一種極頂漏磁檢測頭的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明適用于磁探傷【技術領域】，提供了一種極頂漏磁檢測頭，包括：檢測部分，屏蔽部分，磁通控制部分和緩沖部分；所述檢測部分用于拾取缺陷的漏磁信號；所述屏蔽部分用于截取從勵磁單元來的雜散磁場以及屏蔽其他磁場的干擾；所述磁通控制部分提供磁場回路，在保障充分局域飽和磁化待測樣品時，避免過多的磁通通過檢測部分和屏蔽部分；所述緩沖部分用于導通勵磁單元，引導過剩的勵磁磁通的通過。本發(fā)明提供的一種極頂漏磁檢測頭，降低檢測時需要的激勵磁場，提高缺陷位置及其大小的分辨率，便于檢測儀對微小裂紋的檢測，推廣了檢測儀的使用范圍。
【專利說明】一種極頂漏磁檢測頭

【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于磁探傷【技術領域】，尤其涉及一種極頂漏磁檢測頭。

【背景技術】
[0002]運輸業(yè)，是國民經濟中極其重要的一環(huán)，運送貨物和旅客的鐵路、石化管道、遠洋油輪等等的運輸工具的檢測，是國民經濟正常運轉、發(fā)展的保障。在這種需求下，多種檢測技術得到了發(fā)展。比較成熟的檢測技術有超聲波檢測技術和射線檢測技術。超聲波技術利用缺陷對超聲波的界面反射來計算缺陷位置和維度；而射線檢測技術就是直接通過射線粒子對缺陷的不同反射率或者透過率來檢測缺陷。在缺陷尺寸比較大的情況下，這兩種技術能滿足需求。但是當缺陷較小的時候，特別是到了毫米級的時候，這兩種技術就面臨挑戰(zhàn)了。
[0003]漏磁檢測技術的作為一種新興的無損檢測技術，近年取得巨大的發(fā)展。其關鍵原理在于利用待測樣品中缺陷的磁導率的不同。這種磁導率的不同，表現(xiàn)在待測樣品飽和磁化時，缺陷周圍的磁場的不均勻。這個不均勻的磁場通過待測樣品散發(fā)處理，形成漏磁。通過檢測漏磁，可以知道缺陷的位置和維度。現(xiàn)實中，為擴展漏磁檢測技術的應用范圍，面臨兩個挑戰(zhàn):缺陷信號的大小，以及缺陷的深度判斷。
[0004]待測樣品的飽和磁化，對于缺陷信號的大小，是一個關鍵點。待測樣品里面的缺陷，在未飽和的情況下，其引起的漏磁較小。為了加大漏磁，一般的做法是把樣品磁化到接近飽和。這樣，導磁率不同的缺陷就可以顯現(xiàn)出來，具體表現(xiàn)為漏磁的大小和各分量的關系。在檢測板材的時候，這是個實際可行的辦法。但是，對于比較大或者厚的待測樣品，飽和磁化就相對困難了。另一方面，在進行在線檢測時，由于檢測儀和待測樣品的相對運動，待測樣品的飽和磁化就更困難了。例如，對高鐵鐵軌的檢測，一般的檢測車速度在60千米每小時，也就是16.67米每秒。在這種情況下，要做到整段高鐵鐵軌的飽和磁化，就比較困難。
[0005]其中有交流勵磁技術。在這個方案中，勵磁單元采用電磁鐵，通過改變勵磁線圈的交流電頻率，來得到不同的勵磁場頻率。因為電磁場的趨膚效應，激勵的磁場頻率越高，其磁場越集中于內外表面。因此不同的頻率的磁場所檢測到的缺陷深度位置不同。由此，這種交流勵磁技術可以幫助檢測儀得到更多的缺陷位置和維度信息。在待測樣品和勵磁單元比較小的情況，這種技術可以做到頻率2000赫茲左右。但是，在待測樣品比較大，或者勵磁單元比較大的情況下，這樣的變頻技術就難以做到需要的高頻了。
[0006]缺陷信號的大小，以及缺陷的深度這兩個方面的檢測需求，從現(xiàn)在的勵磁單元-磁敏器件布局技術方案來說，其解決之道彼此矛盾:要增大缺陷信號的大小，就必需飽和磁化待測樣品，因而需要大磁鐵；而要用交流磁場來確定缺陷的深度，就要用到交流磁場，因而要求小磁鐵。


【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種極頂漏磁檢測頭，以解決現(xiàn)有技術漏磁檢測中無法同時實現(xiàn)待測樣品的飽和磁化以及高頻交流磁場的問題。
[0008]本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種極頂漏磁檢測頭，所述檢測頭包括:檢測部分，屏蔽部分，磁通控制部分和緩沖部分；
[0009]所述檢測部分用于拾取缺陷的漏磁信號；
[0010]所述屏蔽部分用于截取從勵磁單元來的雜散磁場以及屏蔽其他磁場的干擾；
[0011]所述磁通控制部分提供磁場回路，在保障充分局域飽和磁化待測樣品時，避免過多的磁通通過檢測部分和屏蔽部分；
[0012]所述緩沖部分用于導通勵磁單元，引導過剩的勵磁磁通的通過。
[0013]本發(fā)明實施例提供的一種極頂漏磁檢測頭的有益效果包括:
[0014]1、漏磁檢測的適用范圍的增大，表現(xiàn)在兩個方面:降低需要激勵磁場，提高缺陷位置及其大小的分辨率，同時，便于檢測儀對微小裂紋的檢測，推廣了檢測儀的使用范圍；
[0015]2、待測樣品的局域飽和磁化降低了整體勵磁磁場強度需求，在檢測樣品時，可以用小勵磁單元取代原有的大勵磁單元，便于檢測儀的小型化，以及勵磁交流頻率的提高；
[0016]3、對缺陷定位的進一步提高，這對于微小裂紋的檢測特別有利，楔形尖作為檢測頭的優(yōu)點是，楔形尖可以做到很小，結合上述的局域飽和磁化，也同樣有利于微小裂紋的檢測。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是本發(fā)明實施例提供的極頂漏磁檢測頭應用在η形鐵芯或永磁體中的結構示意圖；
[0019]圖2是本發(fā)明實施例提供的極頂漏磁檢測頭結構的截面示意圖；
[0020]圖3是本發(fā)明實施例提供的缺陷位于楔形尖下方時磁場的分布圖；
[0021]圖4是本發(fā)明實施例提供的沿磁場測量路徑上各點測量到的X和Y磁場分量因為缺陷通過時所引起的漏磁變化示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明實施例提供的測量的A點的Y磁場分量隨缺陷位置的變化的示意圖；
[0023]圖6為本發(fā)明實施例提供的測量的A點、B點和C點的Y磁場分量隨缺陷位置的變化的示意圖；
[0024]圖7為本發(fā)明實施例提供的測量的A點的X磁場分量隨缺陷位置的變化的示意圖；
[0025]圖8為本發(fā)明實施例提供的測量的A點、B點和C點的X磁場分量隨缺陷位置的變化的示意圖；
[0026]I為勵磁單元，2為待測樣品，3為待測樣品缺陷，4為極頂漏磁檢測頭，1-1為楔形頭，1-2為楔屏間隔，1-3為屏蔽罩縮進，1-4為楔緩間隔，1-5為外屏蔽罩，1-6為內屏蔽罩，1-7為屏極間隔，1-8為楔形尖,1-9為極尖,1-10為極,1-11為極磁緩沖，1-12為待測樣品表面，1-13為極樣間隔，1-14為磁場測量路徑。

【具體實施方式】
[0027]為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0028]如圖1所示為本發(fā)明提供的極頂漏磁檢測頭應用在η形鐵芯或永磁體中的結構示意圖，圖1中，I為勵磁單元，2為待測樣品，3為待測樣品缺陷，4為極頂漏磁檢測頭，由圖1可知，本發(fā)明提供的一種極頂漏磁檢測頭，設置于極頂漏磁檢測儀檢測部分的η形鐵芯或者永磁體的一極，可以拆卸或者更換。
[0029]極頂漏磁檢測頭4包括:檢測部分，屏蔽部分，磁通控制部分和緩沖部分。
[0030]檢測部分用于拾取缺陷的漏磁信號。
[0031]屏蔽部分用于截取從勵磁單元來的雜散磁場以及屏蔽其他磁場的干擾。
[0032]磁通控制部分提供磁場回路，在保障充分局域飽和磁化待測樣品時，避免過多的磁通通過檢測部分和屏蔽部分。
[0033]緩沖部分用于導通勵磁單元，引導過剩的勵磁磁通的通過。
[0034]如圖2所示為本發(fā)明提供的極頂漏磁檢測頭結構的截面示意圖，該截面為垂直于待測樣品的方向的截面，該截面上部為長方形，下部為梯形。檢測頭的上部為長方體板形，下部為梯形條狀，即該檢測頭為圖2中截面往截面兩側延伸形成的結構體形。
[0035]由圖2可知，極頂漏磁檢測頭4的結構包括:楔形頭1-1、楔屏間隔1-2、屏蔽罩縮進1-3、楔緩間隔1-4、外屏蔽罩1-5、內屏蔽罩1-6、屏極間隔1-7、楔形尖1_8、極尖1_9、極1-10、極磁緩沖1-11、待測樣品表面1-12、極樣間隔1-13和磁場測量路徑1_14。
[0036]楔緩間隔1-4和極磁緩沖1-11為極頂漏磁檢測頭4的上部，楔緩間隔1_4的截面為長方形，位于極磁緩沖1-11的內部的一側底端，極磁緩沖1-11的截面為極頂漏磁檢測頭4的長方體板形上部去掉楔緩間隔1-4的結構。
[0037]楔形頭1-1為位于楔緩間隔1-4正下方的截面形狀為等腰三角形的結構，楔形頭1-1的頂點部分為楔形尖1-8，該楔形頭l-ι的兩側為截面為平行四邊形的楔屏間隔1-2。
[0038]楔形頭1-1 一側的楔屏間隔1-2的外側設置有截面為平行四邊形的外屏蔽罩1-5，另一側的楔屏間隔1-2的外側依次設置有內屏蔽罩1-6、屏極間隔1-7和極1-10。內屏蔽罩1-6、屏極間隔1-7和極1-10的截面均為平行四邊形。
[0039]外屏蔽罩1-5和內屏蔽罩1-6的底部為截面是平行四邊形的屏蔽罩縮進1-3，極1-10靠近屏極間隔1-7側的底部角為極尖1-9。
[0040]檢測部分包括楔形頭1-1和楔形尖1-8，漏磁經楔形尖1-8讀取后，經楔形頭1-1，通過楔緩間隔1-4和極磁緩沖1-11，返回勵磁單元。其中楔形尖的寬度和角度為一個關鍵尺寸，直接決定楔形頭1-1對缺陷漏磁磁場的讀取能力。
[0041]屏蔽部分包括楔屏間隔1-2、外屏蔽罩1-5和內屏蔽罩1-6。
[0042]楔屏間隔1-2數量為兩個，分別設置于外屏蔽罩1-5內屏蔽罩1-6與楔形頭1_1之間，阻斷屏蔽罩和楔形頭之間的干擾。
[0043]外屏蔽罩1-5的作用是截取從勵磁單元來的雜散磁場(stray field)，以及從待測樣品中出來的非局域(non-localized)磁場。如圖3所示為本發(fā)明實施例提供的缺陷位于楔形尖下方時磁場的分布圖，圖3中顯示了外屏蔽罩1-5的屏蔽效應，可以看到，前屏蔽罩整體上磁化強度遠超楔形頭1-1。
[0044]內屏蔽罩1-6的作用是阻斷極1-10對楔形頭1-1的影響，使楔形頭的檢測范圍局限在很小的尺寸內，提高漏磁檢測技術對微小裂紋的定位和檢測能力。
[0045]進一步的，內屏蔽罩1-6和外屏蔽罩1-5的底部分別設有屏蔽罩縮進1-3。屏蔽罩縮進1-3的作用是調節(jié)屏蔽罩屏蔽的局域大小，同時防止屏蔽罩本身飽和磁化，失去屏蔽作用。
[0046]磁通控制部分包括極1-10和楔緩間隔1-4。
[0047]極1-10位于楔形頭1-1的一側，其作用在于提供一個磁場回路，在保障充分局域飽和磁化待測樣品時，避免過多的磁通通過外屏蔽罩1-5、內屏蔽罩1-6和楔形尖1-8。
[0048]極1-10的大小和角度可以依實際情況而定。極1-10靠近屏極間隔1-7側的底部角為極尖1-9，極1-10采用高磁導率軟磁材料，在待測樣品已經飽和的情況下，還可以維持非飽和狀態(tài)，這樣就形成一個從極尖1-9往后的逐漸降低磁場，有利于楔形頭的局域化檢測微小缺陷。
[0049]通過調節(jié)楔緩間隔1-4的厚度可以控制楔形頭1-1磁通的大小，楔緩間隔1-4的厚度越厚時，通過楔形頭1-1的磁通越小，也就是安裝在圖2中A點的磁敏器件所檢測到的直流背景分量越小。
[0050]緩沖部分包括極磁緩沖1-11，極磁緩沖1-11位于楔形頭1-1極1-10與勵磁單元I之間，其作用是導通勵磁單元，引導過剩的勵磁磁通從極1-10中通過，防止楔形頭1-1的飽和磁化，失去對漏磁的檢測作用。同時也有引導磁通路線的作用，使直流磁通盡可能的從待測樣品深層通過。
[0051]本發(fā)明實施例，漏磁檢測的適用范圍的增大，表現(xiàn)在兩個方面:降低需要激勵磁場，提高缺陷位置及其大小的分辨率，同時，便于檢測儀對微小裂紋的檢測，推廣了檢測儀的使用范圍；待測樣品的局域飽和磁化降低了整體勵磁磁場強度需求，在檢測樣品時，可以用小勵磁單元取代原有的大勵磁單元，便于檢測儀的小型化，以及勵磁交流頻率的提高；對缺陷定位的進一步提高，這對于微小裂紋的檢測特別有利，楔形尖作為檢測頭的優(yōu)點是，楔形尖可以做到很小，結合上述的局域飽和磁化，也同樣有利于微小裂紋的檢測。
[0052]實施例一
[0053]本發(fā)明提供的實施例一為本發(fā)明提供的極頂漏磁檢測頭的測試實施例。圖4是沿磁場測量路徑上各點測量到的X和Y磁場分量因為缺陷通過時所引起的漏磁變化示意圖。磁敏器件用于顯示漏磁大小，可以安裝在A點，B點或者其它位置。其中A點為楔形尖1-8的正下方，B點為極尖1-9正下方，C點為位于極1-10下方設定的起點位置。
[0054]圖4中橫坐標為測量路徑上各點與起點位置的距離，縱坐標為磁場分量信號變化量，單位為特斯拉。從圖4可以明顯看出，在缺陷經過時，A點Y磁場分量也就是垂直待測樣品表面方向，有一個明顯的信號峰形。而B點在缺陷經過時,其X磁場方向，也就是平行待測樣品表面方向，也有一個明顯的信號峰形。這種明顯的信號峰形，有利于缺陷的檢測和判斷。
[0055]具體的，圖5為本發(fā)明實施例提供的測量的A點的Y磁場分量隨缺陷位置的變化的示意圖，圖6為本發(fā)明實施例提供的測量的A點、B點和C點的Y磁場分量隨缺陷位置的變化的示意圖，圖7為本發(fā)明實施例提供的測量的A點的X磁場分量隨缺陷位置的變化的示意圖，圖8為本發(fā)明實施例提供的測量的A點、B點和C點的X磁場分量隨缺陷位置的變化的示意圖。
[0056]圖5-圖8中，橫坐標為缺陷離磁鐵中心的位置，單位為米，縱坐標為磁場分量，單位為特斯拉。從圖5-圖8可以看出，隨著缺陷離磁鐵中心位置的增加，A點、B點和C點的X磁場分量和Y磁場分量會存在極值，并且X磁場分量和Y磁場分量出現(xiàn)極值時，缺陷離磁鐵中心位置靠近。
[0057]實施例二
[0058]本發(fā)明提供的實施例二為本發(fā)明提供的極頂漏磁檢測頭的實施例。
[0059]在本發(fā)明實施例中，極頂漏磁檢測頭利用高磁導率的軟磁材料，例如NiFe，CoFe合金或者純鐵等制造。
[0060]在本發(fā)明實施例中，極頂漏磁檢測頭的實施例的尺寸為:
[0061]楔形頭1-1底部寬度:0.4毫米；
[0062]楔形頭1-1頂部寬度:8毫米；
[0063]楔形頭1-1高度:10毫米；
[0064]楔屏間隔1-2寬度:I毫米；
[0065]屏蔽罩縮進1-3:1毫米；
[0066]楔緩間隔1-4寬度:1毫米；
[0067]外屏蔽罩1-5寬度'2毫米；
[0068]內屏蔽罩1-6寬度:2毫米；
[0069]屏極間隔1-7寬度:1毫米；
[0070]極1-10寬度:10毫米；
[0071]極磁緩沖1-11高度:15毫米；
[0072]極樣間隔1-13高度:0.5毫米。
[0073]在本發(fā)明實施例中，調整極1-10的大小之后，整個極端檢測頭2-4可以前后顛倒過來安裝。這種安裝方式的一個優(yōu)點是，缺陷的檢測深度進一步加深。
[0074]極1-10的大小優(yōu)化可以配套勵磁單元的大小。同時楔形頭1-1，楔屏間隔1-2，外屏蔽罩1-5，內屏蔽罩1-6，屏極間隔1-7，極1-10等的角度，會因為不同待測樣品和不同缺陷種類而有所變化。其不同的角度變化，都是本發(fā)明的自然延伸，并且包含在本發(fā)明之內。
[0075]磁敏器件的安裝位置，除上述楔形尖1-8正下方A點，極尖1-9正下方B點之外，還可以在楔形頭1-1里面或者其它位置。在楔形頭1-1里面的優(yōu)點是，信號的直流分量減小。
[0076]本領域普通技術人員還可以理解，實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關的硬件來完成，所述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質中，所述的存儲介質，包括R0M/RAM、磁盤、光盤等。
[0077]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述極頂漏磁檢測頭包括:檢測部分，屏蔽部分，磁通控制部分和緩沖部分； 所述檢測部分用于拾取缺陷的漏磁信號； 所述屏蔽部分用于截取從勵磁單元來的雜散磁場以及屏蔽其他磁場的干擾； 所述磁通控制部分提供磁場回路，在保障充分局域飽和磁化待測樣品時，避免過多的磁通通過檢測部分和屏蔽部分； 所述緩沖部分用于導通勵磁單元，引導過剩的勵磁磁通的通過。
2.如權利要求1所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述極頂漏磁檢測頭(4)在垂直于待測樣品的方向的截面的上部為長方形、下部為梯形；所述極頂漏磁檢測頭(4)的結構為所述截面往所述截面兩側延伸形成的結構體形； 所述極頂漏磁檢測頭(4)的結構包括:楔形頭(1-11楔屏間隔(1-2)、屏蔽罩縮進(1-3)、楔緩間隔(1-4)、外屏蔽罩(1-5)、內屏蔽罩(1-6)、屏極間隔(1-7)、楔形尖(1-8)、極尖(1-9)、極(1-10)和極磁緩沖(1-11)； 所述極頂漏磁檢測頭(4)的上部為所述楔緩間隔(1-4)和所述極磁緩沖(1-11)；所述楔緩間隔(1-4)的截面為長方形，位于極磁緩沖(1-11)的內部的一側底端；所述極磁緩沖(1-11)的截面為所述極頂漏磁檢測頭(4)的長方體板形上部去掉所述楔緩間隔(1-4)的結構； 所述楔形頭(1-1)為位于所述楔緩間隔(1-4)正下方的截面形狀為三角形的結構，所述楔形頭(1-1)的頂點部分為所述楔形尖(1-8),所述楔形頭(1-1)的兩側為截面為平行四邊形的所述楔屏間隔(1-2)； 所述楔形頭(1-1) 一側的所述楔屏間隔(1-2)的外側設置有截面為平行四邊形的外屏蔽罩(1-5),另一側的所述楔屏間隔(1-2)的外側依次設置有所述內屏蔽罩(1-6)、所述屏極間隔(1-7)和所述極(1-10)；所述內屏蔽罩(1-6)、屏極間隔(1-7)和極(1-10)的截面均為平行四邊形； 所述極(1-10)靠近屏極間隔(1-7)側的底部的角為極尖(1-9).
3.如權利要求2所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述檢測部分包括所述楔形頭(1-1)和所述楔形尖(1-8),漏磁經所述楔形尖(1-8)讀取后，經所述楔形頭(1-1),通過所述楔緩間隔(1-4)和所述極磁緩沖(1-11),返回勵磁單元。
4.如權利要求2所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述屏蔽部分包括楔屏間隔(1-2)、外屏蔽罩(1-5)和內屏蔽罩(1-6)； 所述楔屏間隔(1-2)數量為兩個，分別設置于所述外屏蔽罩(1-5)和內屏蔽罩(1-6)與所述楔形頭(1-1)之間，阻斷所述外屏蔽罩(1-5)和內屏蔽罩(1-6)與所述楔形頭(1-1)之間的干擾； 所述外屏蔽罩(1-5)的作用是截取從勵磁單元來的雜散磁場，以及從待測樣品中出來的非局域磁場； 所述內屏蔽罩(1-6)阻斷所述極(1-10)對所述楔形頭(1-1)的影響。
5.如權利要求4所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述外屏蔽罩(1-5)和所述內屏蔽罩(1-6)的底部為截面是平行四邊形的屏蔽罩縮進(1-3)；所述屏蔽罩縮進(1-3)調節(jié)屏蔽罩屏蔽的局域大小，同時防止屏蔽罩本身飽和磁化，失去屏蔽作用。
6.如權利要求2所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述磁通控制部分包括所述極(1-10)和模緩間隔(1-4)； 所述極(1-10)位于所述楔形頭(1-1)的一側，提供一個磁場回路，在保障充分局域飽和磁化待測樣品時，避免過多的磁通通過所述外屏蔽罩(1-5).內屏蔽罩(1-6)和楔形尖(1-8)； 通過調節(jié)所述楔緩間隔(1-4)的厚度控制所述楔形頭(1-1)磁通的大小，所述楔緩間隔(1-4)的厚度越厚時，通過所述楔形頭(1-1)的磁通越小。
7.如權利要求6所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述極(1-10)的大小和角度依實際情況設定；所述極(1-10)采用高磁導率軟磁材料，在待測樣品已經飽和的情況下，繼續(xù)維持非飽和狀態(tài)，形成一個從所述極尖(1-9)往后的逐漸降低磁場； 所述高磁導率軟磁材料包括附？6、00？6合金、純鐵。
8.如權利要求2所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述緩沖部分包括極磁緩沖(1-11),極磁緩沖(1-11)位于楔形頭(1-1)極(1-10)與勵磁單元之間，導通所述勵磁單元，引導過剩的勵磁磁通從所述極(1-10)中通過，防止所述楔形頭(1-1)的飽和磁化，失去對漏磁的檢測作用，并引導磁通路線，使直流磁通盡可能的從所述待測樣品的深層通過。
9.如權利要求1所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述極頂漏磁檢測頭的尺寸為: 所述楔形頭(1-1)底部寬度:0.4毫米；頂部寬度:8毫米；高度:10毫米； 所述楔屏間隔(1-2)寬度:1毫米； 所述屏蔽罩縮進(1-3):1毫米； 所述楔緩間隔(1-4)寬度:1毫米； 所述外屏蔽罩(1-5)寬度:2毫米； 所述內屏蔽罩(1-6)寬度:2毫米； 所述屏極間隔(1-7)寬度:1毫米； 所述極(1-10)寬度:10暈米； 所述極磁緩沖(1-11)高度:15毫米； 所述極樣間隔(1-13)高度:0.5毫米。
10.如權利要求1所述的極頂漏磁檢測頭，其特征在于，所述極頂漏磁檢測頭上安裝有磁敏器件，所述磁敏器件安裝于所述極頂漏磁檢測頭的所述楔形尖(1-8)的正下方或所述極尖(1-9)正下方或所述楔形頭(1-1)里面。
【文檔編號】G01N27/83GK104359969SQ201410627906
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月7日 優(yōu)先權日:2014年11月7日
【發(fā)明者】盧永雄, 阮鷗, 吳路明, 劉潤浥 申請人:西紅柿科技（武漢）有限公司