一種led芯片壽命快速估算方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種LED芯片壽命快速估算方法，其包括有選兩個(gè)樣品、老化前初始反向電流的測量、高溫下加快光通量衰減來進(jìn)行老化測試、老化后反向電流的測量、和壽命的公式估算這幾個(gè)步驟，這樣通過施加反向電壓來測得樣品在光衰減前后的反向電流，再利用計(jì)算公式就可快速估算出LED芯片的壽命，從而縮短產(chǎn)品研發(fā)周期，為改善LED芯片壽命提供了更有力的保障，并能有效縮短LED芯片壽命估算時(shí)間，減小試驗(yàn)成本。
【專利說明】一種LED芯片壽命快速估算方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及LED【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是一種LED芯片壽命快速驗(yàn)證方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子信息技術(shù)應(yīng)用的日益廣泛，各種電子產(chǎn)品對(duì)現(xiàn)代社會(huì)的影響日益增大， 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的復(fù)雜以及使用條件的嚴(yán)苛使得產(chǎn)品發(fā)生故障及潛在失效的可能性越來越大，可 靠性已經(jīng)成為電子產(chǎn)品最重要的質(zhì)量指標(biāo)。傳統(tǒng)意義的可靠性評(píng)估主要是基于數(shù)理統(tǒng)計(jì)和 壽命試驗(yàn)形成的一套理論方法和工程技術(shù)，分析的主要對(duì)象是失效時(shí)間。然而，這種方法卻 無法在現(xiàn)代LED可靠性研究中得以應(yīng)用。由于LED技術(shù)的不斷進(jìn)步，可靠性的大幅提高 使得一般LED的壽命可達(dá)數(shù)十萬小時(shí)甚至上百萬小時(shí)，即便是傳統(tǒng)的加速壽命試驗(yàn)也至 少需要幾千小時(shí)才能完成，這就使企業(yè)在有限的生產(chǎn)周期內(nèi)無法評(píng)價(jià)產(chǎn)品的可靠性，因此 有必要針對(duì)LED產(chǎn)品提出壽命快速驗(yàn)證方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種能更加實(shí)際評(píng)價(jià)LED芯片可靠性的LED芯片壽命快速 估算方法，可以縮短LED芯片壽命試驗(yàn)所需的測試時(shí)間和研發(fā)周期，從而為改善LED芯片壽 命提供了更有力的保障。
[0004] 本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的： 一種LED芯片壽命快速估算方法，其包括以下步驟： A、 選樣品 對(duì)同一批次的LED芯片隨機(jī)選取樣品2個(gè)，分別編號(hào)為1號(hào)樣品、2號(hào)樣品，在300K溫 度環(huán)境中，給1號(hào)樣品加額定工作電流，測量得到初始光通量; B、 老化前測量 給1號(hào)樣品分別加恒定反向電壓Vtl，測量得到初始反向電流Itl ; C、 老化測試 將1號(hào)樣品放入第1個(gè)測試箱，2號(hào)樣品放入第2個(gè)測試箱，第1個(gè)和第2個(gè)測試箱分 別設(shè)定測試溫度為T1和T2，其中300K < T1 < T2，第1個(gè)和第2個(gè)測試箱分別設(shè)定測試電流 為額定電流，開始老化測試，選定測試箱溫度較高的那個(gè)樣品來測光通量，當(dāng)其光通量衰減 為初始光通量的70%時(shí)，這兩個(gè)樣品都停止老化，記錄老化時(shí)間心； D、 老化后測量 從2個(gè)測試箱取出測試樣品，給樣品分別加恒定反向電壓Vtl, 1號(hào)樣品測量得到反向電 流I1,2號(hào)樣品測量得到反向電流I2 ; E、 壽命估算 將三組條件：1、丁=3001(，七=0，1=1(|，2、了=1'1，七=七1，1=1 1，3、了=1'24=&，1=12分別代入 如下壽命估算公式

【權(quán)利要求】
1. 一種LED芯片壽命快速估算方法，其特征在于，包括以下步驟： A、選樣品 對(duì)同一批次的LED芯片隨機(jī)選取樣品2個(gè)，分別編號(hào)為1號(hào)樣品、2號(hào)樣品，在300K溫 度環(huán)境中，給1號(hào)樣品加額定工作電流，測量得到初始光通量Φ〇 ; Β、老化前的測量 給1號(hào)樣品分別加恒定反向電壓Vtl，測量得到初始反向電流Itl ; C、 老化測試 將1號(hào)樣品放入第1個(gè)測試箱，2號(hào)樣品放入第2個(gè)測試箱，第1個(gè)和第2個(gè)測試箱分 別設(shè)定測試溫度為T1和T2，其中300Κ < T1 < T2，第1個(gè)和第2個(gè)測試箱分別設(shè)定測試電流 為額定電流，開始老化測試，選定測試箱溫度較高的那個(gè)樣品來測光通量，當(dāng)其光通量衰減 為初始光通量的70%時(shí)，這兩個(gè)樣品都停止老化，記錄老化時(shí)間心； D、 老化后測量 從2個(gè)測試箱取出測試樣品，給樣品分別加恒定反向電壓Vtl, 1號(hào)樣品測量得到反向電 流I1,2號(hào)樣品測量得到反向電流I2 ; E、 壽命估算 將三組條件：1、了=3001(，七=0，1=1(|，2、了=1'1，七=七1，1=1 1，3、了=1'24=&，1=12分別代入 如下壽命估算公式
得到方程組
解方程組得到
將條件T=300K，I=I2代入壽命估算公式
解得LED芯片壽命時(shí)間為
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK104391237SQ201410698501
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月26日
【發(fā)明者】胡云峰 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)中山學(xué)院