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產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法以及產(chǎn)生氣體分析裝置與流程

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產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法以及產(chǎn)生氣體分析裝置與流程

本發(fā)明涉及將加熱試料而產(chǎn)生的氣體成分離子化而進(jìn)行質(zhì)量分析、進(jìn)行試料的辨識(shí)、定量等的產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法以及產(chǎn)生氣體分析裝置。



背景技術(shù):

為了確保樹(shù)脂的柔軟性,在樹(shù)脂中包含有酞酸酯等可塑劑,對(duì)于四種酞酸酯,根據(jù)歐洲特定有害物質(zhì)規(guī)制(rohs)限制其2019年以后的使用。因此,需要對(duì)樹(shù)脂中的酞酸酯進(jìn)行辨識(shí)以及定量。

酞酸酯是揮發(fā)性成分,因此能應(yīng)用以往眾所周知的產(chǎn)生氣體分析(ega:evolvedgasanalysis)來(lái)進(jìn)行分析。該產(chǎn)生氣體分析是將加熱試料而產(chǎn)生的氣體成分用氣相色譜儀和質(zhì)量分析等各種分析裝置進(jìn)行分析的方法。

此外,質(zhì)量分析的靈敏度非常高,因此檢測(cè)精度優(yōu)良,但相應(yīng)地需要正確地進(jìn)行靈敏度的校正等。另外,質(zhì)量分析計(jì)是通用分析設(shè)備,因此用戶不得不與測(cè)定對(duì)象相應(yīng)地自行進(jìn)行靈敏度調(diào)整、校正,需要煩雜的作業(yè)。

因此,公開(kāi)有由標(biāo)準(zhǔn)試料的質(zhì)譜來(lái)校正測(cè)定對(duì)象的質(zhì)荷比m/z(質(zhì)量數(shù))的技術(shù)(專利文獻(xiàn)1、2)。

專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008-190898號(hào)公報(bào)。

專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2005-106524號(hào)公報(bào)。

但是,如圖9所示,測(cè)定對(duì)象的氣體成分的定量是基于色譜c的面積s而計(jì)算的,因此對(duì)于色譜c也需要進(jìn)行校正、調(diào)整。色譜c的面積s會(huì)受到將氣體成分離子化的離子源的劣化、測(cè)定溫度等的影響。另外,色譜的形狀(給出最大峰值的時(shí)間t)受到加熱試料時(shí)的加熱速度(升溫速度)的影響,若色譜的形狀變成c'則變化成時(shí)間t',色譜c'的面積s'也會(huì)變化。

上述的校正、調(diào)整的順序能夠按照測(cè)定設(shè)備的使用說(shuō)明書進(jìn)行,但一般的校正順序?qū)τ诟鱾€(gè)測(cè)定對(duì)象物質(zhì)的分析并不一定最適合,存在需要與各個(gè)測(cè)定對(duì)象物質(zhì)相應(yīng)地進(jìn)行追加的補(bǔ)正、調(diào)整的情況。該補(bǔ)正、調(diào)整需要專業(yè)的知識(shí)、經(jīng)驗(yàn)、以及適當(dāng)?shù)臉?biāo)準(zhǔn)物質(zhì),作業(yè)煩雜而會(huì)導(dǎo)致作業(yè)效率的下降。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

因此,本發(fā)明是為了解決上述的課題而做成的,其目的在于提供能簡(jiǎn)便地對(duì)檢測(cè)靈敏度的儀器誤差、時(shí)刻誤差變動(dòng)等進(jìn)行補(bǔ)正、以高精度對(duì)測(cè)定對(duì)象進(jìn)行定量的產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法以及產(chǎn)生氣體分析裝置。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明為產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法,所述產(chǎn)生氣體分析裝置具備:加熱部,將試料加熱而產(chǎn)生氣體成分;離子源,將在該加熱部生成的前述氣體成分離子化而生成離子;質(zhì)量分析計(jì),對(duì)前述離子進(jìn)行質(zhì)量分析而檢測(cè)前述氣體成分;所述產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法的特征在于,使用作為測(cè)定對(duì)象而包含前述氣體成分的標(biāo)準(zhǔn)試料,(1)進(jìn)行校正使得關(guān)于前述標(biāo)準(zhǔn)試料的前述氣體成分獲得的質(zhì)譜的與質(zhì)荷比m/z對(duì)應(yīng)的譜位置與基準(zhǔn)譜位置相符,(2)在前述(1)的校正之后,由色譜的面積s與基準(zhǔn)面積ss對(duì)測(cè)定實(shí)際的前述試料的前述氣體成分的色譜的面積時(shí)的靈敏度補(bǔ)正系數(shù)cs=ss/s進(jìn)行計(jì)算,所述色譜的面積s表示關(guān)于前述標(biāo)準(zhǔn)試料的前述氣體成分獲得的相對(duì)于保持時(shí)間的強(qiáng)度,(3)由前述色譜的給出最大峰值的時(shí)間t與基準(zhǔn)時(shí)間ts計(jì)算對(duì)測(cè)定實(shí)際的前述試料的前述氣體成分時(shí)的前述加熱部?jī)?nèi)的前述試料的加熱速度進(jìn)行補(bǔ)正的加熱補(bǔ)正系數(shù)h=t/ts。

根據(jù)該產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法,首先根據(jù)上述(1),對(duì)各氣體成分的質(zhì)譜的譜位置的檢測(cè)靈敏度的儀器誤差、時(shí)刻誤差變動(dòng)等進(jìn)行校正,因此能高精度地獲得(2)、(3)的各氣體成分的色譜。

接著,色譜的面積會(huì)受到將氣體成分離子化的離子源的劣化、測(cè)定溫度等的影響,因此需要由(2)進(jìn)行的校正。因此,借助(2),能用靈敏度補(bǔ)正系數(shù)cs對(duì)實(shí)際的氣體成分的色譜的面積進(jìn)行補(bǔ)正、由該面積進(jìn)行氣體成分的正確的定量。

接著,若加熱試料時(shí)的加熱速度(升溫速度)發(fā)生變化,則色譜的形狀(給出最大峰值的時(shí)間t)會(huì)發(fā)生變化,色譜的面積也會(huì)發(fā)生變化,因此需要由(3)進(jìn)行的校正。因此,借助(3)用加熱補(bǔ)正系數(shù)h適當(dāng)?shù)貙?duì)加熱部的加熱條件進(jìn)行調(diào)整而進(jìn)行測(cè)定,由此能獲得正確的色譜,與由(2)進(jìn)行的補(bǔ)正相輔相成,能進(jìn)行氣體成分的更正確的定量。

在測(cè)定實(shí)際的試料前,測(cè)定一次一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)試料而進(jìn)行這些(2)至(3)的校正,由此能以高精度對(duì)測(cè)定對(duì)象進(jìn)行定量,能抑制儀器誤差、時(shí)刻誤差而以高的再現(xiàn)性進(jìn)行定量。

在前述測(cè)定對(duì)象包含多種前述氣體成分的情況下,也可以計(jì)算前述加熱補(bǔ)正系數(shù)h=∑ai×ti/tsi(其中,i是表示各氣體成分i的自然數(shù),ai是各氣體成分i的已知的加熱靈敏度系數(shù),ti是各氣體成分i的色譜的給出最大峰值的時(shí)間,tsi是各氣體成分i的色譜的給出最大峰值的基準(zhǔn)時(shí)間。)

根據(jù)該產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法,即使在測(cè)定對(duì)象包含多種前述氣體成分時(shí),也能進(jìn)行氣體成分的正確的定量。

本發(fā)明的產(chǎn)生氣體分析裝置具備:加熱部,將試料加熱而產(chǎn)生氣體成分;離子源,將在該加熱部生成的前述氣體成分離子化而生成離子;質(zhì)量分析計(jì),對(duì)前述離子進(jìn)行質(zhì)量分析而檢測(cè)前述氣體成分;其特征在于,還具有校正處理部,其在使用作為測(cè)定對(duì)象而包含前述氣體成分的標(biāo)準(zhǔn)試料時(shí),(1)進(jìn)行校正使得關(guān)于前述標(biāo)準(zhǔn)試料的前述氣體成分獲得的質(zhì)譜的與質(zhì)荷比m/z對(duì)應(yīng)的譜位置與基準(zhǔn)譜位置相符,(2)在前述(1)的校正之后,由色譜的面積s與基準(zhǔn)面積ss對(duì)測(cè)定實(shí)際的前述試料的前述氣體成分的色譜的面積時(shí)的靈敏度補(bǔ)正系數(shù)cs=ss/s進(jìn)行計(jì)算,所述色譜的面積s表示關(guān)于前述標(biāo)準(zhǔn)試料的前述氣體成分獲得的相對(duì)于保持時(shí)間的強(qiáng)度,(3)從前述色譜的給出最大峰值的時(shí)間t與基準(zhǔn)時(shí)間ts計(jì)算對(duì)測(cè)定實(shí)際的前述試料的前述氣體成分時(shí)的前述加熱部?jī)?nèi)的前述試料的加熱速度進(jìn)行補(bǔ)正的加熱補(bǔ)正系數(shù)h=t/ts,上述計(jì)算都由計(jì)算機(jī)進(jìn)行。

根據(jù)本發(fā)明,能簡(jiǎn)便地對(duì)產(chǎn)生氣體分析裝置的檢測(cè)靈敏度的儀器誤差、時(shí)刻誤差變動(dòng)等進(jìn)行補(bǔ)正、以高精度對(duì)測(cè)定對(duì)象進(jìn)行定量。另外,即使沒(méi)有專業(yè)的知識(shí)、經(jīng)驗(yàn)也能進(jìn)行適合于測(cè)定對(duì)象物質(zhì)的裝置的校正、調(diào)整。

附圖說(shuō)明

圖1是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的產(chǎn)生氣體分析裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖2是表示氣體產(chǎn)生部的結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖3是表示氣體產(chǎn)生部的結(jié)構(gòu)的縱剖視圖。

圖4是表示氣體產(chǎn)生部的結(jié)構(gòu)的橫剖視圖。

圖5是表示借助產(chǎn)生氣體分析裝置進(jìn)行的氣體成分的分析動(dòng)作的框圖。

圖6是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法的圖。

圖7是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法的其他的圖。

圖8是表示借助加熱補(bǔ)正系數(shù)h對(duì)加熱爐內(nèi)的試料的加熱速度進(jìn)行補(bǔ)正的一例的圖。

圖9是表示由于試料的加熱速度的影響而質(zhì)量分析中的色譜的形狀變化的圖。

具體實(shí)施方式

以下,參照附圖說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的產(chǎn)生氣體分析裝置200的結(jié)構(gòu)的立體圖,圖2是表示氣體產(chǎn)生部100的結(jié)構(gòu)的立體圖,圖3是表示氣體產(chǎn)生部100的結(jié)構(gòu)的沿軸心o的縱剖視圖,圖4是表示氣體產(chǎn)生部100的結(jié)構(gòu)的沿軸心o的橫剖視圖。

產(chǎn)生氣體分析裝置200具備:成為框體的主體部202、安裝于主體部202的正面的箱型的氣體產(chǎn)生部安裝部204、對(duì)整體進(jìn)行控制的計(jì)算機(jī)(控制部)210。計(jì)算機(jī)210具有:進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的cpu;存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)部;監(jiān)視器;鍵盤等輸入部等。計(jì)算機(jī)210相當(dāng)于權(quán)利要求書的“校正處理部”。

在氣體產(chǎn)生部安裝部204的內(nèi)部收納有氣體產(chǎn)生部100,該氣體產(chǎn)生部100是圓筒狀的加熱爐(加熱部)10、試料架20、冷卻部30、使氣體分支的分流器40、離子源50作為組裝件而形成一個(gè)裝置而形成的。另外,在主體部202的內(nèi)部,收納有對(duì)加熱試料而產(chǎn)生的氣體成分進(jìn)行分析的質(zhì)量分析計(jì)(檢測(cè)機(jī)構(gòu))110。

此外,從氣體產(chǎn)生部安裝部204的上表面朝向前表面設(shè)置開(kāi)口204h,若使試料架20向加熱爐10外側(cè)的排出位置(后述)移動(dòng),則其位于開(kāi)口204h,因此能夠從開(kāi)口204h向試料架20取出或放入試料。另外,在氣體產(chǎn)生部安裝部204的前表面處設(shè)置狹縫204s,通過(guò)使從狹縫204s向外部露出的開(kāi)閉把手22h左右地移動(dòng)而使試料架20在加熱爐10的內(nèi)外移動(dòng)而設(shè)置于上述的排出位置,取出或放入試料。

此外,如果借助例如用計(jì)算機(jī)210控制的步進(jìn)式馬達(dá)等使試料架20在移動(dòng)軌道204l(后述)上移動(dòng),則能將使試料架20在加熱爐10的內(nèi)外移動(dòng)的功能自動(dòng)化。

接著,參照?qǐng)D2至圖5說(shuō)明氣體產(chǎn)生部100的各部分的結(jié)構(gòu)。

首先,加熱爐10以將軸心o設(shè)成水平的方式安裝于氣體產(chǎn)生部安裝部204的安裝板204a,具有:呈以軸心o為中心地開(kāi)口的大致圓筒狀的加熱室12;加熱塊14;保溫套16。

在加熱室12的外周配置加熱塊14,在加熱塊14的外周配置保溫套16。加熱塊14由鋁形成,被沿著軸心o向加熱爐10的外部延伸的一對(duì)加熱器14a(參照?qǐng)D4)通電加熱。

此外,安裝板204a在垂直于軸心o的方向上延伸,分流器40以及離子源50安裝于加熱爐10。進(jìn)一步地,離子源50由在氣體產(chǎn)生部安裝部204的上下方向上延伸的支柱204b支承。

在加熱爐的與開(kāi)口側(cè)相反的一側(cè)(圖3的右側(cè))連接有分流器40。另外,在加熱爐10的下側(cè)連接運(yùn)載氣體保護(hù)管18,在運(yùn)載氣體保護(hù)管18的內(nèi)部,收納有與加熱室12的下表面連通而將運(yùn)載氣體c向加熱室12導(dǎo)入的運(yùn)載氣體流路18f。

并且,之后詳細(xì)描述,在加熱室12的與開(kāi)口側(cè)相反的一側(cè)(圖3的右側(cè))的端面處連通氣體流路41,在加熱爐10(加熱室12)中生成的氣體成分g與運(yùn)載氣體c的混合氣體m在氣體流路41中流通。

試料架20具有:臺(tái)22,在安裝于氣體產(chǎn)生部安裝部204的內(nèi)部上表面的移動(dòng)軌道204l上移動(dòng);托架24c,安裝于臺(tái)22上,上下地延伸;隔熱件24b、26,安裝于托架24c的前表面(圖3的左側(cè));試料保持部24a,從托架24c向加熱室12側(cè)沿軸心o方向延伸;加熱器27,埋設(shè)于試料保持部24a的稍下方;試料盤28,在加熱器27的稍上方處配置于試料保持部24a的上表面,收納試料。

在此,移動(dòng)軌道204l沿軸心o方向(圖3的左右方向)延伸,試料架20與臺(tái)22一起在軸心o方向上進(jìn)退。另外,開(kāi)閉把手22h在與軸心o方向垂直的方向上延伸并且安裝于臺(tái)22。

此外,托架24c呈上部呈半圓形的長(zhǎng)條狀,隔熱件24b呈大致圓筒狀而裝配于托架24c上部的前表面(參照?qǐng)D2),加熱器27的電極27a貫通隔熱件24b而伸出到外部。隔熱件26呈大致矩形狀,在比隔熱件24b更靠下方處裝配于托架24c的前表面。另外,在托架24c的下方不裝配隔熱件26而托架24c的前表面露出,形成接觸面24f。

托架24c形成為直徑比加熱室12稍大而將加熱室12氣密地閉塞,試料保持部24a收納在加熱室12的內(nèi)部。

并且,載置于加熱室12的內(nèi)部的試料盤28的試料在加熱爐10內(nèi)被加熱,生成氣體成分g。

冷卻部30以與試料架20的熱傳導(dǎo)塊26對(duì)置的方式配置于加熱爐10的外側(cè)(圖3的加熱爐10的左側(cè))。冷卻部30具備:大致矩形且具有凹部32r的冷卻塊32;連接于冷卻塊32下表面的冷卻翅片34;連接于冷卻翅片34的下表面并向冷卻翅片34供給空氣的空冷風(fēng)扇36。

并且,若試料架20在移動(dòng)軌道204l上沿軸心o方向朝向圖3的左側(cè)移動(dòng)而向加熱爐10外排出,則托架24c的接觸面24f被收納于冷卻塊32的凹部32r并與其接觸,經(jīng)由冷卻塊32帶走托架24c的熱,冷卻試料架20(尤其是試料保持部24a)。

此外,在本實(shí)施方式中,試料架20(包括托架24c)以及冷卻塊32都由鋁形成。

如圖3、圖4所示,分流器40具備:與加熱室12連通的上述的氣體流路41;連通于氣體流路41并且向外部打開(kāi)的分支路42;質(zhì)量流量控制器(排出流量調(diào)整機(jī)構(gòu))42a,連接于分支路42的出口側(cè)而調(diào)整自分支路42的混合氣體m向外部的排出流量;在自身的內(nèi)部氣體流路41開(kāi)口的框體部43;包圍框體部43的保溫部44。

如圖4所示,從上表面觀察時(shí),氣體流路41呈如下所述的彎曲狀:在與加熱室12連通并沿軸心o方向延伸后,垂直于軸心o方向地彎曲,進(jìn)一步地向軸心o方向彎曲而到達(dá)終端部41e。另外,氣體流路41中與軸心o方向垂直地延伸的部位的中央附近擴(kuò)徑而形成分支室41m。分支室41m延伸到框體部43的上表面,嵌合有比分支室41m直徑稍小的分支路42。

氣體流路41既可以呈與加熱室12連通并沿著軸心o方向延伸而到達(dá)終端部41e的直線狀,也可以與加熱室12、離子源50的位置關(guān)系相應(yīng)地呈各種曲線或與軸心o具有角度的線狀等。

此外,在本實(shí)施方式中,氣體流路41設(shè)成直徑約2mm,分支室41m以及分支路42設(shè)成直徑約1.5mm。并且,在氣體流路41中流通到終端部41e的流量與向分支路42分支的流量的比(分流比)由各流路阻力確定,能向分支路42流出更多的混合氣體m。并且,該分流比能通過(guò)調(diào)整質(zhì)量流量控制器42a的開(kāi)度而控制。

如圖3、圖4所示,離子源50具有:框體部53、包圍框體部53的保溫部54、放電針56、保持放電針56的支架55。框體部53呈板狀,其板面沿著軸心o方向,并且在中央處貫通有小孔53c。并且,氣體流路41的終端部41e穿過(guò)框體部53的內(nèi)部而面臨小孔53c的側(cè)壁。另一方面,放電針56垂直于軸心o方向地延伸而面臨小孔53c。

并且,在從終端部41e向小孔53c附近導(dǎo)入的混合氣體m中,氣體成分g借助放電針56被離子化。

離子源50是眾所周知的裝置,在本實(shí)施方式中,采用大氣壓化學(xué)離子化(apci)類型。apci不容易引起氣體成分g的碎裂,不會(huì)產(chǎn)生碎裂峰值,所以在色譜分析等中不分離也能對(duì)測(cè)定對(duì)象進(jìn)行檢測(cè),因此是優(yōu)選的。

被離子源50離子化后的氣體成分g與運(yùn)載氣體c一起被導(dǎo)入質(zhì)量分析計(jì)110而被分析。

此外,離子源50被收納于保溫部54的內(nèi)部。

圖5是表示由產(chǎn)生氣體分析裝置200進(jìn)行的氣體成分的分析動(dòng)作的框圖。

試料s在加熱爐10的加熱室12內(nèi)被加熱,生成氣體成分g。加熱爐10的加熱狀態(tài)(升溫速度、最高到達(dá)溫度等)由計(jì)算機(jī)210的加熱控制部212控制。

氣體成分g與被導(dǎo)入至加熱室12的運(yùn)載氣體c混合而成為混合氣體m,被導(dǎo)入分流器40。計(jì)算機(jī)210的檢測(cè)信號(hào)判定部214從質(zhì)量分析計(jì)110的檢測(cè)器118(后述)接收檢測(cè)信號(hào)。

流量控制部216判定從檢測(cè)信號(hào)判定部214接收的檢測(cè)信號(hào)的峰值強(qiáng)度是否為閾值的范圍外。接著,在范圍外時(shí),流量控制部216控制質(zhì)量流量控制器42a的開(kāi)度從而調(diào)整在分流器40內(nèi)從分支路42向外部排出的混合氣體m的流量,進(jìn)而調(diào)整從氣體流路41向離子源50導(dǎo)入的混合氣體m的流量,將質(zhì)量分析計(jì)110的檢測(cè)精度保持為最適宜。

質(zhì)量分析計(jì)110具備:將被離子源50離子化的氣體成分g導(dǎo)入的第一細(xì)孔111;與第一細(xì)孔111連接、氣體成分g順序地流通的第二細(xì)孔112;離子引導(dǎo)件114;四級(jí)濾質(zhì)器116;檢測(cè)從四級(jí)濾質(zhì)器116出來(lái)的氣體成分g的檢測(cè)器118。

四級(jí)濾質(zhì)器116使施加的高頻電壓變化從而能進(jìn)行質(zhì)量掃描,生成四級(jí)電場(chǎng),使離子在該電場(chǎng)內(nèi)振動(dòng)運(yùn)動(dòng)從而檢測(cè)離子。四級(jí)濾質(zhì)器116呈僅令處于特定的質(zhì)量范圍的氣體成分g透過(guò)的質(zhì)量分離器,因此能用檢測(cè)器118進(jìn)行氣體成分g的辨識(shí)以及定量。

此外,若使用僅檢測(cè)測(cè)定對(duì)象的氣體成分具有的特定的質(zhì)荷比(m/z)的離子的選擇離子檢測(cè)(sim)模式,則與檢測(cè)某一范圍的質(zhì)荷比的離子的全離子檢測(cè)(掃描)模式相比,檢測(cè)對(duì)象的氣體成分的檢測(cè)精度提高,因此是優(yōu)選的。

接著,參照?qǐng)D6說(shuō)明涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的產(chǎn)生氣體分析裝置的校正方法。

首先,準(zhǔn)備作為測(cè)定對(duì)象而包含氣體成分的標(biāo)準(zhǔn)試料。在本實(shí)施方式中,測(cè)定對(duì)象包含多種氣體成分,標(biāo)準(zhǔn)試料包含這些多種氣體成分(例如,rohs限制對(duì)象的dehp、dbp、bbp、dibp的四種成分的酞酸酯)。包含于標(biāo)準(zhǔn)試料的各氣體成分的含有率不受限定,與關(guān)于實(shí)際的測(cè)定對(duì)象的氣體成分設(shè)想的含有率接近(例如,dehp、dbp、bbp、dibp四種成分的rohs限制值是1000ppm且相同,因此優(yōu)選地將四種成分的含有率以相同的位數(shù)統(tǒng)一)即可。此外,含有率是(氣體成分的質(zhì)量)/(試料整體的質(zhì)量)。

接著,以下述的順序進(jìn)行校正。

(1)進(jìn)行校正使得關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)試料的各氣體成分獲得的質(zhì)譜的與質(zhì)荷比m/z對(duì)應(yīng)的譜位置與基準(zhǔn)譜位置相符。例如,調(diào)整質(zhì)量分析計(jì)110(四級(jí)濾質(zhì)器116)的設(shè)定(例如高頻電壓),使得在圖6中關(guān)于三種氣體成分1、2、3分別獲得的質(zhì)譜的各譜位置落入基準(zhǔn)譜位置m1、m2、m3的容許范圍2l內(nèi)。

此外,如圖7所示,容許范圍2l是以各基準(zhǔn)譜位置m1、m2、m3為中心±l的范圍,只要標(biāo)準(zhǔn)試料的各氣體成分的譜位置分別落入這些容許范圍2l內(nèi)即可。這是因?yàn)樵诒緦?shí)施方式中,包含于標(biāo)準(zhǔn)試料的各氣體成分的種類預(yù)先確定,因此即使不像測(cè)定對(duì)象沒(méi)有被限定的通用分析那樣進(jìn)行使與多種成分的基準(zhǔn)譜位置的誤差變?yōu)樽钚∵@樣的調(diào)試,也沒(méi)有問(wèn)題。但是,使各譜位置與基準(zhǔn)譜位置相符的方法不限于上述,當(dāng)然也可以進(jìn)行這樣的調(diào)試等。

像這樣地對(duì)各氣體成分的質(zhì)譜的譜位置的檢測(cè)靈敏度的儀器誤差、時(shí)刻誤差變動(dòng)等進(jìn)行校正,因此能高精度地獲得以下(2)、(3)的各氣體成分的色譜。

(2)在(1)的校正后,從關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)試料的氣體成分獲得的表示相對(duì)于保持時(shí)間的強(qiáng)度(離子強(qiáng)度)的色譜的面積s與基準(zhǔn)面積ss,計(jì)算靈敏度補(bǔ)正系數(shù)cs=ss/s。cs成為此后測(cè)定實(shí)際的試料的氣體成分的色譜的面積時(shí)的補(bǔ)正系數(shù)。色譜的面積s會(huì)受到將氣體成分離子化的離子源的劣化和測(cè)定溫度等的影響,因此需要由(2)進(jìn)行的校正。

例如,在圖6中,能關(guān)于三種氣體成分1、2、3分別獲得色譜c1、c2、c3,因此用計(jì)算機(jī)210的cpu求得各色譜c1、c2、c3的面積s1、s2、s3。另一方面,關(guān)于各氣體成分c1、c2、c3,基準(zhǔn)面積ss1、ss2、ss3分別存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)210的存儲(chǔ)部。因此,cpu針對(duì)每種氣體成分c1、c2、c3計(jì)算cs(例如,在氣體成分c1的情況下,cs1=ss1/s1),將實(shí)際的氣體成分c1的色譜的面積乘以cs1后的值視為面積。能從該面積進(jìn)行氣體成分c1的正確的定量。

(3)由上述色譜c1、c2、c3的給出最大峰值的時(shí)間t和基準(zhǔn)時(shí)間ts計(jì)算對(duì)加熱爐10內(nèi)(實(shí)際上是監(jiān)視溫度的試料盤28上)的試料的加熱速度進(jìn)行補(bǔ)正的加熱補(bǔ)正系數(shù)h=t/ts。h是調(diào)整此后測(cè)定實(shí)際的試料的氣體成分時(shí)的加熱爐10內(nèi)的試料的加熱速度的系數(shù)。若加熱試料時(shí)的加熱速度(升溫速度)發(fā)生變化,則色譜的形狀(給出最大峰值的時(shí)間t)會(huì)發(fā)生變化,色譜的面積也會(huì)發(fā)生變化,因此需要由(3)進(jìn)行的校正。

例如在圖6中,對(duì)各色譜c1、c2、c3,由cpu分別求出時(shí)間t1、t2、t3。另一方面,關(guān)于各氣體成分c1、c2、c3,基準(zhǔn)時(shí)間ts1、ts2、ts3分別存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)210的存儲(chǔ)部。因此,cpu針對(duì)每種氣體成分c1、c2、c3計(jì)算h=t/ts。

借助h將加熱爐10的加熱條件適當(dāng)?shù)卣{(diào)整而測(cè)定實(shí)際的試料的氣體成分c1,由此能獲得正確的色譜。并且,將對(duì)于該色譜的面積乘以由(2)確定的氣體成分c1的靈敏度補(bǔ)正系數(shù)cs1后的值作為實(shí)際的面積值,從而能進(jìn)行氣體成分c1的更正確的定量。由此,通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)試料能簡(jiǎn)便地對(duì)產(chǎn)生氣體分析裝置200的加熱爐10和加熱器27的加熱能力、測(cè)定溫度、檢測(cè)靈敏度等的儀器誤差、時(shí)刻誤差變動(dòng)等進(jìn)行補(bǔ)正,提高測(cè)定精度(尤其是色譜的面積)。

此外,實(shí)際上在加熱爐10內(nèi),加熱爐10的自身的溫度借助加熱器14a全部被保持在既定溫度,借助試料盤28稍下方的加熱器27的阻抗監(jiān)視試料溫度,與監(jiān)視到的試料溫度相應(yīng)地調(diào)整試料的加熱速度的是加熱器27。因此,“對(duì)加熱爐內(nèi)的試料的加熱速度進(jìn)行補(bǔ)正”是指至少與試料溫度相應(yīng)地對(duì)使加熱狀態(tài)變動(dòng)的部位(在本例中是加熱器27)的加熱速度進(jìn)行補(bǔ)正。

在此,在測(cè)定對(duì)象包含多種氣體成分的情況下,作為h=∑ai×ti/tsi進(jìn)行計(jì)算。其中,i是表示各氣體成分i的自然數(shù),在本實(shí)施方式中相當(dāng)于氣體成分1、2、3。另外,ai是各氣體成分i的已知的加熱靈敏度系數(shù),表示各氣體成分的峰值時(shí)間(給出最大峰值的時(shí)間t)相對(duì)于加熱速度的變化而變化的容易度。ai在本實(shí)施方式中相當(dāng)于每個(gè)氣體成分1、2、3的加熱靈敏度系數(shù)a1、a2、a3。tsi是各氣體成分i的色譜的給出最大峰值的基準(zhǔn)時(shí)間,在本實(shí)施方式中,相當(dāng)于每個(gè)氣體成分1、2、3的色譜c1、c2、c3的給出最大峰值的基準(zhǔn)時(shí)間ts1、ts2、ts3。

因此,形成為h=(a1×t1/ts1)+(a2×t2/ts2)+(a3×t3/ts3)。

圖8表示借助加熱補(bǔ)正系數(shù)h對(duì)加熱爐10內(nèi)的試料的加熱速度進(jìn)行補(bǔ)正的一例。例如,實(shí)際的給出最大峰值的時(shí)間t比基準(zhǔn)時(shí)間ts更短時(shí)(h<1時(shí)),加熱速度過(guò)剩,與原加熱模式u相比需要降低加熱速度。因此,將加熱補(bǔ)正系數(shù)h乘以原加熱程序的斜率(加熱速度)從而補(bǔ)正成降低了加熱速度的加熱模式u'。

一般而言,若加熱器27的加熱速度過(guò)快,則氣體成分的氣體濃度會(huì)急劇地增大,因此存在離子源中的離子化效率不能追從于此而峰值面積值變小的傾向。因此,通過(guò)補(bǔ)正成加熱模式u'能獲得正確的色譜。

此外,在上述(1)至(3)的處理由校正處理部210自動(dòng)地進(jìn)行的情況下,設(shè)成下述方式。

(1)檢測(cè)信號(hào)判定部214基于接收到的檢測(cè)信號(hào),調(diào)整質(zhì)量分析計(jì)110(四級(jí)濾質(zhì)器116)的設(shè)定(例如高頻電壓),使得標(biāo)準(zhǔn)試料的各氣體成分的譜位置落入預(yù)先設(shè)定于存儲(chǔ)部的m1、m2、m3以及容許范圍2l內(nèi)。

(2)檢測(cè)信號(hào)判定部214基于接收到的檢測(cè)信號(hào)和設(shè)定于存儲(chǔ)部的基準(zhǔn)面積ss1、ss2、ss3,計(jì)算靈敏度補(bǔ)正系數(shù)cs。計(jì)算出的cs存儲(chǔ)于存儲(chǔ)部。

(3)檢測(cè)信號(hào)判定部214基于接收到的檢測(cè)信號(hào)和設(shè)定于存儲(chǔ)部的基準(zhǔn)時(shí)間ts,計(jì)算加熱補(bǔ)正系數(shù)h=t/ts。計(jì)算出的h存儲(chǔ)于存儲(chǔ)部。

接著,在進(jìn)行實(shí)際的試料的氣體成分的質(zhì)量分析時(shí),加熱控制部212基于h借助加熱器27控制而補(bǔ)正加熱爐10內(nèi)的試料的加熱速度,在該狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)定。并且,檢測(cè)信號(hào)判定部214將獲得的色譜的面積乘以cs1后的值作為面積值輸出。

無(wú)需言明,本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式,也涉及包含于本發(fā)明的構(gòu)思與范圍內(nèi)的各種變形以及等同物。

作為測(cè)定對(duì)象,除酞酸酯之外,還能例示出被歐洲特定有害物質(zhì)規(guī)制(rohs)限制的溴化物阻燃劑(多溴聯(lián)苯(pbb)、多溴二苯醚(pbde)),但不限于這些。

加熱爐、離子源、質(zhì)量分析計(jì)的結(jié)構(gòu)、形狀、配置狀態(tài)等不限于上述的例子。校正成質(zhì)譜的譜位置與基準(zhǔn)譜位置相符的方法也不限于上述的例子,也可以采用眾所周知的方法。

另外,在本發(fā)明的產(chǎn)生氣體分析裝置中,還可以設(shè)置將試料自動(dòng)地、連續(xù)地向加熱部插入的自動(dòng)取樣器,并且在該自動(dòng)取樣器的既定部位處設(shè)置放置上述標(biāo)準(zhǔn)試料的場(chǎng)所,在最初將該標(biāo)準(zhǔn)試料測(cè)定一次,由此,自動(dòng)地進(jìn)行上述(1)至(3)的處理。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

10加熱部(加熱爐);50離子源;110質(zhì)量分析計(jì);200產(chǎn)生氣體分析裝置;210校正處理部(計(jì)算機(jī));c1、c2、c3氣體成分的色譜;m1、m2、m3基準(zhǔn)譜位置。

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