技術(shù)特征：
1.一種非制冷型毫米波/紅外疊層探測(cè)器，包括微帶天線(xiàn)、非制冷型探測(cè)器元件和讀出電路，其特征在于，微帶天線(xiàn)通過(guò)粘合劑粘貼在非制冷型探測(cè)器元件背面，非制冷型探測(cè)器元件的正面通過(guò)連接柱與讀出電路連接；所述微帶天線(xiàn)的絕緣介質(zhì)基片的一面為石墨烯導(dǎo)電薄膜，石墨烯導(dǎo)電薄膜上刻蝕出的縫隙成陣列分布，在絕緣介質(zhì)基片另一面，與石墨烯導(dǎo)電薄膜上每個(gè)縫隙對(duì)應(yīng)位置都印制有金屬饋線(xiàn)，所述的石墨烯導(dǎo)電薄膜透紅外輻射，所述微帶天線(xiàn)接收毫米波。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非制冷型毫米波/紅外疊層探測(cè)器，其特征在于，所述石墨烯導(dǎo)電薄膜為2-8層石墨烯薄膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非制冷型毫米波/紅外疊層探測(cè)器，其特征在于，所述的非制冷型探測(cè)器元件為InAsGa焦平面探測(cè)器，工作在室溫環(huán)境下。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非制冷型毫米波/紅外疊層探測(cè)器，其特征在于，所述的InAsGa焦平面探測(cè)器含有陣列分布的光敏元，金屬饋線(xiàn)分布在光敏元之間的縫隙所對(duì)應(yīng)的絕緣介質(zhì)基片上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非制冷型毫米波/紅外疊層探測(cè)器，其特征在于，所述的光敏元之間的間隙為10-20微米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非制冷型毫米波/紅外疊層探測(cè)器，其特征在于，所述連接柱為銦柱。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述非制冷型毫米波/紅外疊層探測(cè)器，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)基片材料選取二氧化硅、藍(lán)寶石、氟化鎂或者尖晶石。