一種倒車?yán)走_(dá)無變壓器發(fā)射電路減小余振電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種倒車?yán)走_(dá)無變壓器發(fā)射電路減小余振電路，包括控制和處理電路MCU、驅(qū)動(dòng)電路、接收放大電路及并聯(lián)諧振電路；驅(qū)動(dòng)電路的輸入端與控制和處理電路MCU連接，而輸出端與發(fā)射電路連接，而壓電陶瓷輸入端與發(fā)射電路，輸出端與接收放大電路連接，接收放大電路與控制和處理電路MCU連接；所述并聯(lián)諧振電路與壓電陶瓷并聯(lián)連接，且并聯(lián)諧振電路通過控制開關(guān)管Q3B控制其通斷，由控制和處理電路MCU輸出控制信號(hào)，在信號(hào)發(fā)射脈沖發(fā)射結(jié)束后，在t=1-5mS時(shí)間控制開關(guān)管Q3B導(dǎo)通壓電陶瓷和并聯(lián)諧振電路并聯(lián)，經(jīng)過t=1-5mS時(shí)間后，控制開關(guān)管Q3B不導(dǎo)通。本實(shí)用新型可以減小壓電陶瓷余振，且不影響電路靈敏度。
【專利說明】-種倒車?yán)走_(dá)無變壓器發(fā)射電路減小余振電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及倒車?yán)走_(dá)電路，尤其是指一種倒車?yán)走_(dá)無變壓器發(fā)射電路減小余 振電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中，超聲波雷達(dá)探頭發(fā)射電路大多數(shù)采用由變壓器驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷（SEN), 進(jìn)行超聲波信號(hào)發(fā)射，然而，由變壓器驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷成本較高，無變壓器驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷 (SEN)超聲波發(fā)射電路，越來越廣泛應(yīng)用于超聲波雷達(dá)探頭。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)掲示 的無變壓器發(fā)射電路，包括控制和處理電路（MCU)IO、驅(qū)動(dòng)電路20、發(fā)射電路30及接收放大 電路40 ;所述驅(qū)動(dòng)電路20的輸入端與控制和處理電路(MCU)IO連接，而輸出端與發(fā)射電路 30連接，而壓電陶瓷50輸入端與發(fā)射電路30,輸出端與接收放大電路40連接，接收放大電 路40與控制和處理電路（MCU) 10連接。
[0003] 其中，所述發(fā)射電路30由MOS管Q1A、M0S管Q2A、M0S管Q1B、M0S管Q2B組成，MOS 管QlA的G極與驅(qū)動(dòng)電路20B腳連接，S極與MOS管Q2A的S極連接，而D極與MOS管QlB 的D極連接，并連接至壓電陶瓷50 -端；MOS管Q2A的G極與驅(qū)動(dòng)電路20A腳連接，而D極 與MOS管Q2B的D極連接，并連接至壓電陶瓷50另一端；MOS管QlB的G極與驅(qū)動(dòng)電路20A 腳連接，而S極與MOS管Q2B的S極連接；MOS管Q2B的G極與驅(qū)動(dòng)電路20S腳連接。
[0004] 所述無變壓器發(fā)射電路工作時(shí)，如圖2及圖2a所示，前半周期A輸出正脈沖，A輸 出負(fù)脈沖，QlA和Q2B導(dǎo)通，如圖3及圖3a所示，后半周期B輸出正脈沖，S輸出負(fù)脈沖，Q2A 和QlB導(dǎo)通，發(fā)射電路驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷（SEN),無變壓器發(fā)射電路，在發(fā)射狀態(tài)時(shí)等效電路如 圖4所示，對(duì)外發(fā)射10-16個(gè)周期超聲波(超聲波頻率40KHZ-68KHZ)脈沖信號(hào)，脈沖發(fā)射 周期為T(T=30mS-40m巧信號(hào)，發(fā)送完畢后，探頭接收到障礙物反射超聲波信號(hào)，信號(hào)送入 接收放大電路，進(jìn)行信號(hào)放大、濾波、模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，記錄信號(hào)發(fā)送和接收的時(shí)間差，根據(jù)此 時(shí)間差計(jì)算障礙物距離，并輸出報(bào)警信號(hào)或進(jìn)行泊車等功能。
[0005] 然而，所述無變壓器驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷超聲波發(fā)射電路，其缺陷在于：余振比較大，超 聲波雷達(dá)探測(cè)盲區(qū)較大，所W減小余振成了技術(shù)的關(guān)鍵。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0006] 本實(shí)用新型的目的在于提供一種倒車?yán)走_(dá)無變壓器發(fā)射電路減小余振電路，W減 小壓電陶瓷余振，且不影響電路靈敏度。
[0007] 為達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型的解決方案為：
[000引一種倒車?yán)走_(dá)無變壓器發(fā)射電路減小余振電路，包括控制和處理電路MCU、驅(qū)動(dòng) 電路、發(fā)射電路、接收放大電路及并聯(lián)諧振電路；驅(qū)動(dòng)電路的輸入端與控制和處理電路MCU 連接，而輸出端與發(fā)射電路連接，而壓電陶瓷輸入端與發(fā)射電路，輸出端與接收放大電路連 接，接收放大電路與控制和處理電路MCU連接；所述并聯(lián)諧振電路與壓電陶瓷并聯(lián)連接，且 并聯(lián)諧振電路通過控制開關(guān)管Q3B控制其通斷，由控制和處理電路MCU輸出控制信號(hào)，在信 號(hào)發(fā)射脈沖發(fā)射結(jié)束后，在t=lmS-5mS時(shí)間時(shí)間控制開關(guān)管Q3B導(dǎo)通壓電陶瓷和并聯(lián)諧振 電路并聯(lián)，經(jīng)過t=lmS-5mS時(shí)間后，控制開關(guān)管Q3B不導(dǎo)通。
[0009] 進(jìn)一步，所述控制開關(guān)管Q3B的G極與驅(qū)動(dòng)電路連接，S極與壓電陶瓷一端連接，而 D極與并聯(lián)諧振電路一端連接，而并聯(lián)諧振電路另一端與壓電陶瓷另一端連接，控制開關(guān)管 Q3B控制并聯(lián)諧振電路與壓電陶瓷之間的通斷。
[0010] 采用上述方案后，本實(shí)用新型在現(xiàn)有技術(shù)的電路基礎(chǔ)上增加一個(gè)并聯(lián)諧振電路及 控制開關(guān)管Q3B，所述并聯(lián)諧振電路與壓電陶瓷并聯(lián)連接，且并聯(lián)諧振電路通過控制開關(guān)管 Q3B控制其通斷，由控制和處理電路MCU輸出控制信號(hào)，在信號(hào)發(fā)射脈沖發(fā)射結(jié)束后，在t時(shí) 間控制開關(guān)管Q3B導(dǎo)通壓電陶瓷和并聯(lián)諧振電路并聯(lián)，減少余振，經(jīng)過t時(shí)間后，控制開關(guān) 管Q3B不導(dǎo)通，大部分時(shí)間，控制開關(guān)管Q3B不導(dǎo)通，不影響電路靈敏度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的無變壓器發(fā)射電路圖；
[0012] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)控制和處理電路(MCU) A腳及A腳輸出超聲波信號(hào)示意圖；
[0013] 圖2a是圖2局部放大圖；
[0014] 圖3是現(xiàn)有技術(shù)控制和處理電路(MCU) B腳及S腳輸出超聲波信號(hào)示意圖；
[0015] 圖3a是圖3局部放大圖；
[0016] 圖4是現(xiàn)有技術(shù)的無變壓器發(fā)射電路圖在發(fā)射狀態(tài)時(shí)等效電路圖；
[0017] 圖5是本實(shí)用新型的電路圖；
[0018] 圖6是本實(shí)用新型在發(fā)射狀態(tài)時(shí)等效電路圖；
[0019] 圖7是本實(shí)用新型控制和處理電路(MCU)輸出控制信號(hào)示意圖。
[0020] 標(biāo)號(hào)說明
[002。 控制和處理電路（MCU) 10 驅(qū)動(dòng)電路20
[0022] 發(fā)射電路30 接收放大電路40
[0023] 壓電陶瓷50
[0024] 控制和處理電路MCUl 驅(qū)動(dòng)電路2
[0025] 發(fā)射電路3 接收放大電路4
[0026] 并聯(lián)諧振電路5 壓電陶瓷6。

【具體實(shí)施方式】
[0027] W下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做詳細(xì)的說明。
[0028] 參閱圖5至圖7所示，本實(shí)用新型掲示的一種倒車?yán)走_(dá)無變壓器發(fā)射電路減小余 振電路，包括控制和處理電路MCUl、驅(qū)動(dòng)電路2、發(fā)射電路3、接收放大電路4、并聯(lián)諧振電路 5及壓電陶瓷6。
[0029] 驅(qū)動(dòng)電路2的輸入端與控制和處理電路MCUl連接，而輸出端與發(fā)射電路3連接， 而壓電陶瓷6輸入端與發(fā)射電路3,輸出端與接收放大電路5連接，接收放大電路5與控制 和處理電路MCUl連接。
[0030] 其中，所述發(fā)射電路3由MOS管Q1A、M0S管Q2A、M0S管Q1B、M0S管Q2B組成，MOS 管QlA的G極與驅(qū)動(dòng)電路2B腳連接，S極與MOS管Q2A的S極連接，而D極與MOS管QlB 的D極連接，并連接至壓電陶瓷6 -端；MOS管Q2A的G極與驅(qū)動(dòng)電路2A腳連接，而D極與 MOS管Q2B的D極連接，并連接至壓電陶瓷6另一端；MOS管QlB的G極與驅(qū)動(dòng)電路2A腳連 接，而S極與MOS管Q2B的S極連接；MOS管Q2B的G極與驅(qū)動(dòng)電路逃腳連接。
[0031] 所述并聯(lián)諧振電路5與壓電陶瓷6并聯(lián)連接，且并聯(lián)諧振電路5通過控制開關(guān)管 Q3B控制其通斷，由控制和處理電路MCUl輸出控制信號(hào)，在信號(hào)發(fā)射脈沖發(fā)射結(jié)束后，在 t=lmS-5mS時(shí)間控制開關(guān)管Q3B導(dǎo)通壓電陶瓷6和并聯(lián)諧振電路5并聯(lián)，經(jīng)過t=lmS-5mS時(shí) 間后，控制開關(guān)管Q3B不導(dǎo)通，t=lmS-5mS根據(jù)產(chǎn)品性能要求而定。
[0032] 所述控制開關(guān)管Q3B的G極與驅(qū)動(dòng)電路2連接，S極與壓電陶瓷6 -端連接，而D 極與并聯(lián)諧振電路5 -端連接，而并聯(lián)諧振電路5另一端與壓電陶瓷6另一端連接，控制開 關(guān)管Q3B控制并聯(lián)諧振電路5與壓電陶瓷6之間的通斷。
[0033] 本實(shí)用新型在現(xiàn)有技術(shù)的電路基礎(chǔ)上增加一個(gè)并聯(lián)諧振電路5及控制開關(guān)管 Q3B，所述并聯(lián)諧振電路5與壓電陶瓷6并聯(lián)連接，且并聯(lián)諧振電路5通過控制開關(guān)管Q3B控 巧喊通斷，由控制和處理電路MCUl輸出控制信號(hào)，如圖7所示，而本實(shí)用新型在發(fā)射狀態(tài)時(shí) 等效電路如圖6所示，在信號(hào)發(fā)射脈沖發(fā)射結(jié)束后，在t時(shí)間控制開關(guān)管Q3B導(dǎo)通壓電陶瓷 6和并聯(lián)諧振電路5并聯(lián)，減少余振，經(jīng)過t時(shí)間后，控制開關(guān)管Q3B不導(dǎo)通，大部分時(shí)間，控 制開關(guān)管Q3B不導(dǎo)通，不影響電路靈敏度。
[0034] 0=宗本實(shí)歷型艦4 t剛附加的前去來降低品質(zhì)瞧Q值，纖諧振 電路Q值公式：
[003引從Q值公式可知，適當(dāng)調(diào)節(jié)RCL可得到不同Q值，在t時(shí)間K導(dǎo)通，電路并聯(lián)，降低 Q值，使余振減小，大部時(shí)間K斷開，不影響電路靈敏度。
[0036] W上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本案設(shè)計(jì)的限制，凡依本案的設(shè) 計(jì)關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種倒車?yán)走_(dá)無變壓器發(fā)射電路減小余振電路，其特征在于：包括控制和處理電路 MCU、驅(qū)動(dòng)電路、發(fā)射電路、接收放大電路、控制開關(guān)管Q3B及并聯(lián)諧振電路；驅(qū)動(dòng)電路的輸 入端與控制和處理電路MCU連接，而輸出端與發(fā)射電路連接，而壓電陶瓷輸入端與發(fā)射電 路，輸出端與接收放大電路連接，接收放大電路與控制和處理電路MCU連接；所述控制開關(guān) 管Q3B的G極與驅(qū)動(dòng)電路連接，S極與壓電陶瓷一端連接，而D極與并聯(lián)諧振電路一端連接， 而并聯(lián)諧振電路另一端與壓電陶瓷另一端連接，驅(qū)動(dòng)電路通過控制控制開關(guān)管Q3B的導(dǎo)通 與否來控制并聯(lián)諧振電路與壓電陶瓷之間的通斷。
【文檔編號(hào)】G01S7/524GK204129220SQ201420398466
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月18日
【發(fā)明者】劉丁陽(yáng), 王天福 申請(qǐng)人:同致電子科技（廈門）有限公司