本發(fā)明涉及水下爆破工程領域，具體而言，涉及一種水下爆破安全測定裝置與方法。
背景技術：
：在進行水下爆破的施工過程中，水下爆破的地震效應是由水底部傳導到陸地的，但由于爆炸形成水中沖擊波的原因，會對水底振動產生一定的影響。水下爆破作用下的結構振動效應，比陸地上巖土爆破對地質結構的影響更加復雜，一般由低頻和高頻波共同作用，其主要特征是，振動頻帶寬、高頻豐富、振動大。在進行鉆孔爆破作業(yè)時，爆炸所述產生的巨大能量都作用于周圍的巖石上，炸藥在巖體中產生的沖擊波在底層的傳播能量形成地震波，地震波能量巨大，傳播距離遠，對周圍的建筑物的破壞性非常強。因此，為了避免對爆源周圍的建筑物被地震波毀壞，清晰地了解位于目標建筑物的地震波的質點的振動速度是否會對目標建筑物造成影響尤為重要?，F(xiàn)有技術中，在進行爆破監(jiān)測時，爆破測振儀無法安放在水下基巖表面，而是安放在岸邊或橋墩上，這就導致了高程差的存在，地震波從水中傳播到巖層內時，部分地震波會發(fā)生反射，并反射會水中，導致爆破測振儀對質點的振動速度的檢振動速度(cm/s)測量存在很大的誤差。在實際測量時，根據測定的多組V、Q、R利用薩道夫斯基公式對第一傳播介質參數(shù)K和第二傳播介質參數(shù)α進行初始化，Q為裝藥量(Kg)；R為測點至爆源的距離(m)；當再次進行爆破時，即可利用Q、R、K、α這些參數(shù)通過公式對V進行計算，即可得到實際爆破時的質點振動速度。由于爆破測振儀測定的質點振動速度與實際的質點振動速度有誤差，K和α的實際值存在一定的誤差，從而導致利用對目標建筑物所在地是否安全的判斷有誤差。技術實現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明實施例的目的在于提供一種水下爆破安全測定裝置與方法。第一方面，本發(fā)明實施例提供的一種水下爆破安全測定裝置，包括：參數(shù)初始化單元，用于初始化第一傳播介質參數(shù)、第二傳播介質參數(shù)以及高程差因子；參數(shù)獲得單元，用于獲得實際裝藥量參數(shù)、實際爆心距參數(shù)以及實際高程差參數(shù)，所述實際爆心距參數(shù)為實際待測質點到爆源的直線距離，所述實際高程差參數(shù)為實際待測質點所在的水平面到爆心所在的水平面之間的垂直距離；實際待測質點振速計算單元，用于根據所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)、所述高程差因子、所述實際裝藥量參數(shù)、所述實際爆心距參數(shù)以及所述實際高程差參數(shù)計算出實際待測質點振速參數(shù)；結果信息輸出單元，若所述實際待測質點振速參數(shù)大于預設的標準安全振速參數(shù)范圍，則輸出不安全的結果信息，若所述實際待測質點振速參數(shù)不超過所述標準安全振速參數(shù)范圍，則輸出安全的結果信息。第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種水下爆破安全測定方法，包括：所述方法包括：初始化第一傳播介質參數(shù)、第二傳播介質參數(shù)以及高程差因子；參數(shù)獲得單元，獲得實際裝藥量參數(shù)、實際爆心距參數(shù)以及實際高程差參數(shù)，所述實際爆心距參數(shù)為實際待測質點到爆源的直線距離，所述實際高程差參數(shù)為實際待測質點所在的水平面到爆心所在的水平面之間的垂直距離；根據所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)、所述高程差因子、所述實際裝藥量參數(shù)、所述實際爆心距參數(shù)以及所述實際高程差參數(shù)計算出實際待測質點振速參數(shù)；若所述實際待測質點振速參數(shù)大于預設的標準安全振速參數(shù)范圍，則輸出不安全的結果信息，若所述實際待測質點振速參數(shù)不超過所述標準安全振速參數(shù)范圍，則輸出安全的結果信息。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的提供的一種水下爆破安全測定裝置與方法，在初始化第一傳播介質參數(shù)、第二傳播介質參數(shù)以及高程差因子時，可利用高程差因子對第一傳播介質參數(shù)和第二傳播介質參數(shù)進行修正，在根據實際初始化后的第一傳播介質參數(shù)、第二傳播介質參數(shù)、高程差因子、實際裝藥量參數(shù)、實際爆心距參數(shù)以及實際高程差參數(shù)計算實際待測質點振速參數(shù)時，極大地減小了計算所得的實際待測質點振速參數(shù)與實際的待測質點振速參數(shù)的誤差，因此當利用計算所得的實際待測質點參數(shù)與標準安全振速參數(shù)范圍進行比對時，所輸出的結果信息更為可靠實用。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。附圖說明為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設計。因此，以下對在附圖中提供的本發(fā)明的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。圖1為本發(fā)明較佳實施例提供的水下爆破安全測定裝置的功能模塊示意圖；圖2本發(fā)明較佳實施例提供的水下爆破安全測定方法的流程圖；圖3是本發(fā)明水下爆破安全測定裝置的功能單元示意圖。主要元件符號說明：存儲器101，存儲控制器102，處理器103，外設接口104，輸入輸出單元105，音頻單元106，顯示單元107，水下爆破安全測定裝置300，本地終端100。具體實施方式下面將結合本發(fā)明實施例中附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設計。因此，以下對在附圖中提供的本發(fā)明的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施例?；诒景l(fā)明的實施例，本領域技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。如圖1所示，是本發(fā)明提供的水下爆破安全測定裝置300的功能模塊示意圖。安裝有該水下爆破安全測定裝置300的本地終端100包括存儲器101、存儲控制器102、處理器103、外設接口104、輸入輸出單元105、音頻單元106、顯示單元107。所述存儲器101、存儲控制器102、處理器103、外設接口104、輸入輸出單元105、音頻單元106、顯示單元107各元件相互之間直接或間接地電性連接，以實現(xiàn)數(shù)據的傳輸或交互。例如，這些元件相互之間可通過一條或多條通訊總線或信號線實現(xiàn)電性連接。所述水下爆破安全測定裝置300包括至少一個可以軟件或固件(firmware)的形式存儲于所述存儲器101中或固化在所述本地終端100設備的操作系統(tǒng)(operatingsystem，OS)中的軟件功能模塊。所述處理器103用于執(zhí)行存儲器101中存儲的可執(zhí)行模塊，例如所述水下爆破安全測定裝置300包括的軟件功能模塊或計算機程序。其中，存儲器101可以是，但不限于，隨機存取存儲器(RandomAccessMemory，RAM)，只讀存儲器(ReadOnlyMemory，ROM)，可編程只讀存儲器(ProgrammableRead-OnlyMemory，PROM)，可擦除只讀存儲器(ErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EPROM)，電可擦除只讀存儲器101(ElectricErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EEPROM)等。其中，存儲器101用于存儲程序，所述處理器103在接收到執(zhí)行指令后，執(zhí)行所述程序，前述本發(fā)明實施例任一實施例揭示的流過程定義的服務器所執(zhí)行的方法可以應用于處理器103中，或者由處理器103實現(xiàn)。處理器103可能是一種集成電路芯片，具有信號的處理能力。上述的處理器103可以是通用處理器103，包括中央處理器103(CentralProcessingUnit，簡稱CPU)、網絡處理器103(NetworkProcessor，簡稱NP)等；還可以是數(shù)字信號處理器103(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)成可編程門陣列(FPGA)或者其他可編程邏輯器件、分立門或者晶體管邏輯器件、分立硬件組件?？梢詫崿F(xiàn)或者執(zhí)行本發(fā)明實施例中的公開的各方法、步驟及邏輯框圖。通用處理器103可以是微處理器103或者該處理器103也可以是任何常規(guī)的處理器103等。所述外設接口104將各種輸入/輸入裝置耦合至處理器103以及存儲器101。在一些實施例中，外設接口104，處理器103以及存儲控制器102可以在單個芯片中實現(xiàn)。在其他一些實例中，他們可以分別由獨立的芯片實現(xiàn)。輸入輸出單元105用于提供給用戶輸入數(shù)據實現(xiàn)用戶與本地終端100的交互。所述輸入輸出單元105可以是，但不限于，鼠標和鍵盤等。音頻單元106向用戶提供音頻接口，其可包括一個或多個麥克風、一個或者多個揚聲器以及音頻電路。顯示單元107在所述本地終端100與用戶之間提供一個交互界面(例如用戶操作界面)或用于顯示圖像數(shù)據給用戶參考。在本實施例中，顯示單元107可以是液晶顯示器或觸控顯示器。若為觸控顯示器，其可為支持單點和多點觸控操作的電容式觸控屏或電阻式觸控屏等。支持單點和多點觸控操作是指觸控顯示器能感應到來自該觸控顯示器上一個或多個位置處同時產生的觸控操作，并將該感應到的觸控操作交由處理器103進行計算和處理。請參閱圖2，是本發(fā)明較佳實施例提供的應用于圖1所示的水下爆破安全測定裝置300的方法的流程圖。下面將對圖2所示的具體流程進行詳細闡述。所述水下爆破安全測定裝置300的方法包括：步驟S201：初始化第一傳播介質參數(shù)、第二傳播介質參數(shù)以及高程差因子。其中，所述步驟S201可通過以下兩種方式實現(xiàn)：第一種，利用修正的薩道夫斯基公式V2＝K(Q21/3/R2)α(Q21/3/|H2|)β通過線性回歸分析法初始化所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)以及所述高程差因子。所述線性回歸分析法包括：將修正的薩道夫斯基公式V2＝K(Q21/3/R2)α(Q21/3/|H2|)β變形為V2＝KPRαPHβ，其中PR為距離比例藥量，PR＝Q21/3/R2，PH2為高程比例藥量，PH2＝Q21/3/|H2|，對算式V2＝KPRαPH2β進行線性化處理，并采用最小二乘法原理進行線性回歸分析。計算步驟如下：對該方程兩邊取對數(shù)得到方程lnV2＝lnK+αlnPR2+βlnPH2，設y＝lnV2，x1＝lnPR2，x2＝lnPH2，a1＝α，a2＝β，a0＝lnK，則lnV2＝lnK+αlnPR2+βlnPH2可改寫為y＝a0+a1x1+a2x2+b。假設進行n次爆破實驗，得到多組模擬裝藥量參數(shù)、模擬爆心距參數(shù)以及模擬高程差參數(shù)，并分別將多組所述模擬裝藥量參數(shù)、所述模擬爆心距參數(shù)以及所述模擬高程差參數(shù)帶入該方程得到方程組：y1＝a0+a1x11+a2x12+b1y2＝a0+a1x21+a2x22+b2…yn＝a0+a1xn1+a2xn2+bn將該方程組寫成矩陣形式，得到一個矩陣方程組：Y=XA+BB~N(0,σ2In)]]>該方程式中，根據最小二乘估計原理，就是找A的估計值使得離差平方和Qe2取極小值：Qe2=Σi=1n(yi-a^0-a^1xi1-a^2xi2-b^)]]>根據微積分中求極值的方法，滿足以下方程組：∂Qe2∂a1|a1=a^1=-2Σi=1nxi1(y1-a^1xi1-a^2xi2-b^)=0∂Qe2∂a2|a2=a^2=-2Σi=1nxi2(y1-a^1xi1-a^2xi2-b^)=0∂Qe2∂b|b=b^=-2Σi=1n(y1-a^1xi1-a^2xi2-b^)=0]]>整理以上方程組，得出一個新的矩陣方程組：X′(Y-XA^)=0]]>若X為列滿秩時，A的最小二乘估計為：A^=(X′X)-1X′Y=a^0a^1a^2]]>通過變量替換對矩陣方程組求解，即可計算出第一傳播介質參數(shù)第二傳播介質參數(shù)高程差因子其中，V2為第二待測質點的振動速度，K為第一傳播介質參數(shù)，α為第二傳播介質參數(shù)，β為高程差因子，Q2為模擬裝藥量參數(shù)，R2為模擬爆心距參數(shù)，H2為第二待測質點到爆源的模擬高程差參數(shù)。第二種：利用修正的薩道夫斯基公式V2＝K(Q21/3/R2)α(Q21/3/|H2|)β通過非線性回歸分析法建立所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)以及所述高程差因子的計算模型。所述非線性回歸分析法包括：分別將多組所述模擬裝藥量參數(shù)、所述模擬爆心距參數(shù)以及所述模擬高程差參數(shù)修正的薩道夫斯基公式V2＝K(Q21/3/R2)α(Q21/3/|H2|)β，并對得到的所有方程組進行求和得到算式其中PRi為距離比例藥量，PRi＝Q21/3/Ri，PHi為高程比例藥量，PHi＝Q21/3/|Hi|，i為每組參數(shù)的序號，其中i為大于0的整數(shù)，M2為非線性殘差平方和，以非線性殘差平方和M2為擬合準則，直接對修正公式進行非線性回歸分析，根據多元微積分的極值定理，分別對α、β、K求偏導，通過算式即：Σi=1n2(Vi-K^ρRiα^ρHiβ^)ρRiα^ρHiβ^=0Σi=1n2(Vi-K^ρRiα^ρHiβ^)K^ρRiα^ρHiβ^lnρRi=0Σi=1n2(Vi-K^ρRiα^ρHiβ^)K^ρRiα^ρHiβ^lnρHi=0]]>經整理可得到如下方程組：f1=Σi=1nViρRiα^ρHiβ^-K^Σi=1nρRi2α^ρHi2β^=0f2=Σi=1nViρRiα^ρHiβ^lnρRi-K^Σi=1nρRi2α^ρHi2β^lnρRi=0f3=Σi=1nViρRiα^ρHiβ^lnρHi-K^Σi=1nρRi2α^ρHi2β^lnρHi=0]]>該方程組為最小二乘法估計的正規(guī)方程組，利用牛頓迭代法對該方程組求解得到第一傳播介質參數(shù)K、第二傳播介質參數(shù)α以及高程差因子β。具體方法為：設該最小二乘法估計的正規(guī)方程組的解，x,f1,f2,f3∈C0[0(x*,δ)]，x(k)∈0(x*,δ)且存在一階偏導數(shù)。其中，將該最小二乘法估計的正規(guī)方程組進行Taylor展開，并取一階精度，得到方程式：F1=f1(x(k))+∂f1∂α^(α^-α^(k))+∂f1∂β^(β^-β^(k))+∂f1∂K^(K^-K^(k))=0F2=f2(x(k))+∂f2∂α^(α^-α^(k))+∂f2∂β^(β^-β^(k))+∂f2∂K^(K^-K^(k))=0F3=f3(x(k))+∂f3∂α^(α^-α^(k))+∂f3∂β^(β^-β^(k))+∂f3∂K^(K^-K^(k))=0]]>對該方程式進行求解即可得到第一傳播介質參數(shù)K、第二傳播介質參數(shù)α以及高程差因子β，其中，Vi為第二待測質點的振動速度，K為第一傳播介質參數(shù)，α為第二傳播介質參數(shù)，β為高程差因子，Q2為模擬裝藥量參數(shù)，Ri為模擬爆心距參數(shù)，Hi為待測質點到爆源的模擬高程差參數(shù)。在本實施例中，經過多次爆破的實驗，通過利用爆破振動測試儀進行現(xiàn)場監(jiān)測，獲得6組不同藥量、不同距離和高程鉆孔水下爆破特性的振動數(shù)據，監(jiān)測數(shù)據如表1所示。表1利用表1中的6組監(jiān)測數(shù)據，分別采用上述線性回歸分析法與非線性回歸分析法，以求出待定系數(shù)K、α、β，如表2所示。分析方法Kαβ殘差平方和(M2)線性回歸分析269.6161.6880.04813.329非線性回歸分析225.5341.660-0.2023.184表2由表2可知，非線性回歸殘差平方和小于線性回歸殘差平方和，說明在利用非線性回歸分析法得出的K、α、β的精度更高。線性回歸分析法的得到的高程差因子β僅為0.048。然而，非線性回歸分析法得到的高程差因子β為-0.202，根據式β為負值說明水下爆破中爆源與監(jiān)測點處的高程差對振速有放大作用。因此，采用非線性回歸分析方法研究水下爆破振動衰減規(guī)律，更符合現(xiàn)場實際，利用非線性回歸分析法初始化K、α、β的結果為：K＝225.534，α＝1.660，β＝-0.202。綜上，當在實際進行爆破設計及振動安全速度計算時，采用如下公式：V2＝225.534(Q21/3/R2)1.660(Q21/3/|H2|)-0.202步驟S202：獲得實際裝藥量參數(shù)、實際爆心距參數(shù)以及實際高程差參數(shù)，所述實際爆心距參數(shù)為實際待測質點到爆源的直線距離，所述實際高程差參數(shù)為實際待測質點所在的水平面到爆心所在的水平面之間的垂直距離，所述實際裝藥量參數(shù)為藥包的多個炮孔的裝藥量的總和。步驟S203：根據所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)、所述高程差因子、所述實際裝藥量參數(shù)、所述實際爆心距參數(shù)以及所述實際高程差參數(shù)計算出實際待測質點振速參數(shù)。其中，步驟S203可通過以下方式實現(xiàn)，該方式為根據修正的薩道夫斯基公式V1＝K(Q11/3/R1)α(Q11/3/|H1|)β計算出實際待測質點振速參數(shù)，其中V1為實際待測質點振速參數(shù)，K為第一傳播介質參數(shù)，α為第二傳播介質參數(shù)，β為高程差因子，Q1為實際裝藥量參數(shù)，R1為實際爆心距參數(shù)，H1為實際待測質點到爆源的實際高程差參數(shù)。實際裝藥量參數(shù)計算Q1通過算式Q1＝n×q0×a×b×h1求得，其中，n為炮孔的個數(shù)，q0為水下鉆爆單耗值，a為相鄰兩個炮孔之間的孔距，b為相鄰兩排炮孔之間的排距，h1為鉆孔深度。水下鉆爆單耗值q0通過算式q0＝q1+0.01h2+0.02h3+0.03h4獲得，其中，q1為基本單耗，h2為水深深度，h3為覆蓋層深度，h4為梯段高度。步驟S204：獲得爆破條件參數(shù)。該爆破條件參數(shù)是指實際待測質點所在位置的建筑類型，例如，土窯洞、土培房、毛石房屋、磚房、鋼筋混凝土結構房屋等等。步驟S205：根據所述爆破條件參數(shù)調用與該爆破條件參數(shù)對應的預存儲的標準安全振速參數(shù)范圍。每種爆破條件參數(shù)均對應有一個標準安全振速參數(shù)范圍，如表3所示。表3步驟S206：判斷所述實際待測質點振速參數(shù)是否大于所述標準安全振速參數(shù)范圍，如果是，則執(zhí)行步驟207，如果否，則執(zhí)行步驟208。步驟S207：輸出不安全的結果信息。步驟S208：輸出安全的結果信息。例如，輸入的爆破條件參數(shù)是土窯洞，則與土窯洞對應的標準安全振速參數(shù)范圍為0.5m/s～1.0m/s，判斷到實際待測質點振速參數(shù)大于1.0m/s時，則輸出不安全的結果信息，當判斷到實際待測質點振速參數(shù)小于等于1.0m/s時，則輸出安全的結果信息。另外還可以根據表3提供的數(shù)據對爆破振動安全距離進行計算，爆破振動安全距離公式如下：R安全＝(K/V安全)1/αQ21/β其中，R安全為爆破振動安全距離，V安全為標準安全振速參數(shù)范圍。本發(fā)明實施例的提供的一種水下爆破安全測定方法，在初始化第一傳播介質參數(shù)、第二傳播介質參數(shù)以及高程差因子時，可利用高程差因子對第一傳播介質參數(shù)和第二傳播介質參數(shù)進行修正，在根據實際初始化后的第一傳播介質參數(shù)、第二傳播介質參數(shù)、高程差因子、實際裝藥量參數(shù)、實際爆心距參數(shù)以及實際高程差參數(shù)計算實際待測質點振速參數(shù)時，極大地減小了計算所得的實際待測質點振速參數(shù)與實際的待測質點振速參數(shù)的誤差，因此當利用計算所得的實際待測質點參數(shù)與標準安全振速參數(shù)范圍進行比對時，所輸出的結果信息更為可靠實用。請參閱圖3，是本發(fā)明較佳實施例提供的圖1所示的水下爆破安全測定裝置300的功能單元示意圖。需要說明的是，本實施例所提供的水下爆破安全測定裝置300，其基本原理及產生的技術效果和上述實施例相同，為簡要描述，本實施例部分未提及之處，可參考上述的實施例中相應內容。所述水下爆破安全測定裝置300包括：參數(shù)初始化單元301，用于初始化第一傳播介質參數(shù)、第二傳播介質參數(shù)以及高程差因子。本實施例中，作為一種實施方式，參數(shù)初始化單元301用于通過修正的薩道夫斯基公式V2＝K(Q21/3/R2)α(Q21/3/|H2|)β通過線性回歸分析法初始化所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)以及所述高程差因子；所述線性回歸分析法包括：將修正的薩道夫斯基公式V2＝K(Q21/3/R2)α(Q21/3/|H2|)β變形為V2＝KPRαPHβ，其中PR為距離比例藥量，PR＝Q21/3/R2，PH2為高程比例藥量，PH2＝Q21/3/|H2|，對算式V2＝KPRαPH2β進行線性化處理，并對該方程兩邊取對數(shù)，并分別將多組所述模擬裝藥量參數(shù)、所述模擬爆心距參數(shù)以及所述模擬高程差參數(shù)帶入該方程得到一個矩陣方程組，對所述矩陣方程組求解得到所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)以及所述高程差因子，其中，V2為第二待測質點的振動速度，K為第一傳播介質參數(shù)，α為第二傳播介質參數(shù)，β為高程差因子，Q2為模擬裝藥量參數(shù)，R2為模擬爆心距參數(shù)，H2為第二待測質點到爆源的模擬高程差參數(shù)。本實施例中，作為另外一種實施方式，參數(shù)初始化單元301用于通過修正的薩道夫斯基公式V2＝K(Q21/3/R2)α(Q21/3/|H2|)β通過非線性回歸分析法初始化所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)以及所述高程差因子；所述非線性回歸分析法包括：分別將多組所述模擬裝藥量參數(shù)、所述模擬爆心距參數(shù)以及所述模擬高程差參數(shù)帶入修正的薩道夫斯基公式V2＝K(Q21/3/R2)α(Q21/3/|H2|)β，并對得到的所有方程組進行求和得到算式其中PRi為距離比例藥量，PRi＝Q21/3/Ri，PHi為高程比例藥量，PHi＝Q21/3/|Hi|，i為每組參數(shù)的序號，其中i為大于0的整數(shù)，M2為非線性殘差平方和，對算式分別對K、α、β偏導得到一個方程組，利用牛頓迭代法對該方程組求解得到第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)以及高程差因子，其中，Vi為第二待測質點的振動速度，K為第一傳播介質參數(shù)，α為第二傳播介質參數(shù)，β為高程差因子，Q2為模擬裝藥量參數(shù)，Ri為模擬爆心距參數(shù)，Hi為待測質點到爆源的模擬高程差參數(shù)。水下鉆爆單耗值計算單元302，用于通過算式q0＝q1+0.01h2+0.02h3+0.03h4獲得水下鉆爆單耗值，其中，q1為基本單耗，h2為水深深度，h3為覆蓋層深度，h4為梯段高度。實際裝藥量參數(shù)計算單元303，用于通過算式Q1＝n×q0×a×b×h1求得實際裝藥量參數(shù)，其中，n為炮孔的個數(shù)，q0為水下鉆爆單耗值，a為相鄰兩個炮孔之間的孔距，b為相鄰兩排炮孔之間的排距，h1為鉆孔深度，Q1實際裝藥量參數(shù)。參數(shù)獲得單元304，用于獲得實際裝藥量參數(shù)、實際爆心距參數(shù)以及實際高程差參數(shù)，所述實際爆心距參數(shù)為實際待測質點到爆源的直線距離，所述實際高程差參數(shù)為實際待測質點所在的水平面到爆心所在的水平面之間的垂直距離。實際待測質點振速計算單元305，用于根據所述第一傳播介質參數(shù)、所述第二傳播介質參數(shù)、所述高程差因子、所述實際裝藥量參數(shù)、所述實際爆心距參數(shù)以及所述實際高程差參數(shù)計算出實際待測質點振速參數(shù)。優(yōu)選地，實際待測質點振速計算單元305用于根據修正的薩道夫斯基公式V1＝K(Q11/3/R1)α(Q11/3/|H1|)β計算出實際待測質點振速參數(shù)，其中V1為實際待測質點振速參數(shù)，K為第一傳播介質參數(shù)，α為第二傳播介質參數(shù)，β為高程差因子，Q1為實際裝藥量參數(shù)，R1為實際爆心距參數(shù)，H1為實際待測質點到爆源的實際高程差參數(shù)。爆破條件參數(shù)獲得單元306，用于獲得爆破條件參數(shù)。標準安全振速參數(shù)范圍調用單元307，用于根據所述爆破條件參數(shù)調用與該爆破條件參數(shù)對應的預存儲的標準安全振速參數(shù)范圍。判斷單元308，用于判斷所述實際待測質點振速參數(shù)是否大于所述標準安全振速參數(shù)范圍。結果信息輸出單元309，若所述實際待測質點振速參數(shù)大于預設的標準安全振速參數(shù)范圍，則輸出不安全的結果信息，若所述實際待測質點振速參數(shù)不超過所述標準安全振速參數(shù)范圍，則輸出安全的結果信息。在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的裝置和方法，也可以通過其它的方式實現(xiàn)。以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，附圖中的流程圖和框圖顯示了根據本發(fā)明的多個實施例的裝置、方法和計算機程序產品的可能實現(xiàn)的體系架構、功能和操作。在這點上，流程圖或框圖中的每個方框可以代表一個模塊、程序段或代碼的一部分，所述模塊、程序段或代碼的一部分包含一個或多個用于實現(xiàn)規(guī)定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。也應當注意，在有些作為替換的實現(xiàn)方式中，方框中所標注的功能也可以以不同于附圖中所標注的順序發(fā)生。例如，兩個連續(xù)的方框實際上可以基本并行地執(zhí)行，它們有時也可以按相反的順序執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。也要注意的是，框圖和/或流程圖中的每個方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合，可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或動作的專用的基于硬件的系統(tǒng)來實現(xiàn)，或者可以用專用硬件與計算機指令的組合來實現(xiàn)。另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能模塊可以集成在一起形成一個獨立的部分，也可以是各個模塊單獨存在，也可以兩個或兩個以上模塊集成形成一個獨立的部分。所述功能如果以軟件功能模塊的形式實現(xiàn)并作為獨立的產品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術方案本質上或者說對現(xiàn)有技術做出貢獻的部分或者該技術方案的部分可以以軟件產品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產品存儲在一個存儲介質中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，服務器，或者網絡設備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質包括：U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM，Read-OnlyMemory)、隨機存取存儲器(RAM，RandomAccessMemory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。應注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步定義和解釋。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術領域：
的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應所述以權利要求的保護范圍為準。當前第1頁1 2 3