一種強(qiáng)激光取樣衰減器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種強(qiáng)激光取樣衰減器,所述取樣衰減器中的上部設(shè)置有漫反射取樣板,漫反射取樣板下部依次與衰減腔板、取樣光散射板、衰減底板固定連接。漫透射材料置于取樣光散射板和衰減底板之間。漫反射取樣板用于對非取樣強(qiáng)激光進(jìn)行漫反射,具有高損傷閾值,漫反射取樣板上的通孔用于對激光束進(jìn)行空間取樣,取樣光散射板用于對取樣強(qiáng)激光進(jìn)行漫反射,衰減腔用于衰減勻化取樣激光,漫透射材料用于將發(fā)散勻化后的激光再次進(jìn)行取樣,衰減底板上的通孔再次對漫透射取樣光進(jìn)行衰減。本實(shí)用新型解決了持續(xù)時間數(shù)十秒、功率密度10kW/cm2的強(qiáng)激光現(xiàn)有取樣衰減器無法直接進(jìn)行取樣和衰減的問題,對于強(qiáng)激光參數(shù)測量具有重要促進(jìn)作用。
【專利說明】一種強(qiáng)激光取樣衰減器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于激光參數(shù)測量【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種強(qiáng)激光取樣衰減器。
【背景技術(shù)】
[0002]在強(qiáng)激光測量應(yīng)用中,通常需要先用取樣衰減器對激光束進(jìn)行空間取樣和衰減,現(xiàn)有技術(shù)的取樣衰減器能承受一定的能量密度,但不能對持續(xù)時間數(shù)十秒的強(qiáng)激光進(jìn)行取樣和衰減。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]為了克服已有技術(shù)中激光取樣衰減器不能對持續(xù)時間數(shù)十秒的強(qiáng)激光進(jìn)行取樣和衰減的不足,本實(shí)用新型提供了一種強(qiáng)激光取樣衰減器,能夠?qū)β拭芏冗_(dá)到lOkW/cm2的強(qiáng)激光進(jìn)行數(shù)十秒時間取樣和衰減。
[0004]本實(shí)用新型是通過如下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:
[0005]本實(shí)用新型的一種強(qiáng)激光取樣衰減器,其特點(diǎn)是,所述取樣衰減器外形為柱狀,包括漫反射取樣板、衰減腔板、取樣光散射板、漫透射材料、衰減底板。
[0006]所述漫反射取樣板用于對非取樣強(qiáng)激光進(jìn)行95%以上漫反射;
[0007]所述漫反射取樣板上設(shè)置有通孔用于對入射激光束進(jìn)行空間強(qiáng)度分布取樣;
[0008]所述衰減腔板上設(shè)置有衰減腔用于衰減和勻化取樣強(qiáng)激光,通過改變衰減腔的結(jié)構(gòu)尺寸能夠調(diào)整衰減倍率;
[0009]所述取樣光散射板用于對取樣強(qiáng)激光進(jìn)行漫反射;
[0010]所述漫透射材料用于對發(fā)散勻化后的取樣光再次進(jìn)行取樣;
[0011 ] 所述衰減底板上設(shè)置有通孔用于對漫透射取樣激光再次進(jìn)行衰減,通過調(diào)整通孔長度能夠調(diào)整衰減倍率;
[0012]所述取樣衰減器的上部設(shè)置有漫反射取樣板,漫反射取樣板下部依次與衰減腔板、取樣光散射板、衰減底板固定連接;漫反射取樣板軸向設(shè)置有圓形的通孔I ;衰減腔板的上部軸向設(shè)置有圓形的通孔II,下部軸向設(shè)置有衰減腔;所述的取樣光散射板的軸向設(shè)置有圓形通孔III ;所述的衰減底板的軸向設(shè)置有圓形通孔IV ;通孔I1、通孔III分別與衰減腔相通,且通孔II與通孔III為軸向平行設(shè)置,(即通孔II與通孔III在取樣光散射板上的投影不相交)。所述漫透射材料置于取樣光散射板的通孔III中,漫透射材料的上表面與取樣光散射板上的通孔III中的臺階平齊,漫透射材料的下表面與衰減底板的上表面平齊。
[0013]所述的通孔I與通孔II為同軸心設(shè)置。
[0014]所述的通孔III與通孔IV為同軸心設(shè)置。
[0015]所述的衰減腔的形狀為圓形或方形。
[0016]所述的漫透射材料的直徑大于通孔II1、通孔IV的直徑。
[0017]所述的漫反射取樣板材料采用經(jīng)過特殊工藝處理的紫銅,特殊工藝為受光面先噴砂,后鍛金,其余表面鍛金。
[0018]所述的衰減腔板材料為石墨或發(fā)黑鋁。
[0019]所述的取樣光散射板材料采用經(jīng)過特殊工藝處理的紫銅或鋁,特殊工藝為受光面先噴砂,后鍍金。
[0020]所述的漫透射材料為乳白玻璃或漫透射陶瓷。
[0021]所述的衰減底板的材料為發(fā)黑鋁。
[0022]本實(shí)用新型使用具有高損傷域值的漫反射取樣板來對非取樣強(qiáng)激光進(jìn)行95%以上漫反射,使用小孔對入射激光束進(jìn)行空間取樣,使用具有高損傷域值的取樣光散射板來對高功率密度取樣光進(jìn)行漫反射,并使用石墨或發(fā)黑鋁材料的柱形衰減腔來發(fā)散和勻化取樣激光,使用漫透射材料和衰減通道對發(fā)散勻化后的激光進(jìn)行再次取樣和衰減,從而實(shí)現(xiàn)對強(qiáng)激光的取樣和衰減。
[0023]本實(shí)用新型的強(qiáng)激光取樣衰減器解決了持續(xù)時間數(shù)十秒、功率密度到達(dá)lOkW/cm2的強(qiáng)激光常規(guī)方法無法直接取樣和衰減的問題,對于強(qiáng)激光參數(shù)測量具有重要促進(jìn)作用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]圖1為本實(shí)用新型的強(qiáng)激光取樣衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖中,1.漫反射取樣板2.衰減腔板 3.取樣光散射板 4.漫透射材料 5.衰減底板 6.通孔I 7.通孔II 8.衰減腔 9.通孔III
10.通孔IV。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0027]實(shí)施例1
[0028]圖1為本實(shí)用新型的強(qiáng)激光取樣衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖1中,本實(shí)用新型的強(qiáng)激光取樣衰減器外形為方形,包括漫反射取樣板1、衰減腔板2、取樣光散射板3、漫透射材料4、衰減底板5 ;
[0029]所述漫反射取樣板I用于對非取樣強(qiáng)激光進(jìn)行95%以上漫反射;
[0030]所述漫反射取樣板I上設(shè)置有通孔用于對入射激光束進(jìn)行空間強(qiáng)度分布取樣;
[0031]所述衰減腔板2上設(shè)置有衰減腔用于衰減和勻化取樣強(qiáng)激光,通過改變衰減腔的結(jié)構(gòu)尺寸能夠調(diào)整衰減倍率;
[0032]所述取樣光散射板3用于對取樣強(qiáng)激光進(jìn)行漫反射;
[0033]所述漫透射材料4用于對發(fā)散勻化后的取樣光再次進(jìn)行取樣;
[0034]所述衰減底板5上設(shè)置有通孔用于對漫透射取樣激光再次進(jìn)行衰減,通過調(diào)整通孔長度能夠調(diào)整衰減倍率;
[0035]所述取樣衰減器的上部設(shè)置有漫反射取樣板I,漫反射取樣板I下部依次與衰減腔板2、取樣光散射板3、衰減底板5固定連接;漫反射取樣板I軸向設(shè)置有圓形的通孔I 6 ;衰減腔板2的上部軸向設(shè)置有圓形的通孔II 7,下部軸向設(shè)置有衰減腔8 ;所述的取樣光散射板3的軸向設(shè)置有圓形通孔III 9 ;所述的衰減底板5的軸向設(shè)置有圓形通孔IV 10 ;通孔II 7、通孔III 9分別與衰減腔8相通,且通孔II 7與通孔III 9為軸向平行設(shè)置,(即通孔II 7與通孔III 9在取樣光散射板3上的投影不相交;所述漫透射材料4置于取樣光散射板3的通孔III 9中,漫透射材料4的上表面與取樣光散射板3上的通孔III9中的臺階平齊,漫透射材料4的下表面與衰減底板5的上表面平齊。
[0036]所述的通孔I 6與通孔II 7為同軸心設(shè)置。
[0037]所述的通孔III 9與通孔IV 10為同軸心設(shè)置。
[0038]所述的衰減腔8的形狀為圓形或方形。
[0039]所述的漫透射材料4的直徑大于通孔III 9、通孔IV 10的直徑。
[0040]所述的漫反射取樣板I材料采用經(jīng)過特殊工藝處理的紫銅,特殊工藝為受光面先嗔砂,后鍛金,其余表面鍛金。
[0041]所述的取樣光散射板3材料采用經(jīng)過特殊工藝處理的紫銅或鋁,特殊工藝為受光面先噴砂,后鍍金。
[0042]本實(shí)施例中,所述的衰減腔板2材料為石墨;所述的漫透射材料4為乳白玻璃;所述的衰減底板5的材料為發(fā)黑鋁;衰減腔8的形狀為圓形。
[0043]實(shí)施例2
[0044]本實(shí)施例與實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)相同,不同之處是,所述的強(qiáng)激光取樣衰減器的外形為圓形;所述的衰減腔板材料為發(fā)黑鋁;所述的漫透射材料為漫透射陶瓷;衰減腔的形狀為方形。
[0045]最后所應(yīng)說明的是,以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型而非限制,盡管參照較佳實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以對本實(shí)用新型進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍,其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的特權(quán)要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述取樣衰減器外形為柱狀,包括漫反射取樣板(I)、衰減腔板(2 )、取樣光散射板(3 )、漫透射材料(4 )、衰減底板(5 ); 所述漫反射取樣板(I)用于對非取樣強(qiáng)激光進(jìn)行漫反射; 所述漫反射取樣板(I)上設(shè)置有通孔用于對入射激光束進(jìn)行空間強(qiáng)度分布取樣; 所述衰減腔板(2)上設(shè)置有衰減腔用于衰減和勻化取樣強(qiáng)激光; 所述取樣光散射板(3)用于對取樣強(qiáng)激光進(jìn)行漫反射; 所述漫透射材料(4)用于對發(fā)散勻化后的取樣光再次進(jìn)行取樣; 所述衰減底板(5)上設(shè)置有通孔用于對漫透射取樣激光再次進(jìn)行衰減; 所述取樣衰減器的上部設(shè)置有漫反射取樣板(1),漫反射取樣板(I)下部依次與衰減腔板(2 )、取樣光散射板(3 )、衰減底板(5 )固定連接;漫反射取樣板(I)軸向設(shè)置有圓形的通孔I (6);衰減腔板(2)的上部軸向設(shè)置有圓形的通孔II (7),下部軸向設(shè)置有衰減腔(8);所述的取樣光散射板(3)的軸向設(shè)置有圓形通孔111(9);所述的衰減底板(5)的軸向設(shè)置有圓形通孔IV (10);通孔II (7)、通孔III (9)分別與衰減腔(8)相通,且通孔II (7)與通孔III (9)為軸向平行設(shè)置;所述漫透射材料(4)置于取樣光散射板(3)的通孔III (9)中,漫透射材料(4)的上表面與取樣光散射板(3)上的通孔III (9)中的臺階平齊,漫透射材料(4)的下表面與衰減底板(5)的上表面平齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述的通孔I(6)與通孔II(7)為同軸心設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述的通孔III(9)與通孔IV(1)為同軸心設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述的衰減腔(8)的形狀為圓形或方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述的漫反射取樣板(I)材料采用紫銅,在紫銅受光面先噴砂,后鍍金,其余表面鍍金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述的衰減腔板(2)材料采用石墨或發(fā)黑鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述的取樣光散射板(3)材料采用紫銅或鋁,在紫銅或鋁的受光面先噴砂,后鍍金。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述的漫透射材料(4)為乳白玻璃或漫透射陶瓷。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)激光取樣衰減器,其特征在于:所述的衰減底板(5)的材料為發(fā)黑鋁。
【文檔編號】G01J1/04GK203982016SQ201420411080
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月24日
【發(fā)明者】龐淼, 張衛(wèi), 胡曉陽, 周文超, 高學(xué)燕, 周山, 何均章 申請人:中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所