用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及能通過線性影像擷取單元取得的基材表面影像來判斷基材表面是否有缺陷的存在的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其包括一光源模塊、一檢測模塊及一控制模塊。光源模塊用于產(chǎn)生一照射在位于一檢測區(qū)域內(nèi)的基材上的檢測光源，光源模塊具有一第一發(fā)光面及一第二發(fā)光面，第一發(fā)光面及第二發(fā)光面之間具有一暗區(qū)范圍。檢測模塊與光源模塊彼此相對應設(shè)置，檢測模塊包括一用于擷取位于檢測區(qū)域內(nèi)的基材的影像信息的線性影像擷取單元，線性影像擷取單元具有一等于或大于暗區(qū)范圍的截取范圍?？刂颇K電性連接于檢測模塊，以接收檢測模塊所擷取到的影像信息，影像信息通過控制模塊的運算，以得到一位于基材上的瑕疵區(qū)域的一瑕疵信息。
【專利說明】用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種缺陷檢測裝置，尤其涉及一種通過判斷基材表面是否存在缺陷來達到提高基材檢測速度和準確性的基材缺陷檢測裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今的產(chǎn)品大都以大量生產(chǎn)來降低生產(chǎn)成本，而大量生產(chǎn)的同時，檢測裝置如何能有效地檢測成為重要的課題之一，而在產(chǎn)品生產(chǎn)前，制作產(chǎn)品所需的材料大都需要先經(jīng)檢測，借此淘汰具有缺陷的材料，進而提高產(chǎn)品的優(yōu)良率且降低生產(chǎn)成本。
[0003]許多廣品是以基板或基材制造生廣，因此，基板或基材檢測對于生廣的優(yōu)良率具有不可忽視的影響，其中，基板或基材的檢測常需要確認基板或基材的正反兩表面是否有缺陷，例如:凹陷、凸起、破損、擦傷、異物吸附或是基材密度不均等問題。
[0004]因此，為了提供質(zhì)量較佳的基板或基材，通常會通過人工進行目視檢測，通過將基板或基材設(shè)置于一輸送裝置上，并以人眼進行觀測，檢測這些基板或基材是否有瑕疵，并記錄這些瑕疵區(qū)域。然而，上述通過人眼進行檢測的方式，容易因為眼睛在長時間的觀測下而產(chǎn)生疲勞或誤判，開始產(chǎn)生基板或基材缺陷辨別率下降的情形，且對于單一產(chǎn)品的缺陷判斷標準也會不一致。此外，也由于是通過人眼進行檢測，因此基板或基材在輸送裝置上的速度也不能太快。進一步來說，若基板或基材的厚度越薄，缺陷越小時，人眼的辨識率可能會無法辨識。
[0005]因此，如何提供一種能夠?qū)⒏纳苹寤蚧谋砻嫒毕荼孀R率，同時以克服上述的缺陷，已經(jīng)成為該領(lǐng)域亟待解決的重要課題之一。
實用新型內(nèi)容
[0006]鑒于以上的問題，本實用新型提供一種借助基材上的瑕疵區(qū)域?qū)z測光源偏折投射至線性影像擷取單元的截取范圍中，來判斷基材表面是否有缺陷的存在，以達到提高基材檢測速度和準確性的基材缺陷檢測裝置。
[0007]為了達到上述的目的，本實用新型的其中一個實施方式是提供一種用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其包括一光源模塊、一檢測模塊以及一控制模塊。所述光源模塊用于產(chǎn)生一照射在位于一檢測區(qū)域內(nèi)的所述基材上的檢測光源，所述光源模塊具有一第一發(fā)光面及一第二發(fā)光面，且所述第一發(fā)光面及所述第二發(fā)光面之間具有一暗區(qū)范圍。所述檢測模塊與所述光源模塊彼此相對應設(shè)置，所述檢測模塊包括一用于擷取位于所述檢測區(qū)域內(nèi)的所述基材的影像信息的線性影像擷取單元，其中所述線性影像擷取單元具有一等于或大于所述暗區(qū)范圍的截取范圍。所述控制模塊電性連接于所述檢測模塊，以接收所述檢測模塊所擷取到的所述影像信息，其中所述影像信息通過所述控制模塊的運算，以得到一位于所述基材上的瑕疵區(qū)域的一瑕疵信息。其中，所述第一發(fā)光面及所述第二發(fā)光面兩者其中之一通過所述瑕疵區(qū)域，以偏折投射在所述線性影像擷取單元的所述截取范圍中。
[0008]進一步地，所述光源模塊包括一第一發(fā)光單元、一第二發(fā)光單元及一定位座，所述定位座設(shè)置于所述第一發(fā)光單元及所述第二發(fā)光單元兩者的旁側(cè)，其中所述第一發(fā)光單元及所述第二發(fā)光單元分別具有所述第一發(fā)光面及所述第二發(fā)光面，所述第一發(fā)光單元及所述第二發(fā)光單元之間彼此間隔一預定距離，通過轉(zhuǎn)動所述定位座以界定出所述暗區(qū)范圍。
[0009]進一步地，所述光源模塊上設(shè)置有一遮光單元，以產(chǎn)生所述暗區(qū)范圍。
[0010]進一步地，通過調(diào)整所述線性影像擷取單元至所述基材之間的距離，以調(diào)整所述線性影像擷取單元的所述截取范圍的大小。
[0011]進一步地，通過調(diào)整所述光源模塊至所述基材之間的距離，以調(diào)整所述線性影像擷取單元的所述截取范圍投影在所述暗區(qū)范圍的大小。
[0012]進一步地，所述光源為線性光源。
[0013]進一步地，所述光源模塊設(shè)置于所述基材的一第一側(cè)邊，所述檢測模塊設(shè)置于所述基材的一第二側(cè)邊。
[0014]進一步地，所述線性影像擷取單元的所述截取范圍直接穿過所述基材而投影在所述光源模塊的所述暗區(qū)范圍上。
[0015]進一步地，所述光源模塊及所述檢測模塊都設(shè)置于所述基材的一第一側(cè)邊，所述光源模塊通過所述基材上的所述瑕疵區(qū)域，以反射所述檢測光源至所述線性影像擷取單元中。
[0016]進一步地，所述線性影像擷取單元的所述截取范圍投影在所述光源模塊的所述暗區(qū)范圍所投影在所述基材表面的范圍上。
[0017]本實用新型的有益效果可以在于，本實用新型的實施方式所提供的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，能夠通過線性影像擷取單元所獲得的基材表面影像，來判斷基材表面是否有缺陷的存在。換言之，借助基材上的瑕疵區(qū)域?qū)z測光源偏折投射至線性影像擷取單元的截取范圍中，來判斷基材是否有缺陷的存在。
[0018]為了能更進一步了解本實用新型的特征和技術(shù)內(nèi)容，請參考以下有關(guān)本實用新型的詳細說明與附圖，然而附圖僅用于提供參考和說明，并非用來對本實用新型加以限制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1A為本實用新型的第一實施方式的其中一個前視示意圖。
[0020]圖1B為本實用新型的第一實施方式的基材的放大示意圖。
[0021]圖1C為本實用新型的第一實施方式的其中一個光軸路徑的示意圖。
[0022]圖1D為本實用新型的第一實施方式的另外一個光軸路徑的示意圖。
[0023]圖2為本實用新型的第一實施方式的另外一個前視示意圖。
[0024]圖3A為本實用新型的第一實施方式的光源模塊的立體示意圖。
[0025]圖3B為本實用新型的第一實施方式的光源模塊的其中一種使用狀態(tài)的示意圖。
[0026]圖3C為本實用新型的第一實施方式的光源模塊的另外一種使用狀態(tài)的示意圖。
[0027]圖4A為本實用新型的第二實施方式的前視示意圖。
[0028]圖4B為本實用新型的第二實施方式的其中一個光軸路徑的示意圖。
[0029]圖4C為本實用新型的第二實施方式的另外一個光軸路徑的示意圖。

【具體實施方式】
[0030]以下通過由特定的具體實例說明本實用新型所公開的“用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置”的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所公開的內(nèi)容輕易了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型也可通過其他不同的【具體實施方式】來加以施行或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可基于不同的觀點與應用，在不背離本實用新型的精神下，進行各種修改與變更。另外，本實用新型的附圖僅為簡化圖示，并非按照實際尺寸繪制，也即未反應出相關(guān)結(jié)構(gòu)的實際尺寸，先給予說明。以下的實施方式進一步詳細說明本實用新型的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容，但并非用以限制本實用新型的技術(shù)范圍。
[0031][第一實施方式]
[0032]首先，請參考圖1A和圖1B所示，圖1A為本實用新型的第一實施方式的其中一個前視示意圖，圖1B為本實用新型的第一實施方式基材的放大示意圖。由于基材S在制造或是運送過程中難免會產(chǎn)生破損或是使雜質(zhì)吸附在基材S里面，本實用新型的第一實施方式提供一種用于檢測基材S的基材缺陷檢測裝置Q，其包括一光源模塊1、一檢測模塊2及一控制模塊3。借此，基材S通過檢測模塊2的檢測，來判斷基材S表面或內(nèi)部是否具有瑕疵區(qū)域F。舉例來說，以本實用新型的第一實施方式而言，待檢測的基材S可以是具有透光性的薄膜，例如具有透光率85%以上的薄膜，然本實用新型不以此為限制。
[0033]具體來說，基材S可通過一設(shè)置于基材缺陷檢測裝置Q上的輸送模塊4來輸送并承載基材S，輸送模塊4可包括多個滾輪41，借由滾輪41的帶動將基材S輸送至一預定檢測區(qū)域Z上。舉例來說，多個滾輪41中的其中一個，可通過一馬達(未示出)的驅(qū)動而作為主動輪，通過主動輪的設(shè)置，可帶動位于輸送模塊4上的待檢測基材S。借此將待檢測的基材S輸送到一用于檢測基材S的檢測區(qū)域Z。
[0034]光源模塊I可用于產(chǎn)生一照射在位于檢測區(qū)域Z內(nèi)的基材S上的檢測光源P，光源模塊I具有一第一發(fā)光面11及一第二發(fā)光面12，且第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12之間具有一暗區(qū)范圍N。舉例來說，以本實用新型的實施方式而言，位于第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12之間的暗區(qū)范圍N的其中一種實施方式,可通過在光源模塊I上設(shè)置有一遮光單元13，遮擋原來的光源模塊I所產(chǎn)生的連續(xù)性光源，而形成前述暗區(qū)范圍N。借此，可通過調(diào)整遮光單元13在光源模塊I表面的面積大小來調(diào)整暗區(qū)范圍N的大小。進一步來說，光源模塊I可包括至少一個發(fā)光二極管，以提供一照射于檢測區(qū)域Z上的高亮度和高均勻度的檢測光源P，優(yōu)選地，光源模塊I所產(chǎn)生的檢測光源P可以是一線性光源，使檢測光源P具有指向性地垂直向上射出，然本實用新型并不以此為限制。舉例來說，光源模塊I也可選自由鹵素燈或日光燈管所組成的其他光源結(jié)構(gòu)。此外，也可通過調(diào)整光源模塊I的光源位置、排列方式等，進而獲得更好的光源散射效果。
[0035]接著，檢測模塊2可與光源模塊I彼此相對應地設(shè)置，以本實用新型的第一實施方式而言，光源模塊I可設(shè)置于基材S的一第一側(cè)邊SI外，檢測模塊2可設(shè)置于基材S的一第二側(cè)邊S2外。檢測模塊2可包括一用于擷取位于檢測區(qū)域Z內(nèi)的基材S的影像信息的線性影像擷取單元21，其中，線性影像擷取單元21具有一等于或大于暗區(qū)范圍N的截取范圍T，其中，線性影像擷取單元21的截取范圍T會穿過基材S而直接投影在光源模塊I的暗區(qū)范圍N上。舉例來說,線性影像擷取單元21可包括互補金屬氧化物半導體(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor, CMOS)芯片或一電荷I禹合器件(Charge-coupled Device,(XD)芯片。借此，一維的線性影像擷取單元21可在基材S上形成一掃描線。具體來說，掃描線可通過改變線性影像擷取單元21的焦距、線性影像擷取單元21至基材S之間的距離來改變掃描線的寬度。
[0036]接著，控制模塊3可電連接于檢測模塊2，以接收檢測模塊2所擷取到的影像信息，以本實用新型的實施方式而言，控制模塊3可以是一計算機，其中，影像信息通過控制模塊3的運算，來得到一位于基材S上的瑕疵區(qū)域F的一瑕疵信息。借此，第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12兩者的其中一個通過瑕疵區(qū)域F，來偏折投射在線性影像擷取單元21的所述截取范圍T中。值得一提的是，若待檢測基材S具有一預定的長度時，可通過一電連接于控制模塊3的計碼單元(未示出)來記錄待檢測基材S的長度信息，并將該長度信息傳送至控制模塊3中，借此，控制模塊3可根據(jù)該長度信息和影像信息來判斷每一批待檢測基材S的瑕疵信息，同時可記錄基材S的何段、何位置有何缺陷，并將這些瑕疵信息記錄于控制模塊3內(nèi)，以便后續(xù)的使用。
[0037]換言之，請同時參考圖1C-圖1D所示，圖1C為本實用新型的第一實施方式的其中一個光軸路徑的示意圖，圖1D為本實用新型的第一實施方式的另外一個光軸路徑的示意圖。如圖1C所示，當光源模塊I所發(fā)出的檢測光源P穿透一不具有瑕疵區(qū)域F的基材S時，可分成第一光軸Cl、第二光軸C2及第三光軸C3，借此，當穿透的基材S上不具有缺陷時，第一光軸Cl會進入基材S當中并在基材S中形成一第二光軸C2，當穿透基材S后第二光軸C2會形成第三光軸C3而穿透基材S，其中，由于基材S上不具有瑕疵區(qū)域F，因此第一光軸Cl的入射角度及第三光軸C3的角度會相同。借此，利用暗場檢測(Dark Field Inspect1n)原理，當待檢測的基材S上不具有瑕疵區(qū)域F時，位于基材S下方的光源模塊I所產(chǎn)生的光源，會因為線性影像擷取單元21的截取范圍T等于或稍大于暗區(qū)范圍N，使得光源不會直射進入線性影像擷取單元21中。據(jù)此，對于線性影像擷取單元21而言，所擷取到的影像信息為全黑或僅具有一微弱的光線。以本實用新型的實施方式而言，可通過控制模塊3將該全黑或微弱光線的影像信息換算成一灰階值(O至255)，以作為判斷的基準值。優(yōu)選地，以線性影像擷取單元21能夠感測到微弱光線為佳，其灰階值的基準值可預設(shè)為128。
[0038]接著，如圖1D所示，當光源模塊I所發(fā)出的檢測光源P穿透一具有瑕疵區(qū)域F的基材S時，可分成第一光軸Cl’、第二光軸C2’和第三光軸C3’，借此，當穿透的基材S上具有缺陷時，第一光軸Cl’會進入基材S當中并在基材S中形成一第二光軸C2’，當穿透基材S后第二光軸C2’會形成第三光軸C3’，而第三光軸C3’會由于基材S上的瑕疵區(qū)域F而產(chǎn)生偏折，使得偏折的第三光軸C3’所發(fā)出的光源會進入線性影像擷取單元21中。換言之，當光源模塊I所產(chǎn)生的檢測光源P照射到基材S上的瑕疵區(qū)域F時，由于瑕疵區(qū)域F上具有不平整的表面，因此穿過瑕疵區(qū)域F上的檢測光源P將會產(chǎn)生偏折，將會迫使檢測光源P的光軸路徑產(chǎn)生改變，導致部分由第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12的檢測光源P往左右偏折而進入線性影像擷取單元21中，因此線性影像擷取單元21所擷取到的影像信息上的亮點可能就是瑕疵區(qū)域F。借此，若將亮度轉(zhuǎn)換成灰階值時，當進入至線性影像擷取單元21中的光線越多時，灰階值的數(shù)值將會越高，而當瑕疵區(qū)域F為基材S內(nèi)吸附有一雜質(zhì)時，該雜質(zhì)會遮擋第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12的檢測光源P，所檢測到的灰階值將會降低至一定數(shù)值。因此，可利用灰階值的高低來判斷基材S上的瑕疵區(qū)域F，以辨識基材S上的缺陷。同時，也可通過灰階值的高低來判斷基材S的缺陷程度。
[0039]進一步來說，請參照圖1A和圖2所示，圖2為本實用新型的第一實施方式的另外一個前視示意圖。有鑒于各種情況下對于基材S有著不同的質(zhì)量要求，對于瑕疵的判斷標準也不盡相同。舉例來說，可通過調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I的暗區(qū)范圍N大小來調(diào)整瑕疵區(qū)域F的辨別靈敏度，借此判斷基材S的缺陷程度，舉例來說，可通過調(diào)整線性影像擷取單元21至基材S之間的距離(Dl，D2)，來調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I的暗區(qū)范圍N大小，換言之，可調(diào)整線性影像擷取單元21的位置，來增加線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I上的暗區(qū)范圍N的大小。另外，也可通過調(diào)整光源模塊I至基材之間的距離(D3，D4)，來調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I上的暗區(qū)范圍N的大小。換言之，可將線性影像擷取單元21和光源模塊I分別設(shè)置在一基座(未示出)上，來調(diào)整線性影像擷取單元21與光源模塊I彼此之間的相對位置。另外，也可直接通過調(diào)整線性影像擷取單元21的光圈大小，來調(diào)整調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I上的暗區(qū)范圍N的大小。
[0040]接著，請參考圖3A-圖3C所示，圖3A為本實用新型的第一實施方式的光源模塊的立體示意圖，圖3B為本實用新型的第一實施方式的光源模塊的其中一種使用狀態(tài)的示意圖，圖3C為本實用新型的第一實施方式的光源模塊的另外一種使用狀態(tài)的示意圖。在另外一種光源模塊I’的實施方式中，光源模塊I’可包括一第一發(fā)光單兀14、一第二發(fā)光單兀15及一定位座16，定位座16可設(shè)置于第一發(fā)光單元14及第二發(fā)光單元15兩者的旁側(cè)，定位座16具有一樞轉(zhuǎn)軸161，第一發(fā)光單元14及第二發(fā)光單元15分別具有第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12，第一發(fā)光單元14及第二發(fā)光單元15之間彼此間隔一預定距離，舉例來說，第一發(fā)光單元14及第二發(fā)光單元15可以是一具有指向性的發(fā)光二極管，使檢測光源P垂直向上射出，然而，本實用新型并不以此為限制。借此，通過轉(zhuǎn)動定位座16使得定位座16樞轉(zhuǎn)于樞轉(zhuǎn)軸161上，而可界定出暗區(qū)范圍N的大小。具體來說，如圖3B和圖3C所示，對于線性影像擷取單元21而言，光源模塊I的暗區(qū)范圍N會等于第一發(fā)光單元14及第二發(fā)光單元15所形成的投影范圍R1。當轉(zhuǎn)動定位座16后，對于線性影像擷取單元21而言，光源模塊I’的暗區(qū)范圍N會等于第一發(fā)光單元14及第二發(fā)光單元15所形成的投影范圍R2，由圖3B和圖3C的比較可以了解，當轉(zhuǎn)動定位座16后投影范圍R2會小于投影范圍Rl，借此調(diào)整光源模塊I的暗區(qū)范圍N的大小。
[0041]本實用新型的第一實施方式所提供的用于檢測基材S的基材缺陷檢測裝置Q，能借助基材S上的瑕疵區(qū)域F將檢測光源P偏折投射至線性影像擷取單元21的截取范圍T中，來判斷基材S是否有缺陷的存在。同時，可通過轉(zhuǎn)動設(shè)置在第一發(fā)光單元14及第二發(fā)光單元15旁側(cè)的定位座16，來調(diào)整第一發(fā)光單元14及第二發(fā)光單元15所形成的投影范圍(Rl，R2)，進而調(diào)整線性影像擷取單元21的截取范圍T投影在光源模塊I上的暗區(qū)范圍N的大小。
[0042][第二實施方式]
[0043]首先，請參考圖4A-圖4C所示，圖4A為本實用新型的第二實施方式的前視示意圖，圖4B為本實用新型的第二實施方式的其中一個光軸路徑的示意圖，圖4C為本實用新型的第二實施方式的另外一個光軸路徑的示意圖。第二實施方式與第一實施方式的差別在于:通過改變光源模塊I與檢測模塊2之間的位置關(guān)系，使得本實用新型的第二實施方式所提供的用于檢測基材S’的基材缺陷檢測裝置Q’，可用來檢測不具有透光性的基材S’，或是透光性較低的基材S’。
[0044]以本實用新型的第二實施方式而言，用于檢測基材S’的基材缺陷檢測裝置Q’，包括一光源模塊1、一檢測模塊2及一控制模塊3。如同前述,光源模塊I可用于產(chǎn)生一照射在位于檢測區(qū)域Z內(nèi)的基材S’上的檢測光源P,光源模塊I具有一第一發(fā)光面11及一第二發(fā)光面12，且第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12之間具有一暗區(qū)范圍N。檢測模塊2可包括一用于擷取位于檢測區(qū)域Z內(nèi)的基材S’的影像信息的線性影像擷取單元21，其中，線性影像擷取單元21具有一等于或大于暗區(qū)范圍N的截取范圍T。控制模塊3可電連接于檢測模塊2，以接收檢測模塊2所擷取到的影像信息，影像信息通過控制模塊3的運算，可得到一位于基材S’上的瑕疵區(qū)域F的一瑕疵信息。借此，第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12兩者的其中一個通過瑕疵區(qū)域F，來偏折投射在線性影像擷取單元21的截取范圍T中。具體而言，以本實用新型的第二實施方式而言，光源模塊I和檢測模塊2都設(shè)置于基材S’的一第一側(cè)邊SI’外，光源模塊I可通過基材S’上的瑕疵區(qū)域F，來將檢測光源P反射至線性影像擷取單元21中。其中，線性影像擷取單元21的截取范圍T會直接投影在光源模塊I的暗區(qū)范圍N所投影在基材S’表面上的范圍上。
[0045]具體來說，如圖4B所示，當光源模塊I所發(fā)出的檢測光源P穿透一不具有瑕疵區(qū)域F的基材S’時，可分成一入射光軸El及一反射光軸E2，借此，當穿透的基材S’上不具有缺陷時，入射光軸El經(jīng)由基材S’的反射會折射成一不進入線性影像擷取單元21的反射光軸E2。換言之，當基材S上不具有瑕疵區(qū)域F時，檢測光源P并不會直接反射到線性影像擷取單元21中。因此，對于線性影像擷取單元21而言，所擷取到的影像信息為全黑或僅具有一微弱的光線。以本實用新型的實施方式而言，可通過控制模塊3將該全黑或微弱光線的影像信息換算成一灰階值(O至255)，來作為判斷的基準值。
[0046]接著，如圖4C所示，當光源模塊I所發(fā)出的檢測光源P照射在一具有瑕疵區(qū)域F的基材S’時，可分成一入射光軸ΕΓ及一反射光軸E2’，借此，當穿透的基材S’上具有缺陷時，入射光軸ΕΓ會被瑕疵區(qū)域F所偏折，而形成一反射光軸E2’，使得偏折的反射光軸E2’所發(fā)出的光源會進入到線性影像擷取單元21中。換言之，當光源模塊I所產(chǎn)生的檢測光源P照射到基材S’上的瑕疵區(qū)域F時，由于瑕疵區(qū)域F上具有不平整的表面，因此穿過瑕疵區(qū)域F上的檢測光源P將會產(chǎn)生偏折，將會迫使檢測光源P的光軸路徑產(chǎn)生改變，導致部分由第一發(fā)光面11及第二發(fā)光面12的檢測光源P偏折反射而進入線性影像擷取單元21中。借此，若將亮度轉(zhuǎn)換成灰階值時，當進入線性影像擷取單元21中的光線越多時，灰階值的數(shù)值將會越高。因此，可利用灰階值的高低來判斷基材S’上的瑕疵區(qū)域F，以辨識基材S’上的缺陷。同時，也可通過灰階值的高低來判斷基材S’的缺陷程度。進一步來說，第二實施方式所提供的光源模塊1、檢測模塊2和控制模塊3的結(jié)構(gòu)與前述第一實施方式相同，在此不再贅述。
[0047]本實用新型的第二實施方式所提供的用于檢測基材S’的基材缺陷檢測裝置Q’，能借助基材S’上的瑕疵區(qū)域F將檢測光源P偏折反射至線性影像擷取單元21的截取范圍T中，來判斷透光性較低的基材S’是否有缺陷的存在。
[0048][實施方式的可能功效]
[0049]綜上所述，本實用新型的實施方式所提供的用于檢測基材(S，S’ )的基材缺陷檢測裝置(Q，Q’)，能夠借助線性影像擷取單元21所獲得的基材(S，S’ )的表面影像，來判斷基材(S，S’)的表面是否有缺陷的存在。換言之，借助基材(S，S’)上的瑕疵區(qū)域F將檢測光源P偏折投射至線性影像擷取單元21的截取范圍T中，來判斷基材(S，S’ )是否有缺陷的存在。
[0050]以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選可行的實施方式，并非因此限制本實用新型的專利范圍，因此凡是根據(jù)本實用新型的說明書和附圖內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
[0051][符號說明]
[0052]基材缺陷檢測裝置Q，Q’
[0053]基材S，S，
[0054]第一側(cè)邊SI，SI’
[0055]第二側(cè)邊S2，S2’
[0056]光源模塊1，1’
[0057]第一發(fā)光面11
[0058]第二發(fā)光面12
[0059]遮光單元13
[0060]第一發(fā)光單元14
[0061]第二發(fā)光單元15
[0062]定位座16
[0063]樞轉(zhuǎn)軸161
[0064]檢測模塊2
[0065]線性影像擷取單元21
[0066]控制模塊3
[0067]輸送模塊4
[0068]滾輪41
[0069]檢測光源P
[0070]截取范圍T
[0071]暗區(qū)范圍 N
[0072]投影范圍R1，R2
[0073]檢測區(qū)域Z
[0074]瑕疵區(qū)域 F
[0075]第一光軸Cl, Cl’
[0076]第二光軸C2，C2’
[0077]第三光軸C3，C3’
[0078]入射光軸E1，E1’
[0079]反射光軸Ε2，Ε2’
[0080]距離D1，D2，D3，D4。
【權(quán)利要求】
1.一種用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，其包括: 一光源模塊，所述光源模塊用于產(chǎn)生一照射在位于一檢測區(qū)域內(nèi)的所述基材上的檢測光源，所述光源模塊具有一第一發(fā)光面及一第二發(fā)光面，且所述第一發(fā)光面及所述第二發(fā)光面之間具有一暗區(qū)范圍； 一檢測模塊，所述檢測模塊與所述光源模塊彼此相對應設(shè)置，所述檢測模塊包括一用于擷取位于所述檢測區(qū)域內(nèi)的所述基材的影像信息的線性影像擷取單元，其中所述線性影像擷取單元具有一等于或大于所述暗區(qū)范圍的截取范圍；以及 一控制模塊，所述控制模塊電性連接于所述檢測模塊，以接收所述檢測模塊所擷取到的所述影像信息，其中所述影像信息通過所述控制模塊的運算，以得到一位于所述基材上的瑕疵區(qū)域的一瑕疵信息； 其中，所述第一發(fā)光面及所述第二發(fā)光面兩者其中之一通過所述瑕疵區(qū)域，以偏折投射在所述線性影像擷取單元的所述截取范圍中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述光源模塊包括一第一發(fā)光單元、一第二發(fā)光單元及一定位座，所述定位座設(shè)置于所述第一發(fā)光單元及所述第二發(fā)光單元兩者的旁側(cè)，其中所述第一發(fā)光單元及所述第二發(fā)光單元分別具有所述第一發(fā)光面及所述第二發(fā)光面，所述第一發(fā)光單元及所述第二發(fā)光單元之間彼此間隔一預定距離，通過轉(zhuǎn)動所述定位座以界定出所述暗區(qū)范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述光源模塊上設(shè)置有一遮光單元，以產(chǎn)生所述暗區(qū)范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，通過調(diào)整所述線性影像擷取單元至所述基材之間的距離，以調(diào)整所述線性影像擷取單元的所述截取范圍的大小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，通過調(diào)整所述光源模塊至所述基材之間的距離，以調(diào)整所述線性影像擷取單元的所述截取范圍投影在所述暗區(qū)范圍的大小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述光源為線性光源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述光源模塊設(shè)置于所述基材的一第一側(cè)邊，所述檢測模塊設(shè)置于所述基材的一第二側(cè)邊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述線性影像擷取單元的所述截取范圍直接穿過所述基材而投影在所述光源模塊的所述暗區(qū)范圍上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述光源模塊及所述檢測模塊都設(shè)置于所述基材的一第一側(cè)邊，所述光源模塊通過所述基材上的所述瑕疵區(qū)域，以反射所述檢測光源至所述線性影像擷取單元中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于檢測基材的基材缺陷檢測裝置，其特征在于，所述線性影像擷取單元的所述截取范圍投影在所述光源模塊的所述暗區(qū)范圍所投影在所述基材表面的范圍上。
【文檔編號】G01N21/88GK204214788SQ201420653472
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月4日
【發(fā)明者】許軒兢 申請人:香港商微覺視檢測技術(shù)股份有限公司