半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置制造方法
【專利摘要】公開(kāi)了一種半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置，所述裝置包括：檢測(cè)接口，用于連接待檢測(cè)傳感器，向處理器傳輸所述待檢測(cè)傳感器測(cè)量獲得的待檢測(cè)測(cè)量值；參考傳感器，用于根據(jù)外部物理量輸出參考測(cè)量值；處理器，分別與所述檢測(cè)接口和參考傳感器連接，根據(jù)至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值計(jì)算第一噪聲，根據(jù)至少兩個(gè)參考測(cè)量值計(jì)算第二噪聲，并計(jì)算第一噪聲和第二噪聲的差作為輸出噪聲。由此，可獲得由于生產(chǎn)工藝造成的輸出噪聲。由此，可以避免由于其他因素對(duì)輸出噪聲測(cè)量構(gòu)成的負(fù)面影響。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及測(cè)試【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是一種數(shù)字和模擬混合的系統(tǒng),理想條件下，由于半導(dǎo)體加工工藝本身的特點(diǎn)，基于微機(jī)電系統(tǒng)的半導(dǎo)體傳感器不可避免的具有輸出噪聲。通過(guò)檢測(cè)半導(dǎo)體傳感器的輸出噪聲可以獲知加工過(guò)程的品質(zhì)優(yōu)劣程度，因此，對(duì)于半導(dǎo)體傳感器的輸出噪聲檢測(cè)是生產(chǎn)測(cè)試中進(jìn)行品質(zhì)控制的可選途徑。
[0003]但是，半導(dǎo)體傳感器的輸出噪聲并非僅由其加工的精密程度決定，檢測(cè)由于生產(chǎn)工藝造成的輸出噪聲存在困難。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]有鑒于此，提供一種半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置和方法，使得由于生產(chǎn)工藝導(dǎo)致的輸出噪聲可以被精確測(cè)量，避免由于其他因素對(duì)輸出噪聲測(cè)量構(gòu)成的負(fù)面影響。
[0005]第一方面，提供一種半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置，包括:
[0006]檢測(cè)接口，用于連接待檢測(cè)傳感器，向處理器傳輸所述待檢測(cè)傳感器測(cè)量獲得的待檢測(cè)測(cè)量值；
[0007]參考傳感器，與所述待檢測(cè)傳感器類型相同，用于根據(jù)外部物理量輸出參考測(cè)量值；
[0008]處理器，分別與所述檢測(cè)接口和所述參考傳感器連接，根據(jù)至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值計(jì)算第一噪聲，根據(jù)至少兩個(gè)參考測(cè)量值計(jì)算第二噪聲，并計(jì)算第一噪聲和第二噪聲的差作為輸出噪聲。
[0009]優(yōu)選地，所述參考傳感器的精度高于或等于所述待檢測(cè)傳感器的精度。
[0010]優(yōu)選地，所述第一噪聲為所述至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值的方差，所述第二噪聲為所述至少兩個(gè)參考測(cè)量值的方差。
[0011]優(yōu)選地，所述輸出噪聲檢測(cè)裝置還包括:
[0012]低噪聲電源，分別連接到所述檢測(cè)接口、所述參考傳感器和所述處理器，用于對(duì)所述待檢測(cè)傳感器、所述參考傳感器和所述處理器提供低噪聲的供電電壓。
[0013]優(yōu)選地,所述低噪聲電源包括:
[0014]電壓輸入接口，用于輸入電源電壓；
[0015]輸出可調(diào)線性穩(wěn)壓器，與所述電壓輸入接口連接，用于將所述電源電壓轉(zhuǎn)換為可調(diào)電壓；
[0016]第一線性穩(wěn)壓器，與所述輸出可調(diào)線性穩(wěn)壓器連接，用于將所述可調(diào)電壓轉(zhuǎn)換為第一供電電壓輸出到所述檢測(cè)接口和所述參考傳感器；
[0017]第二線性穩(wěn)壓器，與所述電壓輸入接口連接，用于將所述電源電壓轉(zhuǎn)換為第二供電電壓輸出到所述處理器。
[0018]優(yōu)選地，所述待檢測(cè)傳感器和所述參考傳感器為MEMS傳感器。
[0019]第二方面，提供一種半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)方法，包括:
[0020]分別獲取待檢測(cè)傳感器測(cè)量獲得的至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值和參考傳感器測(cè)量獲得的至少兩個(gè)參考測(cè)量值，所述待檢測(cè)測(cè)量值和所述參考測(cè)量值為將外部物理量同時(shí)施加于待檢測(cè)傳感器和參考傳感器測(cè)量獲得，所述參考傳感器與所述待檢測(cè)傳感器類型相同；
[0021]根據(jù)所述至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值計(jì)算第一噪聲，根據(jù)所述至少兩個(gè)參考測(cè)量值計(jì)算第二噪聲；
[0022]計(jì)算所述第一噪聲和所述第二噪聲的差值作為所述待檢測(cè)傳感器的輸出噪聲。
[0023]優(yōu)選地，所述參考傳感器的精度高于或等于所述待檢測(cè)傳感器的精度。
[0024]優(yōu)選地，所述第一噪聲為所述至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值的方差，所述第二噪聲為所述至少兩個(gè)參考測(cè)量值的方差。
[0025]優(yōu)選地，所述方法還包括:
[0026]利用低噪聲供電電壓對(duì)所述待檢測(cè)傳感器和所述參考傳感器供電。
[0027]通過(guò)設(shè)置參考傳感器，通過(guò)測(cè)量參考傳感器的輸出噪聲獲取由于環(huán)境因素和系統(tǒng)因素造成的噪聲，從測(cè)量獲得的待檢測(cè)傳感器的噪聲中減去參考傳感器的輸出噪聲，即可獲得由于生產(chǎn)工藝造成的輸出噪聲。由此，可以避免由于其他因素對(duì)輸出噪聲測(cè)量構(gòu)成的負(fù)面影響。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的描述，本實(shí)用新型的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中:
[0029]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置的示意圖；
[0030]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的低噪聲電源的示意圖；
[0031]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的各種實(shí)施例。在各個(gè)附圖中，相同的元件采用相同或類似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。為了清楚起見(jiàn)，附圖中的各個(gè)部分沒(méi)有按比例繪制。
[0033]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置的示意圖。如圖1所示，半導(dǎo)體傳感器輸出檢測(cè)裝置I包括檢測(cè)接口 11、參考傳感器12和處理器13。
[0034]檢測(cè)接口 11用于連接待檢測(cè)傳感器2，向處理器13傳輸待檢測(cè)傳感器2測(cè)量獲得的待檢測(cè)測(cè)量值。
[0035]在本實(shí)施例中，將待檢測(cè)傳感器2連接到半導(dǎo)體傳感器輸出檢測(cè)裝置I后檢測(cè)輸出的測(cè)量值稱為待檢測(cè)測(cè)量值，待檢測(cè)測(cè)量值將作為輸出噪聲檢測(cè)的基礎(chǔ)。
[0036]參考傳感器12用于根據(jù)外部物理量輸出參考測(cè)量值。
[0037]在本實(shí)施例中，參考傳感器12是與待檢測(cè)傳感器2類型相同的傳感器，兩者可以對(duì)相同的外部物理量，例如速度、加速度、磁力等等進(jìn)行測(cè)量。也就是說(shuō)，參考傳感器12和待測(cè)量傳感器2可以是速度傳感器、加速度傳感器、磁力傳感器等各種類型的傳感器。
[0038]同時(shí)，從工藝角度來(lái)說(shuō)，參考傳感器12和待檢測(cè)傳感器2可以均為MEMS傳感器。
[0039]參考傳感器12的作用在于其自身具有較低的輸出噪聲(也即，由生產(chǎn)工藝造成的噪聲)，由此，可以對(duì)由外部環(huán)境造成的噪聲進(jìn)行較為精確的測(cè)量。也即，為了使得參考傳感器12對(duì)于環(huán)境噪聲測(cè)量得更加精確，其具有高于或等于待檢測(cè)傳感器2的精度。
[0040]處理器13分別與檢測(cè)接口 11和參考傳感器12連接，根據(jù)至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值計(jì)算第一噪聲，根據(jù)至少兩個(gè)參考測(cè)量值計(jì)算第二噪聲，并計(jì)算第一噪聲和第二噪聲的差作為輸出噪聲。
[0041]優(yōu)選地，處理器13可以通過(guò)I2C總線接口與檢測(cè)接口 11以及參考傳感器12連接。
[0042]在實(shí)際的測(cè)試過(guò)程中，通過(guò)單獨(dú)測(cè)試待檢測(cè)傳感器2得到的噪聲參量一部分是由于其自身生產(chǎn)工藝原因造成的，還有一部分是由于外部環(huán)境造成的。具體而言，在單獨(dú)測(cè)試過(guò)程中獲得的待檢測(cè)傳感器2的輸出噪聲必然與傳感器的供電電壓噪聲有關(guān)，同時(shí)還會(huì)與測(cè)試平臺(tái)的噪聲有關(guān)。例如，在測(cè)試中，加速度傳感器以及陀螺儀的輸出噪聲與測(cè)試平臺(tái)的振動(dòng)噪聲相關(guān)，而磁力計(jì)的輸出噪聲則與測(cè)試平臺(tái)所處的磁場(chǎng)波動(dòng)噪聲相關(guān)。
[0043]在外部環(huán)境帶來(lái)的噪聲較大時(shí)，會(huì)使得整個(gè)測(cè)試結(jié)果失效。
[0044]本實(shí)施例的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置通過(guò)設(shè)置一個(gè)具有低輸出噪聲(高精度)的參考傳感器來(lái)對(duì)外部環(huán)境造成的噪聲進(jìn)行測(cè)量，通過(guò)處理器13基于待測(cè)試傳感器2的多個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值計(jì)算第一噪聲，基于參考傳感器12的多個(gè)參考測(cè)量值計(jì)算第二噪聲，其中，第二噪聲的主要部分為外部環(huán)境導(dǎo)致的噪聲，而第一噪聲一部分為傳感器的生產(chǎn)過(guò)程或生產(chǎn)工藝導(dǎo)致的輸出噪聲，一部分為外部環(huán)境導(dǎo)致的噪聲，由此，計(jì)算第一噪聲和第二噪聲的差即可獲得待檢測(cè)傳感器2的實(shí)際輸出噪聲(由生產(chǎn)過(guò)程或生產(chǎn)工藝造成的噪聲)，其可以較好地反應(yīng)待檢測(cè)傳感器的品質(zhì)。
[0045]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述第一噪聲為至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值的方差，所述第二噪聲為至少兩個(gè)參考測(cè)量值的方差。在利用方差進(jìn)行計(jì)算時(shí)，各測(cè)量值為針對(duì)一相同外部物理量進(jìn)行多次測(cè)量獲得。方差是各個(gè)數(shù)據(jù)與平均數(shù)之差的平方的和的平均數(shù)，用字母D表示。方差可以用來(lái)度量隨機(jī)變量和其數(shù)學(xué)期望(即均值)之間的偏離程度。
[0046]當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，獲取的檢測(cè)值數(shù)量越多，計(jì)算獲得的方差值越接近實(shí)際噪聲值。
[0047]同時(shí)，由于參考傳感器12優(yōu)選具有較高的精度，其與待檢測(cè)傳感器在測(cè)試中對(duì)外部物理量進(jìn)行同時(shí)檢測(cè)，兩者的環(huán)境噪聲完全相同，因此可以較好地測(cè)量外部環(huán)境導(dǎo)致的噪聲，獲得更加精確的實(shí)際輸出噪聲。
[0048]為了進(jìn)一步減小誤差，還可以利用低噪聲電源14來(lái)減小由于供電電壓導(dǎo)致的噪聲。低噪聲電源14分別連接到檢測(cè)接口 11、參考傳感器12和處理器13，用于對(duì)待檢測(cè)傳感器2、參考傳感器12和處理器13提供低噪聲供電電壓。在本實(shí)施例中，低噪聲供電電壓是指電壓波動(dòng)小、電壓毛刺噪聲小的供電電壓。
[0049]具體地，如圖2所示，低噪聲電源包括電壓輸入接口 14a、輸出可調(diào)線性穩(wěn)壓器14b、第一線性穩(wěn)壓器14c和第二線性穩(wěn)壓器14d。
[0050]其中，電壓輸入接口 14a用于輸入電源電壓Vin,其優(yōu)選為5v直流電壓。
[0051 ] 輸出可調(diào)線性穩(wěn)壓器14b與電壓輸入接口 14a連接，用于將電源電壓Vin轉(zhuǎn)換為可調(diào)電壓，其可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)節(jié)大小。優(yōu)選地，通常將電源電壓Vin轉(zhuǎn)換為4v直流電壓。
[0052]第一線性穩(wěn)壓器14c與輸出可調(diào)線性穩(wěn)壓器14b的輸出端連接，用于將可調(diào)電壓轉(zhuǎn)換為第一供電電壓Vl輸出到檢測(cè)接口 11和參考傳感器12。待檢測(cè)傳感器2在連接到檢測(cè)接口 11后，即可通過(guò)檢測(cè)接口 11獲得第一供電電壓進(jìn)行工作。由于第一供電電壓Vl是經(jīng)由兩級(jí)線性穩(wěn)壓器轉(zhuǎn)換獲得，供電電壓噪聲被最小化。同時(shí)，由于第一供電電壓Vl同時(shí)輸出為待檢測(cè)傳感器2和參考傳感器12供電，即使出現(xiàn)噪聲，也可以在基于參考傳感器12的參考測(cè)量值獲得的第二噪聲中體現(xiàn)，進(jìn)而從第一噪聲中去除。
[0053]第二線性穩(wěn)壓器14d與電壓輸入接口 14a連接，用于將電源電壓轉(zhuǎn)換為第二供電電壓v2輸出到處理器13。
[0054]優(yōu)選地，第一供電電壓vl和第二供電電壓v2通常均可以為3.3V。
[0055]本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置參考傳感器，通過(guò)測(cè)量參考傳感器的輸出噪聲獲取由于環(huán)境因素和系統(tǒng)因素造成的噪聲，從測(cè)量獲得的待檢測(cè)傳感器的噪聲中減去參考傳感器的輸出噪聲，即可獲得由于生產(chǎn)工藝造成的輸出噪聲。由此，可以避免由于其他因素對(duì)輸出噪聲測(cè)量構(gòu)成的負(fù)面影響。
[0056]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)方法的流程圖。如圖3所示，所述方法包括:
[0057]步驟310、分別獲取待檢測(cè)傳感器測(cè)量獲得的至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值和參考傳感器測(cè)量獲得的至少兩個(gè)參考測(cè)量值。
[0058]其中，待檢測(cè)測(cè)量值和參考測(cè)量值為將外部物理量同時(shí)施加于待檢測(cè)傳感器和參考傳感器測(cè)量獲得。
[0059]在本實(shí)施例中，參考傳感器是與待檢測(cè)傳感器類型相同的傳感器，兩者可以對(duì)相同的外部物理量，例如速度、加速度、磁力等等進(jìn)行測(cè)量。也就是說(shuō)，參考傳感器和待測(cè)量傳感器可以是速度傳感器、加速度傳感器、磁力傳感器等各種類型的傳感器。
[0060]同時(shí)，從工藝角度來(lái)說(shuō)，參考傳感器和待檢測(cè)傳感器可以均為MEMS傳感器。
[0061]參考傳感器的作用在于其自身具有較低的輸出噪聲(也即，由生產(chǎn)工藝造成的噪聲)，由此，可以對(duì)由外部環(huán)境造成的噪聲進(jìn)行較為精確的測(cè)量。也即，為了使得參考傳感器對(duì)于環(huán)境噪聲測(cè)量的更加精確，其具有高于或等于待檢測(cè)傳感器的精度。
[0062]步驟320、根據(jù)所述至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值計(jì)算第一噪聲，根據(jù)所述至少兩個(gè)參考測(cè)量值計(jì)算第二噪聲。
[0063]步驟330、計(jì)算所述第一噪聲和所述第二噪聲的差值作為所述待檢測(cè)傳感器的輸出噪聲。
[0064]在實(shí)際的測(cè)試過(guò)程中，通過(guò)單獨(dú)測(cè)試待檢測(cè)傳感器得到的噪聲參量一部分是由于其自身生產(chǎn)工藝原因造成的，還有一部分是由于外部環(huán)境造成的。具體而言，在單獨(dú)測(cè)試過(guò)程中獲得的待檢測(cè)傳感器的輸出噪聲必然與傳感器的供電電壓噪聲有關(guān)，同時(shí)還會(huì)與測(cè)試平臺(tái)的噪聲有關(guān)。例如，在測(cè)試中，加速度傳感器以及陀螺儀的輸出噪聲與測(cè)試平臺(tái)的振動(dòng)噪聲相關(guān)，而磁力計(jì)的輸出噪聲會(huì)與測(cè)試平臺(tái)所處的磁場(chǎng)波動(dòng)噪聲相關(guān)。
[0065]本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置一個(gè)具有低輸出噪聲的參考傳感器來(lái)對(duì)外部環(huán)境造成的噪聲進(jìn)行測(cè)量，通過(guò)處理器基于待測(cè)試傳感器的多個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值計(jì)算第一噪聲，基于參考傳感器的多個(gè)參考測(cè)量值計(jì)算第二噪聲，其中，第二噪聲的主要部分為外部環(huán)境導(dǎo)致的噪聲，而第一噪聲一部分為傳感器的生產(chǎn)過(guò)程或生產(chǎn)工藝導(dǎo)致的輸出噪聲，一部分為外部環(huán)境導(dǎo)致的噪聲，由此，計(jì)算第一噪聲和第二噪聲的差即可獲得待檢測(cè)傳感器的實(shí)際輸出噪聲(由生產(chǎn)過(guò)程或生產(chǎn)工藝造成的噪聲)，其可以較好地反應(yīng)待檢測(cè)傳感器的品質(zhì)。
[0066]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述第一噪聲為至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值的方差，所述第二噪聲為至少兩個(gè)參考測(cè)量值的方差。在利用方差進(jìn)行計(jì)算時(shí)，各測(cè)量值為針對(duì)一相同外部物理量進(jìn)行多次測(cè)量獲得。方差是各個(gè)數(shù)據(jù)與平均數(shù)之差的平方的和的平均數(shù)，用字母D表示。方差可以用來(lái)度量隨機(jī)變量和其數(shù)學(xué)期望(即均值)之間的偏離程度。
[0067]當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，獲取的檢測(cè)值數(shù)量越多，計(jì)算獲得的方差值越接近實(shí)際噪聲值。
[0068]由于供電電壓噪聲也可能對(duì)于待檢測(cè)傳感器的輸出噪聲構(gòu)成影響，因此，還可以進(jìn)一步利用低噪聲供電電壓對(duì)所述待檢測(cè)傳感器和所述參考傳感器供電。
[0069]本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置參考傳感器，通過(guò)測(cè)量參考傳感器的輸出噪聲獲取由于環(huán)境因素和系統(tǒng)因素造成的噪聲，從測(cè)量獲得的待檢測(cè)傳感器的噪聲中減去參考傳感器的輸出噪聲，即可獲得由于生產(chǎn)工藝造成的輸出噪聲。由此，可以避免由于其他因素對(duì)輸出噪聲測(cè)量構(gòu)成的負(fù)面影響。
[0070]依照本實(shí)用新型的實(shí)施例如上文所述，這些實(shí)施例并沒(méi)有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該實(shí)用新型僅為所述的具體實(shí)施例。顯然，根據(jù)以上描述，可作很多的修改和變化。本說(shuō)明書選取并具體描述這些實(shí)施例，是為了更好地解釋本實(shí)用新型的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員能很好地利用本實(shí)用新型以及在本實(shí)用新型基礎(chǔ)上的修改使用。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本實(shí)用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置，其特征在于，包括: 檢測(cè)接口，用于連接待檢測(cè)傳感器，向處理器傳輸所述待檢測(cè)傳感器測(cè)量獲得的待檢測(cè)測(cè)量值； 參考傳感器，與待檢測(cè)傳感器類型相同，用于根據(jù)外部物理量輸出參考測(cè)量值； 處理器，分別與所述檢測(cè)接口和所述參考傳感器連接，根據(jù)至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值計(jì)算第一噪聲，根據(jù)至少兩個(gè)參考測(cè)量值計(jì)算第二噪聲，并計(jì)算第一噪聲和第二噪聲的差作為輸出噪聲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置，其特征在于，所述參考傳感器的精度高于或等于所述待檢測(cè)傳感器的精度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置，其特征在于，所述第一噪聲為所述至少兩個(gè)待檢測(cè)測(cè)量值的方差，所述第二噪聲為所述至少兩個(gè)參考測(cè)量值的方差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置，其特征在于，所述輸出噪聲檢測(cè)裝置還包括: 低噪聲電源，分別連接到所述檢測(cè)接口、所述參考傳感器和所述處理器，用于對(duì)所述待檢測(cè)傳感器、所述參考傳感器和所述處理器提供低噪聲的供電電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置，其特征在于，所述低噪聲電源包括: 電壓輸入接口，用于輸入電源電壓； 輸出可調(diào)線性穩(wěn)壓器，與所述電壓輸入接口連接，用于將所述電源電壓轉(zhuǎn)換為可調(diào)電壓； 第一線性穩(wěn)壓器，與所述輸出可調(diào)線性穩(wěn)壓器連接，用于將所述可調(diào)電壓轉(zhuǎn)換為第一供電電壓輸出到所述檢測(cè)接口和所述參考傳感器； 第二線性穩(wěn)壓器，與所述電壓輸入接口連接，用于將所述電源電壓轉(zhuǎn)換為第二供電電壓輸出到所述處理器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體傳感器輸出噪聲檢測(cè)裝置，其特征在于，所述待檢測(cè)傳感器和所述參考傳感器為MEMS傳感器。
【文檔編號(hào)】G01R29/26GK204044254SQ201420517544
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月10日
【發(fā)明者】蔣登峰, 張波, 魏建中 申請(qǐng)人:杭州士蘭微電子股份有限公司