本發(fā)明涉及功率檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種功率檢測(cè)器。
背景技術(shù)：
對(duì)于傳統(tǒng)功率檢測(cè)器，電路中管子的漏端電壓由電流鏡產(chǎn)生，管子工作在臨界導(dǎo)通狀態(tài)，漏源端電位幾乎相等，因此漏端偏置電壓決定了輸出端的直流電平，由于處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)的管子對(duì)偏置電壓的變化非常敏感，就會(huì)容易造成管子截止，從而影響功率檢測(cè)器的作用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中缺陷與不足的問題，本發(fā)明提出了一種功率檢測(cè)器，可穩(wěn)定管子的直流偏置，不使管子截止。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：
一種功率檢測(cè)器，包括隔直電容器C0、C1，耦合電容C2、C3，偏置電阻R1、R2、R3、R4，由R5、C4、C5組成的低通濾波器和PMOS管M8、M9；CO與C2、C1與C3相連，再分別連到M1、M2的柵極，由M1、M2的柵端分別經(jīng)R3、R4連到A點(diǎn)，由M1、M2的漏端連到B點(diǎn)，B點(diǎn)與低通濾波器相連，所述M8、M9漏端相連，組成源跟隨器結(jié)構(gòu)，C點(diǎn)位于M8、M9之間，A點(diǎn)與C點(diǎn)相連， M9的柵極通過D點(diǎn)與低通濾波器相連，所述CO、C2之間與C1、C3之間通過R1、R2加有偏置電壓VB。
進(jìn)一步的，所述M8還連有管子M5，M5與M4相連，M4與M3相連，M3與M7相連，M7與M6相連。
進(jìn)一步的，所述M5、M6、M8的柵端接入電源VDD，M3、M4、M7的柵端接入基準(zhǔn)電流IREF，所述M3、M4、M7的漏端接地GND。
進(jìn)一步的，所述M9和低通濾波器接地。
進(jìn)一步的，所述CO與輸入射頻信號(hào)VIN+相連，C1與輸入射頻信號(hào)VIN-相連，低通濾波器與輸出信號(hào)VOUT相連。
進(jìn)一步的，所述A點(diǎn)與C點(diǎn)電位相等，B點(diǎn)與D點(diǎn)電位相等。
本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明具有很高的輸入阻抗，約在千歐級(jí)，功率檢測(cè)節(jié)點(diǎn)的阻抗為50歐姆，因此引入的損失極小；電路的功耗很小，微安級(jí)別；由于通過自混頻方式實(shí)現(xiàn)，因此工作頻率很寬；靈敏度很高，能檢測(cè)輸入功率低至-15dBm的載波泄漏信號(hào)。
附圖說明
圖1為本發(fā)明電路示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書所限定的范圍。
如圖所示，一種功率檢測(cè)器，包括隔直電容器C0、C1，耦合電容C2、C3，偏置電阻R1、R2、R3、R4，由R5、C4、C5組成的低通濾波器和PMOS管M8、M9；CO與C2、C1與C3相連，再分別連到M1、M2的柵極，由M1、M2的柵端分別經(jīng)R3、R4連到A點(diǎn)，由M1、M2的漏端連到B點(diǎn)，B點(diǎn)與低通濾波器相連，所述M8、M9漏端相連，組成源跟隨器結(jié)構(gòu)，C點(diǎn)位于M8、M9之間，A點(diǎn)與C點(diǎn)相連， M9的柵極通過D點(diǎn)與低通濾波器相連，所述CO、C2之間與C1、C3之間通過R1、R2加有偏置電壓VB。
進(jìn)一步的，所述M8還連有管子M5，M5與M4相連，M4與M3相連，M3與M7相連，M7與M6相連。
進(jìn)一步的，所述M5、M6、M8的柵端接入電源VDD，M3、M4、M7的柵端接入基準(zhǔn)電流IREF，所述M3、M4、M7的漏端接地GND。
進(jìn)一步的，所述M9和低通濾波器接地。
進(jìn)一步的，所述CO與輸入射頻信號(hào)VIN+相連，C1與輸入射頻信號(hào)VIN-相連，低通濾波器與輸出信號(hào)VOUT相連。
進(jìn)一步的，所述A點(diǎn)與C點(diǎn)電位相等，B點(diǎn)與D點(diǎn)電位相等
具體地，輸入射頻信號(hào)VIN+、VIN-分別經(jīng)耦合電容C2、C3耦合到M2、M1管子的柵極。漏端輸入的射頻信號(hào)與柵端輸入的射頻信號(hào)經(jīng)M1、M2實(shí)現(xiàn)自混頻功能，然后由R5、C5、C4組成的低通濾波器濾除高頻分量，從而得到直流電平輸出。
M1、M2管子的漏端電壓由電流鏡產(chǎn)生，管子工作在臨界導(dǎo)通狀態(tài)，漏源端電位幾乎相等，因此漏端偏置電壓決定了輸出端的直流電平。PMOS管M8、M9組成源跟隨器結(jié)構(gòu)，M8為電流源。當(dāng)電流一定時(shí)，C、D兩點(diǎn)的電位差為一定值，從而A、B兩點(diǎn)之間的電位差也為定值。即通過M9管穩(wěn)定的柵源電壓差來鉗制M1管和M2管的柵源兩端的電壓差。因此通過這種方式來穩(wěn)定管子的直流偏置，不使管子截止。