一種磁傳感裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型揭示了一種磁傳感裝置，所述磁傳感裝置包括：磁材料層、電極陣列單元、金屬層；所述磁材料層包括一個(gè)或若干條狀磁材料單元，所述磁材料單元上設(shè)置電極陣列單元；僅在部分或全部磁材料單元的兩端或/和中間（上/下方）鋪設(shè)金屬層，或者僅在磁材料層的兩端或/和中間（上/下方）鋪設(shè)金屬層；通過(guò)在磁材料層的兩端或/和中間施加磁場(chǎng)在對(duì)應(yīng)的位置產(chǎn)生SET和RESET的作用，最終實(shí)現(xiàn)全部磁材料層/單元的SET和RESET，即實(shí)現(xiàn)磁單元磁化方向的修正和改變。本實(shí)用新型可以大幅減少用于SET和RESET的金屬層面積，節(jié)省的金屬層面積可用于其他應(yīng)用，提高了金屬層的利用率，有助于降低金屬層的層數(shù)、簡(jiǎn)化制備工藝、降低制造成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種磁傳感裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于磁傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種磁傳感裝置，尤其涉及一種提高利用率的磁傳感裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在磁傳感器的應(yīng)用中，SET和RESET的過(guò)程是必不可少的?，F(xiàn)有的SET和RESET基本上通過(guò)設(shè)置在磁傳感單元上方的額外金屬層實(shí)現(xiàn)，即在磁傳感器中傳感材料單元的上方的大部分區(qū)域鋪設(shè)金屬層(形成金屬線圈)，在金屬線圈中施加電流，在傳感材料單元上產(chǎn)生近乎均勻的磁場(chǎng)，當(dāng)產(chǎn)生的磁場(chǎng)足夠強(qiáng)，即能夠?qū)崿F(xiàn)磁單元的磁化反向過(guò)程，即實(shí)現(xiàn)傳感材料單元的SET和RESET。
[0003]圖1所示為磁傳感器的惠斯通電橋示意圖，磁傳感器形成的惠斯通電橋包括四個(gè)橋臂(即四分之一電橋10 ’、20 ’、30 ’、40 ’)，當(dāng)然，磁傳感器也可以只有一個(gè)橋臂，或者兩個(gè)橋臂(半橋結(jié)構(gòu))。每一個(gè)四分之一電橋10’、20’、30’、40’包括磁材料單兀I’、電極陣列單元2’。在實(shí)際應(yīng)用中，每一個(gè)四分之一電橋10’、20’、30’、40’上可以有更多條數(shù)的磁材料單元I’、電極陣列單元2’，在此僅示意。
[0004]請(qǐng)參閱圖2，在上述的磁傳感單元的上方鋪設(shè)金屬層/線3’位置的示意圖(為了表示方便，省略了介質(zhì)層)，在上述的金屬層/線3’上施加電流，將在金屬層/線3’的下方產(chǎn)生較為均勻的磁場(chǎng)，當(dāng)產(chǎn)生的磁場(chǎng)足夠強(qiáng)，即可實(shí)現(xiàn)磁材料單元SET和RESET的作用，SP將磁傳感單元的磁化方向進(jìn)行改變。
[0005]然而，現(xiàn)有的方式是將磁傳感單元的上方幾乎所有區(qū)域均鋪設(shè)金屬層(只留空白區(qū)域用于形成線圈)，這樣這層金屬就不能用于其他的作用，如果需要實(shí)現(xiàn)其他的功能，就不能使用該金屬層，比如需要增加金屬層次，使得金屬層的層數(shù)較多，進(jìn)而導(dǎo)致制備工藝也比較復(fù)雜，制造成本比較高，產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力下降。
[0006]有鑒于此，如今迫切需要設(shè)計(jì)一種新的磁傳感裝置，以克服現(xiàn)有磁傳感裝置的上述缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種磁傳感裝置，可提高金屬層的利用率，降低金屬層的層數(shù)。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0009]一種磁傳感裝置，所述磁傳感裝置包括:磁材料層、電極陣列單元、絕緣介質(zhì)層、金
屬層；
[0010]所述磁材料層包括一個(gè)或若干磁材料單元,所述磁材料單元上設(shè)置電極陣列單元;
[0011]僅在部分或全部磁材料單元的兩端或/和中部鋪設(shè)金屬層，或者僅在磁材料層的兩端或/和中部鋪設(shè)金屬層；[0012]通過(guò)在金屬層施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，從而實(shí)現(xiàn)全部磁材料層SET/RESET，即實(shí)現(xiàn)磁材料單元磁化方向的修正或/和改變。
[0013]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，通過(guò)在磁材料層的兩端或/和中部施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)全部磁材料層SET/RESET ；
[0014]或者通過(guò)在兩端鋪設(shè)金屬層的磁材料單元的兩端施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)全部磁材料層SET/RESET。
[0015]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述磁傳感裝置形成惠斯通電橋，惠斯通電橋包括若干橋臂，一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單元；
[0016]僅在部分或全部橋臂的兩端或/和中部鋪設(shè)金屬層或金屬線。
[0017]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述磁傳感裝置形成惠斯通電橋，惠斯通電橋包括4個(gè)橋臂,一個(gè)橋臂形成四分之一電橋,一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單兀；
[0018]在每個(gè)四分之一電橋的兩端設(shè)置金屬層或金屬線，通過(guò)在磁材料層的兩端和中部施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)SET/RESET的作用，最終實(shí)現(xiàn)磁材料層全部磁材料單元的SET/RESET。
[0019]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述磁傳感裝置形成惠斯通電橋，惠斯通電橋包括4個(gè)橋臂,一個(gè)橋臂形成四分之一電橋,一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單兀；
[0020]在惠斯通電橋的兩端設(shè)置金屬層或金屬線，通過(guò)在磁材料層的兩端施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)SET/RESET的作用，最終實(shí)現(xiàn)全部磁材料層的SET/RESET。
[0021]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述磁傳感裝置形成惠斯通電橋，惠斯通電橋包括4個(gè)橋臂,一個(gè)橋臂形成四分之一電橋,一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單兀；
[0022]在單個(gè)磁材料單元或單個(gè)橋臂的兩端設(shè)置金屬層或金屬線，通過(guò)在磁材料層的兩端施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，從而實(shí)現(xiàn)SET/RESET的作用，最終實(shí)現(xiàn)全部磁材料層的SET/RESET。
[0023]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，為實(shí)現(xiàn)SET/RESET而鋪設(shè)的金屬層鋪設(shè)在磁材料層的上方，或者鋪設(shè)在磁材料層的下方；
[0024]金屬層與磁材料層之間設(shè)有絕緣層。
[0025]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述磁材料單元為條狀磁材料單元。
[0026]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述磁材料為AMR材料，或?yàn)镚MR材料，或?yàn)門(mén)MR材料。
[0027]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型提出的磁傳感裝置，只是在磁材料單元的兩端鋪設(shè)金屬層，施加電流、產(chǎn)生磁場(chǎng)后實(shí)現(xiàn)SET和RESET，可以節(jié)省大面積的金屬層；本實(shí)用新型可以將節(jié)省的金屬層面積用于其他應(yīng)用，從而提高該金屬層的利用率，有助于降低金屬層的層數(shù)，簡(jiǎn)化了制備工藝，降低制備成本。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為現(xiàn)有磁傳感器的惠斯通電橋示意圖。
[0029]圖2為在磁傳感單元的上方鋪設(shè)金屬層的示意圖。
[0030]圖3為實(shí)施例一中磁傳感裝置鋪設(shè)金屬層的示意圖。
[0031]圖4為實(shí)施例二中磁傳感裝置鋪設(shè)金屬層的示意圖。
[0032]圖5為實(shí)施例三中磁傳感裝置鋪設(shè)金屬層的示意圖。[0033]圖6為實(shí)施例五中一種磁傳感裝置鋪設(shè)金屬層的示意圖。
[0034]圖7為實(shí)施例五中另一種磁傳感裝置鋪設(shè)金屬層的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。
[0036]實(shí)施例一
[0037]本實(shí)用新型揭示了一種磁傳感裝置，在每個(gè)四分之一電橋的兩端設(shè)置金屬層/線，通過(guò)在磁材料層的兩端和中部施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，當(dāng)施加的電流足夠強(qiáng)、產(chǎn)生足夠強(qiáng)的磁場(chǎng)，即可實(shí)現(xiàn)磁材料磁化方向的修正或/和改變，即實(shí)現(xiàn)磁傳感裝置的SET和RESET的作用。磁單元在實(shí)際應(yīng)用的過(guò)程中，因?yàn)槭褂没蛘咄饨珉姶艌?chǎng)的干擾，其磁化方向會(huì)隨著時(shí)間的推移而略微發(fā)生變化(磁單元內(nèi)部的磁疇逐漸不再朝同一方向排列)，因此需要重新的設(shè)置，即所謂的修正。有時(shí)候出于應(yīng)用的考慮，需要翻轉(zhuǎn)磁單元的磁化方向，是所謂的改變，即 SET 和 RESET。
[0038]具體地，請(qǐng)參閱圖3，所述磁傳感裝置包括:磁材料層、電極陣列單元12、金屬層5，此外還包括沒(méi)有示意出來(lái)的絕緣介質(zhì)層；所述磁材料層包括若干磁材料單元11 (可以為條狀磁材料單元)，所述磁材料單元11上設(shè)置電極陣列單元12。僅在部分或全部磁材料單元11的兩端鋪設(shè)金屬層5，或者僅在整個(gè)磁材料層的兩端鋪設(shè)金屬層5，在此為了表述方便，省略了絕緣介質(zhì)層，根據(jù)實(shí)際需要，可以在磁材料單元11與電極陣列單元12之間、以及電極陣列單元12與金屬層5之間設(shè)置絕緣介質(zhì)層；通過(guò)在磁材料層的兩端或/和中部施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，從而實(shí)現(xiàn)SET和RESET的作用。而需要指出的是，雖然本實(shí)施例顯示金屬層5鋪設(shè)在磁材料單元11的上方，但是也可以將金屬層5設(shè)置在磁材料單元11的下方。磁傳感裝置的大小可以根據(jù)需要設(shè)定，可以很小，也可以較大。
[0039]需要指出的是，雖然圖3顯示只有在磁單元的中間和兩端有金屬層，但是實(shí)際應(yīng)用中，其他位置也可以鋪設(shè)有金屬層，只不過(guò)可以作為其他功能的應(yīng)用，以下實(shí)施例為了表述方便，省略了不作為SET/RESET應(yīng)用的金屬層，但是并不代表沒(méi)有。
[0040]本實(shí)施例中，所述磁傳感裝置形成一個(gè)惠斯通電橋，惠斯通電橋包括若干橋臂(本實(shí)施例為4個(gè)橋臂)，一個(gè)橋臂形成四分之一電橋1、2、3、4，每個(gè)四分之一電橋1、2、3、4可以包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單元11 ;圖3中僅以包含一條磁材料單元11來(lái)示意。
[0041]如圖3所不,本實(shí)施例中,在每一個(gè)四分之一電橋1、2、3、4兩端鋪設(shè)金屬層5(可以為金屬片或金屬線)，即在磁材料層的兩端及中間鋪設(shè)金屬層5 ;通過(guò)在磁材料層的兩端和中間施加電流，產(chǎn)生較為均勻的磁場(chǎng)，如果施加的電流和磁場(chǎng)足夠強(qiáng)，就可以實(shí)現(xiàn)SET/RESET的作用。
[0042]實(shí)施例二
[0043]本實(shí)施例中，在四分之一電橋的兩端設(shè)置金屬層/線，通過(guò)設(shè)置在磁材料單元兩端的金屬層/線施加足夠大的電流，產(chǎn)生較為均勻的磁場(chǎng)，使磁材料單元兩端都朝同一方向進(jìn)行磁化，如磁場(chǎng)強(qiáng)度足夠強(qiáng)，那么兩端磁化后也能夠?qū)](méi)有設(shè)置金屬線的中間區(qū)域的磁材料進(jìn)行磁化，最終實(shí)現(xiàn)整條磁材料單元的SET和RESET的作用。
[0044]具體地，請(qǐng)參閱圖4，本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，本實(shí)施例中，所述磁傳感裝置形成一個(gè)惠斯通電橋，惠斯通電橋包括4個(gè)橋臂,一個(gè)橋臂形成四分之一電橋,一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單元。在整個(gè)惠斯通電橋的兩端(也即磁材料層的兩端)設(shè)置金屬層或金屬線，通過(guò)在磁材料層的兩端施加電流，產(chǎn)生較為均勻的磁場(chǎng)，不僅能夠?qū)⒋挪牧蠁卧膬啥舜呕?，也通過(guò)兩端的磁化實(shí)現(xiàn)其余部分磁材料單元的磁化，從而實(shí)現(xiàn)全部磁材料單元部分的SET和RESET。
[0045]需要指出的是，雖然圖4顯示只有在磁單元的兩端有金屬層，但是實(shí)際應(yīng)用中，中間位置也可以鋪設(shè)有金屬層，只不過(guò)可以作為其他功能的應(yīng)用，本實(shí)施例為了表述方便，省略了不作為SET/RESET應(yīng)用的金屬層，但是并不代表沒(méi)有。
[0046]實(shí)施例三
[0047]本實(shí)施例中，在單根磁材料單元的兩端設(shè)置金屬層/線，通過(guò)在磁材料單元的兩端施加磁場(chǎng)，產(chǎn)生整根磁材料單元SET和RESET的效果。
[0048]具體地，請(qǐng)參閱圖5，本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，本實(shí)施例中，所述磁傳感裝置形成一個(gè)惠斯通電橋，惠斯通電橋包括4個(gè)橋臂,一個(gè)橋臂形成四分之一電橋，一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單元11，磁材料單元11上設(shè)置電極陣列單元12。在單個(gè)磁材料單元12或單個(gè)橋臂的兩端設(shè)置金屬層5或金屬線，通過(guò)在磁材料層的兩端施加電流，產(chǎn)生較為均勻的磁場(chǎng)，首先實(shí)現(xiàn)磁材料單元兩端的磁化，緊接著也將磁材料單元中間部分拉著朝設(shè)定方向磁化，從而實(shí)現(xiàn)全部磁材料單元的SET和RESET的作用。
[0049]實(shí)施例四
[0050]本實(shí)施例中，磁傳感裝置包括磁材料層、電極陣列單元、絕緣介質(zhì)層、金屬層，所述磁材料層包括一個(gè)或若干磁材料單元，可以不形成惠斯通電橋的4個(gè)橋臂，所述磁材料單元上設(shè)置電極陣列單元。
[0051]僅在部分或全部橋臂的兩端鋪設(shè)金屬層或金屬線，或者僅在磁材料層的兩端鋪設(shè)金屬層或金屬線。通過(guò)在磁材料層的兩端或/和中間施加電流，產(chǎn)生較為均勻的磁場(chǎng)，首先實(shí)現(xiàn)磁材料層兩端和中間的磁化，進(jìn)而通過(guò)朝設(shè)定方向排列的中間和兩端的磁材料使其余部分也朝此方向進(jìn)行排列，從而實(shí)現(xiàn)全部磁材料單元的SET和RESET的作用。
[0052]實(shí)施例五
[0053]本實(shí)施例中，顯示了兩軸(X和Y軸)傳感器的惠斯通電橋，如圖6所示，圖中顯示X和Y軸各自擁有各自的惠斯通電橋，且四分之一電橋由兩根磁材料單元組成(含磁材料上方的電極單元)，顯然根據(jù)實(shí)際的需要，四分之一電橋可以包括多根磁材料單元。此外，磁傳感器也可以采用半橋的結(jié)構(gòu)，甚至只采用單根的磁材料進(jìn)行檢測(cè)。雖然本實(shí)施例只顯示了兩軸傳感器的電橋結(jié)構(gòu)，但是很顯然可以包括多軸的電橋結(jié)構(gòu)，例如三軸的，只是在此沒(méi)有示意出。
[0054]在圖6的基礎(chǔ)上，鋪設(shè)絕緣介質(zhì)層，沉積金屬層，通過(guò)光刻，形成了金屬線圈，分別在磁傳感單元的兩側(cè)鋪設(shè)金屬線，如圖7所示(金屬線圈的兩端為引線端口，圖中打X的區(qū)域是示意用于引線的位置)，在金屬線圈施加電壓，通過(guò)施加電壓使得金屬線上的電流朝一定方向流動(dòng)，即在磁傳感單元上產(chǎn)生了磁場(chǎng)，對(duì)于單根磁傳感單元來(lái)說(shuō)，首尾感應(yīng)到的磁場(chǎng)方向是一樣的，即如果金屬線產(chǎn)生的磁場(chǎng)足夠強(qiáng)，那么在首尾兩端就會(huì)朝特定的方向進(jìn)行排列，即磁化(SET或者RESET)，當(dāng)首尾兩端被SET或者RESET后，磁傳感單元中間區(qū)域(中部)的磁材料也會(huì)被拉過(guò)去朝上述的方向排列，即實(shí)現(xiàn)了整個(gè)傳感單元的SET或者RESET效果。[0055]當(dāng)然，需要理解，在圖7所示的金屬線結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，還可以在磁傳感單元的中間(或其他中部區(qū)域)鋪設(shè)金屬線，可以加強(qiáng)SET或者RESET的效果，即在金屬線上施加電流后，一開(kāi)始不僅僅是首尾兩端，中間部分也會(huì)被磁場(chǎng)引導(dǎo)朝設(shè)定方向排列，隨后其余部分也會(huì)被兩端及中間的部分引導(dǎo)朝設(shè)定方向排列，實(shí)現(xiàn)了全部磁傳感單元的SET和RESET。雖然本實(shí)施例顯示的SET或者RESET線圈是兩圈，但實(shí)際可以是三圈，甚至是更多，根據(jù)實(shí)際的需要進(jìn)行調(diào)整。
[0056]需要指出的是，雖然圖7顯示只有在磁單元的兩端有金屬層，但是實(shí)際應(yīng)用中，其他位置也可以鋪設(shè)有金屬層，只不過(guò)可以作為其他功能的應(yīng)用，本實(shí)施例為了表述清楚，省略了不作為SET/RESET應(yīng)用的金屬層，但是并不代表沒(méi)有。
[0057]另外，金屬線圈該層的金屬層可以如上所述設(shè)置在磁單元的上方，也可以設(shè)置在磁單元的下方，中間采用絕緣的材料隔離。
[0058]從本實(shí)施例可以看出，通過(guò)本實(shí)用新型，可以減少此金屬層用于SET或者RESET作用設(shè)置線圈的占地面積，空出來(lái)的部分可以作為其他功能應(yīng)用，例如自檢測(cè)和引線等，甚至可以用于RDL,降低圓晶級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP, wafer level chip scale package)的成本，即通過(guò)此層金屬就將后續(xù)WLCSP封裝需要的PAD實(shí)現(xiàn)。
[0059]綜上所述，本實(shí)用新型提出的磁傳感裝置，只是在傳感材料單元的兩端或/和中間鋪設(shè)金屬層，施加電流、產(chǎn)生磁場(chǎng)后實(shí)現(xiàn)整個(gè)傳感材料單元的SET和RESET。僅在在傳感材料單元的兩端鋪設(shè)金屬層，可以將剩余的金屬層面積用于其他應(yīng)用，提高利用率，有助于降低金屬層的層數(shù)，簡(jiǎn)化了制備工藝比較復(fù)雜，降低制備成本。
[0060]這里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說(shuō)明性的，并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上述實(shí)施例中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的，對(duì)于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)實(shí)施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本實(shí)用新型的精神或本質(zhì)特征的情況下，本實(shí)用新型可以以其它形式、結(jié)構(gòu)、布置、t匕例，以及用其它組件、材料和部件來(lái)實(shí)現(xiàn)。在不脫離本實(shí)用新型范圍和精神的情況下，可以對(duì)這里所披露的實(shí)施例進(jìn)行其它變形和改變。
【權(quán)利要求】
1.一種磁傳感裝置，其特征在于，所述磁傳感裝置包括:磁材料層、電極陣列單元、絕緣介質(zhì)層、金屬層； 所述磁材料層包括一個(gè)或若干磁材料單元，所述磁材料單元上設(shè)置電極陣列單元； 僅在部分或全部磁材料單元的兩端或/和中部鋪設(shè)金屬層，或者僅在磁材料層的兩端或/和中部鋪設(shè)金屬層； 在金屬層施加電流產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)全部磁材料層SET/RESET,即實(shí)現(xiàn)磁材料單元磁化方向的修正或/和改變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置，其特征在于: 通過(guò)在磁材料層的兩端或/和中部施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)全部磁材料層SET/RESET ； 或者通過(guò)在兩端鋪設(shè)金屬層的磁材料單元的兩端施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)全部磁材料層 SET/RESET。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述磁傳感裝置形成惠斯通電橋，惠斯通電橋包括若干橋臂，一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單元； 僅在部分或全部橋臂的兩端或/和中部鋪設(shè)金屬層或金屬線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述磁傳感裝置形成惠斯通電橋，惠斯通電橋包括4個(gè)橋臂，一個(gè)橋臂形成四分之一電橋，一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單兀； 在每個(gè)四分之一電橋的兩端設(shè)置金屬層或金屬線，通過(guò)在磁材料層的兩端和中部施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)SET/RESET的作用，最終實(shí)現(xiàn)磁材料層全部磁材料單元的SET/RESET。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述磁傳感裝置形成惠斯通電橋，惠斯通電橋包括4個(gè)橋臂，一個(gè)橋臂形成四分之一電橋，一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單兀； 在惠斯通電橋的兩端設(shè)置金屬層或金屬線，通過(guò)在磁材料層的兩端施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)SET/RESET的作用，最終實(shí)現(xiàn)全部磁材料層的SET/RESET。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述磁傳感裝置形成惠斯通電橋，惠斯通電橋包括4個(gè)橋臂，一個(gè)橋臂形成四分之一電橋，一個(gè)橋臂包括一個(gè)或多個(gè)磁材料單兀； 在單個(gè)磁材料單元或單個(gè)橋臂的兩端設(shè)置金屬層或金屬線，通過(guò)在磁材料層的兩端施加電流，產(chǎn)生磁場(chǎng)，從而實(shí)現(xiàn)SET/RESET的作用，最終實(shí)現(xiàn)全部磁材料層的SET/RESET。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置，其特征在于: 為實(shí)現(xiàn)SET/RESET而鋪設(shè)的金屬層鋪設(shè)在磁材料層的上方，或者鋪設(shè)在磁材料層的下方； 金屬層與磁材料層之間設(shè)有絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述磁材料單元為條狀磁材料單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述磁材料為AMR材料，或?yàn)镚MR材料，或?yàn)門(mén)MR材料。
【文檔編號(hào)】G01R33/09GK203760517SQ201420019451
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年1月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月13日
【發(fā)明者】張挺, 萬(wàn)虹 申請(qǐng)人:上海矽?？萍加邢薰?br>