技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及微型機(jī)電系統(tǒng)器件精密幾何量測量方法，特別涉及一種硅片陽極鍵合工藝變形的光學(xué)檢測評價方法。所述的方法包括如下步驟：步驟一，掃描測量：使用光學(xué)輪廓儀，配合TTM物鏡，掃描獲取待檢測器件的外形輪廓數(shù)據(jù)；步驟二，數(shù)據(jù)處理：在得到器件初始外形輪廓基礎(chǔ)上，進(jìn)行去除邊緣效應(yīng)和設(shè)置評價基準(zhǔn)的處理，以獲得預(yù)期的器件的真實三維外形輪廓；步驟三，評價判斷：以經(jīng)過數(shù)據(jù)處理的輪廓為基礎(chǔ)，分別在X、Y方向上作該外形輪廓的二維截線，查看輪廓的傾斜和扭曲變形量，并根據(jù)設(shè)定的輪廓谷值和峰值參數(shù)，判斷外形輪廓的變形是否符合設(shè)計要求。提供了一種判斷硅片陽極鍵合工藝變形的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：高玫;介龍霞;王鑫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國航空工業(yè)第六一八研究所
文檔號碼：201510894448
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.08
技術(shù)公布日：2017.06.16