技術特征：

技術總結
本發(fā)明提供缺陷檢查方法及其裝置，在對于半導體晶片或MEMS晶片等包含微細且多層構造的被檢查體的超聲波檢查中，能夠將存在于內部的不良與正常圖案分離而高靈敏度地檢測。將形成有圖案的被檢查體進行攝像而取得被檢查體的圖像，根據所取得的被檢查體的圖像制作不包含缺陷的基準圖像，并制作用于從所取得的被檢查體的圖像將非缺陷像素進行掩蔽的多值掩碼，將被檢查體的圖像和基準圖像的明亮度進行對照來計算缺陷可靠度，將計算出的缺陷可靠度與制作出的多值掩碼進行比較來檢測缺陷。

技術研發(fā)人員：酒井薰;菊池修;佐原健司
受保護的技術使用者：株式會社日立電力解決方案
技術研發(fā)日：2016.09.27
技術公布日：2017.08.08