本發(fā)明涉及人工耳蝸領(lǐng)域，特別是指一種人工耳蝸植入體漏電檢測裝置及方法。

背景技術(shù)：

人的耳蝸毛細胞是接收聲音的感覺細胞。當耳蝸毛細胞損傷嚴重時，就會出現(xiàn)嚴重的聽力損傷。人工耳蝸就是替代已損傷毛細胞，通過電刺激聽覺神經(jīng)重新獲得聲音信號的一種電子裝置。它通常由一個體外裝置和一個可植入的體內(nèi)裝置組成。體外裝置稱為言語處理器，體內(nèi)裝置稱為植入體。人工耳蝸植入體通過手術(shù)埋在病人的耳后皮下部位，植入體中的電極陣列在手術(shù)中被插入到病人耳蝸的鼓階內(nèi)，與病人的聽神經(jīng)相作用。

言語處理器主要功能是通過麥克風拾取聲信號，經(jīng)信號處理單元器對聲信號進行處理和編碼后，由傳輸線圈以無線的方式將刺激所需的信號發(fā)射到體內(nèi)植入裝置。植入體由接收線圈、刺激器和電極陣列組成。植入體接收來自言語處理器的刺激編碼信號和各種控制信號，同時產(chǎn)生電源供刺激器的電路工作。在信號解碼的過程中，植入體芯片的數(shù)字邏輯部分對解碼的數(shù)據(jù)進行檢查和確認，保證各項刺激參數(shù)都在正常和安全的范圍之內(nèi)。解碼成功后，植入體內(nèi)的刺激生成電路根據(jù)指定的幅度、脈沖寬度和刺激率生成雙向的電刺激脈沖，并發(fā)送到指定的電極通道上。除了前向的刺激之外，植入體將芯片的各種狀態(tài)信息和電極采集的生理信號通過傳輸線圈回傳給體外的言語處理器供系統(tǒng)分析和處理。

人工耳蝸是精密植入式醫(yī)用電子產(chǎn)品，安全性至為關(guān)鍵。由于各種原因引起的漏電，即使只有100微安，可能導致對病人有害的神經(jīng)電刺激。在生產(chǎn)過程中和產(chǎn)品的失效分析過程中，對已經(jīng)裝配的電子產(chǎn)品漏電情況一般采用半導體PARAMETER ANALYSER如HP4155，做I-V曲線確定是否漏電和漏電電量，但對于有隔直流電容的電子耳蝸芯片電極，這種方法不能達到目的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種人工耳蝸植入體漏電檢測裝置和方法，能夠?qū)β╇娗闆r進行有效的檢測，提高安全性能。

基于上述目的本發(fā)明提供的一種人工耳蝸植入體漏電檢測裝置，包括：檢測電阻，漏電等效電阻，隔直電容，檢測模塊，信號發(fā)生器，其中，

漏電等效電阻的一端與人工耳蝸植入體的專用芯片刺激輸出管腳連接，另一端接地；

隔直電容的一端與人工耳蝸植入體的專用芯片刺激輸出管腳連接，另一端與檢測電阻連接；

檢測電阻的一端與隔直電容連接，另一端與信號發(fā)生器連接；

檢測模塊用來將檢測電阻的電壓波形提取、放大、輸出。

可選地，所述檢測模塊為示波器或由緩沖單元、低噪放大器和ADC單元組成，其中，

緩沖單元包括兩個緩沖器，分別與檢測電阻的兩端分別連接；

低噪放大器的輸入與緩沖單元連接，輸出與ADC單元連接。

可選地，所述檢測電阻為25kΩ。

可選地，所述漏電等效電阻為30-300kΩ。

可選地，所述隔直電容為0.1μF。

可選地，所述信號發(fā)生器輸出方波或正弦波，頻率為1-10kHz。

基于上述目的，本發(fā)明還提供了一種人工耳蝸植入體漏電檢測方法，包括以下步驟：

第一步：將漏電等效電阻與人工耳蝸植入體的專用芯片刺激輸出管腳焊接連接，隔直電容的一端與人工耳蝸植入體的專用芯片刺激輸出管腳焊接連接，另一端與檢測電阻焊接連接；

第二步：將信號發(fā)生器的的輸出與檢測電阻連接，檢測模塊與檢測電阻的兩端連接；

第三步：調(diào)節(jié)信號發(fā)生器輸出信號，待輸出穩(wěn)定后，檢測模塊對檢測電阻進行檢測，得到檢測波形；

第四步：由檢測波形的電壓值、檢測電阻阻值、漏電等效電阻阻值，通過電阻分壓公式，得出檢測電阻固定，信號發(fā)生器輸出信號已知時的漏電等效電阻阻值；

第五步：選用不同漏電等效電阻阻值，反復進行第四步的檢測，得到檢 測電阻電壓和漏電等效電阻阻值的關(guān)系表；

第六步：對人工耳蝸植入體進行漏電檢測時，去掉漏電等效電阻，隔直電容直接連接人工耳蝸植入體的輸出端，進行第三步得到檢測波形；

第七步：通過第六步得到的檢測波形，對照第五步得到的關(guān)系表或用電阻分壓公式得到人工耳蝸植入體輸出端的漏電情況。

可選地，所述檢測電阻為25kΩ、漏電等效電阻為30-300kΩ。

可選地，所述隔直電容為0.1μF。

可選地，所述信號發(fā)生器輸出方波或正弦波，頻率為1-10kHz。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的人工耳蝸植入體漏電檢測裝置和方法，通過檢測電阻，漏電等效電阻，隔直電容，檢測模塊和信號發(fā)生器的設(shè)置，有效對人工耳蝸植入體的漏電情況進行檢測。同時，信號發(fā)生器發(fā)出的信號對人工耳蝸植入體內(nèi)部也不會造成損害，降低了人工耳蝸植入體的安全隱患。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例人工耳蝸植入體漏電檢測裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明人工耳蝸植入體漏電檢測裝置一具體實施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明人工耳蝸植入體漏電檢測裝置另一具體實施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例人工耳蝸植入體漏電檢測裝置漏電等效電阻300kΩ檢測波形圖；

圖5為本發(fā)明實施例人工耳蝸植入體漏電檢測裝置漏電等效電阻50kΩ檢測波形圖；

圖6為本發(fā)明實施例人工耳蝸植入體漏電檢測方法的流程示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。

參閱圖1-3所示，為本發(fā)明實施例一種人工耳蝸植入體漏電檢測裝置，包括：檢測電阻40，漏電等效電阻20，隔直電容30，檢測模塊50，信號發(fā)生器60，其中，

漏電等效電阻20的一端與人工耳蝸植入體的專用芯片10刺激輸出管腳連接，另一端接地；

隔直電容30的一端與人工耳蝸植入體的專用芯片10刺激輸出管腳連接，另一端與檢測電阻40連接；

檢測電阻40的一端與隔直電容30連接，另一端與信號發(fā)生器60連接；

檢測模塊50用來將檢測電阻40的電壓波形提取、放大、輸出。

可選地，所述檢測模塊50為示波器510或由緩沖單元501、低噪放大器502和ADC單元503組成，其中，

緩沖單元501包括兩個緩沖器，分別與檢測電阻40的兩端分別連接；

低噪放大器502的輸入與緩沖單元501連接，輸出與ADC單元503連接。

可選地，所述檢測電阻40為25kΩ。

可選地，所述漏電等效電阻20為30-300kΩ。

可選地，所述隔直電容30為0.1μF。

可選地，所述信號發(fā)生器60輸出方波或正弦波，頻率為1-10kHz。

當漏電等效電阻20為300kΩ，檢測電阻40為25kΩ，信號發(fā)生器60輸出1kHz，峰峰值為600mV的方波時，在檢測模塊50在檢測電阻40上檢測到的波形圖參見圖4，檢測到的波形為頻率1kHz，峰峰值50mV的方波，根據(jù)串聯(lián)電阻分壓公式計算，驗證正確；當漏電等效電阻20為50kΩ，檢測電阻40為25kΩ，信號發(fā)生器60輸出1kHz，峰峰值為600mV的方波時，在檢測模塊50在檢測電阻40上檢測到的波形圖參見圖5，檢測到的波形為頻率1kHz，峰峰值200mV的方波，根據(jù)串聯(lián)電阻分壓公式計算，驗證正確。將漏電等效電阻20由30-300kΩ進行如上檢測可以得到檢測電阻電壓和漏電等效電阻阻值的關(guān)系表，在此不贅述。人工耳蝸植入體的專用芯片10的輸出端前設(shè)置有靜電保護二極管，通過進行I-V曲線測試，得知在進行上述檢測時，信號發(fā)生器60發(fā)出的信號不影響靜電保護二極管工作。

基于上述目的，本發(fā)明還提供了一種人工耳蝸植入體漏電檢測方法，包括以下步驟：

S101，將漏電等效電阻與人工耳蝸植入體的專用芯片刺激輸出管腳焊接連接，隔直電容的一端與人工耳蝸植入體的專用芯片刺激輸出管腳焊接連接，另一端與檢測電阻焊接連接；

S102，將信號發(fā)生器的的輸出與檢測電阻連接，檢測模塊與檢測電阻的兩端連接；

S103，調(diào)節(jié)信號發(fā)生器輸出信號，待輸出穩(wěn)定后，檢測模塊對檢測電阻進行檢測，得到檢測波形；

S104，由檢測波形的電壓值、檢測電阻阻值、漏電等效電阻阻值，通過電阻分壓公式，得出檢測電阻固定，信號發(fā)生器輸出信號已知時的漏電等效電阻阻值；

S105，選用不同漏電等效電阻阻值，反復進行S104步的檢測，得到檢測電阻電壓和漏電等效電阻阻值的關(guān)系表；

S106，對人工耳蝸植入體進行漏電檢測時，去掉漏電等效電阻，隔直電容直接連接人工耳蝸植入體的輸出端，進行S103步得到檢測波形；

S107，通過S106步得到的檢測波形，對照S105步得到的關(guān)系表或用電阻分壓公式得到人工耳蝸植入體輸出端的漏電情況。

進一步地，所述檢測電阻為25kΩ、漏電等效電阻為30-300kΩ。

進一步地，所述隔直電容為0.1μF。

進一步地，所述信號發(fā)生器輸出方波或正弦波，頻率為1-10kHz。

所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解：以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。