1.一種太赫茲超導(dǎo)相變邊緣探測器熱弱連接制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
采用三層結(jié)構(gòu)的圓形SOI介質(zhì)基片作為探測器的制備基板（1），所述三層結(jié)構(gòu)分別為氮化硅/硅/氮化硅，在基板（1）正面制備完成太赫茲超導(dǎo)相變邊緣探測器（2）后，將基板（1）背面中對應(yīng)于探測器（2）輻射吸收體和測溫體的區(qū)域進(jìn)行離子刻蝕，去除氮化硅層，露出硅材料，形成一個(gè)正方形區(qū)域；
在基板（1）正面涂覆防止堿性溶液腐蝕的保護(hù)膠，將基板（1）背面朝上放置在安裝模具（3）內(nèi)，并采用O型密封圈對基板（1）的正面和側(cè)面進(jìn)行密封；
把安裝模具（3）浸入堿性溶液中，堿性溶液與正方形區(qū)域中的硅發(fā)生反應(yīng)，直至氮化硅層。
2.如權(quán)利要求1所述的太赫茲超導(dǎo)相變邊緣探測器熱弱連接制備方法，其特征在于：所述三層結(jié)構(gòu)的厚度分別為2μm/200μm/0.5μm。
3.如權(quán)利要求2所述的太赫茲超導(dǎo)相變邊緣探測器熱弱連接制備方法，其特征在于：所述正方形區(qū)域?yàn)?.5㎜*1.5㎜。
4.如權(quán)利要求3所述的太赫茲超導(dǎo)相變邊緣探測器熱弱連接制備方法，其特征在于：所述保護(hù)膠的涂覆厚度為2-4μm。
5.如權(quán)利要求1所述的太赫茲超導(dǎo)相變邊緣探測器熱弱連接制備方法，其特征在于：所述安裝模具（3）包括將基板（1）夾設(shè)在中間的上部（31）和下部（32），上部（31）和下部（32）緊密連接，上部（31）具有將正方形區(qū)域暴露出來的孔洞。
6.如權(quán)利要求5所述的太赫茲超導(dǎo)相變邊緣探測器熱弱連接制備方法，其特征在于：所述O型密封圈包括上O型圈（4）、下O型圈（5）和側(cè)O型圈（6），均安裝在上部（31）和下部（32）之間；上O型圈（4）和下O型圈（5）大小結(jié)構(gòu)相同，直徑略小于基板（1）直徑，緊貼基板（1）邊緣設(shè)置，將基板（1）夾設(shè)在中間；側(cè)O型圈（6）直徑略大于基板（1）直徑，圍繞基板（1）的圓周側(cè)設(shè)置。
7.如權(quán)利要求1所述的太赫茲超導(dǎo)相變邊緣探測器熱弱連接制備方法，其特征在于：所述堿性溶液為氫氧化鉀，濃度為30%-40%。