gè)半導(dǎo)體激光單元發(fā)射的激光匯聚到出光口以形成出射光束；和調(diào)焦透鏡部件，設(shè)置在出光口，調(diào)焦透鏡部件用于對(duì)出射光束進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0006]進(jìn)一步地，底座具有按陣列分布的安裝槽，半導(dǎo)體激光單元設(shè)置在安裝槽內(nèi)；半導(dǎo)體激光單元包括:半導(dǎo)體激光管和套設(shè)在半導(dǎo)體激光管上的準(zhǔn)直透鏡。
[0007]進(jìn)一步地，匯聚反射鏡朝向半導(dǎo)體激光單元的一面為反射鏡面，反射鏡面呈階梯狀，反射鏡面每個(gè)階梯面上均設(shè)置有多個(gè)拋物面反射鏡，拋物面反射鏡的數(shù)量與半導(dǎo)體激光單元的數(shù)量相同，并且每個(gè)拋物面反射鏡與每個(gè)半導(dǎo)體激光單元的位置一一對(duì)應(yīng)以反射半導(dǎo)體激光單元發(fā)射的激光。
[0008]進(jìn)一步地，拋物面反射鏡的形狀計(jì)算公式為:Y2 = 2ΡΧ ;其中，P為拋物面系數(shù)，范圍是IOOmm至IOOmm之間；Χ為拋物面凹陷部分的半徑；Υ為拋物面凹陷部分的深度。
[0009]進(jìn)一步地，匯聚反射鏡朝向半導(dǎo)體激光單元陣列的一面為反射鏡面，反射鏡面呈階梯狀，反射鏡面的階梯面與半導(dǎo)體激光單元對(duì)應(yīng)設(shè)置，反射鏡面的階梯面對(duì)一排半導(dǎo)體激光單元發(fā)射的激光進(jìn)行反射。
[0010]進(jìn)一步地，匯聚反射鏡朝向半導(dǎo)體激光單元的一面為反射鏡面，反射鏡面呈拋物面狀。
[0011]進(jìn)一步地，反射鏡面的拋物面的計(jì)算公式為:Y2 = 2ΡΧ ;其中，P為拋物面系數(shù)，范圍是IOOmm至500mm之間；X為拋物面凹陷部分的半徑；Y為拋物面凹陷部分的深度。[0012]進(jìn)一步地，每個(gè)半導(dǎo)體激光單元的激光發(fā)射方向?qū)?zhǔn)反射鏡面的中心。
[0013]進(jìn)一步地，半導(dǎo)體激光單元傾斜安裝在底座上，半導(dǎo)體激光單元與底座所在平面之間的安裝角度為60度至120度。
[0014]進(jìn)一步地，激光勘查裝置還包括冷卻風(fēng)扇和電源，冷卻風(fēng)扇連接在底座上，冷卻風(fēng)扇朝向半導(dǎo)體激光單元進(jìn)行吹風(fēng)，電源通過(guò)導(dǎo)線連接半導(dǎo)體激光單元。
[0015]與傳統(tǒng)光源例如LED光源、鹵素?zé)艄庠聪啾?本實(shí)施例采用激光技術(shù)、發(fā)射的激光具有極窄的發(fā)射帶寬、一方面在特定激發(fā)波長(zhǎng)內(nèi)形成高亮度滿足痕跡熒光激發(fā)的要求、另一方面利用激光發(fā)射波普窄的特點(diǎn)降低發(fā)射光束的能量、滿足保護(hù)生物質(zhì)DNA的要求、例如常用405nm激發(fā)波長(zhǎng)、激光光源發(fā)射光束的能量集中在405nm激發(fā)波長(zhǎng)范圍內(nèi)、而在其他非激發(fā)波長(zhǎng)上分布的能量極小、在同等熒光激發(fā)強(qiáng)度的情況下激光光源發(fā)射的激光束能量只是傳統(tǒng)光源發(fā)射的激發(fā)光束的1/10、有利于保護(hù)DNA、有效實(shí)現(xiàn)生物質(zhì)痕跡勘查的要求。
[0016]根據(jù)下文結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施例的詳細(xì)描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)更加明了本發(fā)明的上述以及其他目的、優(yōu)點(diǎn)和特征。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]后文將參照附圖以示例性而非限制性的方式詳細(xì)描述本發(fā)明的一些具體實(shí)施例。附圖中相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示了相同或類似的部件或部分。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，這些附圖未必是按比例繪制的。附圖中:
[0018]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的激光勘查裝置的示意圖；
[0019]圖2是圖1所示激光勘查裝置的另一個(gè)方向的示意圖；
[0020]圖3是圖1所示激光勘查裝置的半導(dǎo)體激光單元的示意圖；
[0021]圖4是圖1所示激光勘查裝置的匯聚反射鏡的示意圖；
[0022]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的激光勘查裝置的匯聚反射鏡的示意圖；
[0023]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的激光勘查裝置的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖7是圖6所示激光勘查裝置的匯聚反射鏡的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的激光勘查裝置的示意圖。本實(shí)施例的激光勘查裝置發(fā)射用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的光束，裝置具體包括底座10、調(diào)焦透鏡部件20、多個(gè)半導(dǎo)體激光單元30和匯聚反射鏡40，其中，多個(gè)半導(dǎo)體激光單元30以陣列方式設(shè)置在底座10上，匯聚反射鏡40設(shè)置在半導(dǎo)體激光單元陣列上方，匯聚反射鏡40反射多個(gè)半導(dǎo)體激光單元30發(fā)射的激光匯聚到出光口 22以形成出射光束，調(diào)焦透鏡部件20設(shè)置在出光口 22，調(diào)焦透鏡部件20用于對(duì)出射光束進(jìn)行調(diào)節(jié)，調(diào)焦透鏡部件20可以對(duì)發(fā)射光束的發(fā)射角度進(jìn)行調(diào)節(jié)，形成適合現(xiàn)場(chǎng)勘查用的發(fā)射光。
[0026]底座10具有按陣列分布的安裝槽，半導(dǎo)體激光單元30設(shè)置在安裝槽內(nèi)。半導(dǎo)體激光單元30包括半導(dǎo)體激光管301和套設(shè)在半導(dǎo)體激光管301上的準(zhǔn)直透鏡302，具體參見(jiàn)圖3。
[0027]參見(jiàn)圖2和圖4，本實(shí)施例中的匯聚反射鏡40朝向半導(dǎo)體激光單元30的一面為反射鏡面41，反射鏡面41呈階梯狀，反射鏡面41每個(gè)階梯面上均設(shè)置有多個(gè)拋物面反射鏡42，拋物面反射鏡42的數(shù)量與半導(dǎo)體激光單元30的數(shù)量相同，并且每個(gè)拋物面反射鏡42與每個(gè)半導(dǎo)體激光單元30的位置一一對(duì)應(yīng)以反射半導(dǎo)體激光單元30發(fā)射的激光。
[0028]本實(shí)施例中拋物面反射鏡42的形狀需要可以將排成陣列的每個(gè)半導(dǎo)體激光單元30發(fā)出的激光反射到出光口，本實(shí)施例的拋物面反射鏡42的形狀計(jì)算公式為:Y2 = 2ΡΧ。其中，P為拋物面系數(shù)，范圍是IOOmm至IOOmm之間。X為拋物面凹陷部分的半徑。Y為拋物面凹陷部分的深度。上述的Χ、Ρ未在圖中示出，但其代表拋物面反射鏡42的拋物面凹陷部分的數(shù)值。
[0029]進(jìn)一步優(yōu)選地，激光勘查裝置還包括冷卻風(fēng)扇50和電源60，冷卻風(fēng)扇50連接在底座10上，冷卻風(fēng)扇50朝向半導(dǎo)體激光單元30進(jìn)行吹風(fēng)，電源60通過(guò)導(dǎo)線連接半導(dǎo)體激光單元30。
[0030]本實(shí)施例的激光勘查裝置的半導(dǎo)體激光單元30的陣列發(fā)出激光束，形成陣列的激光束發(fā)射到匯聚反射鏡40的反射鏡面41上,每一單獨(dú)的激光束發(fā)射到拋物面反射鏡42進(jìn)行反射，并且匯聚到進(jìn)光口 21處，并經(jīng)過(guò)設(shè)置在進(jìn)光口 21處的散射片進(jìn)行混合，混合后通過(guò)出光口 22的調(diào)焦透鏡部件20對(duì)發(fā)射光束的發(fā)射角度進(jìn)行調(diào)節(jié)形成適合現(xiàn)場(chǎng)勘查用的發(fā)射光束。
[0031]本實(shí)施例用于在刑偵現(xiàn)場(chǎng)勘查的激光勘查裝置具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0032]第一:與傳統(tǒng)光源例如LED光源、鹵素?zé)艄庠聪啾?本實(shí)施例米用激光技術(shù)、發(fā)射的激光具有極窄的發(fā)射帶寬、一方面在特定激發(fā)波長(zhǎng)內(nèi)形成高亮度滿足痕跡熒光激發(fā)的要求、另一方面利用激光發(fā)射波普窄的特點(diǎn)降低發(fā)射光束的能量、滿足保護(hù)生物質(zhì)DNA的要求、例如常用405nm激發(fā)波長(zhǎng)、激光光源發(fā)射光束的能量集中在405nm激發(fā)波長(zhǎng)范圍內(nèi)、而在其他非激發(fā)波長(zhǎng)上分布的能量極小、在同等熒光激發(fā)強(qiáng)度的情況下激光光源發(fā)射的激光束能量只是傳統(tǒng)光源發(fā)射的激發(fā)光束的1/10、有利于保護(hù)DNA、有效實(shí)現(xiàn)生物質(zhì)痕跡勘查的要求。
[0033]第二:與傳統(tǒng)的單一激光器光源相比:由于激光是一種相干光源、激光束具有很強(qiáng)的散斑特性，也就是激光束的能量不是均勻分布的、是匯聚到各個(gè)散斑點(diǎn)上的，在很小的散斑點(diǎn)上集中了大部分的激光能量，采用單一激光器發(fā)射的激光束其散斑點(diǎn)的能量與激光發(fā)射功率成正比、大功率的激光束、會(huì)在這些散斑點(diǎn)上形成局部燒灼現(xiàn)象、同樣對(duì)保護(hù)DNA非常不利。與上述單一激光器的光源相比、本實(shí)施例的激光勘查裝置采用小功率的半導(dǎo)體激光單元30以陣列方式構(gòu)成激光光源、由于散斑是單個(gè)激光器發(fā)射的光束自相干形成的、各個(gè)不同的激光器發(fā)射的激光束不會(huì)再次相干形成散斑、因此其散斑點(diǎn)的能量只與單個(gè)半導(dǎo)體激光管I的功率成正比、而與整體的半導(dǎo)體激光陣列的總功率無(wú)關(guān)。因此半導(dǎo)體激光單元30只要選擇的半導(dǎo)體激光管301功率小、半導(dǎo)體激光管301的個(gè)數(shù)足夠多就可以發(fā)射足夠大的激發(fā)光功率，而又不會(huì)因?yàn)樯叨纬删植繜?，這樣克服了傳統(tǒng)單個(gè)激光器激光光源用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的障礙，以滿足生物質(zhì)痕跡的現(xiàn)場(chǎng)勘查要求。
[0034] 第三:與傳統(tǒng)大功率半導(dǎo)體集成激光器相比:傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成激光器是將多個(gè)小功率半導(dǎo)體激光器集成到一個(gè)芯片上構(gòu)成大功率激光光源、這種激光器在光束特性上與本實(shí)施例提供的光源類似、但是這種集成激光器存在嚴(yán)重的熱冗問(wèn)題、散熱要求非常高、為了有效實(shí)現(xiàn)散熱需要極其復(fù)雜的輔助設(shè)備才能正常工作、整個(gè)激光器體積大、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高昂、無(wú)法滿足在刑偵現(xiàn)場(chǎng)或者狹窄現(xiàn)場(chǎng)中，勘查裝置體積小、堅(jiān)固耐用、成本低的要求。本實(shí)施例的激光勘查裝置利在底座10上將半導(dǎo)體激光單元30以組合陣列的方式進(jìn)行排列，避免了激光管集成產(chǎn)生的熱冗問(wèn)題，只要恰當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)底座的散熱比率，就可以簡(jiǎn)單地將多個(gè)小功率半導(dǎo)體激光單元組合成大功率半導(dǎo)體激光陣列，達(dá)到結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、堅(jiān)固耐用的效果。
[0035]綜上，本發(fā)明的激光勘查光源可以滿足刑偵現(xiàn)場(chǎng)勘查中的生物痕跡搜索、指紋搜索、痕跡拍攝等多方面的應(yīng)用、并且具有效率高、性能可靠、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
[0036]本發(fā)明還提供了激光勘查裝置的另一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例的激光勘查裝置與上述的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，區(qū)別僅在于匯聚反射鏡40的結(jié)構(gòu)，主體結(jié)構(gòu)參見(jiàn)上述實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，匯聚反射鏡40的結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖5，具體地，匯聚反射鏡40朝向半導(dǎo)體激光單元陣列的一面為反射鏡面41，反射鏡面41呈階梯狀，反射鏡面41的階梯面與半導(dǎo)體激光單元30對(duì)應(yīng)設(shè)置，反射鏡面41的階梯面對(duì)一排半導(dǎo)體激光單元30發(fā)射的激光進(jìn)行反射?？梢岳斫鉃榕c上述的實(shí)施例的區(qū)別在于匯聚反射鏡40僅通過(guò)階梯狀的反射鏡面41進(jìn)行反射激光，當(dāng)然需要說(shuō)明的是，階梯狀的反射鏡面具有多個(gè)階梯面，每個(gè)階梯面均對(duì)應(yīng)一排半導(dǎo)體激光單元，如果半導(dǎo)體激光單元的陣列排布是五排兩列，那么階梯面也設(shè)置成5個(gè)面，分別對(duì)每一排的半導(dǎo)體激光單元進(jìn)行反射激光。本實(shí)施例的匯聚反射鏡40同樣可以達(dá)到反射激光束到出光口的效果。
[0037]本發(fā)明還提供了激光勘查裝置的另一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例的激光勘查裝置與上述的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，參見(jiàn)圖6，本實(shí)施例的激光勘查裝置包括底座10、調(diào)焦透鏡部件(未示出)、多個(gè)半導(dǎo)體激光單元30和匯聚反射鏡40。區(qū)別僅在于匯聚反射鏡40的結(jié)構(gòu)，主體結(jié)構(gòu)參見(jiàn)上述實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，匯聚反射鏡40的結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖7，匯聚反射鏡40朝向半導(dǎo)體激光單元30的一面為反射鏡面41，反射鏡面41呈拋物面狀。 [0038]反射鏡面41的拋物面的計(jì)算公式為:Y2 = 2ΡΧ ;其中，P為拋物面系數(shù)，范圍是IOOmm至500mm之間；X為拋物面凹陷部分的半徑；Y為拋物面凹陷部分的深度。
[0039]為了保證激光束發(fā)射到拋物面狀的反射鏡面41上后、經(jīng)過(guò)反射將陣列的激光束反射到出光口形成發(fā)射光束，因此，將每個(gè)半導(dǎo)體激光單元30的激光發(fā)射方向?qū)?zhǔn)反射鏡面41的中心。半導(dǎo)體激光單元30傾斜安裝在底座10上，半導(dǎo)體激光單元30與底座10所在平面之間的安裝角度為60度至120度。
[0040]形成陣列的每個(gè)半導(dǎo)體激光單元30發(fā)射的激光束都對(duì)準(zhǔn)拋物面狀的反射鏡面41的中心形成匯聚的陣列激光束，陣列激光束發(fā)射反射鏡面41上，拋物面狀的反射鏡面41將半導(dǎo)體激光單元30的光束整形成聚焦光束，并且反射并聚焦到進(jìn)光口處，并經(jīng)過(guò)設(shè)置在進(jìn)光口處的散射片進(jìn)行混合，混合后通過(guò)出光口的調(diào)焦透鏡部件對(duì)發(fā)射光束的發(fā)射角度進(jìn)行調(diào)節(jié)形成適合現(xiàn)場(chǎng)勘查用的發(fā)射光束。
[0041]至此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到，雖然本文已詳盡示出和描述了本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例，但是，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，仍可根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的內(nèi)容直接確定或推導(dǎo)出符合本發(fā)明原理的許多其他變型或修改。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)被理解和認(rèn)定為覆蓋了所有這些其他變型或修改。
【權(quán)利要求】
1.一種激光勘查裝置，發(fā)射用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的光束，其特征在于，包括: 多個(gè)半導(dǎo)體激光單元(30)，以陣列方式設(shè)置在底座(10)上； 匯聚反射鏡(40)，設(shè)置在半導(dǎo)體激光單元陣列上方以反射所述多個(gè)半導(dǎo)體激光單元(30)發(fā)射的激光匯聚到出光口(22)以形成出射光束；和 調(diào)焦透鏡部件(20)，設(shè)置在所述出光口(22)，調(diào)焦透鏡部件(20)用于對(duì)所述出射光束進(jìn)行調(diào)節(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光勘查裝置，其特征在于， 所述底座(10)具有按陣列分布的安裝槽，所述半導(dǎo)體激光單元(30)設(shè)置在所述安裝槽內(nèi)； 所述半導(dǎo)體激光單元(30)包括:半導(dǎo)體激光管(301)和套設(shè)在所述半導(dǎo)體激光管(301)上的準(zhǔn)直透鏡(302)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光勘查裝置，其特征在于， 所述匯聚反射鏡(40)朝向所述半導(dǎo)體激光單元(30)的一面為反射鏡面(41)，所述反射鏡面(41)呈階梯狀，所述反射鏡面(41)每個(gè)階梯面上均設(shè)置有多個(gè)拋物面反射鏡(42)，所述拋物面反射鏡(42)的數(shù)量與所述半導(dǎo)體激光單元(30)的數(shù)量相同，并且每個(gè)所述拋物面反射鏡(42)與每個(gè)所述半導(dǎo)體激光單元(30)的位置一一對(duì)應(yīng)以反射所述半導(dǎo)體激光單元(30)發(fā)射的激光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述拋物面反射鏡(42)的形狀計(jì)算公式為:Y2 = 2ΡΧ;其中， P為拋物面系數(shù),范圍是IOOmm至IOOmm之間； X為所述拋物面凹陷部分的半徑； Y為所述拋物面凹陷部分的深度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光勘查裝置，其特征在于， 所述匯聚反射鏡(40)朝向所述半導(dǎo)體激光單元陣列的一面為反射鏡面(41)，所述反射鏡面(41)呈階梯狀，所述反射鏡面(41)的階梯面與所述半導(dǎo)體激光單元(30)對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述反射鏡面(41)的階梯面對(duì)一排所述半導(dǎo)體激光單元(30)發(fā)射的激光進(jìn)行反射。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述匯聚反射鏡(40)朝向所述半導(dǎo)體激光單元(30)的一面為反射鏡面(41)，所述反射鏡面(41)呈拋物面狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述反射鏡面(41)的拋物面的計(jì)算公式為:Y2 = 2ΡΧ;其中， P為拋物面系數(shù)，范圍是IOOmm至500mm之間； X為所述拋物面凹陷部分的半徑； Y為所述拋物面凹陷部分的深度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光勘查裝置，其特征在于，每個(gè)所述半導(dǎo)體激光單元(30)的激光發(fā)射方向?qū)?zhǔn)所述反射鏡面(41)的中心。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光單元(30)傾斜安裝在所述底座(10)上，所述半導(dǎo)體激光單元(30)與所述底座(10)所在平面之間的安裝角度為60度至120度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述激光勘查裝置還包括冷卻風(fēng)扇(50)和電源(60)，所述冷卻風(fēng)扇(50)連接在所述底座(10)上，所述冷卻風(fēng)扇(50)朝向所述半導(dǎo)體激光單元(30)進(jìn)行吹風(fēng)，所述電源(60)通過(guò)導(dǎo)線連接所述半導(dǎo)體激光單元(3 0)。
【文檔編號(hào)】G01N21/01GK104020109SQ201410209052
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年5月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月16日
【發(fā)明者】李陽(yáng), 楊洋 申請(qǐng)人:李陽(yáng), 楊洋