1.一種半導(dǎo)體探測(cè)器，包括：
半導(dǎo)體探測(cè)材料，包括彼此相對(duì)的第一側(cè)面和第二側(cè)面，其中，第一側(cè)面和第二側(cè)面之一是接收入射射線的射線入射面；
設(shè)置于第一側(cè)面上的多個(gè)像素陰極；
設(shè)置于第二側(cè)面上的多個(gè)像素陽(yáng)極，其中，像素陽(yáng)極與像素陰極彼此一一對(duì)應(yīng)；以及
設(shè)置于射線入射面上各像素陰極或像素陽(yáng)極外周的阻擋電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中，
射線入射面是第一側(cè)面，阻擋電極設(shè)置于各像素陰極外周且對(duì)準(zhǔn)于相應(yīng)像素陽(yáng)極之間的間隙；或者
射線入射面是第二側(cè)面，阻擋電極設(shè)置于各像素陽(yáng)極外周且對(duì)準(zhǔn)于相應(yīng)像素陰極之間的間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中，射線包括X射線、伽馬射線、同位素射線和阿爾法射線中至少之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中，像素陽(yáng)極或像素陰極的形狀為正方形、矩形、圓形或菱形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中，阻擋電極限定出正方形、矩形、圓形或菱形的空間，且射線入射面上的像素陰極或像素陽(yáng)極設(shè)于相應(yīng)的空間內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中，半導(dǎo)體探測(cè)材料包括CdZnTe、Ge、CdTe、HgI2、PbI2、TlBr或GaAs。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中，像素陽(yáng)極和像素陰極分別包括金、鉑、鎳、鈦、銦中至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中，阻擋電極包括高原子序數(shù)金屬材料如鉛、鐵、鎢、銅、金、鉑、銦中至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，還包括：填充于射線入射面上的像素陰極或像素陽(yáng)極與阻擋電極之間的絕緣材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中，像素陽(yáng)極或像素陰極排列為一維線陣或二維面陣。