技術(shù)特征：

1.一種絕緣電阻檢測裝置，其特征在于，包括MOS管S₅、A/D采樣模塊、單片機、開關(guān)、電阻，所述開關(guān)包括開關(guān)S、開關(guān)S₁、開關(guān)S₂、開關(guān)S₃、開關(guān)S₄、開關(guān)S₆、開關(guān)S₇，所述電阻包括第一可控電阻、第二可控電阻、電阻R₁、電阻R₄，所述開關(guān)S與所述A/D采樣模塊相連構(gòu)成第一主線路，所述MOS管S₅分別與所述開關(guān)S₃和所述開關(guān)S₄相連，所述開關(guān)S₃分別與所述電阻R₁和所述開關(guān)S₁一端相連，所述R₁與所述電阻R₂串聯(lián)構(gòu)成第二主線路，所述開關(guān)S₁另一端連接于所述電阻R₁和所述電阻R₂之間，所述開關(guān)S₆一端與所述開關(guān)S₃相連，所述開關(guān)S₆另一端與所述第一可控電阻相連，所述第一可控電阻與所述第一主線路相連，所述第二可控電阻分別與所述第一主線路和所述開關(guān)S₇一端相連，所述開關(guān)S₇另一端與所述開關(guān)S₄相連，所述電阻R₄與所述開關(guān)S₄相連，所述開關(guān)S₂一端與所述開關(guān)S₄相連，所述開關(guān)S₂另一端連接于所述電阻R₃與所述電阻R₄之間，所述單片機與所述A/D采樣模塊相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣電阻檢測裝置，其特征在于，該絕緣電阻檢測裝置還包括串聯(lián)于所述電阻R₁與所述電阻R₄之間的電阻R₂、電阻R、電阻R′、電阻R₃，所述開關(guān)S₁另一端連接于所述電阻R₁和所述電阻R₂之間，所述開關(guān)S₂另一端連接于所述電阻R₃和所述電阻R₄之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣電阻檢測裝置，其特征在于，該絕緣電阻檢測裝置還包括濾波模塊，所述開關(guān)S與所述濾波模塊相連構(gòu)成第一主線路，所述濾波模塊與所述A/D采樣模塊相連，所述濾波模塊連接于所述電阻R₂與所述電阻R之間，且所述濾波模塊連接于所述電阻R′與所述電阻R₃之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣電阻檢測裝置，其特征在于，該絕緣電阻檢測裝置還包括隔離模塊，所述隔離模塊一端與所述A/D采樣模塊相連，所述隔離模塊另一端與所述單片機相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣電阻檢測裝置，其特征在于，所述隔離模塊分別與所述第一可控電阻和所述第二可控電阻相連。

6.一種絕緣電阻檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步，在絕緣檢測開始時，使開關(guān)處于斷開狀態(tài)；

第二步，控制開關(guān)S3、S4使其將高壓側(cè)接入該絕緣電阻檢測裝置中，但此時不閉合其他開關(guān)，要保持其他開關(guān)的斷路狀態(tài)；

第三步，當U1和U2穩(wěn)定下來后，利用電路的分壓電阻阻值，折算出總電壓跟上一次檢測的總壓進行比較，如果時間和電壓變化超過設(shè)定值，則要進行重新標定，否則，則直接進入到計算絕緣電阻的過程；

第四步，若總壓變化在設(shè)定范圍內(nèi)，則進入到計算絕緣電阻的過程，閉合開關(guān)S，再讀出U1和U2的數(shù)據(jù)，用來進行初次判斷，來斷定絕緣電阻的阻值符合表表1的哪種情況，分別進入對應(yīng)的算法之中；

第五步，根據(jù)絕緣電阻的類型特性不同，進入對應(yīng)其最優(yōu)的計算方案內(nèi)，計算出絕緣電阻的阻值。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的絕緣電阻檢測方法，其特征在于，在所述第三步中，進行重新標定，包括如下步驟：

(1).將開關(guān)S₃、S₄切換到相對應(yīng)的檔位上；

(2).自適應(yīng)計算出該電池包的絕緣臨界值，然后通過單片機改變可控電阻的阻值；

(3).再通過開關(guān)S₅來注入一個穩(wěn)定的電壓；

(4).然后將開關(guān)S₆、S₇閉合，將可控電阻接入到后級檢測電路中，采得一次U′₁和U′₂，再斷開S₆和S₇；

(5).通過可控電阻模擬真實絕緣電阻來改變U1和U2的電壓，根據(jù)總電壓折算出理論U1和U2所采得的電壓，再跟真實所采得的U1和U2進行標定；

(6).可控電阻總共接入2次，標定2次，標定結(jié)束，返回到第四步。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的絕緣電阻檢測方法，其特征在于，在所述步驟(3)中，注入的電壓不小于5V、且不超過總電壓。