本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種探針卡高溫測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

集成電路在進(jìn)行晶圓級(jí)的高溫測(cè)試時(shí)，通常由晶圓載物臺(tái)對(duì)晶圓、探針卡等進(jìn)行加熱升溫。請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中探針卡測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，晶圓20放置在晶圓載物臺(tái)10上，由探針卡30對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，探針卡30上設(shè)有多個(gè)探針。在進(jìn)行高溫測(cè)試時(shí)，晶圓載物臺(tái)10對(duì)晶圓20及探針卡30進(jìn)行加熱。

由于晶圓20始終處于晶圓載物臺(tái)10上，所以晶圓20在充分預(yù)熱后會(huì)保持在設(shè)定的溫度。但是探針卡30會(huì)由于人為操作、在線清針等動(dòng)作使所有探針離開(kāi)載物臺(tái)10表面，或者在測(cè)試晶圓20外圈時(shí)部分探針處在載物臺(tái)外面，如圖2所示，大部分的探針卡30位于晶圓20外側(cè)，從而使探針卡30上所有探針或者部分探針溫度快速降低，探針形變過(guò)大，探針與晶圓管腳開(kāi)路、針跡偏移過(guò)大等無(wú)法進(jìn)行高溫量產(chǎn)測(cè)試的問(wèn)題。

在現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決上述問(wèn)題，通常采用兩種方案。方案一：只要探針離開(kāi)載物臺(tái)10表面一定時(shí)間，就在特定區(qū)域?qū)μ结樋?0進(jìn)行預(yù)熱處理，時(shí)間根據(jù)需要通常在5分鐘到30分鐘。然而，該種方式存在的主要問(wèn)題一是需要預(yù)熱的次數(shù)過(guò)多時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，使整片晶圓20測(cè)試時(shí)間過(guò)長(zhǎng)；二是每次預(yù)熱后探針與晶圓管腳的接觸情況、針跡等會(huì)隨時(shí)出現(xiàn)問(wèn)題。方案二：通過(guò)優(yōu)化晶圓20走步算法，使所有探針始終保持在晶圓載物臺(tái)10的表面。然而其存在的主要問(wèn)題一是不可避免會(huì)造成較多的芯片需要多次扎針，出現(xiàn)針跡面積過(guò)大或者針跡不重合等問(wèn)題；二是人為優(yōu)化算法較多的依賴(lài)個(gè)人經(jīng)驗(yàn)等不確定因素，增加測(cè)試的復(fù)雜性。

因此，需要提出一種探針卡高溫測(cè)試裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種探針卡高溫測(cè)試裝置，能夠?qū)μ结樋ㄉ系奶结樳M(jìn)行保溫加熱，避免其溫度下降過(guò)快，提高測(cè)試準(zhǔn)確度。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種探針卡高溫測(cè)試裝置，包括：探針卡及加熱片，其中，所述探針卡上測(cè)試面設(shè)有多個(gè)探針，所述加熱片位于所述探針卡與測(cè)試面相對(duì)的一面上，加熱時(shí)覆蓋所有探針。

進(jìn)一步的，在所述的探針卡高溫測(cè)試裝置中，所述探針卡包括PCB板，所述探針連接在所述PCB板上。

進(jìn)一步的，在所述的探針卡高溫測(cè)試裝置中，所述加熱片與所述PCB板連接。

進(jìn)一步的，在所述的探針卡高溫測(cè)試裝置中，所述加熱片為單層或者多層堆疊而成。

進(jìn)一步的，在所述的探針卡高溫測(cè)試裝置中，所述加熱片兩端連接電源。

進(jìn)一步的，在所述的探針卡高溫測(cè)試裝置中，所述加熱片包括鎳鑼合金電熱絲和硅橡膠高溫絕緣體，所述橡膠高溫絕緣體包圍所述鎳鑼合金電熱絲，所述鎳鑼合金電熱絲連接所述電源。

進(jìn)一步的，在所述的探針卡高溫測(cè)試裝置中，還包括一加強(qiáng)板，所述加強(qiáng)板設(shè)于所述PCB板上，并在所述加強(qiáng)板之間放置所述加熱片。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在：在探針卡上安裝加熱片，在高溫測(cè)試時(shí)，由加熱片在探針卡上對(duì)探針進(jìn)行持續(xù)加熱，使探針保持在設(shè)定的溫度范圍，在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中避免出現(xiàn)探針溫度降低，針尖形變過(guò)大的情況。采用本發(fā)明，整個(gè)測(cè)試過(guò)程不增加任何額外預(yù)熱時(shí)間，不增加測(cè)試步進(jìn)算法的不確定性以及測(cè)試復(fù)雜度，也不造成額外芯片損失。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中探針卡測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中探針卡對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試時(shí)的俯視圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中探針卡測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的探針卡測(cè)試裝置進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。

為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參考圖3，在本實(shí)施例中，提出了一種探針卡高溫測(cè)試裝置，包括：探針卡300及加熱片400，其中，所述探針卡300上測(cè)試面設(shè)有多個(gè)探針，所述加熱片400位于所述探針卡300與測(cè)試面相對(duì)的一面上，加熱時(shí)覆蓋所有探針。

待測(cè)試的晶圓200通常放置在晶圓載物臺(tái)100上，所述探針卡300的測(cè)試面朝向待測(cè)試的晶圓200，以便探針扎入待測(cè)試的晶圓200內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。所述探針卡300包括PCB板，所述探針連接在所述PCB板上。所述加熱片400與所述PCB板連接，能夠透過(guò)PCB板為探針進(jìn)行加熱。

其中，所述加熱片400可以為單層或者多層堆疊而成。所述加熱片400包括鎳鑼合金電熱絲和硅橡膠高溫絕緣體，所述橡膠高溫絕緣體包圍所述鎳鑼合金電熱絲，所述鎳鑼合金電熱絲連接所述電源。所述加熱片400兩端連接電源，從而對(duì)鎳鑼合金電熱絲進(jìn)行加熱，進(jìn)而通過(guò)熱傳導(dǎo)至探針，對(duì)探針進(jìn)行加熱和保溫。為了方便加熱片的放置，還可以設(shè)置一金屬材質(zhì)的加強(qiáng)板，所述加強(qiáng)板設(shè)于所述PCB板上，并在所述加強(qiáng)板之間放置所述加熱片400。

在高溫測(cè)試時(shí)，載物臺(tái)100加熱升溫，探針卡300隨著載物臺(tái)100、晶圓200溫度升高而升高，當(dāng)所有探針或者部分探針移出載物臺(tái)100時(shí)，探針溫度迅速降低，探針形變較大。而本申請(qǐng)中在探針卡300上增加帶加熱片400的加強(qiáng)板，通過(guò)加熱片400加熱探針卡300，從而使探針卡300整個(gè)高溫測(cè)試過(guò)程中保持溫度穩(wěn)定，避免現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題。

綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的探針卡測(cè)試裝置中，在探針卡上安裝加熱片，在高溫測(cè)試時(shí)，由加熱片在探針卡上對(duì)探針進(jìn)行持續(xù)加熱，使探針保持在設(shè)定的溫度范圍，在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中避免出現(xiàn)探針溫度降低，針尖形變過(guò)大的情況。采用本發(fā)明，整個(gè)測(cè)試過(guò)程不增加任何額外預(yù)熱時(shí)間，不增加測(cè)試步進(jìn)算法的不確定性以及測(cè)試復(fù)雜度，也不造成額外芯片損失。

上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。