遙控器、溫度取樣裝置及溫度取樣控制方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于家電領(lǐng)域，尤其涉及一種溫度取樣裝置、溫度取樣控制方法以及采用該溫度取樣裝置的家電遙控器。本發(fā)明中的微處理器MCU通過設(shè)置其兩個I/O端口分別為輸出高電平、低電平或者輸入狀態(tài)，對電容分別進行充電和放電，并分別記錄電容通過基準(zhǔn)電阻R1和熱敏電阻RT放電的時間t1及t2，通過公式RT＝R1*t2/t1計算出熱敏電阻RT的阻值。優(yōu)點就在于只需使用微處理器MCU的兩個I/O端口，并且只在電容充電及放電取樣時產(chǎn)生功耗，長時間地處于極低功耗狀態(tài)。另外，此溫度取樣裝置的電路結(jié)構(gòu)簡單、成本低，溫度采樣控制方法的可移值性也很強，可用于部分沒有AD端口的微處理器MCU進行熱敏電阻取樣。
【專利說明】遙控器、溫度取樣裝置及溫度取樣控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于家電領(lǐng)域，尤其涉及一種溫度取樣裝置、溫度取樣控制方法以及采用該溫度取樣裝置的家電遙控器。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)家電產(chǎn)品都要對溫度傳感器(熱敏電阻)進行取樣，傳統(tǒng)的方法多是采用如圖1所示的結(jié)構(gòu)進行:利用兩個電阻(熱敏電阻RT和電阻Rl)的分壓方式，通過微處理器MCU進行AD轉(zhuǎn)換以完成溫度取樣。但是，一方面AD端口的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本較高，不是每一個MCU處理器都具有足夠的AD端口 ；另一方面，此電路更會長期產(chǎn)生功耗P = U*U/(RT+R1)，在本公式中，U為電源電壓，RT為熱敏電阻的阻值，Rl為分壓電阻阻值。所以，當(dāng)此溫度采樣電路應(yīng)用在家電的遙控器上時，則會大大縮短電池的壽命。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明的目的首先在于提供一種溫度取樣裝置，旨在解決現(xiàn)有溫度采樣電路中AD端口復(fù)雜、成本高，并且功耗較高的技術(shù)問題。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的溫度取樣裝置包括:微處理器MCU及其兩個I/O端口、熱敏電阻RT、基準(zhǔn)電阻Rl和電容Cl ；
[0005]所述熱敏電阻RT的第一端與所述微處理器MCU的第一 I/O端口相連，所述基準(zhǔn)電阻Rl的第一端與所述微處理器MCU的第二 I/O端口相連，所述熱敏電阻RT的第二端和所述基準(zhǔn)電阻Rl的第二端同時接所述電容Cl的第一端，所述電容Cl的第二端接地。
[0006]第二方面，本發(fā)明的目的還在于提供一種遙控器，其可以適用于電視機、空調(diào)、冰箱和其他小家電等家用電器。具體地，該遙控器內(nèi)包括了一個溫度取樣裝置，其特征在于，所述溫度取樣裝置包括微處理器MCU及其兩個I/O端口、熱敏電阻RT、基準(zhǔn)電阻Rl和電容Cl ；
[0007]所述熱敏電阻RT的第一端與所述微處理器MCU的第一 I/O端口相連，所述基準(zhǔn)電阻Rl的第一端與所述微處理器MCU的第二 I/O端口相連，所述熱敏電阻RT的第二端和所述基準(zhǔn)電阻Rl的第二端同時接所述電容Cl的第一端，所述電容Cl的第二端接地。
[0008]第三方面，本發(fā)明的目的還在于提供一種基于上述溫度取樣裝置實現(xiàn)的溫度取樣控制方法，該控制方法包括以下步驟:
[0009]充電步驟:微處理器MCU通過其第一 I/O端口和/或第二 I/O端口輸出高電平對電容Cl充電；
[0010]基準(zhǔn)電阻Rl采樣步驟:微處理器MCU獲取所述電容Cl通過基準(zhǔn)電阻Rl放電到電容電壓下降至Vt時的時間tl ；
[0011]熱敏電阻RT采樣步驟:微處理器MCU獲取所述電容Cl通過熱敏電阻RT放電到電容電壓下降至Vt時的時間t2 ；
[0012]溫度獲取步驟:根據(jù)公式RT = Rl*t2/tl計算出所述熱敏電阻RT的阻值，并獲取與其相對應(yīng)的溫度參數(shù)值；其中，RT為所述熱敏電阻RT的阻值，Rl為所述基準(zhǔn)電阻Rl的阻值；
[0013]低功耗控制步驟:微處理器MCU控制使得電容Cl完全放電，并保持其兩個I/O端口的狀態(tài)持續(xù)預(yù)設(shè)的一段時間。
[0014]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明提供的溫度取樣裝置及基于其實現(xiàn)的溫度取樣控制方法，微處理器MCU通過設(shè)置其兩個I/O端口分別為輸出高電平、低電平或者輸入狀態(tài)，對電容Cl分別進行充電和放電，并分別記錄電容Cl通過基準(zhǔn)電阻Rl和熱敏電阻RT放電的時間tl及時間t2，通過公式RT = Rl*t2/tl計算出熱敏電阻RT的阻值。本發(fā)明的優(yōu)點主要在于:只需使用微處理器MCU的兩個I/O端口，并且只在電容Cl充電及放電取樣時產(chǎn)生功耗，在一個周期的大部分時間里兩個I/O端口都處于非采樣狀態(tài)，不產(chǎn)生功耗，故長時間地處于極低功耗狀態(tài)。另外，此溫度取樣裝置的電路結(jié)構(gòu)簡單、成本低，溫度采樣控制方法的可移值性也很強，可用于部分沒有AD端口的微處理器MCU進行熱敏電阻取樣。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是現(xiàn)有的溫度取樣裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0016]圖2是本發(fā)明實施例提供的溫度取樣裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0017]圖3是本發(fā)明一實施例提供的溫度取樣控制方法的實現(xiàn)流程圖；
[0018]圖4是圖3所示流程中I/O端口電壓和電容電壓的變化示意圖。

【具體實施方式】
[0019]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]圖2是本發(fā)明實施例提供的溫度取樣裝置的結(jié)構(gòu)圖；為了便于說明，僅示出了與本實施例相關(guān)的部分，如圖所示:
[0021]本發(fā)明實施例提供的溫度取樣裝置，包括微處理器MCU及其兩個I/O端口(第一I/O端口和第二 I/O端口)、熱敏電阻RT、基準(zhǔn)電阻Rl和電容Cl ；
[0022]電容Cl分別通過熱敏電阻RT、基準(zhǔn)電阻Rl與兩個I/O端口相接，具體地，熱敏電阻RT的第一端與微處理器MCU的第一 I/O端口相連，基準(zhǔn)電阻Rl的第一端與微處理器MCU的第二 I/O端口相連，熱敏電阻RT的第二端和基準(zhǔn)電阻Rl的第二端同時接電容Cl的第一端，電容Cl的第二端接地。
[0023]在上述溫度取樣裝置的工作過程中，首先通過微處理器MCU的I/O端口對電容Cl充電。在具體實現(xiàn)時，微處理器MCU可以設(shè)置其兩個I/O端口都輸出高電平來為電容Cl充電，也可以設(shè)置其中一個I/O端口輸出高電平、另一個I/O端口為輸入狀態(tài)(即高阻狀態(tài))來對電容Cl充電。在電容Cl充滿電后，將第一 I/O端口設(shè)置為高阻輸入狀態(tài)、第二 I/O端口輸出低電平，通過基準(zhǔn)電阻Rl對電容Cl放電，此時電容Cl第一端的電壓Vd等于微處理器MCU第一 I/O端口的電壓，通過第一 I/O端口來記錄Vd端電壓從高電平到低電平的時間tl。然后，再通過第一 I/O端口和/或第二 I/O端口輸出高電平對電容Cl充滿電，并把第二 I/O端口 B設(shè)置為高阻輸入狀態(tài)，接著第一 I/O端口輸出低電平通過熱敏電阻RT對電容Cl放電，同時通過第二 I/O端口來記錄相應(yīng)的Vd端電壓從高電平到低電平的時間t2。再通過公式RT = Rl*t2/tl計算出熱敏電阻RT的阻值，并獲取與之相對應(yīng)的溫度參數(shù)值。
[0024]在具體實施過程中，上述溫度取樣裝置的電阻電容充/放電時間的計算公式為:t=R*C*In[(Vl-VO)/ (Vl-Vt)]；
[0025]其中，VO為電容Cl上的初始電壓值；V1為電容Cl最終可充電到或放電到的電壓值為t時刻電容Cl上的電壓值；C為電容Cl的容量；R為充/放電電路上的電阻值。
[0026]若電容Cl是通過基準(zhǔn)電阻Rl放電的，微處理器MCU的第一 I/O端口記錄的放電時間 tl 為:tl = Rl*Cl*In[ (Vl-VO)/(Vl-Vt)]----------式(2)
[0027]若電容Cl是通過熱敏電阻RT放電的，微處理器MCU的第二 I/O端口記錄的放電時間 t2 為:t2 = RT*Cl*In[ (Vl-VO)/(Vl-Vt)]----------式(3)
[0028]將上述式(2)和式(3)相除可得，tl/t2 = R1/RT---------式(4)
[0029]即對于微處理器MCU來說，兩個端口記錄的放電時間之比約等于兩個電阻的阻值之比，又因為Rl為基準(zhǔn)電阻，則每通過熱敏電阻RT放電一次就可計算出熱敏電阻RT的阻值及對應(yīng)溫度點。并且，對于基準(zhǔn)電阻Rl來說，優(yōu)選的，選用阻值為I?800ΚΩ的電阻為佳。
[0030]進一步地，本發(fā)明實施例還提供一種遙控器。該遙控器其可以適用于小家電、電視機、空調(diào)、冰箱等各種家用電器。作為改進，該遙控器內(nèi)包括了一個上述的溫度取樣裝置，具體地，該溫度取樣裝置包括微處理器MCU及其兩個I/O端口、熱敏電阻RT、基準(zhǔn)電阻Rl和電容Cl ;熱敏電阻RT的第一端與微處理器MCU的第一 I/O端口相連，基準(zhǔn)電阻Rl的第一端與微處理器MCU的第二 I/O端口相連，熱敏電阻RT的第二端和基準(zhǔn)電阻Rl的第二端同時接電容Cl的第一端，電容Cl的第二端接地。
[0031]并且，作為優(yōu)選，基準(zhǔn)電阻Rl選用阻值為I?800ΚΩ的固定電阻為佳。
[0032]根據(jù)本發(fā)明實施例提供的上述遙控器及其溫度取樣裝置，在進行溫度取樣時只需使用微處理器MCU的兩個I/O端口，并且只在電容Cl充放電取樣時才產(chǎn)生功耗，在一個周期內(nèi)長時間地處于極低功耗狀態(tài)。另外，此溫度取樣裝置的電路結(jié)構(gòu)簡單、成本低，可用于部分沒有AD端口的微處理器MCU進行熱敏電阻取樣。
[0033]另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種基于上述溫度取樣裝置實現(xiàn)的溫度取樣控制方法。由上述溫度取樣裝置的工作過程描述可知，該溫度取樣控制方法主要包括以下步驟:
[0034]充電步驟:微處理器MCU通過其第一 I/O端口和/或第二 I/O端口輸出高電平對電容Cl充電；
[0035]基準(zhǔn)電阻Rl采樣步驟:微處理器MCU獲取所述電容Cl通過基準(zhǔn)電阻Rl放電到電容電壓下降至Vt時的時間tl ；
[0036]熱敏電阻RT采樣步驟:微處理器MCU獲取所述電容Cl通過熱敏電阻RT放電到電容電壓下降至Vt時的時間t2 ；
[0037]溫度獲取步驟:根據(jù)公式RT = Rl*t2/tl計算出所述熱敏電阻RT的阻值，并獲取與其相對應(yīng)的溫度參數(shù)值；其中，RT為所述熱敏電阻RT的阻值，Rl為所述基準(zhǔn)電阻Rl的阻值；
[0038]低功耗控制步驟:微處理器MCU控制使得電容Cl完全放電，并保持其兩個I/O端口的狀態(tài)持續(xù)預(yù)設(shè)的一段時間。
[0039]圖3示出了本發(fā)明一實施例提供的溫度取樣控制方法的實現(xiàn)流程，圖4示出了該流程中I/o端口電壓和電容電壓的變化示意圖。參見圖3和圖4:
[0040]在步驟SlO中，微處理器MCU通過其第一 I/O端口和/或第二 I/O端口輸出高電平對電容Cl充電。
[0041 ] 此為充電步驟。在具體實現(xiàn)時，微處理器MCU可以設(shè)置其兩個I/O端口都輸出高電平來為電容Cl充電，也可以設(shè)置其中一個I/O端口輸出高電平、另一個I/O端口為輸入狀態(tài)(即高阻狀態(tài))來對電容Cl充電。圖4即示出了微處理器MCU設(shè)置其兩個I/O端口都輸出高電平的情況。實際上，即便是雙端口進行充電的方式，在具體實現(xiàn)時還可以更靈活地進行設(shè)置，不一定是同時設(shè)置為高電平，也有可能是分開次序延時設(shè)置，只要能實現(xiàn)對電容Cl充電即可。并且，為了保證電容Cl能充電完全，優(yōu)選基準(zhǔn)電阻Rl的阻值在I?800ΚΩ之間，I/O端口輸出高電平的時間t滿足t彡5*R1*C。假設(shè)選用的基準(zhǔn)電阻Rl = 10ΚΩ，電容Cl = 1UF，則微處理器MCU通過其第一 I/O端口和/或第二 I/O端口輸出高電平對電容Cl充電的時間t就優(yōu)選在5ms以上。
[0042]在步驟S20中，微處理器MCU獲取電容Cl通過基準(zhǔn)電阻Rl放電到電容電壓下降至Vt時的時間tl。
[0043]此為基準(zhǔn)電阻Rl采樣步驟。具體地，微處理器MCU設(shè)置其第一 I/O端口為輸入狀態(tài)、第二 I/O端口輸出低電平；微處理器MCU再根據(jù)電容Cl通過基準(zhǔn)電阻Rl進行放電的起始時刻以及電容電壓下降到Vt時的停止時刻，計算出放電時間tl。
[0044]在具體實現(xiàn)時，微處理器MCU設(shè)置第一 I/O端口為高阻輸入狀態(tài)，電容Cl第一端的電壓Vd就等于第一 I/O端口的電壓，然后微處理器MCU設(shè)置第二 I/O端口輸出低電平，電容Cl通過基準(zhǔn)電阻Rl放電，同時微處理器MCU開始記錄tl = O時間，如圖4所示當(dāng)電容Cl電壓降到Vt時，微處理器MCU的第一 I/O端口讀取到此時Vd端電壓從高電平變成低電平，記錄下放電總時間tl，從而完成對基準(zhǔn)電阻Rl的放電時間取樣tl。實際上，低電平電壓Vt是根據(jù)溫度取樣裝置的實際使用環(huán)境預(yù)先設(shè)定的，只要是小于MCU的I/O端口輸出的最高電壓VO (即電容Cl充滿電時的電壓)、并且大于或等于MCU的I/O端口輸出的最低電壓Vl即可。圖4中示出的Vt就比MCU的I/O端口輸出的最低電壓Vl大，所以在微處理器MCU獲取了 tl之后，電容Cl還會繼續(xù)放電，直到Vd端電壓與MCU的I/O端口輸出的最低電壓Vl相等。
[0045]在步驟S30中，微處理器MCU通過其第一 I/O端口和/或第二 I/O端口輸出高電平對電容Cl充電。
[0046]此為第二次充電步驟。在此步驟之前，電容Cl經(jīng)過基準(zhǔn)電阻Rl放電完畢，微處理器MCU要通過其I/O端口對電容Cl再次充電，直到Vd端電壓與其I/O端口輸出的高電平電壓相等。其實現(xiàn)過程跟步驟SlO相似，在此就不再贅述。
[0047]在步驟S40中，微處理器MCU獲取電容Cl通過熱敏電阻RT放電到電容電壓下降至Vt時的時間t2。
[0048]此為熱敏電阻RT采樣步驟。具體地，微處理器MCU設(shè)置其第二 I/O端口為輸入狀態(tài)、第一 I/O端口輸出低電平；微處理器MCU再根據(jù)電容Cl通過熱敏電阻RT進行放電的起始時刻以及電容電壓下降到Vt時的停止時刻，計算出放電時間t2。
[0049]在具體實現(xiàn)時，微處理器MCU設(shè)置第二 I/O端口為高阻輸入狀態(tài)，同樣的，電容Cl第一端的電壓Vd等于第二 I/O端口的電壓，然后微處理器MCU設(shè)置第一 I/O端口輸出低電平，電容Cl通過熱敏電阻RT放電，同時微處理器MCU開始記錄t2 = O時間，如圖4所示當(dāng)電容Cl的電壓再次下降到Vt時，微處理器MCU的第二 I/O端口讀取到此時Vd端電壓從高電平變成低電平，記錄下放電總時間t2，從而完成對熱敏電阻RT的放電時間取樣t2。在這里，低電平電壓Vt等于前述步驟S20中的低電平電壓Vt。同樣的，因為圖示的Vt比微處理器MCUI/0端口輸出的最低電壓Vl大，所以在微處理器MCU獲取了 tl之后，電容Cl還會繼續(xù)放電，直到Vd端電壓與MCU的I/O端口輸出的最低電壓Vl相等。
[0050]在步驟S50中，根據(jù)公式RT = Rl*t2/tl計算出熱敏電阻RT的阻值，并獲取與其相對應(yīng)的溫度參數(shù)值。
[0051]此為溫度獲取步驟。在此步驟中，微處理器MCU根據(jù)公式RT = Rl*t2/tl，就可以計算出熱敏電阻RT的阻值。舉例來說，取基準(zhǔn)電阻Rl = 10ΚΩ，電容Cl = 0.luF，在上述步驟S20中獲取到通過基準(zhǔn)電阻Rl放電的時間tl = 1.02ms，在上述步驟S40中獲取到通過熱敏電阻RT放電的時間t2 = 2.04ms，再根據(jù)上述公式，微處理器MCU計算出RT = Rl*t2/tl = 20ΚΩ，即熱敏電阻RT此時的阻值為20ΚΩ。在獲取了熱敏電阻RT的阻值之后，進一步再通過查表或者其他方式獲取與之相對應(yīng)的溫度參數(shù)值。
[0052]在步驟S60中，微處理器MCU控制使得電容Cl完全放電，并保持其兩個I/O端口的狀態(tài)持續(xù)預(yù)設(shè)的一段時間。
[0053]此為低功耗控制步驟。在電容Cl的電壓降到低電平Vt之后，微處理器MCU要么設(shè)置其兩個I/o端口均輸出低電平，要么保持其第二 I/O端口為輸入狀態(tài)、第一 I/O端口繼續(xù)輸出低電平，使得電容Cl完全放電至Vd端電壓下降到與I/O端口的低電平相等，并保持其兩個I/o端口的狀態(tài)持續(xù)預(yù)設(shè)的一段時間。在此狀態(tài)下，微處理器MCU的兩個I/O端口和電容Cl都處于低電平，因而沒有形成電流回路，從而實現(xiàn)電阻RT、R1和電容Cl之間不耗電。
[0054]根據(jù)本發(fā)明實施例提供的溫度取樣控制方法，只有在電容Cl的充電過程和電容Cl分別通過基準(zhǔn)電阻Rl和熱敏電阻RT進行放電的過程中，才會產(chǎn)生電流、產(chǎn)生功耗，而電容Cl充放電過程的總時間一般多為0.01?30ms (具體根據(jù)RT、Rl的阻值與Cl電容量的大小來決定)。而低功耗控制步驟的時長優(yōu)選為0.5?2.0秒之間，即每隔0.5?2秒才進行一次溫度取樣。如上所述，耗電時間占一個周期總體時間的比例為0.01?30ms/0.5?2s，即耗電時間占總時間的比例約為0.0005%?6%。因而保證絕大部時間處于低功耗狀態(tài)，從而達(dá)到低功耗、節(jié)能的目的。
[0055]圖3是本發(fā)明一個實施例提供的溫度取樣控制方法的全套實現(xiàn)流程，實際上，在具體實施過程中，考慮到基準(zhǔn)電阻Rl是固定的電阻值，在電源及電容Cl沒有變化情況下，電容Cl通過基準(zhǔn)電阻Rl放電到電壓為Vt時的時間tl值應(yīng)為一常數(shù)，因而一般無需要重復(fù)對基準(zhǔn)電阻Rl取樣tl。
[0056]因此，本發(fā)明實施例提供的溫度取樣控制方法，既可以周期性地執(zhí)行上述步驟SlO?S60，即執(zhí)行基準(zhǔn)電阻Rl采樣步驟的次數(shù)與執(zhí)行熱敏電阻RT采樣步驟的次數(shù)相同；也可以當(dāng)且僅當(dāng)上電時，執(zhí)行一次基準(zhǔn)電阻Rl采樣步驟S20，即在上電時執(zhí)行一次步驟SlO?S60，后續(xù)只執(zhí)行步驟S30?S60以對熱敏電阻RT進行采樣、而不再執(zhí)行步驟SlO?S20來對基準(zhǔn)電阻Rl采樣，減小電容充放電次數(shù)、減小功耗。進一步地，減小電容充放電次數(shù)來減小功耗的方式還包括間隔固定時間執(zhí)行一次基準(zhǔn)電阻Rl采樣步驟，即在上電時執(zhí)行一次步驟SlO?S60，后續(xù)大部分取樣周期只執(zhí)行步驟S30?S60來對熱敏電阻RT進行采樣，間隔固定時間偶爾執(zhí)行一次步驟SlO?S20來對基準(zhǔn)電阻Rl采樣。
[0057]另一方面，可以連續(xù)執(zhí)行N次電容充電和基準(zhǔn)電阻Rl采樣步驟，得出一個時間tl的平均值，后續(xù)再分別執(zhí)行步驟S30?S60以對熱敏電阻RT進行多次采樣。甚至，還可以將連續(xù)M次對熱敏電阻RT進行采樣獲取的多個時間t2求出一個平均值，再計算出熱敏電阻RT的值。在這里，N、M都為大于等于I的自然數(shù)。
[0058]需要特別說明的是，基準(zhǔn)電阻R1、熱敏電阻RT采樣步驟的執(zhí)行方式多種多樣，只要是通過先將電容充滿電再進行放電時間獲取的取樣方式，都在本發(fā)明實施例限定的范圍之內(nèi)。上述幾種方式，僅為例舉，并不用于限定。
[0059]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明提供的溫度取樣裝置及基于其實現(xiàn)的溫度取樣控制方法，微處理器MCU通過設(shè)置其兩個I/O端口分別為輸出高電平、低電平或者輸入狀態(tài)，對電容Cl分別進行充電和放電，并分別記錄電容Cl通過基準(zhǔn)電阻Rl和熱敏電阻RT放電的時間tl及時間t2，通過公式RT = Rl*t2/tl計算出熱敏電阻RT的阻值。本發(fā)明的優(yōu)點主要在于:只需使用微處理器MCU的兩個I/O端口，并且只在電容Cl充電及放電取樣時產(chǎn)生功耗，在一個周期的大部分時間里兩個I/O端口都處于非采樣狀態(tài)，不產(chǎn)生功耗，故長時間地處于極低功耗狀態(tài)。另外，此溫度取樣裝置的電路結(jié)構(gòu)簡單、成本低，溫度采樣控制方法的可移值性也很強，可用于部分沒有AD端口的微處理器MCU進行熱敏電阻取樣。
[0060]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了較詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改、或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種溫度取樣裝置，其特征在于，所述溫度取樣裝置包括微處理器及其兩個1/0端口、熱敏電阻奶、基準(zhǔn)電阻町和電容； 所述熱敏電阻奶的第一端與所述微處理器1⑶的第一 1/0端口相連，所述基準(zhǔn)電阻尺1的第一端與所述微處理器1⑶的第二 1/0端口相連，所述熱敏電阻奶的第二端和所述基準(zhǔn)電阻町的第二端同時接所述電容的第一端，所述電容的第二端接地。
2.如權(quán)利要求1所述的溫度取樣裝置，其特征在于，所述基準(zhǔn)電阻町的阻值為1?800千歐。
3.—種遙控器，包括一溫度取樣裝置，其特征在于，所述溫度取樣裝置包括微處理器 及其兩個1/0端口、熱敏電阻奶、基準(zhǔn)電阻町和電容； 所述熱敏電阻奶的第一端與所述微處理器1⑶的第一 1/0端口相連，所述基準(zhǔn)電阻尺1的第一端與所述微處理器1⑶的第二 1/0端口相連，所述熱敏電阻奶的第二端和所述基準(zhǔn)電阻町的第二端同時接所述電容的第一端，所述電容的第二端接地。
4.如權(quán)利要求3所述的遙控器，其特征在于，所述基準(zhǔn)電阻町的阻值為1?800千歐。
5.一種基于如權(quán)利要求1所述的溫度取樣裝置實現(xiàn)的溫度取樣控制方法，其特征在于，所述控制方法包括: 充電步驟:微處理器1⑶通過其第一 1/0端口和/或第二 1/0端口輸出高電平對電容01充電； 基準(zhǔn)電阻町采樣步驟:微處理器1⑶獲取所述電容通過基準(zhǔn)電阻町放電到電容電壓下降至VI:時的時間1:1 ； 熱敏電阻奶采樣步驟:微處理器1⑶獲取所述電容通過熱敏電阻奶放電到電容電壓下降至VI:時的時間1:2 ； 溫度獲取步驟:根據(jù)公式奶=町襯2八1計算出所述熱敏電阻奶的阻值，并獲取與其相對應(yīng)的溫度參數(shù)值；其中，奶為所述熱敏電阻奶的阻值，1？1為所述基準(zhǔn)電阻町的阻值； 低功耗控制步驟:微處理器1⑶控制使得電容完全放電，并保持其兩個1/0端口的狀態(tài)持續(xù)預(yù)設(shè)的一段時間。
6.如權(quán)利要求5所述的溫度取樣控制方法，其特征在于，所述充電步驟中對電容充電的時間七滿足七多5噸1% ；其中，為所述電容的容量。
7.如權(quán)利要求5所述的溫度取樣控制方法，其特征在于，所述基準(zhǔn)電阻町采樣步驟具體為: 微處理器1⑶設(shè)置其第一 1/0端口為輸入狀態(tài)、第二 1/0端口輸出低電平； 微處理器1⑶根據(jù)電容通過所述基準(zhǔn)電阻町進行放電的起始時刻以及電容電壓下降到VI:時的停止時刻，計算出放電時間1:1。
8.如權(quán)利要求5所述的溫度取樣控制方法，其特征在于，所述熱敏電阻奶采樣步驟具體為: 微處理器1⑶設(shè)置其第二 1/0端口為輸入狀態(tài)、第一 1/0端口輸出低電平； 微處理器1⑶根據(jù)電容通過所述熱敏電阻奶進行放電的起始時刻以及電容電壓下降到VI時的停止時刻，計算出放電時間七2。
9.如權(quán)利要求8所述的溫度取樣控制方法，其特征在于，所述低功耗控制步驟具體為: 微處理器1⑶設(shè)置其兩個1/0端口均輸出低電平，或者保持其第二 1/0端口為輸入狀態(tài)、第一 1/0端口輸出低電平，使得電容完全放電，并保持其兩個1/0端口的狀態(tài)持續(xù)預(yù)設(shè)的一段時間。
10.如權(quán)利要求5所述的溫度取樣控制方法，其特征在于，在不斷執(zhí)行熱敏電阻奶采樣步驟的過程中: 執(zhí)行基準(zhǔn)電阻町采樣步驟的次數(shù)與執(zhí)行熱敏電阻奶采樣步驟的次數(shù)相同；或者 當(dāng)且僅當(dāng)上電時，執(zhí)行一次基準(zhǔn)電阻町采樣步驟；或者 間隔固定時間執(zhí)行一次基準(zhǔn)電阻町采樣步驟；或者 連續(xù)執(zhí)行~次基準(zhǔn)電阻町采樣步驟得出時間^的平均值。
【文檔編號】G01K7/24GK104501991SQ201410758212
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月10日
【發(fā)明者】廖榮華 申請人:廣東美的制冷設(shè)備有限公司