1.一種半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，包括芯片載體平臺(tái)、真空吸附裝置、溫度控制裝置、P面供電電極和N面供電電極，芯片載體平臺(tái)的下表面與真空吸附裝置貼合，所述溫度控制裝置經(jīng)真空吸附裝置對(duì)芯片載體平臺(tái)傳導(dǎo)散熱；芯片載體平臺(tái)或者真空吸附裝置還設(shè)置有溫度探測(cè)孔；其特征在于：
所述芯片載體平臺(tái)為絕緣導(dǎo)熱材質(zhì)，在芯片載體平臺(tái)的上表面設(shè)置有間隔排列的多條金屬膜，金屬膜的長(zhǎng)度方向與待測(cè)芯片的發(fā)光單元腔長(zhǎng)方向平行；每一條金屬膜作為一個(gè)獨(dú)立的P面供電電極，用于與待測(cè)芯片單個(gè)發(fā)光單元的P面電極對(duì)應(yīng)完全貼合，每一條金屬膜上相應(yīng)固定有單獨(dú)的供電接觸頭；在相鄰P面供電電極之間平行開(kāi)設(shè)有條形的真空吸附孔，真空吸附孔貫通芯片載體平臺(tái)的上下表面，所有真空吸附孔均與真空吸附裝置的內(nèi)氣路孔道相通；所述N面供電電極為一個(gè)整體的電極，位于P面供電電極的上方，并避開(kāi)相應(yīng)供電接觸頭所處位置，N面供電電極的下表面平整光滑，使其能夠與待測(cè)芯片的N面電極完全貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，其特征在于：
所述芯片載體平臺(tái)的上表面平整光滑，所述多條金屬膜鍍于芯片載體平臺(tái)的上表面；
或者，所述芯片載體平臺(tái)的上表面對(duì)應(yīng)于所述多條金屬膜的位置分別設(shè)置淺槽，金屬膜填入相應(yīng)的淺槽使得芯片載體平臺(tái)的上表面平整光滑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，其特征在于：所述P面供電電極的寬度大于待測(cè)芯片單個(gè)發(fā)光單元的P面電極的寬度，長(zhǎng)度大于待測(cè)芯片發(fā)光單元的腔長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，其特征在于：所述多條金屬膜的寬度和間距滿足：待測(cè)芯片的每個(gè)發(fā)光單元沿腔長(zhǎng)方向的中心對(duì)稱(chēng)線與相應(yīng)P面供電電極的中心對(duì)稱(chēng)線重合，真空吸附孔對(duì)應(yīng)于待測(cè)芯片的相鄰P面電極之間的區(qū)域，相鄰真空吸附孔之間的距離小于發(fā)光單元的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，其特征在于： 所述P面供電電極的有效長(zhǎng)度大于真空吸附孔的長(zhǎng)度，相應(yīng)的供電接觸頭均超出真空吸附孔在長(zhǎng)度方向上對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，其特征在于：所述N面供電電極在長(zhǎng)度方向上覆蓋芯片載體平臺(tái)上排列的所有的P面供電電極，N面供電電極的寬度小于真空吸附孔的長(zhǎng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，其特征在于：所述N面供電電極的長(zhǎng)度方向與P面供電電極的長(zhǎng)度方向相互垂直。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，其特征在于：所述真空吸附裝置的主體為一導(dǎo)熱塊，所述內(nèi)氣路孔道是在所述導(dǎo)熱塊上表面開(kāi)設(shè)的條形凹槽，該條形凹槽與條形的真空吸附孔在芯片載體平臺(tái)的下表面的投影相互垂直。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試固定裝置，其特征在于：所述溫度探測(cè)孔開(kāi)設(shè)于真空吸附裝置的側(cè)面，該側(cè)面與真空吸附孔的長(zhǎng)度方向平行。