高壓壓差檢測(cè)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種高壓壓差檢測(cè)電路，用于檢測(cè)升壓電路輸出的高壓電壓和電源電壓的壓差。高壓壓差檢測(cè)電路包括轉(zhuǎn)換比較電路部分與電流補(bǔ)償電路部分。轉(zhuǎn)換比較電路部分包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一三極管、第一場(chǎng)效應(yīng)管、第一比較器以及第二比較器。電流補(bǔ)償電路部分的輸出端連接于第三電阻的第一端。本實(shí)用新型提供的高壓壓差檢測(cè)電路，能夠?qū)⑸龎弘娐份敵龅母邏弘妷号c電源電壓的壓差轉(zhuǎn)換為低壓情況下的轉(zhuǎn)換電壓，并將其與參考電壓進(jìn)行比較來完成高電壓環(huán)境下的壓差檢測(cè)。
【專利說明】高壓壓差檢測(cè)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種電壓檢測(cè)電路，尤其涉及一種用于升壓電路中的高壓壓差檢測(cè)電路。

【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的電壓檢測(cè)電路中，為了能夠?qū)⒏唠妷褐蹬c較低的參考電壓相比較，一般需要使用一個(gè)電阻串進(jìn)行分壓作用，如圖1所示。圖1中電阻Rl和電阻R2分別代表一串串聯(lián)的電阻，其輸入電壓為Vin，輸出電壓為Vtll，其中Vtll = Vin*R2/ (R1+R2)，將輸出電壓Vcu接入到后續(xù)的比較電路中與參考電壓Vkef相比較以輸出比較值Y，就能實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入電壓Vin的檢測(cè)。
[0003]隨著集成電路工藝的發(fā)展，升壓電路的升壓形式越來越廣泛，功率MOSFET等高壓的使用，使得電荷泵以及DC-DC升壓電路中，經(jīng)常需要產(chǎn)生跟隨電源電壓Vin線性變化的輸出電壓Vout，輸出電壓與輸入電壓的差值為定值，其關(guān)系如圖2所示。已有的分壓檢測(cè)電路只能實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓進(jìn)行分壓并將分壓的值和參考電壓進(jìn)行比較，不能實(shí)現(xiàn)如圖2所示的對(duì)輸出電壓與輸入電壓的壓差與參考電壓進(jìn)行比較，因此，已有的電壓檢測(cè)電路在不改變其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下很難滿足這一要求。
[0004]因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員致力于開發(fā)一種能夠檢測(cè)升壓電路中輸出電壓大小與電源電壓壓差的電路。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本實(shí)用新型提供一種高壓壓差檢測(cè)電路，以解決于高電壓環(huán)境下，對(duì)升壓電路中輸出的高壓電壓與電源電壓的壓差的檢測(cè)的技術(shù)問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種高壓壓差檢測(cè)電路，用于檢測(cè)升壓電路輸出的高壓電壓和電源電壓的壓差。高壓壓差檢測(cè)電路包括轉(zhuǎn)換比較電路部分與電流補(bǔ)償電路部分。轉(zhuǎn)換比較電路部分包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一三極管、第一場(chǎng)效應(yīng)管、第一比較器以及第二比較器。第一三極管的發(fā)射極連接于第一電阻。第三電阻的第一端連接于第一三極管的集電極。第二電阻的第一端連接于第三電阻的第二端，第二電阻的第二端通過第四電阻接地。第一比較器的負(fù)向輸入端連接于第三電阻的第一端。第二比較器的正向輸入端連接于第二電阻的第一端。第一場(chǎng)效應(yīng)管的基極連接于第一比較器的輸出端，第一場(chǎng)效應(yīng)管的集電極連接于第二電阻的第二端，第一場(chǎng)效應(yīng)管的發(fā)射極接地。電流補(bǔ)償電路部分的輸出端連接于第三電阻的第一端。
[0007]在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式中，電流補(bǔ)償電路部分包括基準(zhǔn)電流、第五電阻、第二三極管、第三三極管、第二場(chǎng)效應(yīng)管、第三場(chǎng)效應(yīng)管、第四場(chǎng)效應(yīng)管、第五場(chǎng)效應(yīng)管?；鶞?zhǔn)電流的輸入端連接于第二三極管的基極和第三三極管的集電極。第二三極管的發(fā)射極連接于第三三極管的基極且通過第五電阻連接于第三三極管的發(fā)射極。第二三極管的集電極連接于第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與柵極?；鶞?zhǔn)電流的輸出端、第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極以及第三場(chǎng)效應(yīng)管的源極分別接地。第三場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接于第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，第三場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接于第四場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和柵極。第四場(chǎng)效應(yīng)管的源極和第五場(chǎng)效應(yīng)管的源極分別連接于第三三極管的發(fā)射極。第五場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接于第四場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，第五場(chǎng)效應(yīng)管的集電極連接于第三電阻的第一端。
[0008]在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式中，第五電阻與第一電阻的電阻值相同。
[0009]在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式中，第二場(chǎng)效應(yīng)管與第三場(chǎng)效應(yīng)管分別為NMOS場(chǎng)效應(yīng)管，第四場(chǎng)效應(yīng)管與第五場(chǎng)效應(yīng)管分別為PMOS場(chǎng)效應(yīng)管。
[0010]本實(shí)用新型提供的高壓壓差檢測(cè)電路，能夠?qū)⑸龎弘娐份敵龅母邏弘妷号c電源電壓的壓差線性轉(zhuǎn)換為低壓情況下的轉(zhuǎn)換電壓，并將其與參考電壓進(jìn)行比較來完成高電壓環(huán)境下的壓差檢測(cè)。通過同一個(gè)參考電壓，兩個(gè)比較器，同一個(gè)比較支路，完成兩個(gè)不同轉(zhuǎn)換電壓的比較，使得檢測(cè)電路同時(shí)具有低壓鎖定功能并且，第一晶體管的引入穩(wěn)定了第一比較器的低壓鎖定信號(hào)的輸出，進(jìn)一步優(yōu)化了電路的比較精度。
[0011]以下將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說明，以充分地了解本實(shí)用新型的目的、特征和效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是傳統(tǒng)的電壓檢測(cè)比較電路的示意圖；
[0013]圖2是圖1中輸入電壓與輸出電壓的電壓關(guān)系圖；
[0014]圖3是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例的高壓壓差檢測(cè)電路的示意圖；
[0015]圖4是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例的壓差、第一比較信號(hào)以及第二比較信號(hào)的關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016]于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，如圖所示3，高壓壓差檢測(cè)電路用于檢測(cè)升壓電路中輸出的高壓電壓與電源電壓的壓差。其中，高壓壓差檢測(cè)電路包括轉(zhuǎn)換比較電路部分與電流補(bǔ)償電路部分。
[0017]于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，轉(zhuǎn)換比較電路部分包括第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一三極管Q1、第一場(chǎng)效應(yīng)管札、第一比較器CMl以及第二比較器CM2。第一三極管Q1的發(fā)射極通過第一電阻R1接收高壓電壓Vin。第一三極管Q1的基極接收電源電壓VBB。第一三極管Q1的集電極連接于第三電阻R3的第一端。第二電阻R2的第一端連接于第三電阻R3的第二端，第二電阻R2的第二端通過第四電阻R4接地。第一比較器CMl的負(fù)向輸入端連接于第三電阻R3的第一端以接收第一轉(zhuǎn)換電壓Vtjlt5第二比較器CM2的正向輸入端連接于第二電阻R2的第一端以接收第二轉(zhuǎn)換電壓^。2。第一比較器CMl的正向輸入端與第二比較器CM2的負(fù)向輸入端分別接收參考電壓VKEF。第一比較器CMl的輸出端與第二比較器CM2的輸出端分別輸出第一比較信號(hào)Y1與第二比較信號(hào)\。第一場(chǎng)效應(yīng)管M1的基極連接于第一比較器CMl的輸出端，第一場(chǎng)效應(yīng)管札的集電極連接于第二電阻R2的第二端，第一場(chǎng)效應(yīng)管M1的發(fā)射極接地。其中，第一場(chǎng)效應(yīng)管M1為NMOS場(chǎng)效應(yīng)管。
[0018]于轉(zhuǎn)換比較電路部分中，第一三極管Q1與第一電阻R1將壓差Vin-VBB轉(zhuǎn)換為壓差電流(Vin-VBBVR115第三電阻R3、第二電阻R2及第四電阻R4所在的分壓支路再將壓差電流(Vin-VBB) /R1轉(zhuǎn)化為電壓值較低的兩個(gè)轉(zhuǎn)換電壓輸出，即由第三電阻R3的第一端輸出的第一轉(zhuǎn)換電壓Vra與由第二電阻R2的第一端輸出的第二轉(zhuǎn)換電壓\2，并且由于分壓作用，始終有第一轉(zhuǎn)換電壓Vm大于第二轉(zhuǎn)換電壓Vre。第一比較器CMl與第二比較器CM2實(shí)現(xiàn)所述兩個(gè)轉(zhuǎn)換電壓與參考電壓Vkef在低壓狀態(tài)下的比較。于實(shí)際應(yīng)用中，第一三極管Q1并非理想三極管，其發(fā)射極與基極之間存在導(dǎo)通壓降Vbe，因此，實(shí)際的壓差電流IK1’ = (Vin-VBB-Vj/%=((Vin-VBB)/R1-VbeZR1)，由公式可知，實(shí)際的壓差電流IK1’比理想的壓差電流(Vin-VBB)/R1的電流值損失了 νΒΕ/%。為了補(bǔ)償?shù)谝蝗龢O管Q1的導(dǎo)通壓降Vbe造成的電流損失，需要提供電流值為VbeA1的補(bǔ)償電流I #。
[0019]由此，于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，電流補(bǔ)償電路部分為轉(zhuǎn)換比較電路部分提供補(bǔ)償電流。電流補(bǔ)償電路部分包括基準(zhǔn)電流Iref、第五電阻&、第二三極管Q2、第三三極管Q3、第二場(chǎng)效應(yīng)管M2、第三場(chǎng)效應(yīng)管M3、第四場(chǎng)效應(yīng)管M4、第五場(chǎng)效應(yīng)管M5。基準(zhǔn)電流Iref的輸入端連接于第二三極管Q2的基極和第三三極管Q3的集電極。第三三極管Q3的發(fā)射極連接于低壓電源VDD。第二三極管Q2的發(fā)射極連接于第三三極管Q3的基極且通過第五電阻R5連接于第三三極管Q3的發(fā)射極。第二三極管Q2的集電極連接于第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的漏極與柵極?；鶞?zhǔn)電流Iref的輸出端、第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的源極以及第三場(chǎng)效應(yīng)管M3的源極分別接地。第三場(chǎng)效應(yīng)管M3的柵極連接于第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的柵極，第三場(chǎng)效應(yīng)管M3的漏極連接于第四場(chǎng)效應(yīng)管M4的漏極和柵極。第四場(chǎng)效應(yīng)管M4的源極和第五場(chǎng)效應(yīng)管仏的源極分別連接于第三三極管Q3的發(fā)射極。第五場(chǎng)效應(yīng)管M5的柵極連接于第四場(chǎng)效應(yīng)管M4的柵極，第五場(chǎng)效應(yīng)管M5的集電極連接于第三電阻R3的第一端以提供補(bǔ)償電流。其中，第二場(chǎng)效應(yīng)管M2與第三場(chǎng)效應(yīng)管M3分別為NMOS場(chǎng)效應(yīng)管，第四場(chǎng)效應(yīng)管M4與第五場(chǎng)效應(yīng)管M5分別為PMOS場(chǎng)效應(yīng)管。
[0020]于電流補(bǔ)償電路部分中，第五電阻R5與第一電阻R1的電阻值相同，由此，第五場(chǎng)效應(yīng)管M5的集電極輸出的補(bǔ)償電流I補(bǔ)的大小為VbeA1，第三電阻R3的電流值IK3 = Ie/ +I補(bǔ)=(Vin-VBB)/R10由上式可見，本實(shí)用新型提供的高壓壓差檢測(cè)電路實(shí)現(xiàn)了流過電阻R3的電流與高壓電壓Vin的線性關(guān)系。
[0021]以下為本實(shí)用新型的高壓壓差檢測(cè)電路檢測(cè)過程，請(qǐng)一并參考圖3和圖4。
[0022]當(dāng)高壓電壓Vin由VBB開始上升，即壓差Vin-VBB從O開始逐漸上升，于該過程中，第一轉(zhuǎn)換電壓Vra小于參考電壓Vkef,第一比較信號(hào)Y1輸出的值為I ;第二轉(zhuǎn)換電壓VtJ2小于參考電壓Vkef，第二比較信號(hào)Y2輸出的值為O。此時(shí)，第一場(chǎng)效應(yīng)管M1導(dǎo)通，第四電阻R4沒有電流流過，第一轉(zhuǎn)換電壓Vqi的電壓值為:VQ1 = IE3*(R2+R3) = (Vin-VBB)MRfR3VR1高壓電壓Vin逐漸上升，第一轉(zhuǎn)換電壓Vm與第二轉(zhuǎn)換電壓N02亦逐漸上升，且第一轉(zhuǎn)換電壓Vqi先于第二轉(zhuǎn)換電壓到達(dá)參考電壓Vkef，第一比較器CMl較先實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)。即，當(dāng)?shù)谝晦D(zhuǎn)換電壓Vw上升至等于參考電壓Vkef時(shí)，第一比較信號(hào)Y1的值由I跳變?yōu)?，此時(shí)，第二比較信號(hào)\的值保持為O ;同時(shí),第一場(chǎng)效應(yīng)管M1關(guān)閉,第四電阻R4有電流流過。于第一比較信號(hào)Y1的值跳變?yōu)镺的時(shí)刻，高壓電壓Vin的電壓值為第一閾值電壓Vthl = VBB+(Veef^R1)/(R2+R3) ο此后，高壓電壓Vin繼續(xù)上升，其電壓值為:Vin>Vthl = VBB+(Veef^R1)/(R2+R3)
[0023]第一比較信號(hào)Y1實(shí)際為低壓鎖定信號(hào)，用以判斷升壓電路是否正常工作。具體而言，當(dāng)?shù)谝槐容^信號(hào)Y1的值為I時(shí)，表示升壓電路沒有正常工作(即沒有完成升壓)，檢測(cè)電路處于低壓鎖定模式，第二比較信號(hào)Y2無需反饋給升壓電路；當(dāng)?shù)谝槐容^信號(hào)Y1的值由I變?yōu)镺后，表示升壓電路正常工作(即完成升壓)，高壓壓差檢測(cè)電路進(jìn)入檢測(cè)比較模式，第二比較信號(hào)Y2反饋給升壓電路。
[0024]其中，第一場(chǎng)效應(yīng)管M1的引入，使得檢測(cè)電路處于低壓鎖定模式與檢測(cè)比較模式的轉(zhuǎn)換時(shí)，即第一比較器CMl在實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)的時(shí)候，避免了其在門限值附近出現(xiàn)持續(xù)抖動(dòng)翻轉(zhuǎn)的啁啾現(xiàn)象，穩(wěn)定了第一比較器的低壓鎖定信號(hào)的輸出，也進(jìn)一步優(yōu)化了電路的比較精度。
[0025]當(dāng)高壓壓差檢測(cè)電路進(jìn)入檢測(cè)比較模式，高壓電壓Vin的電壓值大于第一閾值電壓Vthl且繼續(xù)上升，此時(shí)，第二轉(zhuǎn)換電壓Vtj2的電壓值為=Vtj2 = iK3*(r2+r4)=(Vin-VBB) * (R2+R4) /R1。第二轉(zhuǎn)換電壓N02亦逐漸上升至大于參考電壓VKEF，第二比較器CM2實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)。即，當(dāng)?shù)诙D(zhuǎn)換電壓Vq2的電壓值上升至等于參考電壓Vkef時(shí)，第二比較信號(hào)Y2的值由O跳變?yōu)?，此時(shí)，第一比較信號(hào)Y1的值保持為O。于第二比較信號(hào)Y2的值跳變?yōu)镮的時(shí)刻，高壓電壓Vin的電壓值為第二閾值電壓Vth2 = VBB+(Vk^R1V(RJR4)。此后，高壓電壓Vin繼續(xù)上升，高壓電壓Vin的電壓值為:Vin>Vth2 = VBB+(V1^R1) / (R2+R4)。
[0026]第二比較信號(hào)Y2實(shí)際為高壓檢測(cè)信號(hào)，其直接作為升壓電路的控制信號(hào)反饋于升壓電路，控制其升壓的幅度與速度，以調(diào)節(jié)升壓電路的升壓閾值。
[0027]在第二比較信號(hào)Y2的反饋?zhàn)饔孟?，高壓電壓Vin達(dá)到一定的幅度門限值后會(huì)逐漸下降時(shí)，第二轉(zhuǎn)換電壓VtJ2與第一轉(zhuǎn)換電壓Vra亦逐漸下降,且第二轉(zhuǎn)換電壓Vo2先于第一轉(zhuǎn)換電壓Vqi下降到達(dá)參考電壓Vkef，第二比較器CM2較先實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)。即，當(dāng)?shù)诙D(zhuǎn)換電壓Vq2下降至等于參考電壓Vkef時(shí)，第二比較信號(hào)Y2的值由I變?yōu)?，此時(shí)，第一比較信號(hào)Y1的值保持為O。于第二比較信號(hào)Y2的值跳變?yōu)镺的時(shí)刻，高壓電壓Vin的電壓值為第二閾值電壓 Vtii2。
[0028]當(dāng)?shù)谝晦D(zhuǎn)換電壓Vw的電壓值逐漸降低至小于參考電壓Vkef，第一比較器CMl將再次翻轉(zhuǎn)，第一轉(zhuǎn)換電壓 Vra 的電壓值為:νω = IK3*(R2+R3+R4) = (Vin-VBB) *(R2+R3+R4)/R10 當(dāng)?shù)谝晦D(zhuǎn)換電壓Vw的電壓值降低至等于參考電壓Vkef時(shí)，第一比較信號(hào)Y1的值至由O跳變?yōu)?，此時(shí)，第二比較信號(hào)Y2的值保持為O ;同時(shí)，第一場(chǎng)效應(yīng)管札導(dǎo)通，第四電阻R4沒有電流流過。于第一比較信號(hào)Y1的值跳變?yōu)镮的時(shí)刻，高壓電壓Vin的電壓值為第三閾值電壓Vth3 = VBB+ (Veef^R1) / (R2+R3+R4)。
[0029]當(dāng)?shù)谝槐容^信號(hào)Y1的值再次由O變?yōu)镮時(shí)，表示升壓電路不再正常工作，壓差檢測(cè)結(jié)束，檢測(cè)電路退出檢測(cè)比較模式而進(jìn)入低壓鎖定模式，完成高壓壓差檢測(cè)電路的電壓鎖定功能。。
[0030]由上所述可知，當(dāng)?shù)谝槐容^信號(hào)Y1W高電平跳變?yōu)榈碗娖?，升壓電路正常工?即完成升壓)，第二比較器開始工作，壓差檢測(cè)開始，即電路進(jìn)入檢測(cè)比較模式；其中，在第二比較信號(hào)Y2跳變?yōu)楦唠娖街?，高壓電壓Vin不小于第三閾值電壓Vth3且不大于第二閾值電壓Vth2，當(dāng)?shù)诙容^信號(hào)￥2跳變?yōu)楦唠娖疆?dāng)，高壓電壓Vin大于第二閾值電壓Vth2。當(dāng)?shù)谝槐容^信號(hào)Y1從低電平跳變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，表示升壓電路不再正常工作，第二比較器停止工作，壓差檢測(cè)結(jié)束，此時(shí)高壓電壓Vin為第三閾值電壓Vth3 ;當(dāng)?shù)谝槐容^信號(hào)Y1為高電平時(shí)，電路進(jìn)入低壓鎖定模式。
[0031]綜上所述，本實(shí)用新型提供的高壓壓差檢測(cè)電路，能夠?qū)⑸龎弘娐分休敵龅母邏弘妷号c電源電壓的壓差線性轉(zhuǎn)換為低壓情況下的轉(zhuǎn)換電壓，并將其與參考電壓進(jìn)行比較來完成高電壓環(huán)境下的壓差檢測(cè)。同時(shí)，通過同一個(gè)參考電壓，兩個(gè)比較器，同一個(gè)比較支路，完成兩個(gè)不同轉(zhuǎn)換電壓的比較，使得檢測(cè)電路同時(shí)具有低壓鎖定功能；并且，第一晶體管的引入穩(wěn)定了第一比較器的低壓鎖定信號(hào)的輸出，進(jìn)一步優(yōu)化了電路的比較精度。
[0032]以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本實(shí)用新型的構(gòu)思作出諸多修改和變化。因此，凡本【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員依本實(shí)用新型的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高壓壓差檢測(cè)電路，用于檢測(cè)升壓電路輸出的高壓電壓和電源電壓的壓差，其特征在于，所述高壓壓差檢測(cè)電路包括: 轉(zhuǎn)換比較電路部分，所述轉(zhuǎn)換比較電路部分包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一三極管、第一場(chǎng)效應(yīng)管、第一比較器以及第二比較器，所述第一三極管的發(fā)射極連接于所述第一電阻，所述第三電阻的第一端連接于所述第一三極管的集電極，所述第二電阻的第一端連接于所述第三電阻的第二端，所述第二電阻的第二端通過所述第四電阻接地，所述第一比較器的負(fù)向輸入端連接于所述第三電阻的第一端，所述第二比較器的正向輸入端連接于所述第二電阻的第一端，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的基極連接于所述第一比較器的輸出端，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的集電極連接于所述第二電阻的第二端，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的發(fā)射極接地；以及 電流補(bǔ)償電路部分，所述電流補(bǔ)償電路部分的輸出端連接于所述第三電阻的第一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓壓差檢測(cè)電路，其特征在于，所述電流補(bǔ)償電路部分包括基準(zhǔn)電流、第五電阻、第二三極管、第三三極管、第二場(chǎng)效應(yīng)管、第三場(chǎng)效應(yīng)管、第四場(chǎng)效應(yīng)管、第五場(chǎng)效應(yīng)管，所述基準(zhǔn)電流的輸入端連接于所述第二三極管的基極和所述第三三極管的集電極，所述第二三極管的發(fā)射極連接于所述第三三極管的基極且通過所述第五電阻連接于所述第三三極管的發(fā)射極，所述第二三極管的集電極連接于所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與柵極，所述基準(zhǔn)電流的輸出端、所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極以及所述第三場(chǎng)效應(yīng)管的源極分別接地，所述第三場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接于所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，所述第三場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接于所述第四場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和柵極，所述第四場(chǎng)效應(yīng)管的源極和所述第五場(chǎng)效應(yīng)管的源極分別連接于所述第三三極管的發(fā)射極，所述第五場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接于所述第四場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，所述第五場(chǎng)效應(yīng)管的集電極連接于所述第三電阻的第一端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓壓差檢測(cè)電路，其特征在于，所述第五電阻與所述第一電阻的電阻值相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓壓差檢測(cè)電路，其特征在于，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管與所述第三場(chǎng)效應(yīng)管分別為NMOS場(chǎng)效應(yīng)管，所述第四場(chǎng)效應(yīng)管與所述第五場(chǎng)效應(yīng)管分別為PMOS場(chǎng)效應(yīng)管。
【文檔編號(hào)】G01R19/10GK203929860SQ201420232087
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月7日
【發(fā)明者】朱鐵柱, 王良坤, 張明星, 夏存寶, 陳路鵬, 黃武康 申請(qǐng)人:嘉興中潤(rùn)微電子有限公司