本發(fā)明實(shí)施例涉及檢測技術(shù)，尤其涉及一種光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)、制造方法及測量方法。

背景技術(shù)：

當(dāng)今微電子薄膜，光學(xué)薄膜，抗氧化薄膜，巨磁電阻薄膜，高溫超導(dǎo)薄膜等在工業(yè)生產(chǎn)和人類生活中的不斷應(yīng)用，在工業(yè)生產(chǎn)的薄膜，其厚度是一個非常重要的參數(shù)，薄膜厚度指的是基片表面和薄膜表面的距離，而實(shí)際上薄膜厚度的任何微小變化，對集成電路的性能都會產(chǎn)生直接的影響。除此之外，薄膜材料的力學(xué)性能，透光性能，磁性能，熱導(dǎo)率，表面結(jié)構(gòu)等都與厚度有著密切的聯(lián)系。

現(xiàn)有的測量光學(xué)薄膜的方法，其具體步驟包括：步驟A、取玻璃基材，于70℃的玻璃清洗液中超聲清潔30min，繼續(xù)用去離子水超聲清洗30min，將玻璃基板烘干待用。步驟B、將烘干后的玻璃基材放入裝載有蒸鍍原料的真空蒸鍍機(jī)內(nèi)，蒸鍍原料包括銀和待測薄膜材料8-羥基喹啉鋁(Alq₃)，對蒸鍍機(jī)抽真空，使得真空度達(dá)到5*10^-4Pa。步驟C、于抽真空完成后，加熱銀源，在玻璃基材表面沉積銀反射薄膜層，沉積速率為沉積厚度為100nm。步驟D、于銀反射薄膜層沉積完成后，加熱Alq₃源，在銀反射薄膜層上沉積Alq₃，沉積速率為為了具體闡述此種方法的缺陷，分別沉積厚度為63nm、92nm、121nm、150nm的待測薄膜層。步驟E、對蒸鍍機(jī)做破真空處理，取出樣品。完成上述步驟后即可獲得如圖1所示待測薄膜樣品。

目前測量薄膜厚度的主要儀器有表面輪廓儀或臺階儀。它通過控制探測針在薄膜表面移動使探針產(chǎn)生跳躍運(yùn)動，探針的跳躍運(yùn)動會產(chǎn)生高度變化，這種高度變化由位移傳感器轉(zhuǎn)變成電信號，并在計算機(jī)中以曲線的形式展現(xiàn)，讀取有薄膜的地方和沒有薄膜的地方的高度差，即可或薄膜的厚度。但是這種方法的測量精度有限，尤其是對于較軟的薄膜，例如有機(jī)薄膜，由于探測針的尖端直徑很小，在測量過程易將薄膜劃傷損壞。

為了解決對樣品造成損傷的問題，現(xiàn)有技術(shù)中研發(fā)出通過光學(xué)干涉測量薄膜厚度的測量方法。干涉法測膜厚的原理，可見入射光照射透明薄膜表面，入射光會分別在待測薄膜層的上、下表面層發(fā)生反射，產(chǎn)生兩束反射光。兩束反射光發(fā)生干涉，當(dāng)薄膜厚度d滿足公式2nd＝iλ，(n是薄膜折射率，i是大于零的正整數(shù)，λ是波長)波長為λ的光線會發(fā)生相干相長，從而在反射譜上會出現(xiàn)強(qiáng)度較高的干涉峰。當(dāng)薄膜厚度d滿足公式2nd＝(i+1/2)λ，波長為λ的光線會發(fā)生相干相消，從而在反射譜上會有強(qiáng)度較低的反射峰。所以根據(jù)反射峰的位置可以推算出薄膜厚度的大小。

對上述如圖1所示的待測薄膜樣品做光學(xué)測量，包括基底1、設(shè)置于基底1上方的反射膜層2、以及設(shè)置于反射膜層2上方的待測薄膜層3，入射光投射至待測薄膜層3表面后，入射光線在待測薄膜層3內(nèi)部下表面被反射，當(dāng)反射后的光線投射至待測薄膜層3上表面時，大部分光線折射進(jìn)入空氣，少量的光線反射進(jìn)入待測薄膜層3，則其反射譜的測量結(jié)果如圖2所示，其中圖2a為63nm厚的待測薄膜反射譜，圖2b為92nm厚的待測薄膜層反射譜、圖2c為121nm厚的待測薄膜層反射譜、圖2d為150nm厚的待測薄膜層反射譜，圖2e為63nm厚的待測薄膜、92nm厚的待測薄膜層、121nm厚的待測薄膜層反射譜、150nm厚的待測薄膜層的所有反射譜集合圖，由于入射光在待測薄膜層的上表面反射較弱，其形成的干涉效應(yīng)不明顯，尤其是當(dāng)薄膜厚度小于100nm時，反射譜在可見光波段沒有明顯的干涉峰，因此很難精確實(shí)施擬合反射譜處理，其結(jié)果就是造成測量的不準(zhǔn)確。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以顯著的增強(qiáng)待測薄膜的反射干涉，使反射譜呈現(xiàn)出尖銳的干涉峰，從而提高擬合的精確度。同時提供一種應(yīng)用光學(xué)微結(jié)構(gòu)的測量方法，該測量方法可以精確的測量厚度小于100nm的透明或半透明薄膜，分辨力低至1nm。有效提高了測量薄膜厚度的準(zhǔn)確度。

第一方面，本發(fā)明提供一種用于測量光學(xué)薄膜厚度的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)，其中，包括

全反射層，所述全反射層承載于一襯底之上；

待測薄膜層，設(shè)置于所述反射層表面；

半反射膜層，設(shè)置于所述待測薄膜層表面。

優(yōu)選地，上述的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)，其中，所述半反射膜層的可見光波的反射率為10％～80％。

優(yōu)選地，上述的用于測量光學(xué)薄膜厚度的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)，其中，所述半反射膜層為金屬薄膜層，所述金屬薄膜層的厚度為10～40nm。

優(yōu)選地，上述的用于測量光學(xué)薄膜厚度的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬薄膜層為鋁薄膜層、銅薄膜層或銀薄膜層。

優(yōu)選地，上述的用于測量光學(xué)薄膜厚度的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)，其中，所述全反射層為鋁反射薄膜層、銅反射薄膜層或銀反射薄膜層。

第二方面，本發(fā)明提供一種制作光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的方法，其中，具體包括，

提供設(shè)置于一襯底之上的全反射層；

于所述全反射層表面蒸渡沉積一待測薄膜層；

于所述待測薄膜側(cè)層表面蒸渡沉積一半反射膜層。

優(yōu)選地，上述的制作光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的方法，其中，于5*10^-4Pa真空中實(shí)施蒸渡沉積操作。

第三方面，本發(fā)明提供一種應(yīng)用光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的測量方法，其中，應(yīng)用一薄膜反射譜測量裝置實(shí)施該方法：具體包括，

控制所述薄膜反射譜測量裝置接收一具有待測薄膜層的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的反射譜；其中所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)包括全反射層、待測薄膜層、半反射膜層；

測量所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)形成第一反射光譜；

接收外部輸入所述待測薄膜層的預(yù)計厚度值、所述半反射膜層的預(yù)計厚度值、所述全反射層折射率、待測薄膜層折射率、半反射膜層折射率；

根據(jù)所述全反射層折射率、待測薄膜層折射率、半反射膜層折射率以及一所述待測薄膜層的預(yù)計厚度計算形成所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的第二反射光譜；

外部調(diào)節(jié)所述待測薄膜層的預(yù)計厚度、所述半反射膜層的預(yù)計厚度，以使所述第一反射光譜擬合匹配所述第二反射光譜；

其中，于所述第一反射光譜匹配所述第二反射光譜的狀態(tài)下，所述待測薄膜層的預(yù)計厚度調(diào)節(jié)值為所述待測薄膜層的實(shí)際厚度。

優(yōu)選地，上述的應(yīng)用光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的測量方法，其中；根據(jù)所述全反射層折射率、待測薄膜層折射率、半反射膜層折射率結(jié)合所述預(yù)定厚度采用轉(zhuǎn)移矩陣法計算形成所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的第二反射光譜。

優(yōu)選地，上述的應(yīng)用光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的測量方法，其中；所述薄膜反射譜測量裝置包括：

可見光源，用以輸出可見光至所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)；

光譜儀，用以測量所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)形成所述第一反射光譜；

計算單元，根據(jù)所述全反射層折射率、待測薄膜層折射率、半反射膜層折射率結(jié)合一預(yù)定的厚度計算形成所述第二反射光譜，根據(jù)所述第二反射光譜對所述第一反射光譜做擬合處理。

本申請中，通過半反射層與待測薄膜層的接觸表面形成第一介質(zhì)分界面，待測薄膜層與全發(fā)射膜層的接觸表面形成第二介質(zhì)分界面。入射光在第一介質(zhì)分界面與第二介質(zhì)分界面之間來回反復(fù)反射，一束光線通過第一介質(zhì)分界面、第二介質(zhì)分界面形成多束用以產(chǎn)生干涉效應(yīng)的光線，使得反射譜上呈現(xiàn)出較明顯的尖銳干涉峰，有利于在后續(xù)測量過程中，能夠較準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)光譜擬合，提高待測薄膜厚度測量準(zhǔn)確度。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中待測薄膜樣品的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中對待測薄膜樣品的測量結(jié)果示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的用于測量光學(xué)薄膜厚度的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中提供的制作光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的方法流程示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種測量薄膜厚度的方法的流程示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例中提供的所有樣品的第一反射光譜示意圖。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例中第一樣品的第一反射光譜與第二反射光譜的擬合圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例中第二樣品、第三樣品的第一反射光譜與第二反射光譜的分別擬合的光譜擬合圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例中第四樣品的第一反射光譜與第二反射光譜的擬合圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例中第五樣品的第一反射光譜與第二反射光譜的擬合圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例中薄膜反射譜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)有技術(shù)中，之所以入射光在待測薄膜層的上表面反射較弱，其形成的干涉峰效應(yīng)不明顯，其原因在于：待測薄膜層的上表面為空氣，空氣為透明介質(zhì)，待測薄膜層為透明或半透明介質(zhì)，且空氣相對于待測薄膜層而言為光疏介質(zhì)，第一次反射光線從一種透明或半透明介質(zhì)(待測薄膜層)投射至另一種透明介質(zhì)(空氣)時，由于光速的差異，使得第一次反射光線中的大部分光線發(fā)生折射進(jìn)入空氣中，只有很小量的光線反射再次進(jìn)入待測薄膜層中，進(jìn)而導(dǎo)致光線在待測薄膜層的上表面反射能力較弱(折射能力較強(qiáng))，其形成的干涉峰效應(yīng)不明顯。

實(shí)施例一

為了獲得較為明顯的尖銳干涉峰，如圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例一提供的用于測量光學(xué)薄膜厚度的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，該光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)主要用于工業(yè)薄膜的小試過程，或者是對生產(chǎn)制造工業(yè)薄膜的儀器設(shè)備進(jìn)行校驗(yàn)的過程中。該光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)具體結(jié)構(gòu)如下：

全反射層，所述全反射層承載于一襯底之上；

待測薄膜層，設(shè)置于所述反射層表面；

半反射膜層，設(shè)置于所述待測薄膜層表面。因待測薄膜層介質(zhì)與半反射膜層介質(zhì)不同。入射光線從半反射膜層進(jìn)入待測薄膜層中，入射光線部分被反射至空氣中，部分被折射至待測薄膜層中。

在上述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)中，半反射層與待測薄膜層的接觸表面形成第一介質(zhì)分界面，待測薄膜層與全發(fā)射膜層的接觸表面形成第二介質(zhì)分界面。

繼續(xù)如圖3所示，入射光以一預(yù)定的入射角投射至光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)表面后，入射光于第一介質(zhì)分界面發(fā)生第一折射形成第一次折射光線P_z1，(入射光于第一介質(zhì)分界面發(fā)生折射與部分反射，但第一次反射光線P_f1不進(jìn)入待測薄膜層且光線較少，對待測薄膜層的測量不發(fā)生實(shí)際作用，為了描述方便，圖3僅僅示意折射光線，)折射光線進(jìn)入待測薄膜層，當(dāng)?shù)谝淮握凵涔饩€P_z1投射至第二介質(zhì)分界面后發(fā)生全反射層形成第二次反射光線P_f2，第二次反射光線P_f2再次被反射至第一介質(zhì)分界面，因第一介質(zhì)面由待測薄膜層與半發(fā)射膜層形成，第二次反射光線P_f2投射至半反射膜層后形成第二次折射光線P_z2和第三次反射光線P_f3，第三次反射光線P_f3投射至第二介質(zhì)分界面后再次全反射形成第四次反射光線P_f4，第四次反射光線P_f4投射至半反射膜層后形成第三次折射光線P_z3和第五次反射光線P_f5，依次類推形成P_f5、P_z4……，其中，第二次折射光線P_z2，第三次折射光線P_z3、第四次折射光線P_z4……相位相同、頻率相同，則第二次折射光線P_z2，第三次折射光線P_z3、第四次折射光線P_z4……產(chǎn)生光的干涉，且干涉增強(qiáng)，在反射譜上呈現(xiàn)出尖銳的干涉峰。

本申請中，通過半反射層與待測薄膜層的接觸表面形成第一介質(zhì)分界面，待測薄膜層與全發(fā)射膜層的接觸表面形成第二介質(zhì)分界面。入射光在第一介質(zhì)分界面與第二介質(zhì)分界面之間來回反復(fù)反射，一束光線通過第一介質(zhì)分界面、第二介質(zhì)分界面形成多束用以產(chǎn)生干涉效應(yīng)的光線，使得反射譜上呈現(xiàn)出較明顯的尖銳干涉峰，有利于在后續(xù)測量過程中，能夠較準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)光譜擬合，提高待測薄膜厚度測量準(zhǔn)確度。

作為進(jìn)一步優(yōu)選方案，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述半反射膜層的可見光波的反射率為10％～80％。通過調(diào)整半反射膜層的反射率，主要用以控制形成干涉的折射光線的數(shù)量。當(dāng)半反射膜層的反射率越高，則形成干涉的折射光線數(shù)量越多。不同的測量過程中選擇不同的反射率,本申請不做具體限制，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用選擇匹配的反射率。

實(shí)施例二

于實(shí)施例1中，通過全反射層21與待測薄膜層22的接觸表面形成第二介質(zhì)分界面，待測薄膜層22與半發(fā)射膜層的接觸表面形成第一介質(zhì)分界面。進(jìn)而形成較尖銳的干涉峰，上述技術(shù)方案中，除了待測薄膜層22中產(chǎn)生光的干涉，在半反射膜層23中也可以產(chǎn)生光的干涉，進(jìn)而影響檢測準(zhǔn)確度。

半反射膜層23上表面為空氣，空氣與半反射膜層23表面形成第三介質(zhì)分界面，進(jìn)而入射光在半反射膜層23中產(chǎn)生光的干涉，進(jìn)而影響檢測準(zhǔn)確度。為了克服這一缺陷，本申請再提供一種光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)，包括，

全反射層21，所述全反射層21承載于一襯底之上；

待測薄膜層22，設(shè)置于所述反射層表面；

半反射膜層23，設(shè)置于所述待測薄膜層22表面，

其中，所述半反射膜層23為金屬薄膜層，所述金屬薄膜層的厚度為10nm～40nm。所述金屬薄膜層為鋁薄膜層、銅薄膜層或銀薄膜層。

金屬薄膜層對入射光產(chǎn)生強(qiáng)烈吸收，根據(jù)能量守恒定律、愛里公式可知，干涉峰光譜的強(qiáng)度降低[1-A/(1-R)]²倍(其中A為金屬薄膜層的吸收率，R為金屬薄膜內(nèi)表面反射率),甚至，干涉峰強(qiáng)度只有入射光強(qiáng)度的幾十分之一。通過金屬薄膜形成的半反射膜層23，大大弱化了半反射膜層23的干涉峰，提高了檢測的準(zhǔn)確度。

作為進(jìn)一步優(yōu)選方案，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述全反射層21為鋁反射薄膜層、銅反射薄膜層或銀反射薄膜層。

實(shí)施例三

圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的制作光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的方法流程示意圖。

一種制作光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的方法，其中，具體包括，

提供設(shè)置于一襯底之上的全反射層；

于所述全反射層表面蒸渡沉積一待測薄膜層；進(jìn)一步地，于5*10^-4Pa真空中實(shí)施蒸渡沉積操作。

于所述待測薄膜側(cè)層表面蒸渡沉積一半反射膜層，進(jìn)一步地，于5*10^-4Pa真空中實(shí)施蒸渡沉積操作。

進(jìn)一步地，以玻璃基材形成襯底，以銀反射薄膜側(cè)形成全反射層、半反射膜層，其具體制作光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的方法包括：

步驟S1、取玻璃基材，于70℃的玻璃清洗液對玻璃基材超聲清潔30min，繼續(xù)用去離子水超聲清洗30min，最后將玻璃基材烘干待用。

步驟S2、將處理后的玻璃基材放入裝載有蒸渡原料的蒸鍍機(jī)內(nèi)，蒸鍍原料包括銀和待測薄膜材料——8-羥基喹啉鋁(Alq₃)，對蒸鍍機(jī)做抽真空處理，真空度達(dá)到5*10^-4Pa。

步驟S3、加熱銀源，在玻璃基材上沉積銀反射薄膜層，沉積速率為沉積厚度為100nm。

步驟S4、加熱Alq₃源，在銀反射薄膜層上沉積Alq₃，沉積速率為此處為了后續(xù)的測試實(shí)驗(yàn)，可分別制作沉積四個厚度不同的待測薄膜層，其厚度分別為50nm、92nm、95nm、121nm、150nm，設(shè)50nm厚的待測薄膜層為第一樣品X1、92nm厚的待測薄膜層為第二樣品X2、95nm厚的待測薄膜層為第三樣品X3、121nm厚的待測薄膜層為第四樣品X4、150nm厚的待測薄膜層為第五樣品X5。

步驟S5、完成沉積Alq₃后，加熱銀源，于Alq₃上沉積半反射銀薄膜層，沉積速率為沉積厚度為20nm。

步驟S6、對熱蒸鍍機(jī)做破真空處理，取出樣品待測。

實(shí)施例四

圖5為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種測量薄膜厚度的方法的結(jié)構(gòu)示意圖。

一種應(yīng)用薄膜反射譜測量裝置實(shí)施測量薄膜厚度的方法：具體包括，

步驟S10、控制所述薄膜反射譜測量裝置接收一具有待測薄膜層的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的反射譜；其中所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)包括全反射層、待測薄膜層、半反射膜層；

步驟S20、測量所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)形成第一反射光譜；以上述的第一樣品X1、第二樣品X2、第三樣品X3、第四樣品X4、第五樣品X5為例，其測量結(jié)果如圖6所示，其中第二樣品X2、第三樣品X3的厚度僅僅相差3nm，但其干涉峰的位置明顯不同。

步驟S30、接收外部輸入所述待測薄膜層的預(yù)計厚度值、所述半反射膜層的預(yù)計厚度值、所述全反射層折射率、待測薄膜層折射率、半反射膜層折射率；

步驟S40、根據(jù)所述全反射層折射率、待測薄膜層折射率、半反射膜層折射率以及一所述待測薄膜層的預(yù)計厚度計算形成所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的第二反射光譜；其中，根據(jù)所述全反射層折射率、待測薄膜層折射率、半反射膜層折射率結(jié)合所述預(yù)定厚度采用轉(zhuǎn)移矩陣法計算形成所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)的第二反射光譜。

步驟S50、外部調(diào)節(jié)所述待測薄膜層的預(yù)計厚度、所述半反射膜層的預(yù)計厚度，以使所述第一反射光譜擬合匹配所述第二反射光譜；

其中，于所述第一反射光譜匹配所述第二反射光譜的狀態(tài)下，所述待測薄膜層的預(yù)計厚度調(diào)節(jié)值為所述待測薄膜層的實(shí)際厚度。

繼續(xù)以第一樣品X1、第二樣品X2、第三樣品X3、第四樣品X4、第五樣品X5為例。

如圖7所示，第一樣品X1的第一反射光譜與第二反射光譜的擬合圖；于所述第一反射光譜匹配所述第二反射光譜的狀態(tài)下，所述第一樣品X1的預(yù)計厚度調(diào)節(jié)值為所述第一樣品X1的實(shí)際厚度。

如圖8所示，第二樣品X2、第三樣品X3的第一反射光譜與第二反射光譜的擬合圖；此處為了突出本申請的優(yōu)勢，將厚度相差3nm的樣品同時做擬合處理，二者均可以得到精確的擬合。其原理同上，此處不做贅述。

如圖9所示，第四樣品X4的第一反射光譜與第二反射光譜的擬合圖；其原理同上，此處不做贅述。

如圖10所示，第五樣品X5的第一反射光譜與第二反射光譜的擬合圖，其原理同上，此處不做贅述。

于上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，如圖11所示所述薄膜反射譜測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，

所述薄膜反射譜裝置包括：

可見光源，用以通過一光纖將可見光輸出至所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)；

光譜儀，用以測量所述光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)形成所述第一反射光譜；其中多束用于產(chǎn)生干涉效應(yīng)的光線通過光纖傳輸至光譜儀，光譜儀根據(jù)多束光線形成所述第一反射光譜；

計算單元，根據(jù)所述全反射層折射率、待測薄膜層折射率、半反射膜層折射率結(jié)合一預(yù)定的厚度計算形成所述第二反射光譜，根據(jù)所述第二反射光譜對所述第一反射光譜做擬合處理。

雖然本發(fā)明的各個方面在獨(dú)立權(quán)利要求中給出，但是本發(fā)明的其它方面包括來自所描述實(shí)施方式的特征和/或具有獨(dú)立權(quán)利要求的特征的從屬權(quán)利要求的組合，而并非僅是權(quán)利要求中所明確給出的組合。

這里所要注意的是，雖然以上描述了本發(fā)明的示例實(shí)施方式，但是這些描述并不應(yīng)當(dāng)以限制的含義進(jìn)行理解。相反，可以進(jìn)行若干種變化和修改而并不背離如所附權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明的范圍。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。