技術(shù)特征：

1.一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉裝置，其特征在于，包括干涉光路機(jī)構(gòu)Ⅰ、干涉光路機(jī)構(gòu)Ⅱ、樣品支架(1)、位移臺(tái)(5)、計(jì)算機(jī)(17)、圖像采集卡(18)和位移臺(tái)控制器(19)；

所述的位移臺(tái)(5)上固定有樣品支架(1)，樣品支架(1)上放置有厚度標(biāo)樣(2)和薄膜樣品(6)，位移臺(tái)控制器(19)控制位移臺(tái)(5)移動(dòng)；

干涉光路機(jī)構(gòu)Ⅰ包括點(diǎn)光源Ⅰ(7)，點(diǎn)光源Ⅰ(7)發(fā)射的光線入射至透鏡Ⅰ(8)和分光鏡Ⅰ(9)，在分光鏡(9)反射，反射光入射至干涉物鏡Ⅰ(10)，在干涉物鏡Ⅰ(10)中分束為物光和參考光，物光照射到樣品表面并反射成樣品反射光，參考光入射至干涉物鏡Ⅰ(10)中的參考鏡并反射成參考反射光，樣品反射光和參考反射光在干涉物鏡Ⅰ(10)中形成攜帶樣品表面信息的干涉光，干涉光進(jìn)入分光鏡(9)透射至聚光鏡Ⅰ(11)并聚焦至面陣探測(cè)器Ⅰ(3)形成干涉圖像，干涉圖像通過圖像采集卡(18)傳輸至計(jì)算機(jī)(17)；

干涉光路機(jī)構(gòu)Ⅱ與干涉光路機(jī)構(gòu)Ⅰ的結(jié)構(gòu)相同，對(duì)稱分布，物光光軸同軸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉裝置，其特征在于，所述位移臺(tái)(5)為中空結(jié)構(gòu)，光路從中空位置穿過；位移臺(tái)(5)為六自由度運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)；位移臺(tái)(5)為壓電陶瓷位移臺(tái)、步進(jìn)電機(jī)位移臺(tái)、手動(dòng)位移臺(tái)中的一種或兩種以上組合；位移臺(tái)(5)與樣品支架(1)通過螺絲、彈簧片或膠粘固定。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉裝置，其特征在于，所述樣品支架(1)為中空結(jié)構(gòu)，光路從中空位置穿過。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉裝置，其特征在于，所述的點(diǎn)光源Ⅰ(7)和點(diǎn)光源Ⅱ(12)為L(zhǎng)ED光源或鹵素?zé)艄庠粗械囊环N。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉裝置，其特征在于，所述干涉物鏡Ⅰ(10) 和干涉物鏡Ⅱ(15)為Michelson型干涉物鏡或Mirau型干涉物鏡中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉裝置，其特征在于，所述面陣探測(cè)器Ⅰ(3) 和面陣探測(cè)器Ⅱ(4)為面陣CCD探測(cè)器或面陣CMOS探測(cè)器中的一種。

7.一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉方法，其特征在于，包括以下步驟：

7a.將厚度標(biāo)樣(2)和薄膜樣品(6)置于樣品支架(1)的中空位置；

7b.位移臺(tái)(5)帶動(dòng)樣品支架(1)沿水平方向移動(dòng)，將厚度標(biāo)樣(2)移動(dòng)至干涉物鏡Ⅰ(10)的下方；

7c.位移臺(tái)(5)帶動(dòng)樣品支架(1)沿Z軸方向移動(dòng)，將厚度標(biāo)樣(2)移動(dòng)至干涉物鏡Ⅰ(10)和干涉物鏡Ⅱ(15)的干涉焦面之間，定義位移臺(tái)(5)此時(shí)位置為Z軸初始位置；

7d.開啟點(diǎn)光源Ⅰ(7)和點(diǎn)光源Ⅱ(12)，計(jì)算機(jī)(17)通過圖像采集卡(18)控制面陣探測(cè)器Ⅰ(3)和面陣探測(cè)器Ⅱ(4)各采集一幅干涉圖像Ⅰ₀和干涉圖像Ⅱ₀；

7e.位移臺(tái)(5)控制厚度標(biāo)樣(2)在Z軸方向步進(jìn)移動(dòng)，每移動(dòng)一個(gè)步長(zhǎng)后，計(jì)算機(jī)(17)通過圖像采集卡(18)控制面陣探測(cè)器Ⅰ(3)和面陣探測(cè)器Ⅱ(4)各再采集干涉圖像Ⅰ₁~干涉圖像Ⅰ_n和干涉圖像Ⅱ₁~干涉圖像Ⅱ_n，直至厚度標(biāo)樣(2)分別超過干涉物鏡Ⅰ(10)的干涉焦面和干涉物鏡Ⅱ(15)的干涉焦面；

7f.位移臺(tái)(5)帶動(dòng)樣品支架(1)復(fù)位至Z軸初始位置；

7g.位移臺(tái)(5)帶動(dòng)樣品支架(1)沿水平方向移動(dòng)，將薄膜樣品(6)移動(dòng)至干涉物鏡Ⅰ(10)的下方；

7h.重復(fù)步驟7d-7f，直至薄膜樣品(6)對(duì)應(yīng)的干涉圖像Ⅲ₀~干涉圖像Ⅲ_n和干涉圖像Ⅳ₀~干涉圖像Ⅳ_n采集完畢；

7i.抽取干涉圖像Ⅰ₀~干涉圖像Ⅰ_n中每幅圖像中第一個(gè)固定點(diǎn)P₁(x,y)的灰度值，以Z軸位置為x坐標(biāo)，灰度值為y坐標(biāo)，以Z軸初始位置為Z軸原點(diǎn)o，繪制固定點(diǎn)的灰度曲線，求得灰度值極大時(shí)的Z軸坐標(biāo)的絕對(duì)值L₁(x, y)；

7j.重復(fù)步驟7i，獲得干涉圖像Ⅱ₀~干涉圖像Ⅱ_n的L₂(x, y)，干涉圖像Ⅲ₀~干涉圖像Ⅲ_n的l₁(x, y)，干涉圖像Ⅳ₀~干涉圖像Ⅳ_n的l₂(x, y)；

7k.厚度標(biāo)樣的厚度已知，記為D(x,y)，用公式 d₁(x,y)= L₁(x, y)+L₂(x, y)+D(x,y)－l₁(x, y)－l₂(x, y)計(jì)算薄膜樣品(6)中第一個(gè)固定點(diǎn)的厚度d₁(x,y)；

7l.重復(fù)步驟7i-7k，直至獲得薄膜樣品(6)表面的厚度分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉方法，其特征在于，所述的步驟7e包括以下步驟：

8a. 位移臺(tái)(5)控制厚度標(biāo)樣(2)沿Z軸正向步進(jìn)移動(dòng)，每移動(dòng)一個(gè)步長(zhǎng)后，計(jì)算機(jī)(17)通過圖像采集卡(18)控制面陣探測(cè)器Ⅰ(3)和面陣探測(cè)器Ⅱ(4)各采集一幅干涉圖像，直至厚度標(biāo)樣(2)超過干涉物鏡Ⅰ(10)的干涉焦面；

8b. 位移臺(tái)(5)帶動(dòng)樣品支架(1)復(fù)位至Z軸初始位置；

8c. 位移臺(tái)(5)控制厚度標(biāo)樣(2)沿Z軸負(fù)向步進(jìn)移動(dòng)，每移動(dòng)一個(gè)步長(zhǎng)后，計(jì)算機(jī)(17)通過圖像采集卡(18)控制面陣探測(cè)器Ⅰ(3)和面陣探測(cè)器Ⅱ(4)各采集一幅干涉圖像，直至厚度標(biāo)樣(2)超過干涉物鏡Ⅱ(15)的干涉焦面；位移臺(tái)(5)負(fù)向移動(dòng)的步數(shù)加上步驟8a中正向移動(dòng)的步數(shù)，共n步，面陣探測(cè)器Ⅰ(3)和面陣探測(cè)器Ⅱ(4)各采集干涉圖像Ⅰ₁~干涉圖像Ⅰ_n和干涉圖像Ⅱ₁~干涉圖像Ⅱ_n。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種測(cè)量非透明薄膜厚度分布的雙面干涉方法，其特征在于，所述的L₁(x, y)、L₂(x, y)、l₁(x, y)和l₂(x, y)對(duì)應(yīng)的灰度極大值通過二次曲線擬合或高斯曲線擬合的尋峰算法獲得。