本發(fā)明涉及一種背面觀察基座，特別地涉及一種用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座。本發(fā)明還涉及采用該背面觀察基座在芯片失效分析中進行精確定位的方法。

背景技術(shù)：

在半導體制造領(lǐng)域中，隨著IC制程向小尺寸多層次發(fā)展，在芯片失效(FA)分析中為了提高失效分析的準確度，在采用PEM(photo emission microscope，光子發(fā)射顯微鏡)/OBIRCH(optical beam induced resistance change，光束誘發(fā)阻抗值變化測試)進行芯片失效位置定位時，越來越多地采用背面(backside)定位方式進行失效位置定位。

但是在采用背面定位方式對晶圓進行定位時，無法直接利用激光標記(laser marker)在晶圓背面標標記所檢出的異常點的位置。因此，在背面只能看到復(fù)晶(poly)層和主動(active)層的影像。為了定位，只能參考周圍的圖案，或者根據(jù)產(chǎn)品布局來推斷定位位置，然后在正面(front side)上進行標記。當面臨周圍沒有特別的圖案，或者正面金屬層圖像和復(fù)晶&主動層的布局差別過大時，精確定位是困難的，只能夠大致確定失效位置，這對后續(xù)的分析工作造成很大麻煩。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的發(fā)明人鑒于以上問題，提出了用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，將其與轉(zhuǎn)換算法進行結(jié)合，能夠準確進行背面和正面位置的轉(zhuǎn)換，由此能夠在晶圓正面準確找到在背面所定位的異常點，這樣明顯加快了失效分析的速度，提高了分析的成功率和準確度。

為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施方式，提供了一種用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，其包括金屬支架，所述金屬支架的中心設(shè)有中心孔，在所述中心孔中安裝有玻璃片，在所述玻璃片上還設(shè)置有用于提供基準坐標的兩個特殊標記。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，其中，所述兩個特殊標記為蝕刻于或粘貼于所述玻璃片上的。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，其中，所述特殊標記的位置為所述背面觀察基座的玻璃片上的任何位置。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，其中，所述特殊標記被設(shè)置為相同或者不同的形狀。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，其中，所述金屬支架為不銹鋼材質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，其中，所述玻璃片為硅酸鹽玻璃或有機玻璃。

根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施方式，提供了一種定位方法，其使用如前所述的任一項中的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座進行定位，其中包括以下步驟：

步驟一：在芯片失效分析中，PEM/OBIRCH定位采用背面模式定位異常點，并記錄所述兩特殊標記的位置和異常點的位置；

步驟二：180度翻轉(zhuǎn)夾持該背面觀察基座的夾持器，記錄所述兩特殊標記位置的坐標；

步驟三：通過數(shù)學計算，得到所述異常點對應(yīng)的位置坐標；

步驟四：移動鏡頭到所述異常點的位置，進行激光標記。

將本發(fā)明所提供的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座與定位方法結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)背面和正面位置的準確轉(zhuǎn)換，由此能夠?qū)⒃诓捎? PEM/OBIRCH，利用背面定位方式進行異常點定位時，在正面準確找到所定位的位置，使得晶圓失效分析的定位速度和準確率均得到大幅度提高。

下面，將結(jié)合附圖對發(fā)明中的具體實施方式作進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座示意圖；

圖2為利用本發(fā)明的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座進行定位分析的流程圖。

附圖標記

1 金屬支架；

2 玻璃片；

3 特殊標記。

具體實施方式

如圖1所示，本發(fā)明的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座包括金屬支架1，在該金屬支架1的中心設(shè)有中心孔，在該中心孔中安裝有玻璃片2。該玻璃片2上已經(jīng)蝕刻了用于提供基準坐標的三角形和矩形的兩個特殊標記3，這兩個特殊標記3的任何一個均可以設(shè)為標記點A，而將另一個設(shè)為標記點B。另外，該特殊標記3可以是分析前已經(jīng)蝕刻好的，也可以是在進行分析時臨時粘貼于玻璃片2之上。所述背面觀察基座的金屬支架1可為具有一定強度并能夠承載一定載荷的任何金屬材料，由于所承載的晶圓的重量非常小，因此，其材質(zhì)并不受特別限制，但考慮到經(jīng)濟性和強度，其優(yōu)選為不銹鋼材質(zhì)的。

設(shè)置于本發(fā)明的背面觀察基座的金屬支架1上的玻璃片2可為普通的硅酸鹽玻璃或有機玻璃，只要滿足較好的透光率，并不受特別限定。

設(shè)置于玻璃片2上的特殊標記3并不限于圖1中所示的三角形和矩形，可為任何形狀，例如圓形、十字形等，兩個特殊標記3也不需要相同，但 為了容易分辨，提高分析速度和準確性，優(yōu)選兩者為不同的形狀。

以下，對使用本發(fā)明的背面觀察基座的定位方法進行說明：

將待進行失效分析的晶圓載置于本發(fā)明的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座的玻璃片2上，該玻璃片2上已設(shè)置有兩特殊標記3(例如上述標記點A和標記點B)。在失效分析中，將背面觀察基座夾持于PEM/OBIRCH的夾持器，通過PEM/OBIRCH的背面定位模式探測到異常點，采用專用的程序確定兩特殊標記3和異常點的位置坐標。在使用背面定位模式進行定位時機臺能夠自動進行左右鏡像處理，如此，當180度翻轉(zhuǎn)夾持器之后，正面的位置和背面的位置能夠完全對應(yīng)，不需要額外地人為進行鏡像處理以使正面和背面的位置對應(yīng)，避免了在人為將正面和背面的位置進行對應(yīng)時因疏忽大意導致點的對應(yīng)錯誤。在已經(jīng)通過PEM/OBIRCH的背面定位模式探測到異常點之后，記錄該異常點的位置和兩特殊標記的位置的坐標；

在采用相應(yīng)的程序確定異常點和特殊標記之間的數(shù)學關(guān)系之后，翻轉(zhuǎn)觀察基座，此時由于已經(jīng)進行了鏡像處理，所以可以通過這種數(shù)學關(guān)系，進行數(shù)學計算，得到異常點對應(yīng)在正面的位置；

通過移動鏡頭到該異常點位置，進行激光標記，由此可以確定失效位置，以進行進一步的失效分析。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。

產(chǎn)業(yè)上的實用性

通過將本發(fā)明所提供的用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座與相應(yīng)的定位方法結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)背面和正面位置的準確轉(zhuǎn)換，由此能夠?qū)⒃诓捎肞EM/OBIRCH方法，利用背面定位方式進行定位分析時，在正面準確找到所定位的位置，使得晶圓失效分析的定位速度和準確率均得到 大幅度提高。