DE 10 2011 051 931 A1記載了一種OLED(有機發(fā)光二極管)涂覆裝置。在沉積反應(yīng)器中有基座，基座表面被冷卻并承載待涂覆的基板。從被加熱到冷凝溫度之上的進氣機構(gòu)中，將運載氣蒸氣混合物供給到處理室中。蒸氣冷凝在基板表面上，其中該層的質(zhì)量一方面取決于處理室中的蒸氣濃度(分壓)，另一方面還取決于基板表面的溫度。在用于在基板上沉積OLED層的方法中，希望在處理室中保持蒸氣流動速率不隨時間變化。蒸氣是在蒸氣發(fā)生器中通過固態(tài)或液態(tài)原料的熱量加載而產(chǎn)生的。該原料可作為氣溶膠被送入蒸發(fā)體積空間中。該蒸發(fā)體積空間被運載氣流動穿過，用運載氣將蒸氣送入處理室中。運載氣經(jīng)由質(zhì)量流量控制器被供入到蒸發(fā)裝置的管道系統(tǒng)中。使用第二傳感器獲得受蒸氣濃度(分壓)影響的傳感器信號。

由WO 2010/130775 A1、US 2006/0179918 A1和US 8,215,171 B1已知所謂的QCM傳感器(石英晶體微天平Quartz crystal microbalance)。這些傳感器被用于真空蒸發(fā)裝置，所謂的VTE系統(tǒng)(真空熱蒸發(fā)Vacuum thermal evaporation)中。QCM傳感器由石英晶體構(gòu)成，該石英晶體在其諧振頻率下被激發(fā)成振動。在蒸發(fā)時，例如在為物體氣相噴鍍金屬如金或者還在為物體氣相噴鍍非金屬時，一定蒸氣量冷凝在一段由石英形成的振動體的表面上。振動體在現(xiàn)有技術(shù)中保持在約50℃的溫度。在涂覆過程中，冷凝層在振動體表面上生長。該附加物質(zhì)使振動體失諧，從而頻率隨時間變化。這根據(jù)所謂的SAUERBREY方程式進行。在該QCM傳感器的已知應(yīng)用中，當該振蕩體頻率達到預(yù)定的最終值時涂覆過程結(jié)束。

在一定數(shù)量的涂覆過程后，傳感器必須要么更換要么清洗，由此保持其振動能力，因為這些沉積在石英晶體上的層不僅影響頻率而且影響振幅，原因是它們具有阻尼作用。

市場銷售的QCM傳感器在設(shè)計上不允許在明顯大于50℃的高溫下應(yīng)用。

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，在這種設(shè)備或方法中，尤其是在用于沉積OLED層的方法中，提供一種用于確定蒸氣濃度的傳感器，該傳感器的傳感器信號不受運載氣影響或至少僅略受運載氣影響。

該技術(shù)問題通過按照權(quán)利要求的方法和按照權(quán)利要求的設(shè)備解決。

首先規(guī)定，使用QCM傳感器作為傳感器，即，具有能夠處于振蕩中的振動體的傳感器，該振動體的振蕩頻率受到在振動體表面上由冷凝的蒸氣形成的物質(zhì)累積、特別是層的影響。振蕩體頻率一方面取決于層的厚度另一方面取決于層的質(zhì)量，即，層的物理和化學特性。傳感器被布置在運載氣流輸送蒸氣穿過的體積空間中。通過由振動體形成的振蕩體的諧振頻率隨時間的變化速率能夠推導(dǎo)出在該體積空間內(nèi)的蒸氣濃度(分壓)的數(shù)值。根據(jù)受控地供給到體積空間中且流經(jīng)體積空間的運載氣的流動速率能夠獲取蒸氣的流動速率。

本發(fā)明另外涉及這種傳感器在OVPD(有機氣相沉積)涂覆裝置的供氣過程中的應(yīng)用，該涂覆裝置具有沉積反應(yīng)器，可冷卻的基座被布設(shè)在沉積反應(yīng)器中用于容納一個或多個待涂覆的基板。本發(fā)明因此還涉及用于蒸發(fā)液態(tài)或固態(tài)原料的設(shè)備，該設(shè)備具有可加熱的蒸發(fā)器，運載氣的輸入流通過入口進入到蒸發(fā)器中，該運載氣流動經(jīng)過蒸發(fā)器并與經(jīng)原料蒸發(fā)產(chǎn)生的蒸氣一起作為輸出流從蒸發(fā)器中經(jīng)由出口離開。沿流動方向在入口前布設(shè)第一傳感器，其用于測取對應(yīng)于輸入流的質(zhì)量流量的第一數(shù)值。本發(fā)明涉及第二傳感器的擴展設(shè)計，其用于測取與蒸氣分壓相關(guān)的第二數(shù)值。使用分析裝置的或調(diào)節(jié)器的計算裝置，通過關(guān)聯(lián)這兩個數(shù)值得出與輸出流中輸送的蒸氣的分壓對應(yīng)的數(shù)值。根據(jù)本發(fā)明，從OCM傳感器的振蕩頻率隨時間的變化中得到第二數(shù)值。使用相對應(yīng)的用于產(chǎn)生在運載氣中輸送的蒸氣的方法則能夠獲取被供給到OVPD涂覆設(shè)備的處理室中的蒸氣的質(zhì)量流量。因此，傳感器可用作閉合的控制回路的組成部分，因為借此能夠?qū)崿F(xiàn)0.1秒或更少的響應(yīng)時間。傳感器的傳感器信號被傳送給調(diào)節(jié)器，該調(diào)節(jié)器可控制運載氣的蒸發(fā)速率或質(zhì)量流量。通過蒸氣生成速率或運載氣流量的變化能夠以較高的準確度調(diào)節(jié)蒸氣的輸送速率并保持其恒定。傳感器所處的體積空間可被加熱至大于200℃、尤其大于350℃的溫度并且加熱最高至450℃的溫度。當傳感器溫度應(yīng)當大于160℃和優(yōu)選地還大于180℃時，由正磷酸鎵(GaPO₄)構(gòu)成的傳感器晶體被證明是最佳的。生長速率(蒸氣以該生長速率在振動體表面上冷凝)和層的物理特性取決于冷凝溫度。有利的是，傳感器溫度僅略微處于冷凝溫度之下。在該體積空間內(nèi)的溫度明顯高于蒸氣的冷凝溫度，但是低于分解溫度(蒸氣在該分解溫度下能夠被化學分解)。傳感器表面的溫度可保持在這樣的溫度，該溫度比蒸氣的冷凝溫度或比該體積空間中在蒸氣的冷凝溫度之上的氣體溫度低約50°。該層在振動體表面上的生長速率影響了振動頻率的變化。經(jīng)由校正因子將可能的非線性關(guān)系考慮在內(nèi)。傳感器優(yōu)選地布設(shè)在輸送蒸氣的氣體流內(nèi)。傳感器表面因此被施加以相對高的蒸氣濃度。傳感器的表面溫度被這樣調(diào)節(jié)，使得調(diào)節(jié)出盡可能低的生長速率，從而傳感器可以在較長時間內(nèi)運行。特別有利的是，傳感器能夠被加熱到在蒸氣的冷凝溫度之上的溫度。傳感器尤其能夠被加熱到200至450℃范圍內(nèi)的氣體體積的溫度。在如此升高的溫度下，振動體表面的涂覆層再次蒸發(fā)，從而能夠在原位清洗傳感器。可以使用兩個傳感器。這兩個傳感器分別與調(diào)節(jié)器關(guān)聯(lián)并能夠交替地使用。用于控制或用于確定該體積空間中的蒸氣濃度的傳感器借助溫度控制裝置冷卻。溫度控制裝置可具有被冷卻液流經(jīng)的冷卻液通道。振動體可布設(shè)在具有所述冷卻通道的殼體中，其中冷卻通道優(yōu)選地這樣布置，使得僅有振動體和尤其僅有其暴露于蒸氣的表面被冷卻。在使用兩個傳感器時，不用于控制的傳感器不被冷卻。振動體的活性表面因此處于這樣的溫度，在該溫度下活性表面的涂覆層能夠蒸發(fā)。在優(yōu)選的設(shè)計方式中，傳感器殼體具有閉鎖器，使用閉鎖器可以閉鎖位于振動體的活性表面之前的開口，從而該活性表面不暴露于蒸氣。通過經(jīng)由將傳感器加熱至高于冷凝溫度的溫度來循環(huán)清洗傳感器表面，使用壽命能夠相對于QCM傳感器的使用壽命升高100倍，正如其根據(jù)前述現(xiàn)有技術(shù)所應(yīng)用的那樣。根據(jù)本發(fā)明的傳感器可在0.1至10毫巴的總氣壓下使用。傳感器的使用溫度為200至400℃。運載氣中的蒸氣可具有0.1至10％的質(zhì)量比例。蒸氣在測量單元內(nèi)的質(zhì)量濃度通過振動體的振動頻率的變化速率獲得。前述DE 10 2011 051 931 A1、DE 10 2011 051 261 A1和DE 10 2011 051 260 A1描述了用于控制蒸氣產(chǎn)生速率的方法和裝置，所述控制一方面通過改變待蒸發(fā)物質(zhì)的輸送效率且另一方面通過改變蒸發(fā)溫度來實現(xiàn)。這三個文獻的尤其涉及控制方法和控制裝置的特征被全部包含在本申請的公開內(nèi)容中。根據(jù)本發(fā)明，用于控制蒸氣產(chǎn)生速率的優(yōu)選控制器包括兩個控制回路。使用第一控制回路是平均的蒸氣產(chǎn)生速率保持在預(yù)定的平均值上，該第一控制回路具有較大的時間常數(shù)，即為一種“緩慢”調(diào)節(jié)器。這通過改變待蒸發(fā)物質(zhì)的輸送效率實現(xiàn)。待蒸發(fā)物質(zhì)的平均輸送效率長期地對應(yīng)于平均的蒸氣產(chǎn)生速率。使用第二控制回路來補償實時的蒸氣產(chǎn)生速率從平均值的短時間的偏差，該第二控制回路與第一控制回路相比具有較小的時間常數(shù)，即為一種“快速”調(diào)節(jié)器。當用于輸送待蒸發(fā)物質(zhì)、即優(yōu)選待蒸發(fā)粉末的輸送裝置具有機械的、旋轉(zhuǎn)運行的驅(qū)動器或輸送器時，短時間的偏差例如可具有周期性的性質(zhì)。然而，對輸送效率的恒定性的短期干擾也可基于待蒸發(fā)粉末的不均勻性。這些短期變化通過提高或降低蒸發(fā)溫度得以補償，其中，用第一控制回路這樣調(diào)節(jié)輸送效率，使得蒸發(fā)溫度既可向上又可向下變化。蒸發(fā)溫度向下由冷凝溫度限制邊界并且向上由待蒸發(fā)物質(zhì)的分解溫度限制邊界。用第一控制回路這樣調(diào)節(jié)輸送效率，使得蒸發(fā)溫度在平均時間內(nèi)大致處于上限溫度和下限溫度之間的中央。

接下來借助附圖闡述本發(fā)明的實施例。其中：

圖1示出了OLED涂覆裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，和

圖2示出了圖1中所示的QCM傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1中示出的涂覆裝置具有沉積反應(yīng)器9。沉積反應(yīng)器9是一種氣密性容器，其中具有處理室，處理室中能夠調(diào)節(jié)0.1至100毫巴的總壓。尤其地，在那里可調(diào)節(jié)0.1至10毫巴的調(diào)控總壓。在沉積反應(yīng)器9內(nèi)存在基座12，其具有冷卻液可流動穿過的冷卻通道15，以將基座12保持在限定的沉積溫度。在基座的頂側(cè)上放置待涂覆的基板11。

在基座12上方具有蓮蓬頭狀的進氣機構(gòu)10，通過該進氣機構(gòu)10可將蒸氣運載氣混合物導(dǎo)入到布設(shè)在基座12和進氣機構(gòu)10之間的處理室中。進氣機構(gòu)10被保持在蒸氣的冷凝溫度之上的溫度，從而將氣態(tài)原料送入處理室中且蒸氣可沉降在基板11上。蒸氣的冷凝物形成OLED層。

進氣機構(gòu)10借助蒸氣供給管路14供應(yīng)生成于蒸氣發(fā)生器2、3、4中的運載氣蒸氣混合物。借助加熱器8將蒸氣發(fā)生器2、3、4和蒸氣供給管路14保持在高于蒸氣冷凝溫度但低于蒸氣分解溫度的溫度下。

借助質(zhì)量流量控制器7將限定流量的運載氣、如氮氣經(jīng)由形成入口的管道13導(dǎo)入到蒸發(fā)器2、3、4中。

在本實施例中，蒸發(fā)器具有噴射腔，噴射器4通入到噴射腔中，使用噴射器4將待蒸發(fā)的固體或待蒸發(fā)的液體作為氣溶膠送入到噴射腔中。氣溶膠到達熱的蒸發(fā)體3中，在那里氣溶膠蒸發(fā)。通過輸送裝置將液體或固體從儲存容器中運出。噴射器4可以是氣溶膠生成器5的一部分，使用氣溶膠生成器5將固體或液體作為氣溶膠供應(yīng)到運載氣流中。固態(tài)或液態(tài)的待蒸發(fā)原料的輸送速率或運載氣的質(zhì)量流量由調(diào)節(jié)器6預(yù)設(shè)。

在蒸發(fā)體3中，給待蒸發(fā)固體或待蒸發(fā)液體、特別是所生成的氣溶膠供熱，以使所述固體或液體改變它們的聚集狀態(tài)。原料作為被運輸在運載氣中的蒸氣經(jīng)由形成排出口的管道14離開蒸發(fā)體3。原料到達其中存在感應(yīng)元件1的體積空間2內(nèi)，該感應(yīng)元件1能夠確定蒸氣在體積空間2內(nèi)的質(zhì)量濃度或分壓。由此能夠從質(zhì)量流量控制器7中設(shè)定的運載氣質(zhì)量流確定穿過與體積空間2鄰接的管道14、即排出管的運載氣的質(zhì)量流量。

作為輸入變量，調(diào)節(jié)器6要么獲得傳感器1的傳感器信號要么獲得由傳感器信號1通過測量值轉(zhuǎn)換得到的、與蒸氣質(zhì)量流量成正比例的測量信號。

通過改變待蒸發(fā)固體或待蒸發(fā)液體的輸送速率或者通過改變待蒸發(fā)物質(zhì)的蒸發(fā)溫度和改變供入質(zhì)量流量控制器7中的質(zhì)量流量值，蒸氣的質(zhì)量流量得以調(diào)節(jié)并可保持不隨時間變化。

圖2中示出的傳感器1具有殼體24。殼體24具有開口21。該開口能夠借助閉鎖件22閉鎖。圖2中用虛線示出閉鎖位置。開口21的底部由正磷酸鎵或類似材料的晶體的活性表面18形成。借助溫度控制裝置19使晶體17保持在比體積空間2的溫度更低的溫度下。在體積空間2的溫度處于蒸氣的冷凝溫度之上、確切的說尤其處于350℃之上時，晶體17的溫度和尤其活性表面18的溫度處于比蒸氣的冷凝溫度低的溫度、確切的說例如處于300℃。其結(jié)果是，在表面18上沉積了隨時間推移變得更厚的層。該層是冷凝的蒸氣。

借助未示出的電勵磁裝置，晶體17形成振蕩回路。該振蕩回路的諧振頻率由晶體17的物理性能決定。然而，活性表面18上的物質(zhì)累積也影響諧振頻率。經(jīng)冷凝的層在活性表面上形成了導(dǎo)致減振和導(dǎo)致諧振頻率失諧的物質(zhì)累積。例如，諧振頻率可隨著層厚增長而降低。晶體17的振蕩頻率因此是對沉積在活性表面18上的層的厚度的量度。因此，該頻率的變化速率是對該體積空間內(nèi)的蒸氣濃度(分壓)的量度，因為，沉積速率、即沉積在活性表面18上的層的生長速率取決于蒸氣濃度。

不過，沉積在活性表面18上的層的生長速率也取決于晶體17的溫度或活性表面18的溫度。為了確保傳感器的盡可能長的使用時間，活性表面的溫度被設(shè)成僅略微低于冷凝溫度。例如，活性表面18的溫度可比蒸氣的冷凝溫度低50℃。這樣的高溫不僅導(dǎo)致低生長速率，而且導(dǎo)致密實或堅實的層的形成。所沉積的層是以最小的位置缺陷密度、即構(gòu)成該層的分子的最密實的堆積而形成的。這導(dǎo)致晶體17的振蕩行為的衰減。此外，較低的生長速率抑制了運載氣對生長速率的擴散影響。

蒸氣由芳族烴組成，這些芳族烴作為固體具有比金屬或其它無機材料更高的彈性。

根據(jù)本發(fā)明的方法中，借助之前描述的傳感器1能夠選擇性地確定蒸發(fā)的有機原料在運載氣中的質(zhì)量濃度。作為運載氣，例如使用N₂。這在200℃之上的高溫和在0.1至10毫巴的氣壓下實現(xiàn)。蒸氣在蒸氣運載氣混合物中的含量可為0.1至10％。傳感器1達到小于0.1秒的響應(yīng)時間。作為控制回路的一部分，可用傳感器1保持蒸氣進料速率不隨時間變化。

因為根據(jù)本發(fā)明的傳感器可通過將活性表面18加熱至冷凝溫度之上的溫度來自動且原位清洗，所以本發(fā)明的優(yōu)選變型具有兩個或更多個這樣的傳感器1，這些傳感器能夠任選地用于調(diào)控。將用于調(diào)控的傳感器通過進入管/排出管20用供應(yīng)至溫度控制裝置的冷卻通道15中的冷卻液冷卻到蒸氣的冷凝溫度之下的溫度。傳感器頻率通過電導(dǎo)線23供給調(diào)節(jié)器6。開口21打開。

不用于調(diào)控的傳感器1不進行冷卻。其活性表面18具有處于蒸氣的冷凝溫度之上的溫度，從而在那里形成的層可蒸發(fā)或從而在那里不生長層。但是，開口21也可用閉鎖件22閉鎖。

調(diào)節(jié)器6提供兩個調(diào)節(jié)變量。用第一調(diào)節(jié)變量調(diào)節(jié)待蒸發(fā)物質(zhì)、特別是待蒸發(fā)粉末的輸送效率。例如，這可通過控制用來將粉末供給氣溶膠生成器的螺旋輸送器的轉(zhuǎn)速實現(xiàn)，用該氣溶膠生成器將粉末送入到氣流中，該氣流對準蒸發(fā)器表面。用第二調(diào)節(jié)變量調(diào)節(jié)蒸發(fā)器表面的溫度。一定量的待蒸發(fā)粉末可以粘附在蒸發(fā)表面上并由此形成儲存。借助這種儲存可通過改變蒸發(fā)溫度短期性地改變蒸氣產(chǎn)生速率。蒸氣產(chǎn)生速率的長期性變化通過控制輸送速率實現(xiàn)，其中以該輸送速率將待蒸發(fā)物質(zhì)送入到蒸發(fā)器中。

調(diào)節(jié)器6因此包括兩個控制回路。用具有較大的時間常數(shù)的第一控制回路調(diào)控待蒸發(fā)物質(zhì)的輸送效率。這樣調(diào)節(jié)輸送效率，使得平均的蒸氣產(chǎn)生速率保持在預(yù)定的規(guī)定值上。用第二控制回路改變蒸發(fā)溫度。第二控制回路具有相對于第一控制回路的時間常數(shù)較小的時間常數(shù)。用該第二控制回路可通過改變蒸發(fā)溫度應(yīng)對蒸氣產(chǎn)生速率的短暫偏離。例如可通過降低蒸發(fā)溫度來減小蒸發(fā)效率。由此可在蒸發(fā)器上收集儲存物質(zhì)。通過升高蒸發(fā)溫度可蒸發(fā)該儲存物質(zhì)，以應(yīng)對輸送效率的短暫下降。

在這里使用的調(diào)控方法或待應(yīng)用的調(diào)控裝置記載于DE 10 2011 051 261 A1、DE 10 2011 051 260 A1和DE 10 2011 051 931 A1，這些文獻屬于本申請的公開內(nèi)容。

前述實施方式用于闡述總體上包含本發(fā)明的申請，其通過以下特征組合分別獨立地改進了現(xiàn)有技術(shù)，即：

一種設(shè)備，其特征在于，所述傳感器1具有能夠置于振蕩中的振動體17，其振蕩頻率受到在振動體17的表面18上由冷凝的蒸氣形成的物質(zhì)累積的影響，其中，所述振動體17具有溫度控制裝置19、20，通過所述溫度控制裝置19、20能夠使所述振動體17處在蒸氣的冷凝溫度之下的溫度，其中，分析裝置根據(jù)振蕩頻率的隨時間的變化得出所述濃度或分壓。

一種方法，其特征在于，所述傳感器1具有處于振蕩的振動體17，其振蕩頻率受到在振動體17的表面18上由冷凝的蒸氣形成的物質(zhì)累積的影響，其中，借助溫度控制裝置19、20使所述振動體17處在蒸氣的冷凝溫度之下的溫度，并且由振蕩頻率的隨時間的變化得出所述濃度或分壓。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，所述溫度控制裝置19、20是冷卻器，所述振動體17借此被冷卻。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，所述振動體17是由正磷酸鎵GaPO₄構(gòu)成的晶體。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，借助供應(yīng)裝置7將運載氣供給到蒸發(fā)器2、3、4中，在所述蒸發(fā)器2、3、4中通過熱量加載使液體或固體成為氣態(tài)，其中，調(diào)節(jié)器6能夠改變運載氣的流動速率和/或蒸發(fā)器2、3、4的蒸氣產(chǎn)生速率，所述調(diào)節(jié)器6與傳感器1一起形成閉合的控制回路。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，用于調(diào)控蒸氣產(chǎn)生速率的調(diào)節(jié)器6具有兩個控制回路：一個是具有較大的時間常數(shù)的第一控制回路，借助所述第一控制回路通過改變待蒸發(fā)物質(zhì)的輸送效率將平均的蒸氣產(chǎn)生速率調(diào)控到預(yù)設(shè)的平均值，并且一個是具有較小的時間常數(shù)的第二控制回路，借助所述第二控制回路通過改變蒸發(fā)溫度來補償實時的蒸氣產(chǎn)生速率與所述平均值的短期性偏差。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，所述傳感器1和蒸發(fā)器2、3、4是OVPD涂覆裝置的供氣單元的一部分，所述OVPD涂覆裝置具有沉積反應(yīng)器9，能夠被冷卻的基座12布設(shè)在沉積反應(yīng)器9中，用于容納一個或多個待涂覆的基板11，其中，運載氣的輸入氣流通過輸入管13進入到所述蒸發(fā)器2、3、4中，運載氣流經(jīng)所述蒸發(fā)器2、3、4并且與在蒸發(fā)器2、3、4中通過原料的蒸發(fā)而產(chǎn)生的蒸氣一起作為輸出流從所述蒸發(fā)器2、3、4經(jīng)由供給管路14輸出，其中，借助布設(shè)在入口前的感應(yīng)元件7檢測輸入流的質(zhì)量流量，并且借助傳感器1檢測與蒸氣分壓相關(guān)的數(shù)值，其中，借助計算裝置通過關(guān)聯(lián)這兩個數(shù)值得出與輸出流中輸送的蒸氣的質(zhì)量流量對應(yīng)的數(shù)值。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，所述傳感器1能夠加熱最高至450℃的溫度。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，所述表面18能夠借助閉鎖件22被閉鎖。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，使用兩個結(jié)構(gòu)相同的傳感器1，其中，一個傳感器1保持在蒸氣的冷凝溫度之下的溫度且尤其保持在體積空間2的溫度之下的溫度，并且另一傳感器1保持在該冷凝溫度之上的溫度且尤其保持在體積空間2的溫度。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，所述傳感器1保持在大于160℃、優(yōu)選地大于180℃的溫度，并且特別優(yōu)選地保持在比體積空間2的溫度低50℃的溫度，和/或所述體積空間2的溫度大于200℃、大于350℃且尤其小于450℃。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，為了清洗而將所述傳感器1加熱至蒸氣的冷凝溫度之上的溫度，從而蒸發(fā)掉傳感器表面上形成的冷凝物。

一種設(shè)備或方法，其特征在于，所述體積空間2內(nèi)的總壓在0.1至10毫巴的范圍內(nèi)，和/或蒸氣在運載氣中的質(zhì)量濃度在0.1至10％的范圍內(nèi)。

所有公開的特征(本身及其相互組合)都有發(fā)明意義或發(fā)明價值。在本申請的公開文件中，所屬/附屬的優(yōu)先權(quán)文本(在先申請文件)的公開內(nèi)容也被完全包括在內(nèi)，為此也將該優(yōu)先權(quán)文本中的特征納入本申請的權(quán)利要求書中。從屬權(quán)利要求的特征都是對于現(xiàn)有技術(shù)有獨立發(fā)明意義或價值的改進設(shè)計，尤其可以這些從屬權(quán)利要求為基礎(chǔ)提出分案申請。

附圖標記清單

1 傳感器

2 體積

3 蒸發(fā)體

4 噴射器

5 氣溶膠生成器

6 調(diào)節(jié)器

7 質(zhì)量流量調(diào)控器、質(zhì)量流量控制器

8 加熱器

9 沉積反應(yīng)器

10 進氣機構(gòu)

11 基板

12 基座

13 輸入管

14 蒸氣供給管路

15 冷卻通道

16 氣體出口

17 晶體

18 表面

19 溫度控制裝置

20 輸入管/輸出管

21 開口

22 閉鎖件

23 導(dǎo)線

24 殼體