本文公開(kāi)的主題一般涉及用于非侵入式成像的射線照相(radioraphic)檢測(cè)器，并且特別地涉及具有設(shè)置在電襯底內(nèi)的不透射線通孔的堆疊層的輻射檢測(cè)器的構(gòu)造和使用。

在射線照相系統(tǒng)中，X射線源向待成像的目標(biāo)或?qū)ο?例如患者、制造零件、包裝或行李件)發(fā)射輻射(例如X射線)。如本文所用的，術(shù)語(yǔ)“對(duì)象”或“目標(biāo)”可交換的用于描述能夠成像的任何東西。發(fā)射的X射線，在由對(duì)象或目標(biāo)衰減后，通常撞擊電子檢測(cè)器的輻射檢測(cè)器元件的陣列。到達(dá)檢測(cè)器的輻射的強(qiáng)度通常取決于穿過(guò)掃描的對(duì)象和目標(biāo)的X射線的衰減和吸收。在檢測(cè)器處，閃爍體可以將一些X射線輻射轉(zhuǎn)換為更低能量的光量子，其撞擊配置成檢測(cè)光量子的檢測(cè)器元件。每個(gè)檢測(cè)器元件然后產(chǎn)生指示檢測(cè)到的可見(jiàn)光的單獨(dú)的電信號(hào)，其通常對(duì)應(yīng)于元件的特定位置處的入射X射線輻射。電信號(hào)被收集、數(shù)字化并傳輸?shù)綌?shù)據(jù)處理系統(tǒng)用于分析并進(jìn)一步處理以重建圖像。

在某些情況下，然而，X射線的一些部分，可旁路閃爍體，不與閃爍體材料相互作用或者可在其中閃爍體材料不存在的一個(gè)或多個(gè)位點(diǎn)處貫穿閃爍體。例如，可存在非閃爍體材料的平面，其將閃爍體分成分立的“像素”或檢測(cè)器元件。在這些情景下，某個(gè)量的X射線輻射可因此穿過(guò)閃爍體，例如沿著這些分隔物(divider)，而不被吸收和/或轉(zhuǎn)換。這種X射線輻射可因此行動(dòng)以將定位在輻射路徑中的任何電子設(shè)備或電路系統(tǒng)降級(jí)。因此，提供有助于減少影響定位在輻射路徑中的電子設(shè)備或電路系統(tǒng)的輻射量的系統(tǒng)和方法可以是有益的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種輻射檢測(cè)器。所述輻射檢測(cè)器包括閃爍體層，其將入射的輻射轉(zhuǎn)換為更低能量的光量子。所述閃爍體層包括多個(gè)由一個(gè)或多個(gè)分隔物形成的像素，并且所述一個(gè)或多個(gè)分隔物形成一條或多條穿過(guò)所述閃爍體層的路徑。所述輻射檢測(cè)器還包括：光電檢測(cè)器層，其檢測(cè)由閃爍體層內(nèi)的多個(gè)像素生成的更低能量的光子；和接收由光電檢測(cè)器層生成的信號(hào)的信號(hào)電子設(shè)備。所述輻射檢測(cè)器還包括一個(gè)或多個(gè)阻擋層，其設(shè)置在光電檢測(cè)器層和信號(hào)電子設(shè)備之間。所述一個(gè)或多個(gè)阻擋層中的每個(gè)阻擋層包括導(dǎo)電通孔，其包括阻擋來(lái)自一條或多條輻射路徑的輻射以免到達(dá)信號(hào)電子設(shè)備的高Z材料。

在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種輻射檢測(cè)器。所述輻射檢測(cè)器包括：光電檢測(cè)器層，其檢測(cè)由閃爍體層生成的更低能量的光子；和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)，其接收由所述光電檢測(cè)器層生成的信號(hào)。所述輻射檢測(cè)器還包括一個(gè)或多個(gè)堆疊的阻擋層，其設(shè)置于所述光電檢測(cè)器層和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)之間。所述一個(gè)或多個(gè)堆疊的阻擋層中的每一個(gè)阻擋層包括多個(gè)設(shè)置在電襯底內(nèi)的通孔。所述多個(gè)通孔填充有阻擋或吸收來(lái)自閃爍體層的入射輻射以免到達(dá)模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)的高Z材料。

在另外實(shí)施例中，提供了一種方法。所述方法包括形成多個(gè)通孔到兩個(gè)或多個(gè)電襯底中，并且所述多個(gè)通孔中的每個(gè)通孔填充有高Z材料。所述方法還包括堆疊兩個(gè)或多個(gè)電襯底，使得多個(gè)填充的通孔相對(duì)于彼此交錯(cuò)。

本文公開(kāi)了下面技術(shù)方案：

1.一種輻射檢測(cè)器，包括：

閃爍體層，配置成將入射輻射轉(zhuǎn)換為更低能量光量子，其中所述閃爍體層包括由一個(gè)或多個(gè)分隔物形成的多個(gè)像素，并且其中所述一個(gè)或多個(gè)分隔物形成一條或多條穿過(guò)所述閃爍體層的輻射路徑；

光電檢測(cè)器層，配置成檢測(cè)由所述閃爍體層內(nèi)的所述多個(gè)像素生成的更低能量光子；

信號(hào)電子設(shè)備，配置成接收由所述光電檢測(cè)器層生成的信號(hào)；以及

設(shè)置于所述光電檢測(cè)器層和所述信號(hào)電子設(shè)備之間的一個(gè)或多個(gè)阻擋層，其中所述一個(gè)或多個(gè)阻擋層中的每個(gè)阻擋層包括含有高Z材料的導(dǎo)電通孔，所述高Z材料配置成阻擋來(lái)自所述一條或多條輻射路徑的輻射以免到達(dá)所述信號(hào)電子設(shè)備。

2.根據(jù)技術(shù)方案1所述的輻射檢測(cè)器，其中每個(gè)阻擋層包括設(shè)置在電襯底內(nèi)的多個(gè)通孔，并且來(lái)自所述多個(gè)通孔中的每個(gè)通孔填充有所述高Z材料。

3.根據(jù)技術(shù)方案2所述的輻射檢測(cè)器，其中所述高Z材料包括鎢、鉛、鉿、鉬、鉭、鎢和氧化鋁的混合物，鎢和鉬的混合物，鉬和氧化鋁的混合物中的一個(gè)或多個(gè)，或它們的任何組合。

4.根據(jù)技術(shù)方案2所述的輻射檢測(cè)器，其中所述電襯底由陶瓷材料或有機(jī)材料形成。

5.根據(jù)技術(shù)方案2所述的輻射檢測(cè)器，其中所述多個(gè)通孔布置在所述電襯底內(nèi)，以與所述閃爍體層的所述一條或多條輻射路徑基本上對(duì)齊。

6.根據(jù)技術(shù)方案2所述的輻射檢測(cè)器，其中所述多個(gè)通孔在所述一個(gè)或多個(gè)阻擋層間交錯(cuò)以增加所述一個(gè)或多個(gè)阻擋層的有效輻射阻擋面積，或消除來(lái)自所述閃爍體層或所述光電檢測(cè)器層的散射輻射。

7.根據(jù)技術(shù)方案1所述的輻射檢測(cè)器，其中所述光電檢測(cè)器層包括與所述閃爍體層的所述多個(gè)像素相關(guān)聯(lián)的多個(gè)光電二極管。

8.根據(jù)技術(shù)方案1所述的輻射檢測(cè)器，其中所述信號(hào)電子設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)特定用途集成電路(ASIC)。

9.根據(jù)技術(shù)方案1所述的輻射檢測(cè)器，其中所述信號(hào)電子設(shè)備包括模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)，其配置成將信號(hào)從模擬形式轉(zhuǎn)換為數(shù)字形式。

10.一種輻射檢測(cè)器，包括：

光電檢測(cè)器層，配置成檢測(cè)由閃爍體層生成的更低能量光子；

模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)，配置成接收由所述光電檢測(cè)器層生成的信號(hào)；以及

設(shè)置在所述光電檢測(cè)器層和所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)之間的一個(gè)或多個(gè)堆疊的阻擋層，其中所述一個(gè)或多個(gè)阻擋層中的每一個(gè)阻擋層包括設(shè)置在電襯底內(nèi)的多個(gè)通孔，并且其中所述多個(gè)通孔填充有高Z材料，其配置成阻擋或吸收來(lái)自所述閃爍體層入射輻射以免到達(dá)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)。

11.根據(jù)技術(shù)方案10所述的輻射檢測(cè)器，其中所述多個(gè)通孔布置在每個(gè)阻擋層的所述電襯底內(nèi)以與所述閃爍體層的所述入射輻射對(duì)齊。

12.根據(jù)技術(shù)方案10所述的輻射檢測(cè)器，其中所述多個(gè)通孔在所述一個(gè)或多個(gè)堆疊的阻擋層之間交錯(cuò)以增加所述一個(gè)或多個(gè)阻擋層的有效輻射阻擋面積。

13.根據(jù)技術(shù)方案10所述的輻射檢測(cè)器，其中來(lái)自所述多個(gè)通孔中的每個(gè)通孔的密度、尺寸、形狀、長(zhǎng)度、寬度、厚度、圖案或數(shù)量可以設(shè)計(jì)以遮蔽所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)以免輻射。

14.根據(jù)技術(shù)方案10所述的輻射檢測(cè)器，其中所述高Z材料包括鎢、鉛、鉿、鉬、鉭、鎢和鋁的混合物，鎢和鉬的混合物，鉬和鋁的混合物中的一個(gè)或多個(gè)，或它們的任何組合。

15.根據(jù)技術(shù)方案10所述的輻射檢測(cè)器，其中所述電襯底為陶瓷襯底，其包括鎢、鉛、鉿、鉬或鉭中的一個(gè)或多個(gè)。

16.根據(jù)技術(shù)方案所述10的輻射檢測(cè)器，其中所述電襯底為有機(jī)襯底，其包括鉛、鉛合金或多種導(dǎo)電膠中的一個(gè)或多個(gè)。

17.一種制造輻射檢測(cè)器的一個(gè)或多個(gè)阻擋層的方法，包括：

將多個(gè)通孔形成到兩個(gè)或多個(gè)電襯底中；

采用高Z材料填充所述多個(gè)通孔中的每個(gè)通孔；以及

將所述兩個(gè)或多個(gè)電襯底堆疊，使得所述多個(gè)填充的通孔相對(duì)于彼此交錯(cuò)。

18.根據(jù)技術(shù)方案17所述的方法，其中所述高Z材料包括鎢、鉛、鉿、鉬、鉭、鎢和鋁的混合物，鎢和鉬的混合物，鉬和鋁的混合物中的一個(gè)或多個(gè)，或它們的任何組合。

19.根據(jù)技術(shù)方案17所述的方法，其中所述電襯底為有機(jī)襯底或陶瓷襯底。

20.根據(jù)技術(shù)方案17所述的方法，包括將所述多個(gè)通孔沖孔或鉆孔到所述兩個(gè)或多個(gè)電襯底中。

附圖說(shuō)明

當(dāng)參考附圖閱讀以下詳細(xì)描述時(shí)，本實(shí)施例中的這些和其他特征、方面和益處將變得更好理解，其中所有附圖中相似的符號(hào)表示相似的部分，其中：

圖1描繪了適用供本文討論的檢測(cè)器的實(shí)施例使用的CT成像系統(tǒng)的結(jié)合圖和方框圖；

圖2描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的檢測(cè)器組合件的組件，包括一個(gè)或多個(gè)阻擋層的堆疊；

圖3描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的圖2的一個(gè)或多個(gè)阻擋層的堆疊的頂視圖；

圖4描繪了沿著線4取得的根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的圖3的一個(gè)或多個(gè)阻擋層的堆疊的表面的頂部細(xì)節(jié)圖；

圖5描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的圖3的一個(gè)或多個(gè)阻擋層的堆疊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的頂部細(xì)節(jié)圖；

圖6描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的跨切線6-6的圖3的一個(gè)或多個(gè)阻擋層的截面圖；以及

圖7描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例跨切線7-7的的圖3的一個(gè)或多個(gè)阻擋層的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下將描述一個(gè)或多個(gè)特定實(shí)施例。致力于提供這些實(shí)施例的簡(jiǎn)明扼要的描述，實(shí)際實(shí)現(xiàn)中的所有特征可能不會(huì)都在說(shuō)明書(shū)中描述。應(yīng)該領(lǐng)會(huì)，在任何實(shí)際實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，如任何工程或設(shè)計(jì)項(xiàng)目中，必須作出多種的實(shí)現(xiàn)特定決策以達(dá)到開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如負(fù)荷系統(tǒng)相關(guān)的和商業(yè)相關(guān)的約束，這可從一種實(shí)現(xiàn)改變到另一個(gè)。此外，應(yīng)該領(lǐng)會(huì)，這種開(kāi)發(fā)的努力是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于獲得本公開(kāi)的益處的本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)仍然是設(shè)計(jì)、制作和制造的例行任務(wù)。

當(dāng)引入本發(fā)明的各種實(shí)施例的元件時(shí)，冠詞“一”、“一個(gè)”、“該”和“所述”意圖表示有一個(gè)或多個(gè)該元件。術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”和“具有”意圖包含在內(nèi)并且表示可以有除了所列元件的附加元件。此外，以下討論的任何數(shù)字的示例均意圖非限制性的，并且由此附加的數(shù)值、范圍和百分比均在本公開(kāi)實(shí)施例的范圍內(nèi)。

本文描述的實(shí)施例涉及用于減少到達(dá)設(shè)置在射線照相成像系統(tǒng)內(nèi)和/或沿著輻射路徑設(shè)置的電路系統(tǒng)和/或信號(hào)電子設(shè)備的入射輻射量的系統(tǒng)和方法。例如，信號(hào)電子設(shè)備(例如模數(shù)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng))可以提供接近(例如垂直堆疊在其下方)閃爍體層、光電二極管層或成像系統(tǒng)的檢測(cè)器組合件的其他讀出組件。檢測(cè)器可以包括組件，例如散射柵格或閃爍體層，其吸收或減少(例如轉(zhuǎn)換為更低能量光量子)向著檢測(cè)器組合件發(fā)射的輻射。然而，諸如由于用于在閃爍體內(nèi)限定分立的檢測(cè)器元件(即像素)而形成于閃爍體內(nèi)的X射線能透射縫間隙，可允許一部分輻射旁路閃爍體并到達(dá)電路系統(tǒng)、電源和/或信號(hào)電子設(shè)備。在這種情況下，輻射(例如X射線)可影響受影響所影響的電路系統(tǒng)的性能，導(dǎo)致噪音或其他信號(hào)或性能的降級(jí)，或基礎(chǔ)功能性的損失。因此，在本文討論的某些實(shí)施例中，減少或消除到達(dá)電路系統(tǒng)和/或其他信號(hào)電子設(shè)備的輻射可能是有益的。

因此，本文討論的實(shí)施例涉及一個(gè)或多個(gè)堆疊的阻擋層，其使輻射吸收元件或材料定位以便保護(hù)下面的電路系統(tǒng)避免遭受入射X射線或其他輻射。特別地，所述一個(gè)或多個(gè)堆疊的阻擋層可以在檢測(cè)器組合件的光電二極管層和檢測(cè)器組合件的電路和/或信號(hào)電子設(shè)備之間設(shè)置。在某些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)阻擋層的每一個(gè)可以由電子襯底(例如陶瓷襯底、有機(jī)襯底等)形成，并且每個(gè)阻擋層可以包括設(shè)置在電子襯底內(nèi)的多個(gè)通孔，且包括電離能(例如X射線和/或γ射線)吸收材料。作為示例，在某些實(shí)施例中電離能吸收材料(例如高-Z材料)可以包括鎢、氧化鋁、鉬中的一種或多種，或任何其他適合的X射線或γ射線吸收材料。在某些實(shí)施例中，可以使用多個(gè)包括吸收材料的空腔，并且空腔設(shè)置在電子襯底內(nèi)，以替代通孔和/或作為通孔的補(bǔ)充。

此外，在某些實(shí)施例中，每個(gè)阻擋層內(nèi)的通孔可以布置或圖案化，以便與更易受X射線透射的位置相對(duì)應(yīng)，例如沿著將閃爍體分成像素的X射線透射平面。即，由通孔提供X射線吸收或阻擋，而不是均勻地跨在檢測(cè)器組合件的范圍內(nèi)，可以代替以在某些區(qū)域定位或圖案化，這些區(qū)域被認(rèn)為更可能發(fā)生X射線的透射。另外，本文討論的堆疊的阻擋層內(nèi)的通孔在一個(gè)或多個(gè)層之間可以是交錯(cuò)的或偏移的以增加輻射吸收或阻擋的有效面積，即增加如從X射線發(fā)射方向看去的通孔的有效輻射吸收寬度，同時(shí)仍然保持檢測(cè)器組合件的堆疊層之間的有效的電傳導(dǎo)通路。在這種方式下，通過(guò)交錯(cuò)或偏移輻射阻擋通孔的堆疊布置，入射輻射可以被減少和/或防止到達(dá)電路系統(tǒng)和/或信號(hào)電子設(shè)備。因此，應(yīng)該注意，在某些實(shí)施例中，通孔可以幫助減少到達(dá)多種電路系統(tǒng)和/或信號(hào)電子設(shè)備的輻射量，以及提供了光電二極管層的特征和電路系統(tǒng)和/或信號(hào)電子設(shè)備的特征的電耦連的電連接，如以下將進(jìn)一步描述的。

如本文所討論的檢測(cè)器可以用于多種射線照相成像系統(tǒng)，例如計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)系統(tǒng)、熒光鏡成像系統(tǒng)、乳房X射線照相術(shù)系統(tǒng)、C-臂血管造影術(shù)成像系統(tǒng)、層析X射線照相組合成像系統(tǒng)、傳統(tǒng)的射線照相成像系統(tǒng)等。作為示例，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供了一種CT成像系統(tǒng)。CT成像系統(tǒng)包括金屬化檢測(cè)器，其具有設(shè)置為直接位于閃爍體/光電二極管組合件后面的信號(hào)電子設(shè)備。為了簡(jiǎn)化，本討論通常描述了檢測(cè)器的使用和醫(yī)療造影領(lǐng)域的X射線成像系統(tǒng)。然而，應(yīng)該領(lǐng)會(huì)，所描述的輻射檢測(cè)器還可以用于非醫(yī)療上下文(例如安全和篩選系統(tǒng)和非破壞性檢測(cè)系統(tǒng))以及其他采用電離輻射用于非侵入式成像(例如正電子發(fā)射斷層掃描(PET)和單光子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層攝影(SPECT))的成像形態(tài)。此外，應(yīng)該領(lǐng)會(huì)，所描述的輻射檢測(cè)器還可以用于空間技術(shù)、核能工業(yè)、原子物理探索中和/或其他工業(yè)射線照相使用內(nèi)。

鑒于前述并參見(jiàn)圖1，示出計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)成像系統(tǒng)，其如包括臺(tái)架12，適于從患者周圍的多種角度視圖獲得X射線透射數(shù)據(jù)。臺(tái)架12具有X射線源14，其向臺(tái)架12的相對(duì)側(cè)上的檢測(cè)器組合件15投射X射線束16。檢測(cè)器組合件15包括準(zhǔn)直器組合件18、多個(gè)檢測(cè)器模塊20和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(DAS)32。多個(gè)檢測(cè)器模塊20檢測(cè)穿過(guò)醫(yī)療患者22的投射X射線，并且DAS32將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。傳統(tǒng)系統(tǒng)中的每個(gè)檢測(cè)器模塊20產(chǎn)生代表碰撞的x射線束的強(qiáng)度以及因此代表在它通過(guò)患者22時(shí)的衰減束的強(qiáng)度的模擬電信號(hào)，并且其通過(guò)在成像系統(tǒng)10中提供的轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。在掃描來(lái)采集X射線投影數(shù)據(jù)期間，臺(tái)架12和安裝在其上的組件繞著旋轉(zhuǎn)中心24旋轉(zhuǎn)。

臺(tái)架12的旋轉(zhuǎn)和X射線源14的操作由CT系統(tǒng)10的控制機(jī)構(gòu)26管理?？刂茩C(jī)構(gòu)26包括提供功率和定時(shí)信號(hào)給X射線源14的X射線控制器28和控制臺(tái)架12的轉(zhuǎn)速和位置的臺(tái)架電機(jī)控制器30。圖像重建器34從DAS 32接收采樣和數(shù)字化的X射線數(shù)據(jù)并且執(zhí)行高速重建。重建的圖像作為輸入應(yīng)用于計(jì)算機(jī)36，其將圖像存儲(chǔ)在大容量存儲(chǔ)裝置38中。計(jì)算機(jī)36還經(jīng)由控制臺(tái)40從操作者接收命令和掃描參數(shù)。關(guān)聯(lián)的顯示器42允許操作者觀察來(lái)自計(jì)算機(jī)36的重建圖像和其他數(shù)據(jù)。操作者供應(yīng)的命令和參數(shù)由計(jì)算機(jī)36使用以提供控制信號(hào)和信息給DAS32、X射線控制器28和臺(tái)架電機(jī)控制器30。另外，計(jì)算機(jī)36對(duì)工作臺(tái)電機(jī)控制器44進(jìn)行操作，工作臺(tái)電機(jī)控制器44控制電動(dòng)工作臺(tái)46以定位患者22和臺(tái)架12。特別地，工作臺(tái)46使患者22部分移動(dòng)通過(guò)臺(tái)架開(kāi)口48。

鑒于先前的，并現(xiàn)在參見(jiàn)圖2，圖示檢測(cè)器組合件15的實(shí)施例的組件。特別地，在所示的實(shí)施例中，檢測(cè)器組合件15包括閃爍體50、像素分隔物51、抗散射柵格52、光電二極管層54、信號(hào)電路系統(tǒng)56和DAS 32。在某些實(shí)施例中，信號(hào)電路系統(tǒng)56可以包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器58，如下面將進(jìn)一步描述的。特別地，在某些實(shí)施例中，檢測(cè)器組合件15可以包括一個(gè)或多個(gè)阻擋層60(例如第一阻擋層60A、第二阻擋層60B或第三阻擋層60C)，其設(shè)置在光電二極管層54和信號(hào)電路系統(tǒng)56之間。一個(gè)或多個(gè)阻擋層60可以彼此鄰接地堆疊以形成堆疊61。一個(gè)或多個(gè)阻擋層60中的每一個(gè)(例如第一阻擋層60A、第二阻擋層60B或第三阻擋層60C)可以由電襯底62形成，并且可在電襯底62內(nèi)均勻或以不均勻的圖案設(shè)置了多個(gè)通孔64，例如以下討論的與分隔物51的位置相對(duì)應(yīng))。特別地，每個(gè)通孔64可以為輻射吸收元件，其填充有電離能吸收材料(例如高Z材料)，例如鎢、氧化鋁、鉬、鉿、鉭或其他X射線阻擋材料，或它們的組合。因此如以下進(jìn)一步詳細(xì)描述的，一個(gè)或多個(gè)阻擋層60中的每一個(gè)可以幫助減少到達(dá)信號(hào)電路系統(tǒng)56和/或DAS 32的輻射16的量。

在成像期間，來(lái)自X射線源14的輻射16(例如X射線)在由經(jīng)歷成像的中介的對(duì)象或目標(biāo)衰減后撞擊閃爍體50。在某些實(shí)施例中，檢測(cè)器組合件15可以包括抗散射柵格52以限制或減少在成像過(guò)程期間創(chuàng)建被散射的輻射。例如，抗散射柵格52可以包括輻射吸收材料結(jié)構(gòu)(例如鎢條)，其吸收被散射的輻射并減少散射輻射在檢測(cè)器組合件15上的影響。在某些實(shí)施例中，散射柵格50可以設(shè)置在經(jīng)歷成像的對(duì)象或目標(biāo)和檢測(cè)器組合件15的其他組件之間。

閃爍體50可以由吸收輻射16(例如X射線光子)的物質(zhì)形成，并作為響應(yīng)發(fā)射具有特征波長(zhǎng)的光，例如光波長(zhǎng)，由此釋放吸收的能量。在某些實(shí)施例中，多種類型的閃爍材料可以使用，其將入射到檢測(cè)器組合件20上的輻射(例如X射線光子)轉(zhuǎn)換為由光電檢測(cè)器層54(例如光電二極管層)能夠檢測(cè)的輻射形式。因此，在這類實(shí)施例中，只要撞擊的X射線光子與閃爍體50相互作用以生成一種或多種可檢測(cè)光子(例如光量子)，撞擊檢測(cè)器組合件15的X射線光子能夠被光電檢測(cè)器層54檢測(cè)。

如以上在某些情況中注意的，閃爍體50可以為“像素化”的，以便將閃爍體材料分成分立的元件，其中的每一個(gè)可以與一個(gè)或多個(gè)相應(yīng)下面的光電檢測(cè)元件相關(guān)聯(lián)。在這種方式下，閃爍體50的像素化元件可以與給定的光電二極管或光電二極管層54的光電二極管的集合對(duì)應(yīng)。然而，用于將閃爍體50分成像素的材料53比形成閃爍體50和抗散射柵格52的材料對(duì)X射線可以是更加能透射的。結(jié)果，形成閃爍體50的像素的這些分隔物51可以呈現(xiàn)路徑，通過(guò)該路徑X射線可以以高能形式旁路閃爍體50并且到達(dá)下面的電子設(shè)備和信號(hào)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)56和/或DAS32。因此，在某些實(shí)施例中，本文中討論的一個(gè)或多個(gè)阻擋層60被提供以減少到達(dá)信號(hào)電路系統(tǒng)56和/或DAS 32的輻射16的量，如以下將詳細(xì)描述的。

光電檢測(cè)器層54可以響應(yīng)于由閃爍體50發(fā)射的光生成模擬電信號(hào)。在某些實(shí)施例中，光電檢測(cè)器層54可以通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠粘材料和/或其他適合的光耦合器連結(jié)到閃爍體50。由光電檢測(cè)器54生成的電信號(hào)被信號(hào)電子設(shè)備56的模數(shù)轉(zhuǎn)換器56依次采集。來(lái)自信號(hào)電子設(shè)備56的信號(hào)可以依次被DAS 32采集。如以上討論，采集的信號(hào)被供應(yīng)給數(shù)據(jù)處理電路系統(tǒng)和/或圖像重建電路系統(tǒng)。

在傳統(tǒng)的布置中，由光電檢測(cè)器層54生成的模擬信號(hào)可以由傳導(dǎo)模擬路徑傳導(dǎo)到用于將模擬形式轉(zhuǎn)換為數(shù)字形式的下游位置，并且用于后續(xù)處理。這類布置中，模擬路徑通常將模擬信號(hào)傳導(dǎo)到下游位置，其遠(yuǎn)離光電檢測(cè)器層54和/或以其它方式在任何入射輻射(例如X射線)的路徑之外來(lái)間隔。在這種方式下，執(zhí)行模數(shù)信號(hào)轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備和任何其他的過(guò)程被保護(hù)避免遭受沒(méi)有被閃爍體50、抗散射柵格52和/或檢測(cè)器組合件15的其他輻射阻擋部件吸收和轉(zhuǎn)換的入射輻射。然而這類布置能夠造成信號(hào)中引入與模擬路徑的長(zhǎng)度成正比的噪音。

在本公開(kāi)的某些實(shí)施例中，信號(hào)電子設(shè)備56(例如模數(shù)轉(zhuǎn)換器)和/或DAS 32可以直接提供在光電檢測(cè)器層54后面(即垂直堆疊)，以便縮短這些信號(hào)轉(zhuǎn)換和處理組件和信號(hào)起點(diǎn)(即光電檢測(cè)器層54)之間的距離。然而這種放置將信號(hào)電子設(shè)備56和/或DAS 32放置在了任何未轉(zhuǎn)換的和/或未吸收的輻射的路徑上。在一個(gè)這種實(shí)施例中，模數(shù)轉(zhuǎn)換器56可以是一個(gè)或多個(gè)芯片或特定用途集成電路(ASIC)(即硅封裝)，其以垂直堆疊的布置直接連接到光電檢測(cè)器層52的光電二極管。在這種實(shí)施例中，ASIC可以在光電二極管處生成的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)以備后續(xù)處理。例如，模數(shù)轉(zhuǎn)換器58可以為兩側(cè)硅封裝，其中一側(cè)連接到光電檢測(cè)器層52的光電二極管并且另一側(cè)連接到DAS 32的柔性電路66(即柔性電路線或下面的電路)。柔性電路66可以將轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號(hào)傳導(dǎo)到下游組件68處用于后續(xù)處理。在某些實(shí)施例中，柔性電路66可以包括硅覆蓋層70以增強(qiáng)或提高柔性電路系統(tǒng)66和模數(shù)轉(zhuǎn)換器58之間的傳導(dǎo)性。如以上所注意的，DAS 32可以將采樣和數(shù)字化的X射線數(shù)據(jù)提供給圖像重建器34，其可以執(zhí)行高速重建以生成重建圖像。

雖然將信號(hào)電子設(shè)備56直接提供于光電檢測(cè)器層52后面并接近它可以減少由長(zhǎng)的模擬信號(hào)路徑以其它方式引入的噪音，但是這種布置也將信號(hào)電子設(shè)備56暴露于有害的輻射16中達(dá)到這種程度以致這種輻射在到達(dá)信號(hào)電子設(shè)備之前56沒(méi)有被吸收或轉(zhuǎn)換。因此，在本公開(kāi)的某些實(shí)施例中，檢測(cè)器組合件15包括一個(gè)或多個(gè)阻擋層60的堆疊61，其設(shè)置在光電二極管層54和信號(hào)電路56系統(tǒng)之間。應(yīng)該注意，雖然所示的實(shí)施例描繪了阻擋層堆疊61內(nèi)的三個(gè)阻擋層60(例如第一阻擋層60A、第二阻擋層60B和第三阻擋層60C)，在其他實(shí)施例中，任何數(shù)量的阻擋層60(例如2，3，4，5，6，7，8，10或更多)也可以堆疊在光電二極管層54和信號(hào)電路系統(tǒng)56之間，如針對(duì)圖3，6和7進(jìn)一步描述的。因此，堆疊61可以包括任何數(shù)量的阻擋層60。在某些實(shí)施例中，任何數(shù)量的堆疊61可以設(shè)置在光電檢測(cè)器層54后面。

特別地，如所描述的實(shí)施例所示的，每個(gè)阻擋層60可以包括一個(gè)或多個(gè)通孔64(通常形成為圓筒狀或其他幾何形狀的貫穿孔(through-hole))。此外，每個(gè)通孔64可以用作輻射吸收元件，因?yàn)槠涮畛溆须婋x能吸收材料(例如高Z材料)，例如鎢、鉬、鉛、鉿、鉭或其他X射線阻擋材料，或它們的組合。如以上注意的，形成閃爍體50的像素的分隔物51可以呈現(xiàn)路徑，通過(guò)該路徑X射線可以旁路閃爍體50以到達(dá)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路系統(tǒng)56和/或DAS 32。因此，在某些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)阻擋層60的每一個(gè)的通孔64可以通常在分隔物51下面對(duì)齊以減少到達(dá)信號(hào)電路系統(tǒng)56和/或DAS 32的輻射16的量，如以下進(jìn)一步詳細(xì)描述的。在某些實(shí)施例中，通孔64可以在堆疊61的各阻擋層60之間交錯(cuò)，由此增加如從X射線發(fā)射方向看的通孔64的有效輻射吸收寬度，如針對(duì)圖6和7進(jìn)一步描述的。

例如，在某些實(shí)施例中，每個(gè)通孔64可以填充有電離能吸收材料，例如高Z(即高原子數(shù))材料，適于吸收或以其它方式阻擋輻射16(例如X射線)。在一個(gè)這種實(shí)施例中，高Z材料是導(dǎo)電材料，例如適于傳導(dǎo)電荷和/或信號(hào)的材料。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，通孔64可以填充有鎢(原子數(shù)74)填充。高Z材料能夠由此保護(hù)任何下面的信號(hào)電子設(shè)備56不遭受入射輻射?？梢允褂玫母遉材料的其它的示例包括但不限于鉿(原子數(shù)72)，鉬(原子數(shù)42)，鉛(原子數(shù)82)，鉭(原子數(shù)73)，以此類推。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，高Z材料可以是具有大于42的原子數(shù)的材料。在另一實(shí)施例中，高Z材料可以是具有大于72的原子數(shù)的材料。在某些實(shí)施例中，一種或多種不同的高Z材料的混合物和/或具有氧化鋁的高Z材料的傳導(dǎo)性混合物(例如傳導(dǎo)膠狀混合物)可以用于填充通孔64。例如，通孔64可以填充有鎢和鋁的混合物、鎢和鉬的混合物、鉬和鋁的混合物等。

此外，在某些實(shí)施例中，多個(gè)空腔可以設(shè)置在每個(gè)阻擋層60內(nèi)替代和/或作為設(shè)置在每個(gè)阻擋層60內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)通孔64的補(bǔ)充。每個(gè)空腔可以是輻射吸收元件，其填充有電離能吸收材料(例如高Z材料)，例如鎢、鉬、鉛、鉿、鉭或其他X射線阻擋材料，或它們的組合。特別地，每個(gè)空腔可以大于通孔64或者具有比通孔64更開(kāi)放的幾何形狀，并且可以提出有更大量的高Z材料。例如，在某些實(shí)施例中，通孔64的直徑可以介于大約50微米和600微米之間，并且長(zhǎng)度可以介于大約100微米和550微米之間。此外，每個(gè)空腔的直徑可以大于約600微米且長(zhǎng)度大于約550微米。應(yīng)該注意，在每個(gè)阻擋層60內(nèi)的每個(gè)空腔和/或每個(gè)通孔64的尺寸、數(shù)量和布置可以被設(shè)計(jì)為滿足期望的檢測(cè)器組合件15的輻射阻擋量，如針對(duì)圖6和7進(jìn)一步描述的。此外，應(yīng)該注意，每個(gè)阻擋層60內(nèi)的每個(gè)空腔和/或每個(gè)通孔64的尺寸、數(shù)量和布置可以被設(shè)計(jì)為實(shí)現(xiàn)用于路由選擇導(dǎo)體的傳統(tǒng)技術(shù)，如針對(duì)圖6和7進(jìn)一步描述的。

如以上注意的，每個(gè)阻擋層60的電襯底可以包括一個(gè)或多個(gè)通孔64和/或一個(gè)或多個(gè)空腔的布置。在某些實(shí)施例中，電襯底62可以為由鉛、鉛合金、各種傳導(dǎo)膠、錫鉛、銀傳導(dǎo)環(huán)氧樹(shù)脂中的鉛顆粒、環(huán)氧樹(shù)脂中涂有鎢或鉬顆粒的鎳或它們的結(jié)合形成的有機(jī)襯底。在某些實(shí)施例中，電襯底62可以是形成的陶瓷或復(fù)合材料，以便包括電離能吸收材料(例如高Z材料)，例如鎢、鉬、鉛、鉿、鉭或其他X射線阻擋材料，或它們的任意組合。

特別地，堆疊61的每個(gè)阻擋層60可以使用一種或多種不同制造工藝形成，例如半導(dǎo)體光刻工藝、絲網(wǎng)印刷工藝、機(jī)械沖孔或鉆孔技術(shù)、或它們的組合。例如，在某些實(shí)施例，每個(gè)阻擋層60的通孔64可以通過(guò)在電襯底60內(nèi)形成多個(gè)孔、貫穿孔、或圓筒狀空腔來(lái)形成。例如，通孔64可以通過(guò)將孔或空間沖孔或鉆孔到電襯底60中來(lái)形成。作為進(jìn)一步的示例，在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)多種刻蝕技術(shù)創(chuàng)建孔或空間，例如那些用于半導(dǎo)體制作中的技術(shù)。特別地，生成的孔或空間的物理特性(例如尺寸、數(shù)量、密度、布置、形狀和/或圖案)可以由期望的輻射阻擋的量和類型來(lái)確定。形成的孔或空間的每一個(gè)可以填充有高Z材料(或高Z材料的混合物)，并且多余的材料可以被去除。此外，填充的電襯底60可通過(guò)熱(例如烘焙)技術(shù)收縮。在一些情況下，使用的高Z材料的量和/或類型可以由使用的制造技術(shù)的類型來(lái)確定或約束。

圖3描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)阻擋層60的堆疊61的頂視圖。特別地，在所示的實(shí)施例中，堆疊61包括第一阻擋層60A，第二阻擋層60B和第三阻擋層60C。然而應(yīng)該注意，在其他實(shí)施例中，堆疊61可以包括任何數(shù)量的阻擋層60(例如4，5，6，7，8，9，10或更多)，并且任何數(shù)量的堆疊61(例如2，3，4，5或更多)可以設(shè)置在檢測(cè)器組合件15內(nèi)。特別地，如上述針對(duì)圖2所注意的，一個(gè)或多個(gè)阻擋層60的堆疊61可以設(shè)置在光電二極管54和信號(hào)電路系統(tǒng)56之間。如以上所注意的，每個(gè)阻擋層60可以由電襯底62形成，并且可以包括多個(gè)通孔64。在某些實(shí)施例中，每個(gè)阻擋層60可以包括替代和/或作為通孔64的補(bǔ)充的多個(gè)空腔。

在圖示實(shí)施例中，每個(gè)阻擋層60包括布置于電襯底62內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)通孔64。如以上所注意的，一個(gè)或多個(gè)通孔64中的每一個(gè)可填充有電離子能吸收材料(如，高Z材料)，例如鎢、鉬、鉛、鉿、鉭或其他X射線阻擋材料，或它們的組合。在某些實(shí)施例中，在每個(gè)阻擋層60的電襯底62中布置多個(gè)通孔64，以提供局部輻射阻擋和/或吸收特征。例如，在某些實(shí)施例中，第一阻擋層82上的第一位置86比第一阻擋層82上的第二位置88可包括更大數(shù)量的通孔64，由此在第一位置86處比第二位置88處吸收或阻擋更大數(shù)量的輻射16。應(yīng)當(dāng)注意，每個(gè)通孔64和/或一個(gè)或多個(gè)的通孔64的設(shè)計(jì)特征(例如，尺寸、數(shù)量、密度、布置、形狀和/或圖案)可被選擇或設(shè)計(jì)以基于成像過(guò)程期間形成的輻射量提供局部化的輻射保護(hù)。因此，某些實(shí)施例中，一個(gè)或以上阻擋層60之間(例如，第一阻擋層80、第二阻擋層82，和/或第三阻擋層84之間)的通孔可布置或設(shè)計(jì)以基于成像過(guò)程期間形成的輻射量提供局部化的輻射保護(hù)。特別地，對(duì)于產(chǎn)生了更大量輻射的檢測(cè)器組合件15的區(qū)域，可利用單個(gè)阻擋層60中或者一個(gè)或多個(gè)阻擋層60之間的更大密度的通孔64來(lái)滿足期望輻射阻擋的量。

在某些實(shí)施例中，堆疊61的長(zhǎng)度100可以介于大約10到200毫米之間，并且堆疊61的寬度102可以介于大約5到190毫米之間。堆疊61的厚度104可以被設(shè)計(jì)為滿足期望的輻射阻擋量或期望的局部輻射阻擋量。例如，在某些實(shí)施例中，每個(gè)阻擋層60的厚度可以介于大約50微米和500微米之間，同時(shí)堆疊61的厚度104可以介于大約150微米和5毫米之間。因此，堆疊61的厚度104可以堆疊以形成堆疊61的個(gè)別的阻擋層60的數(shù)量確定。堆疊61可以包括表面106和內(nèi)部結(jié)構(gòu)108，如下面針對(duì)圖4和5所進(jìn)一步描述的。

圖4描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的沿著線4取得的圖3所示的堆疊61的第一阻擋層60A的表面106的頂部細(xì)節(jié)圖。在某些實(shí)施例中，表面106可以包括氧化鋁涂層或?qū)?。兩個(gè)或多個(gè)通孔64之間的分隔距離108可以是可變的，并且在某些實(shí)施例中可以介于大約0.3到5毫米。如以上所注意的，通孔64的物理特性和特征(例如尺寸、數(shù)量、密度、布置、形狀和/或圖案)可以設(shè)計(jì)以滿足期望的輻射阻擋量。

圖5描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的圖3的堆疊61的內(nèi)部結(jié)構(gòu)110的細(xì)節(jié)圖。在某些實(shí)施例中，內(nèi)部結(jié)構(gòu)110可以包括由一個(gè)或多個(gè)阻擋層60的每一個(gè)限定一個(gè)或多個(gè)層線112的矩陣。事實(shí)上，一個(gè)或多個(gè)通孔64的每一個(gè)可以設(shè)置在矩陣內(nèi)并且可以填充有電離能吸收材料(例如高Z材料)，例如鎢、氧化鋁、鉬、鉿、鉭或其他X射線阻擋材料，或它們的組合。

圖6描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的跨切線6-6的圖3的堆疊61的截面圖。特別地，所示的實(shí)施例描繪了帶有多個(gè)阻擋層60的堆疊61，例如第一阻擋層60A、第二阻擋層60B、第三阻擋層60C等。特別地，所示的實(shí)施例描繪了Z方向114上的堆疊61的截面圖，其可以為X射線的發(fā)射方向(例如垂直通過(guò)閃爍體50、光電檢測(cè)器層54、一個(gè)或多個(gè)阻擋層60、和信號(hào)電路系統(tǒng)56)。此外，每個(gè)阻擋層60可以包括一個(gè)或多個(gè)通孔64，并且可以被一條或多條層線112分隔(例如阻擋層60的頂部和底部表面)。

在某些實(shí)施例中，通孔64可以在每個(gè)阻擋層60內(nèi)和一個(gè)或多個(gè)阻擋層60之間布置，以基于成像過(guò)程期間形成的輻射量對(duì)信號(hào)電路系統(tǒng)56和/或DAS 32提供局部的輻射保護(hù)。特別地，每個(gè)阻擋層60內(nèi)或之間的通孔64的物理布置和通孔64的幾何特征可以設(shè)計(jì)以增強(qiáng)或最大化輻射阻擋和/或吸收的量。例如，在某些實(shí)施例中，堆疊61的通孔64可以定位在光電檢測(cè)器層54下面以與閃爍體50的X射線透射分隔物51對(duì)齊。以這種方式，通孔64可以布置以阻擋入射輻射穿過(guò)分隔物51和到達(dá)信號(hào)電路系統(tǒng)56。此外，除了輻射阻擋，通孔64可以布置以提供從光電檢測(cè)器層54路由到信號(hào)電路系統(tǒng)56的導(dǎo)體的電連續(xù)性，如下面將進(jìn)一步描述的。

例如，通孔64的布置可以設(shè)計(jì)為實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)技術(shù)以路由導(dǎo)體。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)體可以從光電二極管層54穿過(guò)通孔64路由并到達(dá)模數(shù)轉(zhuǎn)換器58。特別地，光電二極管層54可以包括多個(gè)光電二極管，并且每個(gè)光電二極管可以生成模擬信號(hào)，其使用導(dǎo)體路由穿過(guò)通孔64。由光電檢測(cè)器層54生成的模擬信號(hào)可以通過(guò)傳導(dǎo)模擬路徑穿過(guò)設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)阻擋層60內(nèi)的個(gè)別通孔64進(jìn)行傳導(dǎo)。傳導(dǎo)模擬路徑可以路由穿過(guò)堆疊61到達(dá)模數(shù)轉(zhuǎn)換器58，用于將模擬形式轉(zhuǎn)換為數(shù)字形式以備后續(xù)處理。因此，除了提供期望的輻射阻擋量，設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)阻擋層60的每一個(gè)之間的通孔64還可以被布置以便于穿過(guò)堆疊61的電連續(xù)性，用于路由穿過(guò)一個(gè)或多個(gè)阻擋層60的導(dǎo)體和模擬路徑。

圖7描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的跨切線7-7的圖3的堆疊61的截面圖。特別地，所示實(shí)施例描繪了帶有多個(gè)阻擋層60的堆疊61，例如第一阻擋層60A、第二阻擋層60B、第三阻擋層60C等。特別地，所示實(shí)施例描繪了在X方向116和Y方向118上的堆疊61的截面圖，其可以為沿著堆疊61的寬度102的視圖。

如以上所注意的，通孔64可以在每個(gè)阻擋層60內(nèi)和一個(gè)或多個(gè)阻擋層60之間布置，以基于成像過(guò)程期間生成的輻射量對(duì)信號(hào)電路系統(tǒng)56和/或DAS 32提供局部的輻射保護(hù)。在某些實(shí)施例中，堆疊61的阻擋層60之間的通孔64可以在每個(gè)阻擋層60之間交錯(cuò)以增加沿著堆疊61的寬度102的有效輻射吸收面積。在某些實(shí)施例中，交錯(cuò)的通孔64可以有利于吸收或阻擋在介于大約5和85度的入射角穿過(guò)閃爍體50和/或光電檢測(cè)器層54的輻射。

在某些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)通孔64的每一個(gè)可以填充有不同數(shù)量或不同類型的電離能吸收材料(例如高Z材料)。因此，某些通孔64和/或某個(gè)阻擋層60可以包括不同量的高Z材料和/或不同的輻射阻擋材料的混合物。例如，第一通孔118可以包括鎢和氧化鋁的混合物，同時(shí)第二通孔120可以包括鉬和鋁的混合物。應(yīng)該注意，用于填充通孔64的材料的類型和量可以由堆疊的阻擋層60的某些區(qū)域的期望的輻射阻擋量和類型來(lái)確定。

本公開(kāi)的技術(shù)效果包括具有一個(gè)或多個(gè)(例如1，2，3，4，5，6，7，8，9，10或更多)的阻擋層60的堆疊61。在某些實(shí)施例中，堆疊61可以設(shè)置在檢測(cè)器組合件15的光電二極管層54和模數(shù)轉(zhuǎn)換器58之間。特別地，一個(gè)或多個(gè)阻擋層60中的每一個(gè)可以由電襯底62(例如陶瓷襯底、有機(jī)襯底等)形成，并且每個(gè)阻擋層60可以包括設(shè)置在電襯底62內(nèi)的多個(gè)通孔64。在某些實(shí)施例中，通孔64可以填充有電離能吸收材料(例如高Z材料)以幫助吸收輻射。例如，每個(gè)通孔64可以填充有鎢、鉬、鎢和氧化鋁的混合物、鎢和鉬的混合物、鉬和氧化鋁的混合物，以及它們的任意組合。特別地，多個(gè)通孔64可以布置在每個(gè)阻擋層60內(nèi)和一個(gè)或多個(gè)阻擋層60之間，以提供期望的輻射量。例如，通孔64可以被布置以與由閃爍體50的分隔物51引起的一條或多條間隙對(duì)齊，由此減少到達(dá)信號(hào)電路系統(tǒng)56的入射輻射。此外，通孔64可以在一個(gè)或多個(gè)阻擋層60之間交錯(cuò)以增加堆疊61內(nèi)的有效輻射面積。因此，通孔64可以幫助減少到達(dá)信號(hào)電路系統(tǒng)56和/或DAS 32的輻射。另外，在某些實(shí)施例中，通孔64可以另外提供導(dǎo)體的電連續(xù)性，其提供了從光電二極管層54的每個(gè)光電二極管到檢測(cè)器組合件15的模數(shù)轉(zhuǎn)換器56的模擬信號(hào)路徑。

本書(shū)面描述使用包括最佳模式的示例來(lái)公開(kāi)本發(fā)明，并且使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，包括制作和使用任何裝置或系統(tǒng)，以及執(zhí)行任何合并方法。本發(fā)明的可取得專利范圍由權(quán)利要求書(shū)來(lái)定義，并且可包括本領(lǐng)域的技術(shù)人員想到的其他示例。如果這類其他示例具有與權(quán)利要求的文字語(yǔ)言完全相同的結(jié)構(gòu)單元，或者如果它們包括具有與權(quán)利要求的文字語(yǔ)言的非實(shí)質(zhì)差異的等效結(jié)構(gòu)單元，則預(yù)計(jì)它們處于權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。