本發(fā)明涉及集成電路芯片測試領(lǐng)域，特別是涉及一種帶存儲單元的集成芯片復(fù)測方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)在的應(yīng)用中，因測試環(huán)境影響及存儲單元數(shù)據(jù)保存功能的不可重復(fù)測試性，對測試流程的可復(fù)測性提出了更高的要求。環(huán)境影響包括：針卡問題、測試板問題、甚至設(shè)備問題。環(huán)境影響可導(dǎo)致測試中斷、數(shù)據(jù)誤判；同時測試中斷、數(shù)據(jù)誤判在復(fù)測時可能導(dǎo)致芯片所帶存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)改變，影響對芯片數(shù)據(jù)保存功能判斷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種帶存儲單元的集成芯片復(fù)測方法，能夠保證測試結(jié)果的準確性并節(jié)省復(fù)測時間。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的帶存儲單元的集成芯片復(fù)測方法是采用如下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

在每個關(guān)鍵節(jié)點對存儲單元寫入標志位，用于標記該節(jié)點測試項的通過或失效；讀取每個關(guān)鍵節(jié)點的標志位，決定是否進行該節(jié)點測項測試及之后測試內(nèi)容。

采用本發(fā)明的方法，可以在任一測試項中斷、數(shù)據(jù)誤判時進行復(fù)測，得到與初測相同的測試結(jié)果并最大限度節(jié)省復(fù)測試時間。

本發(fā)明可用于多個測試流程間的反復(fù)復(fù)測，保證不影響測試結(jié)果。

附圖說明

下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明：

圖1是所述帶存儲單元的集成芯片復(fù)測方法一實施例流程圖。

具體實施方式

結(jié)合圖1所示，所述帶存儲單元的集成芯片復(fù)測方法在下面的實施例中，具體實施過程如下：

芯片存儲單元背景為全0；設(shè)置一測試通過標記(地址1)，用于判斷芯片是否完全通過測試；設(shè)置一數(shù)據(jù)保存標記(地址2)，用于判斷是否進行過數(shù)據(jù)保存功能測試；設(shè)置一數(shù)據(jù)保存測試標記(地址3)，用于判斷芯片是否通過數(shù)據(jù)保存功能測試；包括如下步驟：

步驟一，讀取地址1處測試通過標記55AA，判斷芯片是否做過并完全通過前次測試；若通過則測試結(jié)束，返回良品結(jié)果；若失效則測試繼續(xù)進行。

步驟二，讀取地址2處數(shù)據(jù)保存通過標記33CC，判斷是否做過并完全通過數(shù)據(jù)保存功能測試；若通過則繼續(xù)進行下步測試：存儲器功能測試；若失效則判斷地址3處的數(shù)據(jù)保存測試標記；

步驟三，讀取地址3處的數(shù)據(jù)保存測試標志0000判斷芯片是否進行過數(shù)據(jù)存儲測試；若通過，則地址2處寫33CC，地址3處寫FFFF，并繼續(xù)進行下步測試：存儲器功能測試；若失效則地址2處寫CC33，地址3處寫FFFF并返回不良品結(jié)果。

步驟四，若存儲器功能測試通過，則地址1處寫測試通過標記55AA并返回良品結(jié)果；若存儲器功能測試失效，則地址1處寫測試失效標記AA55并返回不良品結(jié)果。

以上通過具體實施方式對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。