一種微電容測試連接裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種微電容測試連接裝置，包括金屬底座(1)，所述金屬底座(1)頂面設(shè)有背面共地結(jié)構(gòu)的共面波導(2)，共面波導(2)的導電金屬帶(4)上設(shè)有用于放置電容的卡槽(13)，導電金屬帶(4)的兩端分別設(shè)有與電容測試儀連接的SMA接口；共面波導(2)及SMA接口的特征阻抗與電容測試儀的特征阻抗相匹配；共面波導及SMA接口的特征阻抗與電容測試儀器的特征阻抗相匹配，相當于把被測電容直接連接于電容測試儀的兩個端口，消除了傳統(tǒng)測試連接方法中，由于測量儀與被測電容之間接有不匹配連接線而引起的寄生電容與雜散電容，提高檢測精度，適應各種微電容的連接測試。
【專利說明】—種微電容測試連接裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電子測試裝置領(lǐng)域，具體是一種微電容測試連接裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]公知的，在半導體微電子、材料、生物醫(yī)藥、微機電系統(tǒng)領(lǐng)域的科學研究和生產(chǎn)制造中，廣泛涉及微弱電容的檢測問題。目前，采用電容測量儀器對微電容進行檢測，但是由于測量儀器與被測電容之間的連接上存在寄生電容與雜散電容，導致小容值電容的測量誤差大，多次測試結(jié)果的重復性差?，F(xiàn)有的測試連接裝置中很少考慮寄生電容、雜散電容對小容值電容測量精度的影響，通常針對一種電容設(shè)計連接裝置用于這種電容的大批量測試，而沒有適用于各種電容的連接裝置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種微電容測試連接裝置，該連接裝置能夠消除寄生電容與雜散電容對微電容測試的影響，提高檢測精度，適應各種微電容的連接測試。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
一種微電容測試連接裝置，包括金屬底座，所述金屬底座頂面設(shè)有背面共地結(jié)構(gòu)的共面波導，共面波導的導電金屬帶上設(shè)有用于放置電容的卡槽，導電金屬帶的兩端分別設(shè)有與電容測試儀連接的SMA接口 ；共面波導及SMA接口的特征阻抗與電容測試儀器的特征阻抗相匹配。
[0005]進一步的，所述共面波導的頂面沿卡槽的兩側(cè)分別設(shè)有固定柱，固定柱沿導電金屬帶垂直方向設(shè)有與其螺紋配合的調(diào)節(jié)螺栓，調(diào)節(jié)螺栓的頭部朝向卡槽并設(shè)有絕緣壓頭。
[0006]進一步的，所述卡槽設(shè)置在導電金屬帶的中心。
[0007]本發(fā)明的有益效果是，共面波導及SMA接口的特征阻抗與電容測試儀器的特征阻抗相匹配，相當于把被測電容直接連接于電容測試儀的兩個端口，消除了傳統(tǒng)測試連接方法中，由于測量儀與被測電容之間接有不匹配連接線而引起的寄生電容與雜散電容，提高檢測精度，適應各種微電容的連接測試。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明:
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是圖1的俯視圖；
圖3是圖1中共面波導的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是圖3的俯視圖；
圖5是傳統(tǒng)電容測試連接的集總參數(shù)等效模型示意圖。

【具體實施方式】
[0009]結(jié)合圖1與圖2所示，本發(fā)明提供一種微電容測試連接裝置，包括金屬底座I，金屬底座I頂面設(shè)有背面共地結(jié)構(gòu)的共面波導2 ;結(jié)合圖3與圖4所示，共面波導2的導電金屬帶4上設(shè)有用于放置電容的卡槽13，卡槽13設(shè)置在導電金屬帶4的中心，導電金屬帶4的兩端分別設(shè)有與電容測試儀連接的第一 SMA接口 3與第二 SMA接口 9 ;共面波導2、第一 SMA接口 3與第二 SMA接口 9的特征阻抗與電容測試儀器的特征阻抗相匹配。共面波導2上設(shè)有通孔陣列15，通孔陣列15內(nèi)壁鍍有錫，使得共面波導2的頂面與底面相接，共面波導2還設(shè)有安裝孔14，固定螺栓8穿過安裝孔14將金屬底座I與共面波導2固定連接；由于金屬底座I接地，所以共面波導2的頂面與底面也接地，形成背面共地結(jié)構(gòu)；第一 SMA接口 3的外殼通過第一螺栓16與金屬底座I相連，第二 SMA接口 9的外殼通過第二螺栓17與金屬底座I相連，從而使第一 SMA接口 3的外殼與第二 SMA接口 9的外殼接地；第一 SMA接口 3與第二 SMA接口 9的導電針分別與共面波導2的導電金屬帶4相連。
[0010]共面波導2的頂面沿卡槽13的兩側(cè)分別設(shè)有第一固定柱6與第二固定柱11，第一固定柱6沿導電金屬帶4的垂直方向設(shè)有與其螺紋配合的第一調(diào)節(jié)螺栓5，第二固定柱11沿導電金屬帶4的垂直方向設(shè)有與其螺紋配合的第二調(diào)節(jié)螺栓10，第一調(diào)節(jié)螺栓5與第二調(diào)節(jié)螺栓10的頭部均朝向卡槽13，并且分別設(shè)有第一絕緣壓頭7與第二絕緣壓頭12，第一絕緣壓頭7與第二絕緣壓頭12為圓形。
[0011]將電容置于卡槽13后，分別調(diào)節(jié)第一調(diào)節(jié)螺栓5與第二調(diào)節(jié)螺栓10，使第一絕緣壓頭7與第二絕緣壓頭12壓在電容上，對電容起到固定作用，防止在測試過程中電容發(fā)生晃動，第一 SMA接口 3與第二 SMA接口 9與電容測試儀連接后即可對電容進行測試。
[0012]結(jié)合圖5所示，傳統(tǒng)的微電容測試連接方法中，在被測微電容17與電容測試儀16之間是通過第一連接線18與第二連接線19來實現(xiàn)其電學連接的，由于連接線未與電容測試儀進行端口匹配，那么第一連接線18的集總參數(shù)等效電路模型為圖5中R1、L1、C1的連接結(jié)構(gòu)，第二連接線19的集總參數(shù)等效電路模型為圖5中R2、L2、C2的連接結(jié)構(gòu)，在測試時就會引入兩段連接線的寄生參數(shù)R1、L1、C1與R2、L2、C2，產(chǎn)生寄生電容與雜散電容，導致測量結(jié)果不準確，尤其對微小容值的電容測量誤差大。
[0013]采用本發(fā)明的測試連接裝置后，由于SMA接口及共面波導與電容測試儀的阻抗相匹配，就相當于把被測微電容直接連接于電容測試儀的兩個端口，消除了傳統(tǒng)測試連接方法中，由于電容測試儀與被測微電容之間有一段不匹配連接線而引起的附加測量電容與電感，從而提高了被測電容的測量精度。對于大多數(shù)電容測試儀來說，其兩測量端口的特性阻抗為50 Ω，所以采用50 Ω的SMA接口與50 Ω的共面波導與電容測試儀進行連接，就能夠滿足大多數(shù)情況的測量需要，適應各種微電容的連接測試，無需針對各種電容單獨設(shè)計連接
>J-U ρ?α裝直。
[0014]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同替換、等效變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種微電容測試連接裝置，包括金屬底座(I)，其特征在于，所述金屬底座(I)頂面設(shè)有背面共地結(jié)構(gòu)的共面波導(2)，共面波導(2)的導電金屬帶(4)上設(shè)有用于放置電容的卡槽(13)，導電金屬帶⑷的兩端分別設(shè)有與電容測試儀連接的SMA接口 ；共面波導(2)及SMA接口的特征阻抗與電容測試儀的特征阻抗相匹配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微電容測試連接裝置，其特征在于，所述共面波導(2)的頂面沿卡槽(13)的兩側(cè)分別設(shè)有固定柱，固定柱沿導電金屬帶(4)垂直方向設(shè)有與其螺紋配合的調(diào)節(jié)螺栓，調(diào)節(jié)螺栓的頭部朝向卡槽(13)并設(shè)有絕緣壓頭。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種微電容測試連接裝置，其特征在于，所述卡槽(13)設(shè)置在導電金屬帶(4)的中心。
【文檔編號】G01R15/00GK104267229SQ201410537738
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年10月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月13日
【發(fā)明者】朱小燕, 陳計學, 潘結(jié)斌 申請人:華東光電集成器件研究所