本發(fā)明屬于磁場測量或磁強(qiáng)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路。
背景技術(shù):
磁通門磁強(qiáng)計(jì)是精密的磁場矢量測量儀器,廣泛用于衛(wèi)星、地磁科學(xué)觀測、資源勘探、弱磁場測量、工業(yè)控制以及軍事應(yīng)用等領(lǐng)域。對(duì)磁通門磁強(qiáng)計(jì)的基本要求精度高、分辨率高、長期工作零點(diǎn)穩(wěn)定性好、線性度好、攻耗低。但是,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)的提高需要很高的代價(jià),有些指標(biāo)互相制約,比如,為保持長期工作零點(diǎn)穩(wěn)定性,目前常用雙鐵芯、環(huán)形或跑道形鐵芯結(jié)構(gòu),并采用正弦電流過飽和激勵(lì),典型分辨率為1.0nT,零點(diǎn)長期漂移可以做到10nT以下,但由此帶來了很大的能耗,使功耗達(dá)幾瓦甚至幾十瓦以上,限制了磁通門磁強(qiáng)計(jì)在低功耗領(lǐng)域的應(yīng)用。
在毫瓦量級(jí)低功耗應(yīng)用領(lǐng)域,目前常用的磁通門鐵芯結(jié)構(gòu)有單鐵芯、雙鐵芯、環(huán)形或跑道形鐵芯,通常采用脈沖電壓激勵(lì)方式。為了使磁強(qiáng)計(jì)功耗低至毫瓦量級(jí),多采用脈沖寬度較窄的激勵(lì)波形;磁強(qiáng)計(jì)探頭鐵芯的工作狀態(tài)不穩(wěn)定,受時(shí)間和溫度影響很大,使得磁強(qiáng)計(jì)的輸出噪聲較大,電路零點(diǎn)的溫漂和時(shí)漂嚴(yán)重,目前毫瓦量級(jí)低功耗磁通門的分辨率為5~10nT,但長期零點(diǎn)漂移在100nT以上,難以應(yīng)用于精密測量領(lǐng)域。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求,本發(fā)明提供了一種三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,其目的在于在保持磁通門磁強(qiáng)計(jì)高分辨率、高穩(wěn)定性的同時(shí),降低其檢測功耗。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,按照本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,包括激勵(lì)單元、激勵(lì)線圈、信號(hào)線圈、反饋電路、零點(diǎn)測量控制電路、同步檢波控制電路、放大檢波積分電路和微處理單元;
其中,激勵(lì)線圈纏繞在磁強(qiáng)計(jì)探頭鐵芯的一端,信號(hào)線圈與激勵(lì)線圈匹配,纏繞在磁強(qiáng)計(jì)探頭鐵芯的另一端;
激勵(lì)線圈的一端連接激勵(lì)單元的第一輸出端,另一端接地;零點(diǎn)測量控制電路的第一輸入端和第二輸入端分別與信號(hào)線圈的兩端連接,第三輸入端與微處理單元的輸出端連接,第四輸入端與反饋電路的輸出端連接;放大檢波積分電路的第一輸入端與零點(diǎn)測量控制電路的輸出端連接,第二輸入端與同步檢波控制電路的輸出端連接;同步檢波控制電路的輸入端與激勵(lì)單元的第二輸出端連接;反饋電路的輸入端與放大檢波積分電路的輸出端連接;微處理單元的輸入端也與放大檢波積分電路的輸出端連接。
優(yōu)選的,上述三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,其激勵(lì)單元采用頻率穩(wěn)定的雙極性間歇脈沖電壓激勵(lì)電路。
優(yōu)選的,上述三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,其激勵(lì)單元包括方波信號(hào)發(fā)生單元、計(jì)數(shù)譯碼電路、第一儲(chǔ)能單元和第二儲(chǔ)能單元;
其中,計(jì)數(shù)譯碼電路的輸入端與方波信號(hào)發(fā)生單元的輸出端連接;第一儲(chǔ)能單元的第一端與計(jì)數(shù)譯碼電路的第一輸出端連接,電源端用于連接外部恒壓源;
第二儲(chǔ)能單元的第一端與計(jì)數(shù)譯碼電路的第二輸出端連接,第二端連接第一儲(chǔ)能單元的的第二端、第三端連接第一儲(chǔ)能單元的第三端、第四端接地、第五端連接激勵(lì)線圈;
通過方波信號(hào)發(fā)生單元生成頻率與寬度穩(wěn)定的,正負(fù)對(duì)稱的間歇脈沖電壓波形;在該電壓波形與儲(chǔ)能單元的作用下,接通正負(fù)恒壓源對(duì)鐵芯進(jìn)行直接激勵(lì);盡可能減小激勵(lì)回路其它部分的壓降損耗,使激勵(lì)電壓壓降絕大部分加在激勵(lì)線圈兩端,由此大幅度提高激勵(lì)單元的能量利用效率,進(jìn)而降低激勵(lì)攻耗,提高磁強(qiáng)計(jì)的零點(diǎn)穩(wěn)定性。
優(yōu)選的,上述三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,其方波信號(hào)發(fā)生單元采用溫控晶振,產(chǎn)生頻率穩(wěn)定的方波信號(hào),具有低功耗的特點(diǎn)。
優(yōu)選的,上述低功耗三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì),其第一儲(chǔ)能單元包括第一低阻開關(guān)和第一二極管;其中,第一低阻開關(guān)的第一端作為第一儲(chǔ)能單元的第一端,用于連接計(jì)數(shù)譯碼電路的第一輸出端;第二端與第一二極管的第一端連接,其連接端作為第一儲(chǔ)能單元的電源端,用于連接外部恒壓源;第三端作為第一儲(chǔ)能單元的第二端;第一二極管的第二端則作為第一儲(chǔ)能單元的第三端。
優(yōu)選的,上述三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,其第二儲(chǔ)能單元包括第二低阻開關(guān)、第二二極管和電容;
其中,第二低阻開關(guān)的第一端作為第二儲(chǔ)能單元的第一端,用于連接計(jì)數(shù)譯碼電路的第二輸出端,第二端作為第二儲(chǔ)能單元的第二端,第三端接地;第二二極管的第一端與電容的第一端相連,其連接端作為第二儲(chǔ)能單元的第三端,第二二極管的第二端接地;電容的第二端用于連接激勵(lì)線圈;
采用低阻開關(guān)控制恒壓源激勵(lì)鐵芯,使得激勵(lì)電壓絕大部分降落在激勵(lì)線圈兩端,以保證激勵(lì)單元極高的能量利用效率。
優(yōu)選的,上述三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,安裝采用三軸探頭弱耦合安裝方式,磁強(qiáng)計(jì)的第一軸探頭與第二軸探頭不共面正交,且與所述第一軸探頭與第二軸探頭鐵芯中點(diǎn)的連線垂直;第三軸探頭安裝在第一軸探頭與第二軸探頭鐵芯中點(diǎn)連線的延長線上;這種結(jié)構(gòu)降低了磁強(qiáng)計(jì)中任一軸的反饋磁場和激勵(lì)磁場對(duì)其它軸的影響,從而降低三軸耦合誤差。
優(yōu)選的,上述三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,其零點(diǎn)測量控制電路包括兩組開關(guān);在微處理單元的控制下,通過兩組開關(guān)切換使信號(hào)線圈的兩各端倒向,測量倒向前、后的輸出電壓值,根據(jù)該輸出電壓值測量電路零點(diǎn)。
總體而言,通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比,能夠取得下列有益效果:
(1)本發(fā)明提供的三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,采用頻率穩(wěn)定的低攻耗雙極性間歇脈沖電壓激勵(lì)單元對(duì)鐵芯進(jìn)行激勵(lì),實(shí)現(xiàn)零點(diǎn)穩(wěn)定和低功耗,解決磁通門磁強(qiáng)計(jì)低功耗與高性能之間的矛盾,在供電電源為+5V、1mA的條件下,典型分辨率為1.0nT,零點(diǎn)長期漂移在30nT以下;并可以通過微處理器編程控制實(shí)現(xiàn)對(duì)電路零點(diǎn)的在線檢測與零點(diǎn)校準(zhǔn),可長期用于弱磁場測量和磁性目標(biāo)探測領(lǐng)域;
(2)本發(fā)明提供的三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,其優(yōu)選方案里,采用磁強(qiáng)計(jì)三軸探頭弱耦合安裝方式,降低了三軸耦合誤差;
(3)本發(fā)明提供的三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)測量電路,其優(yōu)選方案采用低功耗溫控晶振產(chǎn)生方波信號(hào),同時(shí)保證工作頻率穩(wěn)定和振蕩電路低攻耗;采用穩(wěn)定方波信號(hào)對(duì)磁通門鐵芯激勵(lì),保證激勵(lì)單元低功耗;并且,由于方波是正負(fù)對(duì)稱的,其頻率、寬度、幅度穩(wěn)定,可以提高磁強(qiáng)計(jì)的零點(diǎn)穩(wěn)定性;
(4)通過低阻開關(guān)控制電壓源直接激勵(lì)磁通門鐵芯的方式,控制恒壓源直接激勵(lì)鐵芯,使激勵(lì)電壓壓降絕大部分加在激勵(lì)線圈兩端,激勵(lì)回路其它部分的壓降損耗很小,大幅度提高激勵(lì)單元的能量利用效率,進(jìn)而降低激勵(lì)攻耗。
附圖說明
圖1是實(shí)施例提供的低功耗三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)的第一軸零點(diǎn)測量電路示意圖;
圖2是實(shí)施例中的激勵(lì)單元的示意圖;
圖3是實(shí)施例中激勵(lì)單元所產(chǎn)生的激勵(lì)波形的示意圖;
圖4是實(shí)施例中的零點(diǎn)測量控制示意圖;
圖5是實(shí)施例中的三軸磁通門弱耦合安裝方式示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。此外,下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
磁通門磁強(qiáng)計(jì)的功耗主要分布在激勵(lì)單元、放大檢波積分電路和反饋電路;降低磁通門磁強(qiáng)計(jì)檢測功耗的關(guān)鍵是降低激勵(lì)單元功耗;本發(fā)明在降低激勵(lì)功耗上的具體措施是采用雙極性間歇脈沖電壓激勵(lì)方式,以寬度窄的矩形脈沖,通過低導(dǎo)通電阻開關(guān),控制恒壓源對(duì)磁通門鐵芯進(jìn)行激勵(lì),將鐵芯周期性地激勵(lì)至飽和狀態(tài),保證磁強(qiáng)計(jì)有足夠的分辨率,同時(shí)極大地提高激勵(lì)單元能量利用效率。
圖1所示,是實(shí)施例提供的低功耗三軸去耦自調(diào)零磁通門磁強(qiáng)計(jì)的第一軸零點(diǎn)測量電路的功能框圖;包括激勵(lì)單元、激勵(lì)線圈、信號(hào)線圈、反饋電路、零點(diǎn)測量控制電路、同步檢波控制電路、放大檢波積分電路和微處理單元;其余兩軸的零點(diǎn)測量電路與此相同。
圖2所示,是實(shí)施例中的激勵(lì)單元示意圖;實(shí)施例中,激勵(lì)單元包括方波信號(hào)發(fā)生單元、計(jì)數(shù)譯碼電路、第一儲(chǔ)能單元和第二儲(chǔ)能單元;
其中,計(jì)數(shù)譯碼電路的輸入端與方波信號(hào)發(fā)生單元的輸出端連接;第一儲(chǔ)能單元的第一端與計(jì)數(shù)譯碼電路的第一輸出端連接,電源端用于連接外部恒壓源;
第二儲(chǔ)能單元的第一端與計(jì)數(shù)譯碼電路的第二輸出端連接,第二端連接第一儲(chǔ)能單元的的第二端、第三端連接第一儲(chǔ)能單元的第三端、第四端接地、第五端連接激勵(lì)線圈。
圖3所示,是實(shí)施例中激勵(lì)單元所產(chǎn)生的激勵(lì)波形的示意圖;在激勵(lì)脈沖Q2為高電平期間,第一儲(chǔ)能單元的開關(guān)K1導(dǎo)通,第二儲(chǔ)能單元的開關(guān)K2斷開,由于導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小于激勵(lì)線圈阻抗,開關(guān)兩端電壓可以忽略;第二儲(chǔ)能單元的電容C上所充上的反向電壓和電源電壓Vs的絕大部分降落在激勵(lì)線圈兩端,能量利用率很高;激勵(lì)單元以穩(wěn)定的電壓幅度使激勵(lì)電流緩慢增加,將鐵芯激勵(lì)至飽和,保證磁強(qiáng)計(jì)有足夠強(qiáng)的信號(hào)輸出;
當(dāng)磁通門鐵芯被激勵(lì)至飽和時(shí),激勵(lì)線圈的即時(shí)電感量L很小,激勵(lì)電流迅速增加,電容快速充電,維持一段時(shí)間后,電容充電至接近電源電壓,使激勵(lì)線圈兩端的電壓很小,激勵(lì)電流不再增加,限制鐵芯的飽和深度,降低功耗;
在激勵(lì)脈沖Q2轉(zhuǎn)為低電平時(shí),第一儲(chǔ)能單元的開關(guān)K1斷開,激勵(lì)線圈回路電流在電感慣性作用下通過二極管D2繼續(xù)對(duì)電容C充電,將激勵(lì)線圈電感上的剩余能量儲(chǔ)存在電容上;
在激勵(lì)周期的后半周,脈沖Q7為高電平期間,第二儲(chǔ)能單元的開關(guān)K2導(dǎo)通,第一儲(chǔ)能單元的開關(guān)K1斷開,儲(chǔ)存在電容C上的電壓加在激勵(lì)線圈兩端,對(duì)磁通門鐵芯進(jìn)行反向激勵(lì),激勵(lì)電壓的時(shí)間波形與前半周基本對(duì)稱,磁強(qiáng)計(jì)與前半周有相似的信號(hào)輸出;
在激勵(lì)脈沖Q7轉(zhuǎn)為低電平時(shí),第二儲(chǔ)能單元的開關(guān)K2斷開,激勵(lì)線圈回路電流在電感慣性作用下通過二極管D1繼續(xù)對(duì)電容C反向充電,同樣將激勵(lì)線圈電感上的剩余能量儲(chǔ)存在電容上;
在整個(gè)激勵(lì)周期內(nèi),只有Q2在高電平時(shí)間,才由電源補(bǔ)充激勵(lì)能量,而Q2脈寬很窄,因此能耗很低;并且,通過二極管儲(chǔ)能,在每一次將將磁通門鐵芯激勵(lì)至飽和后,都將激勵(lì)線圈電感L上的剩余能量轉(zhuǎn)換成電容能量儲(chǔ)存起來,使得每個(gè)激勵(lì)周期所消耗的能量主要為鐵芯磁滯損耗和線圈內(nèi)阻上的熱損耗,因此,實(shí)施例中的這種激勵(lì)單元能量利用率高,電路平均電源電流可方便地控制在0.3mA以下。
為提高三軸磁通門磁強(qiáng)計(jì)的精度和分辨率,以及長期零點(diǎn)穩(wěn)定性;實(shí)施例中采用高穩(wěn)定性低功耗溫控晶振電路產(chǎn)生頻率、寬度穩(wěn)定的間歇脈沖電壓波形,并通過低阻開關(guān),接通恒壓源對(duì)鐵芯進(jìn)行激勵(lì),激勵(lì)信號(hào)波形正負(fù)對(duì)稱,頻率、寬度、幅度均有穩(wěn)定措施,從而保證了磁強(qiáng)計(jì)零點(diǎn)穩(wěn)定性;并且,由于激勵(lì)能量利用率高,在低功耗的條件下,仍能將鐵芯激勵(lì)至深度飽和,保證了磁強(qiáng)計(jì)的穩(wěn)定性和高分辨率。
圖4是實(shí)施例中的零點(diǎn)測量控制電路與其他組件的匹配示意圖;其零點(diǎn)測量控制電路包括兩組開關(guān);在微處理單元的控制下,通過兩組開關(guān)切換使探頭信號(hào)線圈的兩個(gè)輸出端倒向,測量倒向前后的輸出電壓值,根據(jù)該輸出電壓值獲取電路零點(diǎn);這種零點(diǎn)測量方式可在線精確進(jìn)行,并予于消除,降低了零點(diǎn)漂移對(duì)測量結(jié)果的影響。
圖5是實(shí)施例中的三軸磁通門弱耦合安裝方式示意圖;其中,三軸探頭正交且三軸探頭各有一個(gè)對(duì)稱軸在一條直線上;其中兩軸探頭不共面正交,且與這兩軸探頭鐵芯中點(diǎn)的連線垂直,另一軸探頭安裝在前兩軸探頭鐵芯中點(diǎn)連線的延長線上。這種安裝方式保證了磁強(qiáng)計(jì)中的任一軸的反饋磁場和激勵(lì)磁場對(duì)其它軸的影響小,從而降低了三軸耦合誤差。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解,以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。