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一種飛點形成裝置制造方法

文檔序號:6048748閱讀:115來源:國知局
一種飛點形成裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種飛點形成裝置,包括屏蔽體和輻射源,屏蔽體側(cè)壁上具有成對設(shè)置的狹長螺旋槽,屏蔽體的側(cè)壁上具有至少兩對螺旋槽,每對螺旋槽包括一個入射槽和一個出射槽;所有入射槽位于輻射源扇形射線束的覆蓋范圍內(nèi),屏蔽體的任一橫切面至多經(jīng)過兩個入射槽;每個入射槽相對于屏蔽體的橫切面具有傾斜角,相鄰兩個入射槽之間具有預定距離;各出射槽的位置對應(yīng)于與其成對設(shè)置的入射槽的位置。本實用新型通過合理設(shè)置螺旋槽的數(shù)量和位置,使各螺旋槽之間留有一定距離,提高了屏蔽體的抗拉性能,可確保設(shè)備使用可靠性和安全性。
【專利說明】一種飛點形成裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及輻射成像【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種飛點形成裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前采用一種基于可旋轉(zhuǎn)屏蔽機構(gòu)的飛點掃描設(shè)備進行安檢,可旋轉(zhuǎn)屏蔽機構(gòu)為圓柱體,側(cè)壁上開有供射線入射和出射的螺旋線縫隙,在圓柱體旋轉(zhuǎn)過程中,射線經(jīng)狹縫準直器照射圓柱體,輻射的粒子通過螺旋線縫隙出射,形成飛點,飛點高速運動形成掃描線,對移動的被測物體實施掃描。這種飛點掃描設(shè)備可用于無損檢測、安檢等場合。
[0003]圖1示出了這類飛點掃描設(shè)備的使用場景,輻射源I與圓柱體5之間放置有狹縫準直器3,圓柱體5水平放置,右側(cè)為沿箭頭11方向移動的被測物8。圓柱體5側(cè)壁上具有一對螺旋線縫隙6’和6”,輻射源I發(fā)出射線,經(jīng)由狹縫準直器3上的直線縫隙2被限制為扇形射線束4,照射到圓柱體5上。當圓柱體5繞中心軸旋轉(zhuǎn)時(旋轉(zhuǎn)方向為箭頭12所示),扇形射線束4的射線由縫隙6’入射,再穿過縫隙6”出射(顯然,縫隙6’和6”兩者的位置相對應(yīng)),形成筆形射線束10。圓柱體5持續(xù)旋轉(zhuǎn),則經(jīng)縫隙6”出射的飛點在箭頭13的水平面內(nèi)形成無數(shù)條筆形射線束,被測物8在掃描范圍內(nèi)沿箭頭11方向移動,完成飛點掃描。
[0004]經(jīng)過大量研究分析發(fā)現(xiàn),上述飛點掃描設(shè)備的飛點形成環(huán)節(jié)存在一定弊端:縫隙6’和6”為螺旋線形狀,在整個長度方向幾乎把圓柱體分開,抗拉性能較差,在長時間執(zhí)行掃描任務(wù)、圓柱體5持續(xù)高速旋轉(zhuǎn)的情況下,因受到離心力F=Hicor2的作用,圓柱體5非常容易發(fā)生變形,導致飛點不能按照設(shè)計的軌跡運動,使得掃描圖像不完整,檢測結(jié)果可靠性低,并且在極端情況下還有可能發(fā)生圓柱體開裂的情況,存在安全隱患。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此,本實用新型提供了一種飛點形成裝置,通過合理布置屏蔽體上螺旋槽的數(shù)量和位置,提高屏蔽體抗拉性能,確保掃描檢測結(jié)果準確可靠,設(shè)備使用安全。
[0006]本實用新型提供一種飛點形成裝置,包括屏蔽體和輻射源,其中屏蔽體為中空圓柱體,屏蔽體側(cè)壁上具有成對設(shè)置的狹長螺旋槽,輻射源位于屏蔽體外側(cè),其特征在于,屏蔽體的側(cè)壁上具有N對螺旋槽,且N > 2每對螺旋槽包括一個入射槽和一個出射槽;其中,以屏蔽體的單個橫切面為界,M對螺旋槽位于所述單個橫切面一側(cè),N-M對螺旋槽位于所述單個橫切面另一側(cè),其中屏蔽體的橫切面平行于屏蔽體的底面,M < M ;所有入射槽位于輻射源扇形射線束的覆蓋范圍內(nèi),屏蔽體的任一橫切面至多經(jīng)過兩個入射槽;每個入射槽相對于屏蔽體的橫切面具有傾斜角,相鄰兩個入射槽之間具有預定距離;各出射槽的位置對應(yīng)于與其成對設(shè)置的入射槽的位置。
[0007]優(yōu)選地,其中位于所述單個橫切面上方且與所述單個橫切面相隔最遠的入射點所在的入射槽為第一入射槽,輻射源到屏蔽體側(cè)壁的垂線長度為L,扇形射線束中最大上
張角的射線與所述垂線的夾角為O1,則第一入射槽的始端到所述單個橫切面的距離為L5^tanO1?
[0008]優(yōu)選地,其中位于所述單個橫切面下方且與所述單個橫切面相隔最遠的入射點所在的入射槽為第N入射槽槽,輻射源到屏蔽體側(cè)壁的垂線長度為L,扇形射線束中最大下
張角的射線與所述垂線的夾角為02則第N入射槽槽的末端到所述單個橫切面的距離為
L*tan02。
[0009]優(yōu)選地,其中屏蔽體側(cè)壁具有預定厚度,成對設(shè)置的入射槽和出射槽在側(cè)壁中的切口方向相同。
[0010]優(yōu)選地,其中,在所有入射槽槽中,第X-1個入射槽槽、第X個入射槽槽和第X+1個入射槽槽依次相鄰,第X-1個入射槽槽的末端與第X個入射槽槽的始端相隔第一距離,第X個入射槽槽的末端和第 χ+1個入射槽槽的始端相隔第二距離,其中第一距離與第二距離不相等。
[0011]優(yōu)選地,其中屏蔽體本體為吸收輻射源射線的材料,屏蔽體本體外部覆蓋有保護層,所述保護層的材料包含以下種類中的一種或多種:碳纖維、玻璃纖維、金屬。
[0012]優(yōu)選地,其中屏蔽體與編碼器相連接,編碼器用于獲取屏蔽體的位置信息和角速度?目息。
[0013]優(yōu)選地,其中屏蔽體與形變檢測傳感器相連接,形變檢測傳感器用于檢測屏蔽體是否發(fā)生形變。
[0014]優(yōu)選地,其中屏蔽體與拉線檢測傳感器相連接,拉線檢測傳感器用于當屏蔽體在高速旋轉(zhuǎn)過程中發(fā)生意外時,切斷屏蔽體的旋轉(zhuǎn)動力。
[0015]本實用新型的有益效果:本實用新型合理布置屏蔽體上螺旋槽的數(shù)量和位置,在確保掃描圖像完整的前提下,避免了螺旋槽過長容易變形的缺陷,提高了屏蔽體的抗拉性能,確保掃描檢測結(jié)果準確可靠、設(shè)備使用安全。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是一種現(xiàn)有飛點形成設(shè)備的使用場景示意圖。
[0017]圖2是本實用新型實施例的飛點形成裝置使用狀態(tài)圖。
[0018]圖3是圖2實施例的飛點形成裝置中屏蔽體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4-7是本實用新型實施例的屏蔽體及其側(cè)壁展開示意圖。
[0020]圖8是本實用新型實施例屏蔽體的縱向剖面示意圖。
[0021]圖9是本實用新型實施例中一個飛點的出射過程側(cè)視示意圖。
【具體實施方式】
[0022]以下結(jié)合附圖并舉實施例,對本實用新型的技術(shù)方案進行詳細描述。
[0023]圖2為本實用新型實施例的飛點形成裝置使用狀態(tài)圖。圖3為圖2實施例中屏蔽體100的結(jié)構(gòu)示意圖。其中,屏蔽體100為中空的圓柱體,圖中為豎直放置,可繞中心軸I軸旋轉(zhuǎn)。屏蔽體100的側(cè)壁上有若干段狹長的螺旋槽(縫隙),例如螺旋槽對101包括入射槽hg和出射槽h’ g’。在屏蔽體100外部,點P代表輻射源,可提供例如X射線,照射旋轉(zhuǎn)的屏蔽體100。[0024]使用時,輻射源P和屏蔽體100之間放置有狹縫準直器200,輻射源P發(fā)出X射線,經(jīng)狹縫準直器200上的狹縫201約束為扇形射線束202,打到旋轉(zhuǎn)的屏蔽體100上,射線經(jīng)入射槽和出射槽穿過屏蔽體100形成飛點飛出,如圖2中,射線經(jīng)過入射槽ab的a端、出射槽a’b’的a’端后飛出一個飛點,形成筆形射線束203。
[0025]在扇形射線束202的覆蓋范圍內(nèi)布置入射槽,可在對應(yīng)的出射槽外連續(xù)飛出飛點,令被檢測物300沿箭頭方向移動即可進行掃描,配合輻射探測器400得到被檢測物300的輻射掃描圖像,為安檢提供依據(jù)。
[0026]圖4為本實用新型實施例的屏蔽體及其側(cè)壁展開后的示意圖,左側(cè)為屏蔽體本體,右側(cè)為側(cè)壁展開圖,側(cè)壁展開后為具有一定厚度的矩形板。
[0027]關(guān)于屏蔽體100上的若干段螺旋槽,在圖4實施例中,側(cè)壁上具有兩對螺旋槽,第一對螺旋槽為ha和h’ a’,第二對螺旋槽為de和d’ e’,其中ha和de是入射槽,h’ a’和d’ e’是出射槽。圖4中經(jīng)過輻射源P的水平虛線為屏蔽體的一個橫切面W,第一對螺旋槽ha和h’ a’在橫切面W上方,第二對螺旋槽de和d’ e’在橫切面W下方,橫切面W平行于屏蔽體的底面。
[0028]在本實用新型的一個實施例中,橫切面W也可不經(jīng)過輻射源P,如圖5實施例,其中橫切面W’位于經(jīng)過輻射源P的水平虛線之下,第一對螺旋槽ha和h’ a’在該橫切面W’上方,第二對螺旋槽de和d’ e’在該橫切面W’下方。
[0029]為確保飛點的連續(xù)性,考慮兩個入射槽ha和de的首尾位置關(guān)系。在本實用新型的一個實施例中,入射槽ha的a端和入射槽de的d端在同一高度,參照圖4, a端和d端都落在橫切面W上,a端和d端相隔一定距離,ha和de對橫切面W的傾斜角度相同,當a端和d端重合時,入射槽ha和入射槽de共線,此時出射的飛點為嚴格的依次連續(xù)。
[0030]在本實用新型的一個實施例中,可令入射槽ha的a端和入射槽de的d端位于不同的高度。例如,令e端位置不變,延長入射槽de的長度,則d端將高于橫切面W,也就高于入射槽ha的a端的高度。對出射槽d’ e’進行相應(yīng)調(diào)整,仍可保證飛點連續(xù)。需要注意的是,在后期對飛點掃描數(shù)據(jù)進行處理時,應(yīng)將de在豎直方向上與ha重合部分的數(shù)據(jù)去掉,剩余的即是連續(xù)的掃描數(shù)據(jù),可保證成像質(zhì)量??紤]到在屏蔽體上加工螺旋槽的工藝精度問題,要精確地使a端和d端的高度相同是不容易實現(xiàn)的,因此在實際加工過程中可選擇采用這種方案。
[0031]在本實用新型的一個實施例中,還可令ha和de對橫切面W的傾斜角度不相同,例如,將de的d端繞e端順時針旋轉(zhuǎn)一個角度,則d端和a端不僅高度不同,并且當a端和d端重合時,ha和de不共線,兩者形成角度,如170ο、175ο或178ο等等,相應(yīng)調(diào)整出射槽d’ e’的角度,這樣的設(shè)置仍可保證飛點的連續(xù)性。在上述實施例中,對于出射槽h’ a’和d’ e’的設(shè)置,分別與入射槽ha和de的位置相對應(yīng),也就是在屏蔽體上入射槽的位置轉(zhuǎn)過180ο應(yīng)為出射槽的位置,且高度應(yīng)保證輻射源射線穿過入射槽后恰好再穿過出射槽,從而形成飛點。舉例來說,對于出射槽h’ a’的h’端,其在屏蔽體上與入射槽ha的h端的連線h’ h經(jīng)過輻射源P??梢姡灰肷洳鄣脑O(shè)置確定,與其成對的出射槽的設(shè)置也是確定的。
[0032]另外,將入射槽ha和de限制在輻射源發(fā)出的扇形射線束的覆蓋范圍內(nèi),射線利用率高。
[0033]圖6示出了本實用新型實施例的飛點掃描裝置中屏蔽體側(cè)壁展開后的示意圖(輻射源未示出),與圖4實施例的相同點是對于螺旋槽布置的設(shè)計原理相同,不同點是螺旋槽數(shù)量和具體布置位置不同。
[0034]具體來看,圖6實施例的屏蔽體側(cè)壁上具有四對螺旋槽,第一對螺旋槽為hg和114’,第二對螺旋槽為&8和13’&’,第三對螺旋槽為(1(3和d’c’,第四對螺旋槽為fe和f’e’,其中hg、ba、dc和fe是入射槽,h’ g’、b’ a’、d’ c’和f ’ e’是出射槽。第一對和第二對螺旋槽在橫切面W上方,第三對和第四對螺旋槽在橫切面W下方。
[0035]對于圖6實施例,可以視為將圖4的四段螺旋槽中的每一段分為了兩段,例如原來的入射槽ha分為了入射槽hg和入射槽ba,原來的出射槽h’ a’分為了出射槽h’ g’和出射槽b’a’,其余各段同理,得到的八段螺旋槽相互間隔一定距離。與圖4實施例相比,圖6實施例的螺旋槽數(shù)目增多,意味著在屏蔽體直徑相同的情況下,屏蔽體剛性材料的連接部分越多,屏蔽體抗拉性能越好,可提高掃描檢測的可靠性和安全性。
[0036]同理,可將入射槽ha分為更多段,如3段、4段、5段或更多,再分段的數(shù)目理論上沒有限制,根據(jù)屏蔽體的直徑、高度等條件確定,以符合加工工藝和使用需求為佳。屏蔽體直徑越大,高度越高,可設(shè)置的螺旋槽越多。
[0037]對于圖6實施例中相鄰入射槽的首尾位置關(guān)系,可按照圖4實施例進行設(shè)置,確保飛點的連續(xù)性。
[0038]進一步地,對于圖6實施例中相鄰入射槽的首尾之間的距離,如gb、ad和cf,這三段距離可設(shè)置為相等,也可設(shè)置為不相等,圖6實施例中g(shù)b=cf ? ad。
[0039]優(yōu)選地,基于 圖6實施例,改變四個入射槽之間的距離,同時結(jié)合四個出射槽的相應(yīng)位置,調(diào)整以盡量拉大相鄰螺旋槽之間的距離,可形成如圖7的螺旋槽位置關(guān)系,其中g(shù)f ^ ed ^ cb,也就是所有入射槽的首尾之間的距離均不相等。相對于圖6實施例,圖7實施例的螺旋槽布置趨于分散,最大限度地拉開了螺旋槽之間的距離,將屏蔽體的抗拉性能最大化,確保儀器使用的可靠性和安全性。
[0040]在本實用新型的一個實施例中,也可僅令第一對螺旋槽hg和h’ g’在橫切面W上方,其余三對螺旋槽全部在橫切面W下方。同理,也可令第一、第二和第三對螺旋槽均在橫切面W上方,第四對螺旋槽在橫切面W下方。
[0041]在本實用新型的一個實施例中,為使扇形射線束最大張角的射線能夠穿過屏蔽體形成飛點,考慮與橫切面W距離最遠的入射槽ha的h端以及入射槽de的e端的高度。具體地,輻射源P的扇形射線束張角為τ,如圖4所示,其中最大上張角為Tl,最大下張角為T 2,輻射源P到側(cè)壁的距離為L,則令入射槽ha的h端到橫切面W的距離為L*tan T 1,可使扇形射線束上方最大張角的射線恰好穿過h端。
[0042]同理,令入射槽de的e端到橫切面W的距離為L*tan T 2,可使扇形射線束下方最大張角的射線恰好穿過e端。
[0043]當以上h端和e端的高度條件同時滿足時,扇形射線束能夠全部穿過屏蔽體形成飛點,射線利用率高。
[0044]本實用新型的具體實施例描述了屏蔽體具有兩對螺旋槽和四對螺旋槽的情況,在推廣使用時,可根據(jù)屏蔽體的周長和高度等因素設(shè)置其它螺旋槽對數(shù),例如三對、五對、十對、十六對等,屏蔽體直徑越大,高度越高,可設(shè)置的螺旋槽對數(shù)越多。
[0045]此外,由于屏蔽體側(cè)壁具有一定厚度,在側(cè)壁上加工螺旋槽時,需考慮螺旋槽的切口方向。圖8為本實用新型實施例屏蔽體的縱向剖面圖,圖8示意性地示出了側(cè)壁中一個入射槽和與其成對設(shè)置的出射槽的切口情況。具體來看,Z Θ為輻射源的一條射線的出射方向與水平面的夾角,Z α是入射槽的切口方向與水平面的夾角,Z β是出射槽的切口方向與水平面的夾角,應(yīng)使Z α = Z β = Z θ,以允許射線通過入射槽和出射槽穿過屏蔽體形成飛點。否則,如果出現(xiàn)Z α古Z Θ或Z β古Z Θ的情形,射線都無法穿過屏蔽體。因此,根據(jù)扇形射線束的射線出射方向,對每個螺旋槽的切口方向進行設(shè)置,保證屏蔽體繞I軸旋轉(zhuǎn)時射線能夠通過入射槽和出射槽。
[0046]圖9示出了基于本實用新型的飛點形成裝置,經(jīng)旋轉(zhuǎn)屏蔽體形成一個飛點的過程示意圖,圖中為屏蔽體的縱向剖面。其中,A為某時刻下入射槽ab的切口,A’為對應(yīng)的出射槽a’ b’的切口,類似地,E為該時刻下入射槽ef間的切口,E’為對應(yīng)的出射槽e’ f’的切口。可以看到,輻射源P的射線順利通過A和A’出射形成一個飛點,而無法通過E’或E。另外,對于屏蔽體上的其它螺旋槽,例如圖9中的入射槽ef和出射槽e’ f’,雖然兩者位置相互對應(yīng),切口方向相同,但是,在圖中所示的時刻下,該切口方向不能使輻射源P射線通過,隨著屏蔽體的旋轉(zhuǎn),ef和e’ f’在空間中的位置改變,待旋轉(zhuǎn)至與射線出射方向吻合的時刻,即可允許射線通過形成飛點。
[0047]可見,根據(jù)本實用新型對螺旋槽的切口方向的設(shè)計,使得在屏蔽體旋轉(zhuǎn)過程中某一時刻僅能夠形成一個想要的飛點,符合飛點形成裝置使用要求。
[0048]根據(jù)實際應(yīng)用場合設(shè)計本實用新型的飛點形成裝置時,可參考以下內(nèi)容:
[0049]1、屏蔽體本體由可吸收輻射源射線的材料制作,例如含有鶴、鉛、鉭、鋼的合金或復合材料。
[0050]2、屏蔽體可制作為雙層結(jié)構(gòu),內(nèi)層的屏蔽體本體為吸收輻射源射線的材料,外層包裹低密度、高強度的材料,例如以碳纖維或玻璃纖維為基材的復合材料,或者是相對低密度的金屬材料如鋁、鋼等,以提高屏蔽體的力學性能。
[0051]3、可將屏蔽體與編碼器相連接,編碼器獲取屏蔽體的位置信息、角速度信息等,可方便地掌握射線飛點的出射方向,檢測屏蔽體的旋轉(zhuǎn)工作狀態(tài),從而對裝置進行控制。
[0052]4、可將屏蔽體與形變檢測傳感器相連接,例如渦流位移傳感器或激光傳感器,檢測屏蔽體是否發(fā)生形變,確保屏蔽體可正常工作,掃描檢測結(jié)果準確可靠。
[0053]5、可將屏蔽體與拉線檢測傳感器相連接,當屏蔽體在高速旋轉(zhuǎn)過程中發(fā)生意外時,可通過拉線檢測傳感器切斷屏蔽體的旋轉(zhuǎn)動力,確保人員和相關(guān)設(shè)備安全。
[0054]以上,結(jié)合具體實施例對本實用新型的技術(shù)方案進行了詳細介紹,所描述的具體實施例用于幫助理解本實用新型的思想。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本實用新型具體實施例的基礎(chǔ)上做出的推導和變型也屬于本實用新型保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種飛點形成裝置,包括屏蔽體和輻射源,其中屏蔽體為中空圓柱體,屏蔽體側(cè)壁上具有成對設(shè)置的狹長螺旋槽,輻射源位于屏蔽體外側(cè),其特征在于,屏蔽體的側(cè)壁上具有N對螺旋槽,且N > 2,每對螺旋槽包括一個入射槽和一個出射槽;其中, 以屏蔽體的單個橫切面為界,M對螺旋槽位于所述單個橫切面一側(cè),N-M對螺旋槽位于所述單個橫切面另一側(cè),其中屏蔽體的橫切面平行于屏蔽體的底面,M < N ; 所有入射槽位于輻射源扇形射線束的覆蓋范圍內(nèi),屏蔽體的任一橫切面至多經(jīng)過兩個入射槽; 每個入射槽相對于屏蔽體的橫切面具有傾斜角,相鄰兩個入射槽之間具有預定距離; 各出射槽的位置對應(yīng)于與其成對設(shè)置的入射槽的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中位于所述單個橫切面上方且與所述單個橫切面相隔最遠的入射點所在的入射槽為第一入射槽,輻射源到屏蔽體側(cè)壁的垂線長度為L,扇形射線束中最大上張角的射線與所述垂線的夾角為G1,則第一入射槽的始端到所述單個橫切面的距離為L^tanOp
3.如權(quán)利要求1所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中位于所述單個橫切面下方且與所述單個橫切面相隔最遠的入射點所在的入射槽為第N入射槽,輻射源到屏蔽體側(cè)壁的垂線長度為L,扇形射線束中最大下張角的射線與所述垂線的夾角為02,則第N入射槽的末端到所述單個橫切面的距離為Ptan(Z)2。
4.如權(quán)利要求1所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中屏蔽體側(cè)壁具有預定厚度,成對設(shè)置的入射槽和出射槽在側(cè)壁中的切口方向相同。
5.如權(quán)利要求1所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中,在所有入射槽中,第X-1個入射槽、第X個入射槽和第X+1個入射槽依次相鄰,第X-1個入射槽的末端與第X個入射槽的始端相隔第一距離,第X個入射槽的末端和第χ+1個入射槽的始端相隔第二距離,其中X為正整數(shù),I <χ< N,其中第一距離與第二距離不相等。
6.如權(quán)利要求5所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中第一距離與第二距離相等。
7.如權(quán)利要求1所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中屏蔽體本體為吸收輻射源射線的材料,屏蔽體本體外部覆蓋有保護層,所述保護層的材料包含以下種類中的一種或多種:碳纖維、玻璃纖維、金屬。
8.如權(quán)利要求1所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中屏蔽體與編碼器相連接,編碼器用于獲取屏蔽體的位置信息和角速度信息。
9.如權(quán)利要求1所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中屏蔽體與形變檢測傳感器相連接,形變檢測傳感器用于檢測屏蔽體是否發(fā)生形變。
10.如權(quán)利要求1所述的飛點形成裝置,其特征在于,其中屏蔽體與拉線檢測傳感器相連接,拉線檢測傳感器用于當屏蔽體在高速旋轉(zhuǎn)過程中發(fā)生意外時,切斷屏蔽體的旋轉(zhuǎn)動力。
【文檔編號】G01V5/00GK203773068SQ201420103574
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】王彥華, 曹艷鋒, 王少鋒, 劉錚 申請人:北京君和信達科技有限公司
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